WO2002027888A1 - Schutzschaltung - Google Patents

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WO2002027888A1
WO2002027888A1 PCT/EP2001/010842 EP0110842W WO0227888A1 WO 2002027888 A1 WO2002027888 A1 WO 2002027888A1 EP 0110842 W EP0110842 W EP 0110842W WO 0227888 A1 WO0227888 A1 WO 0227888A1
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WO
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micro
relay
voltage
connection
protection circuit
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PCT/EP2001/010842
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Inventor
Wilhelm Fey
Ernst Krause
Original Assignee
Pepperl + Fuchs Gmbh
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Application filed by Pepperl + Fuchs Gmbh filed Critical Pepperl + Fuchs Gmbh
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Priority to AT01976241T priority patent/ATE300112T1/de
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    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/008—Intrinsically safe circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/041—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage using a short-circuiting device

Definitions

  • the invention relates to a protective circuit for voltage limitation for a device to be protected, in particular a consumer with an upstream voltage and current limiting device, according to the preamble of claim 1.
  • Protective circuits of this type are known from EP 0 359 912 AI, EP 0 310 280 Bl or DE-PS 36 22 268. These known protective circuits have various disadvantages. For example, after the corresponding fuse device in EP 0 359 912 AI has responded, a fuse must be replaced manually. The circuits of DE-PS 36 22 268 and EP 0 310 280 B1 have the disadvantage that high cross currents are drawn there and that an undesired voltage drop also occurs in the working area. Another disadvantage is that a high power loss can also occur in the event of a fault.
  • DE 38 04 250 01 describes a circuit arrangement for current limitation, in particular for use in digital end devices.
  • the source-drain path of a field effect transistor is arranged, the passage of which is controlled via its gate as a function of both the control of a transistor and the charge of a capacitor.
  • DE 41 00 634 AI discloses a test device for ICs, in particular in printed circuit boards, in which a plurality of micro-relays is provided for connecting individual test points of a test object with different test channels.
  • the present invention is therefore based on the object to provide a protective circuit for voltage limitation for a device to be protected, in particular a consumer with an upstream voltage and current limiting device, which can be designed flexibly in accordance with the circuit requirements, which has negligible longitudinal voltage drops and cross currents and which in particular can form a suitable protective function for a Zener barrier connected upstream of a consumer.
  • a generic protection circuit according to the invention further developed in that the switching device is a micromechanical component, which has a control circuit with a high input resistance and a 'costly circular electrically isolated from the S output circuit, which is switchable via the control circuit, wherein the output circuit in the opened switching state has a galvanic separation has its output terminals.
  • micro-mechanical component or component is expediently implemented in the form of a micro-relay on the basis of materials and methods as are customary in micro-mechanics and / or in semiconductor production.
  • a micro-relay for example based on silicon, is selected for this in a very advantageous manner, which can have a suitable layer structure, for example similar to that of semiconductor components, and whose layers are structured in terms of process technology in such a way that the actually switching mechanical element is generated by electrostatic or piezoelectric Forces, ie charge change, can be actuated.
  • this silicon micro relay can be similar to the type of a leaf spring function, a bending beam or the like. work. Such a relay is described by way of example in US Pat. No. 5,638,946.
  • a voltage sensor diode in particular a Zener diode, a power sensor or a temperature sensor, for example a temperature-variable resistor, for example a thermistor, can be used as the voltage sensor device.
  • the electronic Switch (Tl) is assigned at least one load resistor (Rc) and the voltage sensor diode (Dz) is assigned at least one resistor (Rb), and the control connection of the electronic switch (Tl) is connected to the resistor (Rb) and the voltage sensor diode (Dz) in operative connection.
  • the micro-relay is also very advantageous due to its high level of resistance to vibrations, which reduces the probability of errors.
  • the switch when choosing the switch as a micro relay, it is very important that it can be flexibly adapted to the relevant requirements, i.e. with an existing voltage or current sensing device according to the output requirements for the downstream consumers, with a high degree of freedom in the circuit can be placed.
  • the micro-relay with its control connections can also be controlled directly via a collector-emitter or collector-base path or drain-source or drain-gate path of a transistor.
  • the integration of a micro relay into existing circuits can usually be done relatively easily if the properties of the micro relay are correctly assessed. In comparison to an FET used as a switch, the voltage at the output is switched off in a kind of toggle function without additional wiring to achieve hysteresis. With- Protective circuits with micro-relays as switches can therefore be used to implement circuits against overvoltage and overload, even with latching.
  • the very considerable advantage of using a corresponding micro device or a micro relay as a switch in a protective circuit is the considerable simplification of the component expenditure for controlling the micro relay. In corresponding cases, this simplification can lead to the extent that the micro relay alone, without further upstream components, takes over the response function and switch-off function for the downstream consumer.
  • the invention therefore enables in a simplified manner a detector device for overvoltage and overload which actuates the switch of the corresponding micro-relay as the core cell in the protective circuit.
  • This core cell can be equipped with expansion cells for setting or adjusting parameters of the core cell.
  • the micro-relay's own protection against overvoltage can also be included.
  • Such a construction of the protective circuit enables a high degree of flexibility with regard to the design with switching transistors of the NPN type or PNP type or as an FET.
  • the micro relay can be designed as a "make contact” or “break contact”.
  • the micro relay also makes it possible, as it were, to protect a voltage-current limiting device connected upstream of a consumer or transmitter, which is usually constructed as a Zener barrier.
  • a corresponding protective circuit shows a faster disconnection than e.g. a downstream Zener barrier, so that components in the Ex area can also be protected.
  • Fig. -1 two variants of a core cell with pnp or npn transistor
  • Fig. 3 shows the principle of operation of the invention
  • Protection circuit with core cells in two embodiments and expansion cells, by means of which the different variants of the protection circuit can be derived by optionally using the elements shown;
  • Fig. 4 shows an embodiment of the circuit with a
  • FIG. 5 shows another derivation from FIG. 3 with an NPN transistor, a control connection of the micro relay being routed to the base of the transistor instead of its emitter as in FIG. 3;
  • Fig. 6 shows another embodiment of the protective circuit with a micro-relay as a break contact
  • FIG. 8 shows a further embodiment of the protective circuit in which the output voltage is fed back via a resistor Rh as a hysteresis resistor to the base of the transistor of the core cell;
  • Fig. 9 the simplest embodiment of the protective circuit with a micro-relay, as is possible with appropriate parameter adjustment, and
  • Fig. 10 is a protective circuit with micro-relay with a downstream voltage-current limiting device and subsequent load.
  • a voltage detector device 4 is shown schematically in two variants in FIG. 1.
  • the voltage detector device 4 which is also called the core cell 4, essentially consists of a parallel connection, in the one branch of which a transistor T1 and a collector resistor Rc lying in series.
  • a Zener diode Dz and a base resistor Rb are provided in the other branch.
  • the base of the transistor T1 is led to the node 24 between the Zener diode and the base resistor Rb.
  • the transistor T1 is a bipolar pnp transistor.
  • an NPN transistor T1 ' is provided.
  • FETs can also be used instead of bipolar transistors.
  • the protective circuit 1 has a core cell 4 with a pnp transistor Tl and two expansion cells 5, 6 with Zener diodes Dz + or Dz- and resistors Rv + and Rv-.
  • the core cell 4 is connected via the expansion cells 5, 6 to a positive or a negative supply voltage 11 or 12.
  • a micro-relay MR1 is provided as a closer as a fast switch.
  • This micro-relay MR1 is on the one hand with its one input 7 at the emitter of the transistor T1 and with its ' other input 8 on the collector of the transistor T1.
  • the switchable output 17 is connected to the input terminal 11 of the protective circuit 1, while the other output 18 of the micro relay MR1 leads to the device L1, S to be protected.
  • the device to be protected is shown in the first variant of FIG. 3 as a load L1 with voltage and current limiting device as a safety device S, for example. Both the load L1 and the fuse device S are connected to the other connection 14 on the protection circuit.
  • the fuse device S shown schematically in FIG. 3 can be a Zener barrier with a fuse in the serial branch to the load L1, as is also shown in the following FIG. 10.
  • the two diodes Dz +, Dz- and one of the two resistors Rv +, Rv- are replaced by bridges, so that the first connection of the core cell 4 is connected directly or via Rv + to 11, 13.
  • the other connection of the core cell 4 then leads either directly or via Rv- to the line 12, 14.
  • the device to be protected is switched off in the event of an overvoltage with so little delay by the micro-relay MR1 that in the short phase of the switching off the device still to be protected is switched off Not enough energy to damage elements of the device S, Ll to be protected.
  • the transistor T1 In normal operation, the transistor T1 is non-conductive or blocked and the switch 21 of the micro-relay MR1 is closed.
  • the supply voltage or voltage for the device to be protected is present at the input connections 11, 12, since the switch 21 of the micro-relay MR1 is closed.
  • the switch 21 would therefore open, thus rapidly switching off the device S, Ll to be protected in the event of overvoltage.
  • the device to be protected is therefore protected against overvoltage in this way, and the activation of a fuse can also be prevented by the rapid opening of the micro-relay MR1.
  • FIG. 3 also shows an expansion of the basic circuit consisting of core cell 4 and micro-relays MR1, MR2 by means of expansion cells 5, 6.
  • the expansion cell 5 consists of a further Zener diode Dz and a series resistor Rv connected in series with it. These can also be used individually or in combination as an expansion cell, e.g. be provided in series with the core cell 4 with respect to the positive input connection 11 and / or as an expansion cell 6 with respect to the other input connection 12.
  • the current flowing through the core cell 4 can be limited by such an expansion cell 5 or 6.
  • An adjustment of the threshold voltage of the core cell 4 can also be achieved, so to speak.
  • a Z-diode 26 can also be provided in the core cell 4, which takes over the function of an input overvoltage protection for the micro-relay MR1 (see FIG. 7).
  • the micro-relay MR2 is provided as a break contact.
  • micro-relay MR2 The quick shutdown function in the event of an overvoltage is implemented by the micro-relay MR2.
  • This micro-relay MR2, with its input connections 9, 10, is parallel to the collector resistor Rc of the core cell 4 described above.
  • the micro-relay MR2 is a "break contact". formed with a switch 22, which is closed in normal operation, since a sufficient control voltage is not available via the resistor Rc.
  • the micro-relay MR2 is connected with its output connection 19 to the input connection 11 of the supply voltage and with its further output connection 20 to the device L2 to be protected, which is connected to the connection 12 of the protective circuit 1.
  • the Z diode Dz will again become conductive as a function of the applied voltage and, as a result of the current flow in the node 24, cause the transistor T1 to be switched on. Because of this, a current would flow in the collector-emitter circuit of T1, causing a voltage drop across Rc. This voltage drop across the collector resistor Rc, which is connected to the terminals 9, 10 of the micro-relay MR2, causes the switch 22 to open and thus to disconnect the device L2 to be protected.
  • micro-relay MR1 or MR2 Due to the extremely short response time or pull-in delay, the high input resistance, the low power consumption, the high switching frequency and the electrical isolation of the control and load circuit, such a micro-relay MR1 or MR2 is excellently suitable as a fuse switch, especially for Overvoltages, especially since there is electrical isolation at the connections to the load after opening the switch.
  • the response value for an overvoltage to be detected is determined by the Zener diode. However, if the response voltage of the micro relay is above the available input voltage at 11, 12, the micro relay cannot be activated without additional measures.
  • FIG. 3 Since the core cell 4 according to FIG. 3 can be varied differently together with the expansion cells 5, 6, some exemplary embodiments are shown in the following FIGS. 4 to 8 together with the corresponding connection position of the micro-relay MR1 or MR2.
  • the core cell 4 consists of the Zener diode Dz in series with the base resistor Rb.
  • An npn transistor Tl 'and a collector resistor Rc are provided in the parallel branch in FIG. 4.
  • a series resistor Rv with respect to the input terminal 11 is present as the expansion cell 5.
  • the micro-relay MR1 which in the example according to FIG. 4 is a "make contact", is connected to the collector of the transistor T1 'with its connection 7 and to the input connection 12 or connection 14 with its other connection 8.
  • the output 17 of the micro relay MR1 is located at connection 11.
  • the other output 18 is provided for connecting a device L 1 to be protected, optionally together with a safety device S, which would be located at output 14 with its other connections.
  • the micro-relay MR1 In the normal case, the micro-relay MR1 is closed, so that the corresponding supply voltage is at the connections 18, 14 to the device to be protected. If an overvoltage reaches terminals 11, 12, the transistor switches Tl 'through. The micro-relay MR1 thus opens and switches off the corresponding device to be protected or the upstream safety device S1 (FIG. 1) in the shortest possible time, so that damage to the consumers connected to the connections 18, 14 is avoided.
  • the core cell consists of the Zener diode Dz and the series resistor Rb, which is followed by a series resistor Rv as an extension cell 6 with respect to the input terminal 12.
  • the second branch of the core cell 4 has an npn transistor Tl ', the collector of which lies across the collector resistor Rc at the input 11.
  • the emitter of the transistor Tl ' lies at the connection point to the base resistor Rb and the series resistor Rv.
  • the base lies at the node between the Zener diode Dz and the resistor Rb.
  • the micro-relay MR1 which is designed as a "make contact" is connected to the collector by its connection 7 and to the base of the transistor T1 'by its connection 8.
  • the output connection 17 is located on the input 11.
  • the other output connection 18 serves as a connection point for the device to be protected, which is connected to the output 14 with its further connection.
  • protection against overvoltage consists in the fact that when such occurs, the micro-relay MR1 opens and thereby disconnects the subsequent load.
  • the core cell 4 consists of a Zener diode Dz and a base resistor Rb in one branch. In the other branch, an npn transistor Tl 'with a collector resistor Rc is provided. This core cell 4 is connected across a series resistor Rv at the input terminal 11. The base resistor Rb and the emitter of the transistor Tl 'are connected to the input terminal 12 and the output 14, respectively.
  • the upstream protective circuit with micro-relay therefore on the one hand advantageously enables the downstream consumers, the safety device S and the load L 1 to be protected against overvoltage and excessive currents.
  • the shutdown is improved by specific galvanic isolation and the number of designs of the upstream protective circuit, as is also shown in the preceding FIGS. 1 to 9, is considerably expanded.

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung zur Spannungsbegrenzung für eine zu schützende Einrichtung, insbesondere einen Verbraucher mit vorgeschalteter Spannungs- und Strombegrenzungseinrichtung, wobei die zu schützende Einrichtung in einem Ausgangskreis der Schutzschaltung vorgesehen ist und mittels eines Schaltelements abtrennbar ist, wobei eine Spannungs-Detektoreinrichtung mit einem elektronischen Schalter einerseits und einer Spannungsfühler-Einrichtung andererseits vorgesehen ist und der Steueranschluss des elektronischen Schalters mit der Spannungsfühler-Einrichtung in elektrischer Wirkverbindung steht. Hierbei ist eine Mikro-Einrichtung mit einem Steuerkreis vorgesehen, wobei die Mikro-Einrichtung das Schaltelement aufweist und mit einem hohen Eingangswiderstand des Steuerkreises ausgelegt ist. Der Steuerkreis ist galvanisch vom Ausgangskreis, der über den Steuerkreis schaltbar ist, getrennt, wobei der Steuerkreis der Mikro-Einrichtung in elektrischer Wirkverbindung mit dem elektronischen Schalter steht und die zu schützende Einrichtung zum Abtrennen von einer anliegenden Spannung im Ausgangskreis der Mikro-Einrichtung angeordnet ist.

Description

Schutzschaltung
Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung zur Spannungsbegrenzung für eine zu schützende Einrichtung, insbesondere einen Verbraucher mit vorgeschalteter Spannungs- und Strombegrenzungseinrichtung, nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Schutzschaltungen dieser Art sind aus der EP 0 359 912 AI, der EP 0 310 280 Bl oder der DE-PS 36 22 268 bekannt. Diese bekannten Schutzschaltungen haben verschiedene Nachteile. So muss beispielsweise nach dem Ansprechen der entsprechenden Sicherungseinrichtung bei der EP 0 359 912 AI manuell eine Sicherung ausgewechselt werden. Die Schaltungen der DE-PS 36 22 268 und der EP 0 310 280 Bl weisen den Nachteil auf, dass dort hohe Querströme gezogen werden und dass außerdem im Arbeitsbereich ein unerwünschter Spannungsabfall auftritt. Ein weiterer Nachteil ist, dass im Fehlerfall auch eine hohe Verlustleistung auftreten kann.
In der nicht vorveröffentlichten PCT-Anmeldung WO 00/62394 AI schafft man zwar eine Lösung für die vorausgehend genannten Probleme, indem man der Sicherungseinrichtung für den Verbraucher eine Schutzschaltung vorordnet, welche ein schnelles Ansprechverhalten zeigt, so dass im Falle einer Überspannung bzw. eines zu hohen Stromes ein rasches Abschalten der nachge- ordneten Schaltungen möglich wird. Als Schalter verwendet man hierbei jedoch einen FET, der im Längszweig zwischen dem einen Eingangsanschluss der Schutzschaltung und der nachgeordneten Sicherungseinrichtung vorgesehen ist. Bei der Verwendung eines FET sind die Beschaltungsmöglichkei- ten und die Anordnung in der Schutzschaltung aber begrenzt und relativ unflexibel, so dass Verbesserungen hierzu denkbar sind.
In der DE 38 04 250 01 ist eine Schaltungsanordnung zur Strombegrenzung, insbesondere für den Einsatz bei digitalen Endgeräten, beschrieben. Dabei ist zum Abschalten einer Spannung in einem Längszweig der Schaltungsanordnung die Source-Drain- Strecke eines Feldeffekttransistors angeordnet, dessen Durchgang über sein Gate in Abhängigkeit sowohl von der Durchsteuerung eines Transistors als auch von der Ladung eines Kondensators gesteuert wird.
Die DE 296 13 790 Ül betrifft einen mikromechanisch gefertigten Mikroschalter, bei dem, vergleichbar einem Reed-Kontakt, eine Schaltbewegung durch ein auf einen elastischen biegbaren Träger einwirkendes Magnetfeld bewirkt werden kann.
In der DE 41 00 634 AI ist eine Prüfvorrichtung für IC's, insbesondere in bestückten Leiterplatten, offenbart, bei der zur Verbindung einzelner Prüfpunkte eines Prüflings mit unterschiedlichen Prüfkanälen eine Mehrzahl von Mikro-Relais vorgesehen ist.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Au f g b e zugrunde, eine Schutzschaltung zur Spannungsbegrenzung für eine zu schützende Einrichtung, insbesondere einen Verbraucher mit vorgeschalteter Spannungs- und Strombegrenzungseinrichtung, zu schaffen, die entsprechend den Schaltungsanforderungen flexibel ausgelegt werden kann, die vernachlässigbare Längsspannungsabfälle und Querströme aufweist und die insbesondere eine geeignete Schutzfunktion für eine einem Verbraucher vorgeschaltete Zener-Barriere bilden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Schutzschaltung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Eine gattungsgemäße Schutzschaltung ist erfindungsgemäß dadurch weitergebildet, dass die Schalteinrichtung ein mikromechanisches Bauteil ist, welches einen Steuerkreis mit einem hohen Eingangswiderstand und einen vom S'teuerkreis galvanisch getrennten Ausgangskreis aufweist, der über den Steuerkreis schaltbar ist, wobei der Ausgangskreis in geöffnetem Schaltzustand eine galvanische Trennung seiner Ausgangsanschlüsse aufweist.
Ein Kerngedanke der Erfindung liegt daher darin, den erforderlichen Schalter nicht als bipolaren Transistor, als FET oder dergleichen auszulegen, sondern ein mikro-mechanisches Bauteil mit hohem Eingangswiderstand und galvanischer Trennung von Ausgangs- und Steuerkreis zu wählen, das beim Abschalten bzw. Öffnen des Schalters eine galvanische Trennung der Ausgangsanschlüsse aufweist.
Zweckmäßigerweise wird das mikro-mechanische Bauteil bzw. Bauelement in Form eines Mikro-Relais auf der Basis von Materialien und Verfahren realisiert, wie sie in der Mikro-Mechanik und/oder bei der Halbleiterherstellung üblich sind.
Insbesondere wird hierfür in sehr vorteilhafter Weise ein Mikro-Relais zum Beispiel auf Siliziumbasis gewählt, dass einen geeigneten Schichtaufbau zum Beispiel ähnlich dem bei Halbleiter-Bauelementen haben kann, und dessen Schichten verfahrenstechnisch so strukturiert sind, dass das eigentlich schaltende mechanische Element durch elektrostatische oder piezoelektrische Kräfte, also Ladungsveränderung, betätigbar ist. Im Hinblick auf die Kontaktgabe bzw. das Öffnen der Kontakte kann dieses Siliziu -Mikro-Relais also ähnlich der Art einer Blattfederfunktion, eines Biegebalkens o.a. arbeiten. Im US-Patent US-5,638,946 ist ein solches Relais beispielhaft beschrieben.
Als Spannungsfühler-Einrichtung kann eine Spannungsfühler- Diode, insbesondere eine Zener-Diode, ein Leistungsfühler oder ein Temperaturfühler, beispielsweise ein temperaturveränderlicher Widerstand, z.B. ein Thermistor, eingesetzt, werden. Bei einer bevorzugten Schaltungsauslegung ist dem elektronischen Schalter (Tl) mindestens ein Arbeitswiderstand (Rc) und der Spannungsfühler-Diode (Dz) mindestens ein Widerstand (Rb) zugeordnet, und der Steueranschluss des elektronischen Schalters (Tl) steht mit dem Widerstand (Rb) und der Spannungsfühler- Diode (Dz) in Wirkverbindung.
Ein gravierender Vorteil in der Flexibilität der Schaltungsauslegung ist hierbei die galvanische Trennung beim MikroRelais zwischen seinem Steuerkreis und den Anschlüssen des Lastkreises sowie die hohe Eingangsimpedanz des Steuerkreises. Aufgrund seiner Mikrostruktur kann dieses Mikro-Relais auch in einer integrierten Ausführung mit der weiteren Elektronik realisiert werden, wobei auch eine Baugruppe als SMD oder auch eine Realisierung in Art eines Chips denkbar ist.
Es besteht aber auch je nach Einsatzzweck die Möglichkeit, externe Bauelemente zum Mikro-Relais vorzusehen oder die erforderlichen Bauelement direkt als Baugruppe mit dem Mikro-Relais zu verwirklichen.
Sehr vorteilhaft ist beim Mikro-Relais auch die hohe Virbrati- onsfestigkeit, was die Fehlerwahrscheinlichkeit reduziert. Ganz wesentlich jedoch ist bei der Wahl des Schalters als Mikro-Relais die Tatsache, dass es sehr flexibel den entsprechenden Anforderungen angepasst werden kann, das heißt bei einer vorhandenen Spannungs- bzw. Stromfühleinrichtung entsprechend den Ausgangserfordernissen für die nachgeschalteten Verbraucher, mit einem hohen Freiheitsgrad in der Schaltung plaziert werden kann.
So ist das Mikro-Relais mit seinen Steueranschlüssen auch direkt über eine Kollektor-Emitter- oder Kollektor-Basis-Strecke bzw. Drain-Source- oder Drain-Gate-Strecke eines Transistors ansteuerbar. Die Integration eines Mikro-Relais in bestehende Schaltungen kann bei der richtigen Bewertung der Eigenschaften des Mikro-Relais üblicherweise relativ einfach erfolgen. Im Vergleich zu einem als Schalter eingesetzten FET wird die Spannung am Ausgang ohne zusätzliche Beschaltung zum Erreichen einer Hysterese in einer Art Kippfunktion abgeschaltet. Mit- tels einer Schutzschaltung mit Mikro-Relais als Schalter können daher in hervorragender Weise Schaltungen gegen Überspannung und Überlast, auch mit Selbsthaltung, realisiert werden.
Der ganz erhebliche Vorteil des Einsatzes einer entsprechenden Mikro-Einrichtung bzw. eines Mikro-Relais als Schalter in einer Schutzschaltung ist die erhebliche Vereinfachung beim Bau- teilaufwand zur Ansteuerung des Mikro-Relais. Diese Vereinfachung kann in entsprechenden Fällen so weit führen, dass das Mikro-Relais alleine, ohne weitere vorgeschaltete Bauelemente, die Ansprechfunktion und Abschaltfunktion für den nachfolgenden Verbraucher übernimmt .
Die Erfindung ermöglicht daher in vereinfachter Weise eine Detektoreinrichtung für Überspannung und Überlast, die als Kernzelle in der Schutzschaltung den Schalter des entsprechenden Mikro-Relais betätigt. Diese Kernzelle kann mit Erweiterungszellen zur Einstellung bzw. Justierung von Parametern der Kernzelle ausgestattet sein. Hierbei kann auch der Eigenschutz des Mikro-Relais gegen Überspannung miteinbezogen sein. Ein derartiger Aufbau der Schutzschaltung ermöglicht eine hohe Flexibilität im Hinblick auf die Auslegung mit Schalttransistoren vom npn-Typ bzw. pnp-Typ oder als FET.
Je nach den Erfordernissen kann das Mikro-Relais als "Schließer" bzw. "Öffner" ausgelegt sein.
Insbesondere durch das sehr kurze Ansprechverhalten, den hohen Eingangswiderstand und die hohe Schaltfrequenz ermöglicht das Mikro-Relais sozusagen auch den Schutz einer einem Verbraucher oder Messwertgeber vorgeschalteten Spannungs-Strom- Begrenzungseinrichtung, die üblicherweise als Zener-Barriere aufgebaut ist. Mit anderen Worten zeigt eine entsprechende Schutzschaltung ein schnelleres Abtrennen als z.B. eine nachgeschaltete Zener-Barriere, so dass auch Baugruppen des ExBereiches abgesichert werden können.
Die Erfindung ist nachfolgend anhand schematischer Beispiele noch näher erläutert. Hierbei zeigt: Fig. -1 zwei Varianten einer Kernzelle mit pnp- bzw. npn-Transistor;
Fig. 2 eine Erweiterungszelle zum Ausbau der Grundschaltung mit einer Kernzelle nach Fig. 1;
Fig. 3 das Funktionsprinzip der erfindungsgemäßen
Schutzschaltung mit Kernzellen in zwei Ausführungsformen und Erweiterungszellen, anhand derer die verschiedenen Varianten der Schutzschaltung durch wahlweises Verwenden der gezeigten Elemente abgeleitet werden können;
Fig. 4 ein Ausführungsbeispiel der Schaltung mit einer
Kernzelle mit npn-Transistor und einem MikroRelais MR1 als Schließer am Ausgang;
Fig. 5 eine weitere Ableitung aus Fig. 3 mit einem npn-Transistor, wobei ein Steueranschluss des ■ Mikro-Relais auf die Basis des Transistors statt seines Emitters wie in Fig. 3 geführt ist;
Fig. 6 eine andere Ausführungsform der Schutzschaltung mit einem Mikro-Relais als Öffner;
Fig. 7 eine weitere Variation der Kernzelle mit pnp-
Transistor und eine zum Eigenschutz des MikroRelais MR1 vorgesehene parallel zum MikroRelais liegende Z-Diode;
Fig. 8 eine weitere Ausführungsform der Schutzschaltung, in der die Ausgangsspannung über einen Widerstand Rh als Hysterese-Widerstand auf die Basis des Transistors der Kernzelle zurückgekoppelt ist; Fig. 9' die einfachste Ausführungsform der Schutzschaltung mit einem Mikro-Relais, wie sie bei entsprechender Parameteranpassung möglich ist, und
Fig. 10 eine Schutzschaltung mit Mikro-Relais mit nachgeschalteter Spannungs-Strom- Begrenzungseinrichtung und nachfolgender Last.
In Fig. 1 ist in zwei Varianten schematisch eine Spannungs- Detektoreinrichtung 4 dargestellt. Die Spannungs- Detektoreinrichtung 4, die auch Kernzelle 4 genannt wird, besteht im Wesentlichen aus einer Parallelschaltung, in deren einem Zweig ein Transistor Tl und ein dazu in Reihe liegender Kollektorwiderstand Rc liegen. Im anderen Zweig ist eine Zener-Diode Dz und ein Basiswiderstand Rb vorgesehen. Die Basis des Transistors Tl ist auf den Verknüpfungspunkt 24 zwischen Zener-Diode und Basiswiderstand Rb geführt.
Im linken dargestellten Fall ist der Transistor Tl ein bipolarer pnp-Transistor. In der rechts dargestellten Variante ist ein npn-Transistor Tl' vorgesehen. Anstelle von bipolaren Transistoren können auch FET ' s eingesetzt werden.
Fig. 2 zeigt ein Beispiel einer Erweiterungszelle für die in Fig. 1 dargestellten Varianten einer Kernzelle. Die Erweiterungszelle besteht im Beispiel aus einer Z-Diode Dz sowie einem dazu in Reihe geschalteten Widerstand Rv.
In Figur 3 ist schematisch eine erfindungsgemäße Schutzschaltung in mehreren Varianten dargestellt. Die Schutzschaltung 1 weist eine Kernzelle 4 mit einem pnp-Transistor Tl sowie zwei Erweiterungszellen 5, 6 mit Z-Dioden Dz+ bzw. Dz- und Widerständen Rv+ und Rv- auf. Die Kernzelle 4 ist über die Erweiterungszellen 5, 6 mit einer positiven bzw. einer negativen Versorgungsspannung 11 bzw. 12 verbunden.
Als schneller Schalter wird in einer ersten vorteilhaften Variante der Schutzschaltung 1 ein Mikro-Relais MR1 als Schließer vorgesehen. Dieses Mikro-Relais MR1 liegt einerseits mit seinem einen Eingang 7 am Emitter des Transistors Tl und mit seinem'anderen Eingang 8 am Kollektor des Transistors Tl. Der schaltbare Ausgang 17 liegt am Eingangsanschluss 11 der Schutzschaltung 1, während der andere Ausgang 18 des MikroRelais MRl zur zu schützenden Einrichtung Ll, S führt. Die zu schützende Einrichtung ist bei der ersten Variante von Fig. 3 beispielhaft als Last Ll mit Spannungs- und Strombegrenzungs- einrichtung als Sicherungseinrichtung S dargestellt. Sowohl Last Ll als auch die Sicherungseinrichtung S liegen mit ihrem jeweils anderen Anschluss auf dem Anschluss 14 der Schutzschaltung.
Die in der Fig. 3 schematisch dargestellte Sicherungseinrichtung S kann eine Zener-Barriere sein mit einer Sicherung im seriellen Zweig zur Last Ll, wie dies auch in der nachfolgenden Fig. 10 dargestellt ist.
Im Standardfall werden die beiden Dioden Dz+, Dz- und einer der beiden Widerstände Rv+, Rv- durch Brücken ersetzt, so dass der erste Anschluss der Kernzelle 4 direkt oder über Rv+ mit 11,13 verbunden ist. Der andere Anschluss der Kernzelle 4 führt dann entweder direkt oder über Rv- auf die Leitung 12, 14.
In der Funktionsweise wird in der vorausgehend dargelegten Beschaltung nach Fig. 3 die zu schützende Einrichtung bei einer auftretenden Überspannung mit so geringer Verzögerung durch das Mikro-Relais MRl abgeschaltet, dass in der kurzen Phase des Abschaltens die noch auf die zu schützende Einrichtung ü- bertragene Energie nicht ausreicht, um Elemente der zu schützenden Einrichtung S, Ll zu beschädigen.
Im Normalbetrieb ist der Transistor Tl nichtleitend bzw. gesperrt und der Schalter 21 des Mikro-Relais MRl ist geschlossen. An den Eingangsanschlüssen 11, 12 liegt die Versorgungsspannung bzw. Spannung für die zu schützende Einrichtung an, da der Schalter 21 des Mikro-Relais MRl geschlossen ist.
Würde daher eine Spannungsspitze an die Eingangsanschlüsse 11, 12 gelangen, so würde abhängig von der Spannung der Zener- Diode Dz diese leitend werden und durch den Stromfluss im Knotenpunkt 24 das Durchschalten des Transistors Tl herbeiführen.
Aufgrund der an den Anschlüssen 7 und 8 des Mikro-Relais MRl abgeschalteten Spannung würde daher der Schalter 21 öffnen, womit ein flinkes Abschalten der zu schützenden Einrichtung S, Ll bei Überspannung erreicht wird. Die zu schützende Einrichtung wird daher auf diese Weise vor einer Überspannung geschützt, wobei auch das Ansprechen einer Sicherung bereits durch das schnelle Öffnen des Mikro-Relais MRl verhindert werden kann.
In der Fig. 3 ist weiterhin ein Ausbau der aus Kernzelle 4 und Mikro-Relais MRl, MR2 bestehenden Grundschaltung mittels Erweiterungszellen 5, 6 dargestellt.
Die Erweiterungszelle 5 besteht im Beispiel nach Fig. 3 aus einer weiteren Zener-Diode Dz und einem in Serie dazu liegenden Vorwiderstand Rv. Diese können auch einzeln oder in Kombination als Erweiterungszelle, z.B. seriell zur Kernzelle 4 gegenüber dem positiven Eingangsanschluss 11 und/oder als Erweiterungszelle 6 gegenüber dem anderen Eingangsanschluss 12 vorgesehen sein.
Durch eine derartige Erweiterungszelle 5 bzw. 6 kann der Strom begrenzt werden, der durch die Kernzelle 4 fließt. Es kann a- ber auch sozusagen eine Justierung der Einsatzspannung der Kernzelle 4 damit erreicht werden. In der Kernzelle 4 kann weiterhin eine Z-Diode 26 vorgesehen sein, welche die Funktion eines Eingangsüberspannungsschutzes für das Mikro-Relais MRl übernimmt (siehe Fig. 7) .
Bei der weiteren in Fig. 3 dargestellten Variante der Schutzschaltung 1 wird gedanklich das Mikro-Relais MR2 als Öffner vorgesehen.
Die flinke Abschaltfunktion im Falle einer Überspannung wird durch das Mikro-Relais MR2 realisiert. Dieses Mikro-Relais MR2 liegt mit seinen Eingangsanschlüssen, 9, 10 parallel zum Kollektorwiderstand Rc der vorausgehend beschriebenen Kernzelle 4. Das Mikro-Relais MR2 ist im vorliegenden Fall als "Öffner" mit einem Schalter 22 ausgebildet, der im Normalbetrieb geschlossen ist, da über den Widerstand Rc keine ausreichende Steuerspannung zur Verfügung steht.
Das Mikro-Relais MR2 liegt mit seinem Ausgangsanschluss 19 am Eingangsanschluss 11 der Versorgungsspannung und mit seinem weiteren Ausgangsanschluss 20 an der zu schützenden Einrichtung L2, die am Anschluss 12 der Schutzschaltung 1 liegt.
Gelangt eine Überspannung an die Eingangsanschlüsse 11, 12, so wird wieder, wie oben, die Z-Diode Dz in Abhängigkeit der anliegenden Spannung leitend werden und durch den Stromfluss im Knotenpunkt 24 das Durchschalten des Transistors Tl herbeiführen. Aufgrund dessen würde im Kollektor-Emitter-Kreis von Tl ein Strom fließen, der einen Spannungsabfall an Rc verursacht. Dieser Spannungsabfall am Kollektorwiderstand Rc, der an den Anschlüssen 9, 10 des Mikro-Relais MR2 liegt, bewirkt ein Öffnen des Schalters 22 und damit ein Abtrennen der zu schützenden Einrichtung L2.
Aufgrund der äußerst kurzen Ansprechzeit bzw. Anzugsverzögerung, des hohen Eingangswiderstandes, der geringen Leistungsaufnahme, der hohen Schaltfrequenz und der galvanischen Trennung von Steuer- und Lastkreis, eignet sich daher ein derartiges Mikro-Relais MRl bzw. MR2 in hervorragender weise als Sicherungsschalter, insbesondere bei Überspannungen, zumal nach dem Öffnen des Schalters eine galvanische Trennung an den Anschlüssen zur Last vorhanden ist.
Der Ansprechwert für eine zu detektierende Überspannung wird von der Z-Diode festgelegt. Liegt jedoch die Ansprechspannung des Mikro-Relais über der zur Verfügung stehenden Eingangsspannung an 11, 12, kann das Mikro-Relais ohne zusätzliche Maßnahmen nicht angesteuert werden.
Zum Erreichen sehr niedriger Ansprechpegel kann es daher zweckmäßig sein, dem Mikro-Relais MRl bzw. MR2 einen Spannungswandler vorzuschalten, der den niedrigen Pegel auf einen entsprechenden Einsatzspannungspegel transformiert. Der Span- nungswandler' selbst kann hierbei in idealer Weise als interne Ladungspumpe im Mikro-Relais ausgebildet sein.
Wie die Varianten des Ausführungsbeispieles nach Fig. 3 zeigen, kann je nach vorhandener Ausführung des Mikro-Relais als "Öffner" bzw. "Schließer", allein durch das passende Einfügen des Mikro-Relais in die Schutzschaltung 1 ein Abtrennen erzielt werden. Aufgrund des hohen Eingangswiderstandes muss das Mikro-Relais nicht als Arbeitswiderstand berücksichtigt werden, sondern kann im Wesentlichen parallel zu vorhandenen Bauelementen der Kernzelle 4 an nahezu jeder geeigneten Stelle als Schaltelement hinzugefügt werden.
Da die Kernzelle 4 nach der Fig. 3 zusammen mit den Erweiterungszellen 5, 6 verschieden variiert werden kann, sind in den nachfolgenden Figuren 4 bis 8 einige Ausführungsbeispiele zusammen mit der entsprechenden Anschlusslage des Mikro-Relais MRl bzw. MR2 dargestellt.
In Fig. 4 besteht die Kernzelle 4 aus der Zener-Diode Dz in Serie zum Basiswiderstand Rb. Im parallel liegenden Zweig ist in Fig. 4 ein npn-Transistor Tl ' und ein Kollektorwiderstand Rc vorgesehen. Als Erweiterungszelle 5 ist ein Vorwiderstand Rv gegenüber dem Eingangsanschluss 11 vorhanden.
Das Mikro-Relais MRl, das im Beispiel nach Fig. 4 ein "Schließer" ist, liegt mit seinem Anschluss 7 am Kollektor des Transistors Tl' und mit seinem anderen Anschluss 8 am Eingangsanschluss 12 bzw. am Anschluss 14. Der Ausgang 17 des MikroRelais MRl liegt am Anschluss 11. Der andere Ausgang 18 ist für den Anschluss einer zu schützenden Einrichtung Ll, gegebenenfalls zusammen mit einer Sicherungseinrichtung S vorgesehen, die mit ihren anderen Anschlüssen am Ausgang 14 liegen würden.
Im Normalfall ist das Mikro-Relais MRl geschlossen, so dass die entsprechende Versorgungsspannung an den Anschlüssen 18, 14 zur zu schützenden Einrichtung liegt. Gelangt eine Überspannung auf die Anschlüsse 11, 12, so schaltet der Transistor Tl' durch. Das Mikro-Relais MRl öffnet und schaltet damit die entsprechende zu schützende Einrichtung bzw. die vorgeschaltete Sicherungseinrichtung Sl (Fig. 1) in kürzester Zeit ab, so dass eine Beschädigung der an den Anschlüssen 18, 14 liegenden Verbraucher vermieden wird.
Es ist auch eine Ausführungsform denkbar, bei der die zu schützende Einrichtung Ll, Sl mit ihrem einen Anschluss am Anschluss 11 liegt und mit ihrem anderen Anschluss mit dem Ausgang 17 des Mikro-Relais MRl verbunden ist. Der Anschluss 18 des Mikro-Relais MRl wäre dann mit der Leitung 12, 14 verbunden.
Ein weiteres vorteilhaftes Beispiel ist in Fig. 5 dargestellt. Die Kernzelle besteht aus der Zener-Diode Dz und dem in Reihe liegenden Basiswiderstand Rb, dem ein Vorwiderstand Rv als Erweiterungszelle 6 gegenüber dem Eingangsanschluss 12 nachgeschaltet ist.
Der zweite Zweig der Kernzelle 4 weist einen npn-Transistor Tl' auf, dessen Kollektor über den Kollektorwiderstand Rc am Eingang 11 liegt. Der Emitter des Transistors Tl ' liegt am Verbindungspunkt zu dem Basiswiderstand Rb und dem Vorwiderstand Rv. Die Basis liegt am Knotenpunkt zwischen der Zener- Diode Dz und dem Widerstand Rb. Das als "Schließer" ausgebildete Mikro-Relais MRl liegt mit seinem Anschluss 7 am Kollektor und mit seinem Anschluss 8 an der Basis des Transistors Tl'. Der Ausgangsanschluss 17 liegt auf dem Eingang 11. Der andere Ausgangsanschluss 18 dient als Anschlusspunkt für die zu schützende Einrichtung, die mit ihrem weiteren Anschluss am Ausgang 14 liegt.
In vergleichbarer Weise besteht der Schutz gegen eine Überspannung darin, dass beim Auftreten einer solchen das MikroRelais MRl öffnet und dadurch die nachfolgende Last abschaltet.
In Fig. 6 ist die Schutzschaltung mit einem Mikro-Relais MR2 als "Öffner" dargestellt. Die Kernzelle 4 besteht aus einer Zener-Diode Dz und einem Basiswiderstand Rb in einem Zweig. Im anderen Zweig ist ein npn-Transistor Tl ' mit einem Kollektorwiderstand Rc vorgesehen. Diese Kernzelle 4 liegt über einem Vorwiderstand Rv am Eingangsanschluss 11. Der Basiswiederstand Rb und der Emitter des Transistors Tl' sind auf den Eingangsanschluss 12 bzw. den Ausgang 14 gelegt.
Der Anschluss 9 des Mikro-Relais MR2 liegt am Kollektorwiderstand Rc bzw. dem Vorwiderstand Rv. Der andere Anschluss 10 liegt am Kollektor. Der erste Ausgang 19 des Mikro-Relais MR2 liegt am Eingangsanschluss 11. Der zweite Ausgang 20 des Mikro-Relais MR2 dient als Anschlusspunkt für einen Verbraucher, der mit seinem anderen Anschluss am Ausgang 14 liegen würde. Im Falle des Auftretens einer Überspannung an den Eingangsanschlüssen 11, 12 fließt über die Zener-Diode Dz ein Strom an die Basis des Transistors Tl', der durchschaltet, so dass das am Kollektorwiderstand Rc abfallende Potenzial auf die Anschlüsse 9, 10 des Mikro-Relais MR2 gelangt, das unverzüglich öffnet und damit den an den Anschlussklemmen 20, 14 liegenden Verbraucher abtrennt und schützt.
Im Beispiel nach Fig. 7 ist eine weitere Beschaltungsmöglich- keit mit einem als "Schließer" dargestellen Mikro-Relais MRl gezeigt. Die Kernzelle 4 ist geringfügig modifiziert ausgelegt, wobei im linken parallelen Zweig ein Baswiswiderstand Rb in Serie zu einer Zener-Diode Dz liegt.
Nachgeschaltet zu dieser Zener-Diode Dz ist ein Vorwiderstand Rv im Sinne einer Erweiterungszelle 6 gegenüber dem Eingangsanschluss 12 mit negativem Potenzial. Im rechten Zweig liegt ein pnp-Transistor Tl mit seinem Emitter am Eingangsanschluss 11 und mit seinem Kollektor über einen Kollektorwiderstand Rc am Eingang 12 bzw. am Ausgangsanschluss 14.
Das Mikro-Relais MRl liegt mit einem Anschluss 7 am Eingangsanschluss 11 und mit seinem anderen Anschluss 8 am Kollektor des Transistors Tl. Der Ausgang 17 des Mikro-Relais MRl liegt ebenfalls am Eingangsanschluss 11 der Versorgungsspannung, während der andere Anschluss 18 zu einem nicht dargestellten Verbraucher führt, der mit seinem anderen Anschluss an der Ausgangsklemme 14 liegen würde. Zum Eigenschutz des MikroRelais MRl gegen eine zu hohe Steuerspannung ist parallel zum Mikro-Relais MRl bzw. zur Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors Tl eine Zener-Diode 26 mit ihrer Anode am Kollektor bzw. dem Anschluss 8 des Mikro-Relais MRl und mit ihrer Kathode am Eingangsanschluss 11 vorgesehen. Mit dieser Beschaltung wird somit einerseits ein angeschlossener Verbraucher bzw. eine Sicherungseinrichtung durch ein Öffnen des Mikro-Relais MRl bei Überspannung geschützt. Gleichzeitig würde bei zu hoher Spannung auch das Mikro-Relais MRl durch die Zener-Diode 26 geschützt, da diese in einem derartigen Fall die Steuerspannung begrenzen würde.
Eine Schaltungsauslegung mit einer Rückkopplung des am Ausgang 18 des Mikro-Relais MRl liegenden Potenzials auf die Basis bzw. den Knotenpunkt 24 des Transistors Tl ist in Fig. 8 dargestellt. Die Kernzelle 4 mit der Erweiterungszelle 6 entspricht dabei der Ausführungsform nach Fig. 3. Der Ausgang 18 des als "Schließer" ausgebildeten Mikro-Relais MRl ist im Beispiel nach Fig. 8 über einen Hysterese-Widerstand Rh auf den Knotenpunkt 24 zurückgekoppelt. Mittels dieser Rückkopplung des am Ausgang 18 anliegenden Potenzials, das auch dem Verbraucher zuführt wird, erreicht man ein stabiles Abschalten des Mikro-Relais MRl bis hin zur Selbsthaltung. Die Hysteresefunktion ist jedoch nur bei angeschlossenem Verbraucher mit vorgeschalteter Z-Barriere als Spannungs- und Strombegrenzungseinrichtung gegeben.
Aufgrund des Aufbaus und des Schaltverhaltens des Mikro-Relais bietet sich hierbei der Vorteil, dass im Falle der Auslegung als "Öffner", wie es in Fig. 9 dargestellt ist, das MikroRelais MR2 als Schutzschaltung ohne weiteren Bauteileaufwand eingesetzt werden kann. Voraussetzung ist hierbei jedoch, dass die an den Anschlüssen 9 und 10 auftretende Einsatzspannung bzw. Überspannung, vor der der nachfolgende Verbraucher an den Klemmen 20, 14 geschützt werden soll, der Einsatzspannung des Mikro-Relais MR2 entspricht. Im Beispiel nach Fig. 9 liegt der Anschluss 9 und der Ausgangsanschluss 19 des Mikro-Relais MR2 auf dem. Eingangsanschluss 11. Der Ausgang 10 liegt am Eingangsanschluss 12 bzw. am Ausgangsanschluss 14.
Ein zu schützender Verbraucher bzw. eine Sicherungseinrichtung S entsprechend Fig. 3 würde dementsprechend zwischen den Klemmen 20, 14 angeschlossen sein. Gelangt im Beispiel nach Fig. 9 eine Überspannung an das Mikro-Relais MR2, so trennt das Mikro-Relais mit äußerst kurzer Schaltzeit über seinen Schalter die Anschlüsse 19, 20 und schützt dementsprechend den nachfolgenden Verbraucher vor der Überspannung.
Aufgrund des Aufbaus des Mikro-Relais auf der Basis von Halbleitermaterialien auch in integrierter Form, ist es auch möglich, die Kernzelle 4 und die Erweiterungszellen 5, 6 in der Art eines Halbleiter-Chips in das Mikro-Relais selbst zu integrieren. Auf diese Weise ist es möglich die Schutzschaltung in Form eines einzigen Bauelementes bzw. eines Chips in der entsprechenden Schaltung vorzusehen. Erfindungsgemäß kann außerdem ein Vierpol-Modul vorgesehen sein, bei dem das MikroRelais mit seinen Steuereingängen entweder mit dem Signalausgang, zum Beispiel dem Ausgangssignal einer Schaltstufe, und der positiven Bezugsspannung oder mit dem Signalausgang und der negativen Bezugsspannung verbunden ist. Auf diese Weise wird ohne Bauteileaufwand die Wirkungsrichtung wählbar.
In Fig. 10 ist in detaillierterer Form der Aufbau einer Schutzschaltung zum Schutz der nicht auswechselbaren Sicherung FI der stilisierten Z-Barriere, wie sie vorausgehend anhand einer Kernzelle und Erweiterungszellen in der Beschaltung mit einem Mikro-Relais dargelegt worden ist, dargestellt. Der Aufbau mit einer nachfolgenden Sicherheitseinrichtung S, die als Zener-Barriere dargestellt ist, und dem nachfolgenden Verbraucher Ll entspricht im Wesentlichen der älteren Anmeldung WO 00/62394 der Anmelderin, bei der jedoch herkömmliche Schaltelemente verwendet werden.
Die in Fig. 10 gezeigte Schutzschaltung zwischen den Anschlussklemmen 11, 12 und 18, 14, entspricht hierbei im Wesentlichen der Ausführungsform nach der Fig. 8. Zwischen dem Eingangsanschluss 11 und dem Eingangsanschluss 12 liegt in Reihe ein Widerstand R2, dem eine Zener-Diode Dl nachgeschaltet ist, sowie ein weiterer Widerstand R5. Ein bipolarer Transistor Q2 liegt mit seinem Emitter am Eingang 11 und mit seinem Kollektor über einen Widerstand R4 und einen Widerstand R5 am Eingangsanschluss 12.
Die Basis des Transistors Q2 ist über einen Rückkoppelwiderstand R3 auf die Klemme 18 gelegt. Die Basis liegt gleichzeitig am Potenzial zwischen Widerstand R2 und der Kathode der Zener-Diode Dl.
Die zu schützende Einrichtung besteht hier aus dem Verbraucher Ll und/oder einer als Z-Barriere ausgebildeten, vorgeschalteten Sicherheitseinrichtung S. Zum Schutz von Verbraucher Ll und Z-Barriere S ist zwischen den Klemmen 11, 18 der Schalter 21 eines Mikro-Relais MRl vorgesehen. Das Mikro-Relais MRl liegt mit einem Eingangsausschuss 7 am Eingang 11 und mit seinem anderen Eingang 8 am Kollektor des Transistors Q2 und dem Widerstand R4. Im Normalbetrieb ist bei anliegender üblicher Versorgungsspannung der Schalter 21 des Mikro-Relais MRl geschlossen, so dass diese Spannung auf die nachfolgende Sicherheitseinrichtung S gegeben wird.
Die als Z-Barriere ausgebildete Sicherheitseinrichtung S ist in Fig. 10 nur schematisch dargestellt. Insbesondere soll die gezeigte Schaltung keine genehmigungsfähige Z-Barriere darstellen. Die Sicherheitseinrichtung S weist im vorliegenden Fall im seriellen Zweig zwischen den Anschlusspunkten 18, 25 einen Widerstand R7 mit einer nachfolgenden Sicherung FI, die als Schmelzsicherung ausgelegt ist, und einen weiteren Widerstand R6 auf. Am Knotenpunkt 27 zwischen der Sicherung FI und Widerstand R6 liegt die Kathode einer Zener-Diode D3, die mit ihrer Anode auf dem Anschluss 12 bzw. 14 liegt. Aus sicherheitstechnischen Gründen können auch mehrere Z-Dioden in einer Z-Barriere zusammengeschaltet werden.
Die Sicherheitseinrichtung S mit den Eingangsanschlüssen 18 und 14 und den Ausgangsanschlüssen 25 und 14 hat im darge- stellten Beispiel nach Fig. 10 die Funktion, einen an den Anschlüssen 25, 14 liegenden Verbraucher Ll einerseits vor einer Überspannung und andererseits vor einem zu hohen Stromfluss zu schützen.
Die Zener-Diode D3 zwischen den Klemmen 27 und 14 ist so ausgelegt, dass bei Auftreten einer Überspannung die Anschlusspunkte 27, 14 sozusagen auf die Zener-Spannung begrenzt werden. Im Falle eines zu hohen Stromflusses zwischen den Punkten 18 und 25 wäre ein Abschalten bzw. ein Unterbrechen durch die Sicherung Fl, als Schmelzsicherung, gegeben.
Da die Schmelzsicherung Fl der Z-Barriere, insbesondere wenn diese im Ex-Bereich angeordnet ist, nicht ausgewechselt werden darf, sondern nach Ansprechen von Fl vielmehr die gesamte Z- Barriere ausgetauscht werden muss, soll ein Ansprechen von Fl möglichst vermieden werden. Zu diesem Zweck ist im Beispiel nach der Fig. 10 auf der Basis der vorausgehenden Anordnungen nach den Figuren 1 bis 9, eine vorgeschaltete Schutzschaltung vorhanden. Die Funktion dieser vorgeschalteten Schutzschaltung ist, insbesondere bei Überspannung aber auch bei einem zu hohen Strom infolge einer Überspannung, ein schnelleres Abschalten der anliegenden Spannung zu ermöglichen, so dass die nachfolgende Sicherungseinrichtung S überhaupt nicht ansprechen muss und daher deren Bauelemente ohne jegliche Beeinträchtigung und damit zur weiteren Sicherheit vorhanden bleiben.
Die Schutzschaltung nach Fig. 10 zwischen den Anschlusspunkten, 11, 12 und 18, 14 führt daher bei der Überspannung folgende Funktion aus. Im Nonαalbetrieb ist der Schalter 21 des Mikro-Relais MRl zwischen den Punkten 17, 18 geschlossen. Der Transistor Q2 ist gesperrt, so dass an den Anschlüssen 7, 8 des Mikro-Relais MRl Steuerspannung anliegt und der Schalter 21 geschlossen ist.
Gelangt nun eine Überspannung an die Anschlüsse 11, 12, so erfolgt ein Stromfluss über die Zener-Diode Dl und die seriell dazu liegenden Widerstände R5 und R2. Es gelangt somit ein Spannungspotenzial an die Basis des Transistors Q2, das diesen Transistor Q2 durchsteuert. Die an den Anschlüssen 7, 8 des Mikro-Relais MRl liegende Ansteuerspannung wird abgeschaltet, so dass der Schalter 21 geöffnet wird und damit die Abschaltung der nachfolgenden Sicherungseinrichtung S und der Last Ll bewirkt wird. Außerdem ist durch die Schaltung auch die an den Eingangsanschlüssen 7, 8 des Mikro-Relais MRl anliegende Spannung begrenzt, so dass das Mikro-Relais vor Überspannung geschützt ist.
Die vorgeschaltete Schutzschaltung mit Mikro-Relais ermöglicht daher einerseits in vorteilhafter Weise den Schutz der nachfolgenden Verbraucher, der Sicherheitseinrichtung S und der Last Ll vor Überspannung und zu hohen Strömen. Andererseits wird die Abschaltung durch konkrete galvanische Trennung verbessert und die Vielzahl der Auslegung der vorgeschalteten Schutzschaltung, wie es auch- in den vorausgegangenen Figuren 1 bis 9 gezeigt ist, wird erheblich erweitert.

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Schutzschaltung (1) zur Spannungsbegrenzung für eine zu schützende Einrichtung mit: je einem Eingangs- (11) und einem Ausgangsanschluss (18, 20), einer gemeinsamen Leitung (12, 14) und einer zwischen Eingangsanschluss (11) und gemeinsamer Leitung (12, 14) geschalteten Spannungs-Detektoreinrichtung (4), wobei die zu schützende Einrichtung in einem Ausgangskreis der Schutzschaltung vorgesehen ist und mittels einer steuerbaren Schalteinrichtung abtrennbar ist, die seriell zwischen dem Eingangsanschluss (11) und dem Ausgangsanschluss (18, 20) vorgesehen ist, und wobei die Spannungs-Detektoreinrichtung in Wirkverbindung mit der steuerbaren Schalteinrichtung steht, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Schalteinrichtung ein mikro-mechanisches Bauteil ist, welches einen Steuerkreis mit einem hohen Eingangswiderstand und einen vom Steuerkreis galvanisch getrennten Ausgangskreis aufweist, der über den Steuerkreis schaltbar ist, wobei der Ausgangskreis in geöffnetem Schaltzustand eine galvanische Trennung seiner Ausgangsanschlüsse (17, 18, 19, 20) aufweist.
2. Schutzschaltung (1) nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Spannungs-Detektoreinrichtung (4) einen elektronischen Schalter (Tl) und eine Spannungsfühler-Einrichtung (Dz) aufweist, wobei der Steueranschluss des elektronischen Schalter (Tl) mit der Spannungsfühler-Einrichtung (Dz) in elektrischer Wirkverbindung und der Steuerkreis des mikro-mechanischen Bauteils (MRl; MR2) mit dem elektronischen Schalter (Tl) in elektrischer Wirkverbindung steht.
3. Schutzschaltung nach Anspruch 2, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Spannungsfühler-Einrichtung (Dz) eine Spannungsfühler-Diode (Dz) , insbesondere eine Zener-Diode, und der elektronische Schalter ein Transistor (Tl) ist.
4. Schutzschaltung nach Anspruch 3, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass der Steuerkreis des mikro-mechanischen Bauteils (MRl) parallel zur Kollektor-Emitter-Strecke bzw. parallel zur Source-Drain-Strecke des Transistors (Tl) angeordnet ist.
5. Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass dem steuerbaren Schalter (Tl) mindestens ein Arbeitswiderstand (Rc) und der Spannungsfühler-Diode (Dz) mindestens ein Widerstand (Rb) zugeordnet ist und dass der Steueranschluss des steuerbaren Schalters (Tl) mit dem Widerstand (Rb) und der Spannungsfühler-Diode (Dz) in Wirkverbindung steht.
6. Schutzschaltung nach Anspruch 5, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass der Steuerkreis des mikro-mechanischen Bauteils (MR2) parallel zum Arbeitswiderstand (Rc) liegt.
7. Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass der Steuerkreis des mikro-mechanischen Bauteils (MRl) mit der Basis bzw. dem Gate sowie mit dem Kollektor bzw. dem Drain des Transistors (Tl) verbunden ist.
8. Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Spannungs-Detektoreinrichtung als Kernzelle (4) vorgesehen ist und eine erste Einstell-Einrichtung (5) zwischen der Kernzelle (4) und dem positiven Anschluss (11) der Versorgungsspannung und/oder eine zweite Einstell-Einrichtung (6) zwischen der Kernzelle (4) und dem negativen Anschluss (12) der Versorgungsspannung vorgesehen ist.
9. Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Einstell-Einrichtung (5; 6) mindestens einen Vorwiderstand (Rv) oder eine Serienschaltung aus einem Vorwiderstand (Rv) und einer Zener-Diode (Dz) aufweist.
10. Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass das mikro-mechanische Bauteils als Mikro-Relais (MR) mit Schließer-Funktion ausgebildet ist.
11. Schutzschaltung nach Anspruch 10, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass der Steuerkreis (7, 8) eines als Schließer ausgebildeten Mikro-Relais (MRl) an der Emitter-Kollektor-Strecke des Transistors (Tl) liegt.
12. Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass das mikro-mechanische Bauteil als Mikro-Relais (MR) mit Öffner-Funktion ausgebildet ist.
13. Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass das Mikro-Relais (MRl) mit einem Ausgangsanschluss (17) direkt oder indirekt am positiven oder negativen Ver- sorgungsspannungsanschluss (11; 12) und mit dem anderen Anschluss (18) direkt oder indirekt an der zu schützenden Einrichtung liegt.
14. Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass das Mikro-Relais (MRl) die an seinen Eingangsanschlüssen (9, 10) anliegende Spannung detektiert und dass bei auftretender Überspannung das Mikro-Relais (MRl) seinen Schaltzustand abrupt ändert.
15. Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass dem Mikro-Relais (MRl) zur Spannungs- und/oder Strombegrenzung elektrische Bauelemente (4, 5, 6, 16) vorgeschaltet oder parallelgeschaltet sind oder dass diese elektrischen Bauelemente im Mikro-Relais (MRl) integriert sind.
16. Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die zu schützende Einrichtung ein Verbraucher (Ll) mit vorgeschalteter Spannungs- und' Strombegrenzungseinrichtung (S) ist.
17. Schutzschaltung nach Anspruch 16, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die dem Verbraucher (Ll) vorgeschaltete Spannungsund Strombegrenzungseinrichtung (S) eine Zener-Barriere (D3) ist.
18. Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 17, dadurch g e k e n n z e i c h n e t , dass die Spannungsfühlereinrichtung (Dz) als Leistungsfühler oder als Temperaturfühler ausgelegt ist.
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US10/258,604 US7061738B2 (en) 2000-09-22 2001-09-19 Protective circuit
AU2001295574A AU2001295574A1 (en) 2000-09-22 2001-09-19 Protective circuit
DE50106810T DE50106810D1 (de) 2000-09-22 2001-09-19 Schutzschaltung
AT01976241T ATE300112T1 (de) 2000-09-22 2001-09-19 Schutzschaltung
EP01976241A EP1319265B1 (de) 2000-09-22 2001-09-19 Schutzschaltung

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004037924A1 (de) 2004-08-04 2006-03-16 Endress + Hauser Process Solutions Ag Modulartige Anschlußvorrichtung in einem Bussystem zum Schutz eines elektrischen Verbrauchers
US20060056118A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-16 Kh Controls, Inc. Limiting energy in wiring faults
JP4429987B2 (ja) * 2005-07-29 2010-03-10 株式会社ジェイテクト 安全ｐｌｃ
US7903382B2 (en) * 2007-06-19 2011-03-08 General Electric Company MEMS micro-switch array based on current limiting enabled circuit interrupting apparatus
US7663377B2 (en) * 2007-08-03 2010-02-16 Pepperl +Fuchs, Inc. System and method for high resolution sensing of capacitance or other reactive impedance change in a large dynamic range
US9667357B2 (en) * 2014-04-26 2017-05-30 Infineon Technologies Ag Millimeter-wave transmitter on a chip, method of calibration thereof and millimeter-wave power sensor on a chip
US10145938B2 (en) 2014-04-26 2018-12-04 Infineon Technologies Ag Power sensor for integrated circuits
CN109185540A (zh) * 2018-11-01 2019-01-11 宁波威森搏乐机械制造有限公司 一种操作方便的耐腐蚀电磁球阀

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5179488A (en) * 1990-07-26 1993-01-12 Rosemount Inc. Process control instrument with loop overcurrent circuit
DE19850397A1 (de) * 1998-11-02 2000-05-11 Abb Research Ltd Elektrische Fehlerstromschutz-Schalteinrichtung

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3657603A (en) * 1970-07-24 1972-04-18 William M Adams Relay control responsive to overvoltage and undervoltage
DE2638177C2 (de) * 1976-08-25 1985-10-24 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Schutzvorrichtung gegen Spannungsumpolung und Überspannungen für eine Halbleiterschaltung
US4658154A (en) * 1985-12-20 1987-04-14 General Electric Company Piezoelectric relay switching circuit
DE3622268C1 (de) * 1986-07-03 1988-02-11 Stahl R Schaltgeraete Gmbh Sicherheitsbarriere
GB8722680D0 (en) * 1987-09-26 1987-11-04 Measurement Tech Ltd Electrical safety barriers
DE3804250C1 (en) * 1988-02-11 1989-07-27 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De Circuit arrangement for a current limiter
DE3832068A1 (de) * 1988-09-21 1990-03-22 Stahl R Schaltgeraete Gmbh Explosionsgeschuetzte elektrische sicherheitsbarriere
DE4100634A1 (de) * 1991-01-11 1992-07-16 Adaptronic Ag Pruefvorrichtung
GB9417235D0 (en) * 1994-08-26 1994-10-19 Measurement Tech Ltd Electrical safety barriers
US5638946A (en) * 1996-01-11 1997-06-17 Northeastern University Micromechanical switch with insulated switch contact
DE29613790U1 (de) * 1996-08-09 1996-09-26 Festo Kg Mikroschalter
US6054659A (en) * 1998-03-09 2000-04-25 General Motors Corporation Integrated electrostatically-actuated micromachined all-metal micro-relays
US6201680B1 (en) * 1999-02-02 2001-03-13 Aram Armen Tokatian Adjustable high-speed audio transducer protection circuit
AU4397100A (en) * 1999-03-31 2000-11-14 Pepperl & Fuchs Gmbh Safety barrier for limiting current and voltage

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5179488A (en) * 1990-07-26 1993-01-12 Rosemount Inc. Process control instrument with loop overcurrent circuit
DE19850397A1 (de) * 1998-11-02 2000-05-11 Abb Research Ltd Elektrische Fehlerstromschutz-Schalteinrichtung

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