ES2243561T3 - Circuito de proteccion. - Google Patents
Circuito de proteccion.Info
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- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/008—Intrinsically safe circuits
-
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- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/041—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage using a short-circuiting device
Abstract
Circuito de protección (1) para limitar la tensión de un dispositivo a proteger con: en cada caso una conexión de entrada (11) y otra de salida (18, 20), una línea común (12, 14) y un dispositivo detector de tensión (4) conectado entre la conexión de entrada (11) y la línea común (12, 14), estando previsto el dispositivo a proteger en un circuito de salida del circuito de protección y pudiéndose separar por medio de un dispositivo de conmutación controlable, que están dispuestos en serie entre la conexión de entrada (11) y la conexión de salida (18, 20), y estando el dispositivo detector de tensión en unión activa con el dispositivo de conmutación controlable, caracterizado porque el dispositivo de conmutación es una pieza constructiva micromecánica, que presenta un circuito de control con una elevada resistencia de entrada y un circuito de salida separado galvánicamente del circuito de control, que puede conmutarse a través del circuito de control, presentando el circuito de salida en estado de conmutación abierto una separación galvánica de sus conexiones de salida (17, 18, 19, 20).
Description
Circuito de protección.
La invención se refiere a un circuito de
protección para limitar la tensión de un dispositivo a proteger, en
especial un consumidor con dispositivo limitador de tensión y
corriente preconectado, según el preámbulo de la reivindicación
1.
Se conocen circuitos de protección de esta clase
de los documentos EP 0 359 912 A1, EP 0 310 280 B1 o
DE-PS 36 22 268. Estos circuitos de protección
conocidos tienen diferentes inconvenientes. De este modo, por
ejemplo, tras la reacción del dispositivo de seguridad
correspondiente en el caso del documento EP 0 359 912 A1 es
necesario sustituir manualmente un fusible. Los circuitos de los
documentos DE-PS 36 22 268 y EP 0 310 280 presentan
el inconveniente de que allí se producen elevadas corrientes
transversales y de que, además, en la región de trabajo se produce
una caída de tensión indeseada. Otro inconveniente es que, en caso
de avería, también puede producirse una elevada potencia de
disipación.
En la solicitud PCT no prepublicada WO 00/
62394 A1 se consigue una solución para los problemas citados anteriormente, por medio de que delante del dispositivo de seguridad para el usuario se dispone un circuito de protección que muestra un comportamiento de reacción rápido, de tal modo que en el caso de una sobretensión o una corriente demasiado elevada se hace posible una rápida desconexión de los circuitos dispuestos a continuación. Como conmutador se emplea aquí, sin embargo, un FET que está previsto, en el ramal longitudinal, entre una de las conexiones de entrada del circuito de protección y el dispositivo de seguridad dispuesto a continuación.
62394 A1 se consigue una solución para los problemas citados anteriormente, por medio de que delante del dispositivo de seguridad para el usuario se dispone un circuito de protección que muestra un comportamiento de reacción rápido, de tal modo que en el caso de una sobretensión o una corriente demasiado elevada se hace posible una rápida desconexión de los circuitos dispuestos a continuación. Como conmutador se emplea aquí, sin embargo, un FET que está previsto, en el ramal longitudinal, entre una de las conexiones de entrada del circuito de protección y el dispositivo de seguridad dispuesto a continuación.
En el caso de usarse un FET, sin embargo, las
posibilidades de conexionado y la disposición en el circuito de
protección son limitadas y relativamente inflexibles, de tal modo
que puede pensarse en mejoras sobre esto.
En el documento DE 38 04 250 C1 se describe una
disposición de circuitos para limitar la corriente, en especial para
usarse con aparatos terminales digitales. Con ello se ha dispuesto
en un ramal longitudinal de la disposición de circuitos, para
desconectar una tensión, el tramo source-drain de un
transistor de efecto de campo, cuyo paso a través de su gate se
controla en dependencia tanto del control de un transistor como de
la carga de un condensador.
El documento DE 296 13 790 U1 se refiere a un
microconmutador fabricado micromecánicamente en el que, de forma
comparable a un contacto reed, puede producirse un movimiento de
conmutación mediante un campo magnético que actúe sobre un soporte
flexionable elásticamente.
En el documento DE 41 00 634 A1 se hace patente
un dispositivo de pruebas para circuitos integrados (ICs), en
especial en placas de circuito impreso equipadas, en el que para
unir diferentes puntos de prueba de una pieza a ensayar con
diferentes canales de prueba se han previsto varios
micro-relés.
La presente invención se ha impuesto por ello la
tarea de crear un circuito de protección para limitar la tensión de
un dispositivo a proteger, en especial, en especial un consumidor
con dispositivo limitador de tensión y corriente preconectado, que
pueda diseñarse de forma flexible conforme a los requisitos del
circuito, que presente caídas de tensión longitudinales y corrientes
transversales despreciables y que pueda formar, en especial, una
función de protección adecuada para una barrera Zener preconectada a
un consumidor.
Esta tarea es resuelta conforme a la invención
mediante un circuito de protección con las particularidades de la
reivindicación 1.
Un circuito de protección del género expuesto se
perfecciona conforme a la invención por medio de que el dispositivo
de conmutación es una pieza constructiva micromecánica, que presenta
un circuito de control con una elevada resistencia de entrada y un
circuito de salida separado galvánicamente del circuito de control,
que puede conmutarse a través del circuito de control, presentando
el circuito de salida en estado de conmutación abierto una
separación galvánica de sus conexiones de salida.
Una idea central de la invención estriba por
tanto en diseñar el conmutador necesario no como transistor bipolar,
FET o similar, sino en elegir una pieza constructiva micromecánica
con elevada resistencia de entrada y separación galvánica entre el
circuito de salida y el de control que, al desconectar o abrir el
conmutador, presente una separación galvánica de las conexiones de
salida.
La pieza constructiva o el elemento constructivo
micromecánico se materializa convenientemente en forma de un
micro-relé, sobre la base de materiales y
procedimientos, como los que son habituales en la micromecánica y/o
en la fabricación de semiconductores.
Para esto se elige en especial, de forma muy
ventajosa, un micro-relé por ejemplo con base de
silicio que puede tener una estructura de capas adecuada, por
ejemplo similar a la de los elementos constructivos de
semiconductores, y cuyas capas están estructuradas en cuanto a
técnica de procedimiento, de tal modo que el elemento mecánico que
se conmuta realmente puede accionarse mediante fuerzas
electrostáticas o piezoeléctricas, es decir, variación de carga. En
cuanto al cierre o a la apertura de los contactos, este
micro-relé de silicio puede funcionar de forma
similar a una función de resorte de lámina, de una viga de flexión,
etc.. En la patente norteamericana US-5,638,946 se
describe a modo de ejemplo un relé de este tipo.
Como dispositivo detector de tensión puede usarse
un diodo detector de tensión, en especial un diodo Zener, un
detector de potencia o un detector de temperatura, por ejemplo una
resistencia variable con la temperatura, por ejemplo un termistor.
En el caso de un diseño de circuito preferido se ha asociado al
conmutador electrónico (T1) al menos una resistencia de trabajo (Rc)
y al diodo detector de tensión (Dz) al menos una resistencia (Rb), y
la conexión de mando del conmutador electrónico (T1) está en unión
activa con la resistencia (Rb) y el diodo detector de tensión
(Dz).
Una ventaja esencial en la flexibilidad del
diseño del circuito es aquí la separación galvánica, en el caso del
micro-relé, entre su circuito de control y las
conexiones del circuito de carga, así como la elevada impedancia de
entrada del circuito de control. A causa de su microestructura, este
micro-relé puede materializarse también en una
ejecución integrada con la electrónica adicional, siendo también
posible un grupo constructivo como SMD o incluso una materialización
a modo de un chip.
Sin embargo también existe la posibilidad, según
la finalidad aplicativa, de prever elementos constructivos externos
al micro-relé o materializar el elemento
constructivo necesario directamente como grupo constructivo con el
micro-relé.
En el caso del micro-relé es
también muy ventajosa la elevada resistencia a las vibraciones, lo
que reduce la probabilidad de fallos. Sin embargo, a la hora de
elegir el conmutador como micro-relé es esencial el
hecho de que pueda adaptarse de forma muy flexible a los requisitos
correspondientes, es decir, en el caso de un dispositivo disponible
detector de tensión o corriente de forma correspondiente a los
requisitos de salida para los consumidores postconectados, puede
colocarse con un elevado grado de libertad en el circuito.
De este modo el micro-relé
también puede activarse con sus conexiones de mando directamente a
través de un tramo de colector-emisor o
colector-base, o bien un tramo
drain-source o drain-gate de un
transistor. La integración de un micro-relé en
circuitos disponibles puede realizarse normalmente de forma
relativamente sencilla en el caso de una valoración correcta de las
características del micro-relé. En comparación con
un FET aplicado como conmutador se desconecta la tensión a la
salida, sin circuitos adicionales, para conseguir una histéresis a
modo de una función de basculamiento. Por medio de un circuito de
protección con micro-relés como conmutadores pueden
materializarse por ello, de forma sobresaliente, circuitos contra
sobretensión y sobrecarga incluso con autorretención.
La ventaja muy considerable de usar un
microdispositivo correspondiente o un micro-relé
como conmutador en un circuito de protección es la considerable
simplificación, en el caso de piezas constructivas complicadas, para
activar el micro-relé. Esta simplificación puede ir
tan lejos en ciertos casos que el micro-relé solo,
sin elementos constructivos preconectados adicionales, asume la
función de respuesta y función de desconexión para el consumidor
subsiguiente.
La invención hace por tanto posible, de forma
simplificada, un dispositivo detector para sobretensión y sobrecarga
que acciona, como celda nuclear en el circuito de protección, el
conmutador del micro-relé correspondiente. Esta
celda nuclear puede estar equipada con celdas de ampliación para
ajustar o regular parámetros de la celda nuclear. Aquí puede estar
también incluida la autoprotección del micro-relé
contra sobretensión. Una estructura de este tipo del circuito de
protección hace posible una elevada flexibilidad en cuanto al diseño
con transistores de conmutación de tipo npn o pnp o como FET.
Según las necesidades el
micro-relé puede estar diseñado como "cerrador"
o "abridor".
En especial mediante el corto comportamiento de
reacción, la elevada resistencia de entrada y la alta frecuencia de
conmutación, el micro-relé posibilita también por
así decirlo la protección de un dispositivo limitador de
tensión-corriente preconectado a un consumidor o
transmisor de valores de medición, que normalmente tiene la
estructura de una barrera Zener. En otras palabras, un circuito de
protección adecuado muestra una separación más rápida que por
ejemplo una barrera Zener postconectada, de tal manera que puede
protegerse incluso grupos constructivos de la
ex-región.
A continuación se explica además la invención con
más detalle, con base en ejemplos esquemáticos. Aquí muestran:
la figura 1 dos variantes de una celda nuclear
con transistor pnp o npn;
la figura 2 una celda de ampliación para ampliar
el circuito básico con una celda nuclear según la figura 1;
la figura 3 el principio de funcionamiento del
circuito de protección conforme a la invención con celdas nucleares
en dos formas de ejecución y celdas de ampliación, con base en las
cuales pueden deducirse las diferentes variantes del circuito de
protección mediante un uso a elección de los elementos
mostrados;
la figura 4 un ejemplo de ejecución del circuito
con una celda nuclear con transistor pnp y un
micro-relé MR1 como cerrador a la salida;
la figura 5 otra derivación de la figura 3 con un
transistor npn, presentándose una conexión de mando del
micro-relé sobre la base del transistor en lugar de
su emisor como en la figura 3;
la figura 6 otra forma de ejecución del circuito
de protección con un micro-relé como abridor;
la figura 7 otra variación de la celda nuclear
con transistor pnp y un diodo Z, previsto para la autoprotección del
micro-relé MR1 y situado en paralelo al
micro-relé;
la figura 8 otra forma de ejecución del circuito
de protección, en la que la tensión de salida está reacoplada a la
celda nuclear a través de una resistencia Rh como resistencia de
histéresis, sobre la base del transistor;
la figura 9 la forma de ejecución más sencilla
del circuito de protección con un micro-relé, como
la que es posible en el caso de una adaptación de parámetros
correspondiente; y
la figura 10 un circuito de protección con
micro-relé con dispositivo limitador de
tensión-corriente y carga subsiguiente.
En la figura 1 se ha representado en dos
variantes, esquemáticamente, un dispositivo detector de tensión 4.
El dispositivo detector de tensión 4, que también recibe el nombre
de celda nuclear 4, se compone esencialmente de un circuito
paralelo, en uno de cuyos ramales están situados un transistor T1 y
una resistencia de colector Rc en serie con el mismo. En el otro
ramal se han previsto un diodo Zener Dz y una resistencia básica Rb.
La base del transistor T1 se lleva al punto de conexión 24 entre el
diodo Zener y la resistencia básica Rb.
En el caso representado a la izquierda el
transistor T1 es un transistor pnp bipolar. En la variante
representada a la derecha se ha previsto un transistor npn T1'. En
lugar de transistores bipolares pueden usarse también FETs.
La figura 2 muestra un ejemplo de una celda de
ampliación para las variantes representadas en la figura 1 de una
celda nuclear. La celda de ampliación se compone en el ejemplo de un
diodo Zener Dz y de una resistencia Rv conectada en serie con
éste.
En la figura 3 se ha representado
esquemáticamente un circuito de protección conforme a la invención
en diferentes variantes. El circuito de protección 1 presenta una
celda nuclear 4 con un transistor pnp T1 y dos celdas de ampliación
5, 6 con diodos Z Dz+ o Dz- y resistencias Rv+ y Rv-. La celda
nuclear 4 está unida a través de las celdas de ampliación 5, 6 a una
tensión positiva 11 o a una negativa 12.
Como conmutador rápido se prevé en una primera
variante ventajosa del circuito de protección 1 un
micro-relé MR1 como cerrador. Este
micro-relé MR1 hace contacto, por un lado, con una
de sus entradas 7 con el emisor del transistor T1 y con su otra
entrada 8 con el colector del transistor T1. La salida conmutable 17
hace contacto con la conexión de entrada 11 del circuito de
protección 1, mientras que la otra salida 18 del
micro-relé MR1 conduce al dispositivo a proteger L1,
S. El dispositivo a proteger se ha representado en el caso de la
primera variante de la figura 3, a modo de ejemplo, como carga L1
con dispositivo limitador de tensión y corriente como dispositivo de
protección S. Tanto la carga L1 como el dispositivo de protección S
hacen contacto, con su otra conexión respectiva, con la conexión 14
del circuito de protección.
El dispositivo de protección S representado
esquemáticamente en la figura 3 puede ser una barrera Zener con una
protección en el ramal serie con respecto a la carga L1, como se ha
representado también en la subsiguiente figura 10.
En un caso estándar los dos diodos Dz+ y Dz- y
una de las dos resistencias Rv+, Rv- se sustituyen por puentes, de
tal modo que la primera conexión de la celda nuclear 4 está unida a
11, 13 directamente o a través de Rv+. La otra conexión de la celda
nuclear 4 conduce después a la línea 12, 14 directamente o a través
de Rv-.
En el modo de funcionamiento, en el circuitado
según la figura 3 indicado anteriormente el dispositivo a proteger
se desconecta mediante el micro-relé MR1, en el caso
de que se produzca una sobretensión, con un retardo tan pequeño que
en la fase corta de la desconexión la energía que debe transmitirse
todavía al dispositivo a proteger no es suficiente para dañar
elementos del dispositivo a proteger S, L1.
En funcionamiento normal el transistor T1 es no
conductor o está bloqueado, y el conmutador 21 del
micro-relé MR1 está cerrado. A las conexiones de
entrada 11, 12 se aplica la tensión de alimentación o la tensión
para el dispositivo a proteger, ya que el conmutador 21 del
micro-relé MR1 está cerrado.
Si por tanto llegará un pico de tensión a las
conexiones de entrada 11, 12, dependiendo de la tensión del diodo
Zener Dz éste se volvería conductor y provocaría, mediante el flujo
de corriente en el punto nodal 24, la transconexión del transistor
T1.
A causa de la tensión desconectada en las
conexiones 7 y 8 del micro-relé MR1 se abriría por
tanto el conmutador 21, con lo que se consigue una desconexión
rápida del dispositivo a proteger S, l1 en el caso de sobretensión.
El dispositivo a proteger se protege de este modo contra una
sobretensión, pudiéndose impedir también la reacción de un fusible
incluso mediante la rápida apertura del micro-relé
MR1.
En la figura 3 se ha representado asimismo una
ampliación del circuito básico, formado por la celda nuclear 4 y los
micro-relés MR1, MR2, por medio de celdas de
ampliación 5, 6.
La celda de ampliación 5 se compone en el ejemplo
según la figura 3 de otro diodo Zener Dz y una resistencia previa Rv
en serie con el mismo. Estos pueden estar también previstos
individualmente o combinados como celda de ampliación, por ejemplo
en serie con la celda nuclear 4 con relación a la conexión de
entrada positiva 11 y/o como celda de ampliación 6 con relación a la
otra conexión de entrada 12.
Mediante una celda de ampliación 5 ó 6 de este
tipo puede limitarse la corriente que circula a través de la celda
nuclear 4. Sin embargo, por así decirlo puede conseguirse de este
modo un ajuste de la tensión operativa de la celda nuclear 4. En la
celda nuclear 4 puede estar previsto asimismo un diodo Z 26, que
asuma la función de una protección contra sobretensión de entrada
para el micro-relé MR1 (véase la figura 7).
En el caso de la otra variante del circuito de
protección 1 representada en la figura 3 se prevé conceptualmente el
micro-relé MR2 como abridor.
La función de desconexión rápida en el caso de
una sobretensión se materializa mediante el
micro-relé MR2. Este micro-relé MR2
está situado con sus conexiones de entrada 9, 10 en paralelo a la
resistencia de colector Rc de la celda nuclear 4 descrita
anteriormente. El micro-relé MR2 está configurado en
este caso como "abridor" con un conmutador 22 que está cerrado
en funcionamiento normal, ya que a través de la resistencia Rc no se
dispone de una tensión de mando suficiente.
El micro-relé MR2 hace contacto
con su conexión de salida 19 con la conexión de entrada 11 de la
tensión de alimentación y con su otra conexión de salida 20 con el
dispositivo a proteger L2, que está situado en la conexión 12 del
circuito de protección 1.
Si se presenta una sobretensión en las conexiones
de entrada 11, 12 el diodo Z Dz se volverá de nuevo conductor, como
anteriormente, en dependencia de la tensión aplicada, provocará
mediante el flujo de corriente en el punto nodal 24 la transconexión
del transistor T1. A causa de esto circularía en el circuito
colector-emisor de T1 una corriente que provoca una
caída de tensión en Rc. Esta caída de tensión en la resistencia de
colector Rc, que hace contacto con las conexiones 9, 10 del
micro-relé MR2, produce una apertura del conmutador
22 y con ello una separación del dispositivo a proteger L2.
A causa del tiempo de reacción o retardo de
excitación extremadamente corto, de la elevada resistencia de
entrada, de la reducida energía absorbida, de la elevada frecuencia
de conmutación y de la separación galvánica entre el circuito de
mando y el de carga, un micro-relé MR1 o MR2 de este
tipo es extraordinariamente apropiado como circuito de protección,
en especial en el caso de sobretensiones, sobre todo si tras la
apertura del conmutador se dispone de una separación galvánica en
las conexiones con relación a la carga.
El valor de reacción para una sobretensión a
detectar es establecido por el diodo Z. Sin embargo, si la tensión
de reacción del micro-relé es superior a la tensión
de entrada disponible en 11, 12, el micro-relé no
puede activarse sin medidas adicionales.
Para conseguir un nivel de reacción muy bajo
puede ser por tanto conveniente preconectar al
micro-relé MR1 o MR2 un convertidor de tensión, que
transforme el nivel bajo a un nivel de tensión operativa
correspondiente. El propio convertidor de tensión puede estar aquí
configurado, de forma ideal, como bomba de carga interna en el
micro-relé.
Como muestran las variantes del ejemplo de
ejecución según la figura 3, según la ejecución disponible del
micro-relé como "abridor" o "cerrador",
puede conseguirse una separación únicamente mediante la adición
idónea del micro-relé en el circuito de protección
1. A causa de la elevada resistencia de entrada no es necesario que
el micro-relé se tenga en cuenta como resistencia de
trabajo, sino que puede añadirse fundamentalmente paralela a los
elementos constructivos disponibles de la celda nuclear 4 en casi
cualquier punto apropiado como elemento de conmutación.
Debido a que la celda nuclear 4 según la figura 3
puede variarse de diferente forma con las celdas de ampliación 5, 6,
se han representado en las siguientes figuras 4 a 8 algunos ejemplos
de ejecución, junto con la posición de conexión correspondiente del
micro-relé MR1 o MR2.
En la figura 4 la celda nuclear 4 se compone del
diodo Zener Dz en serie con la resistencia básica Rb. En el ramal
paralelo se ha previsto en la figura 4 un transistor npn T1' y una
resistencia de colector Rc. Como celda de ampliación 5 se dispone de
una resistencia previa Rv con relación a la conexión de entrada
11.
El micro-relé MR1, que en el
ejemplo según la figura 4 es un "cerrador", hace contacto con
su conexión 7 con el colector del transistor T1' y con su otra
conexión 8 con la conexión de entrada 12 o la conexión 14. La salida
17 del micro-relé MR1 hace contacto con la conexión
11. La otra salida 18 está prevista para la conexión de un
dispositivo a proteger L1, dado el caso junto con un dispositivo de
protección S, que con sus otras conexiones harían contacto con la
salida 14.
En caso normal el micro-relé MR1
está cerrado, de tal manera que la tensión de alimentación
correspondiente está aplicada a las conexiones 18, 14 para el
dispositivo a proteger. Si llega una sobretensión a las conexiones
11, 12, se transconecta el transistor T1'. El
micro-relé MR1 se abre y conecta de este modo el
dispositivo a proteger correspondiente o el dispositivo de
protección preconectado S1 (figura 1) en el menor tiempo posible, de
tal modo que se evita un daño a los consumidores que hacen contacto
con las conexiones 18, 14.
También puede pensarse en una forma de ejecución
en la que el dispositivo a proteger L1, S1 haga contacto con una de
sus conexiones con la conexión 11 y con su otra conexión esté unido
a la salida 17 del micro-relé MR1. La conexión 18
del micro-relé MR1 estaría después unida a la línea
12, 14.
En la figura 5 se ha representado otro ejemplo
ventajoso. La celda nuclear se compone del diodo Zener Dz y de la
resistencia básica Rb en serie, a la que se ha postconectado una
resistencia previa Rv como celda de ampliación 6 con relación a la
conexión de entrada 12.
El segundo tramo de la celda nuclear 4 presenta
un transistor npn T1', cuyo colector hace contacto con la entrada 11
a través de la resistencia de colector Rc. El emisor del transistor
T1' hace contacto con el punto de unión entre la resistencia básica
Rb y la resistencia previa Rv. La base hace contacto con el punto
nodal entre el diodo Zener Dz y la resistencia Rb. El
micro-relé MR1 configurado como "cerrador" hace
contacto con su conexión 7 con el colector y con su conexión 8 con
la base del transistor T1'. La conexión de salida 17 hace contacto
con la entrada 11. La otra conexión de salida 17 está situada sobre
la entrada 11. La otra conexión de salida 18 sirve de punto de
conexión para el dispositivo a proteger, que hace contacto con su
otra conexión con la salida 14.
De forma comparable la protección contra una
sobretensión consiste en que, al producirse una, el
micro-relé MR1 se abre y con esto desconecta la
siguiente carga.
En la figura 6 se ha representado el circuito de
protección con un micro-relé MR2 como
"abridor". La celda nuclear 4 se compone de un diodo Zener Dz y
una resistencia básica Rb en un ramal. En otro ramal se ha previsto
un transistor npn T1' con una resistencia de colector Rc. Esta celda
nuclear 4 hace contacto, a través de una resistencia previa Rv, con
la conexión de entrada 11. La resistencia básica Rb y el emisor del
transistor T1' están dispuestos sobre la conexión de entrada 12 o la
salida 14.
La conexión 9 del micro-relé MR2
hace contacto con la resistencia de colector Rc o la resistencia
previa Rv. La otra conexión 10 hace contacto con el colector. La
primera salida 19 del micro-relé Mr2 hace contacto
con la conexión de entrada 11. La segunda salida 20 del
micro-relé MR2 sirve de punto de conexión para un
consumidor, que con su otra conexión haría contacto con la salida
14. En el caso de producirse una sobretensión en las conexiones de
entrada 11, 12 circula por el diodo Zener Dz una corriente hasta la
base del transistor T1', que se transconecta, de tal manera que el
potencial que cae en la resistencia de colector Rc llega hasta las
conexiones 9, 10 del micro-relé MR2, que se abre de
inmediato y de este modo separa y protege el consumidor que hace
contacto con los bornes de conexión 20, 14.
En el ejemplo según la figura 7 se muestra otra
posibilidad de conexionado con un micro-relé MR1
representado como "cerrador". La celda básica 4 está diseñada
ligeramente modificada, estando situada en el ramal paralelo
izquierdo una resistencia básica Rb en serie con un diodo Zener
Dz.
A este diodo Zener Dz se ha postconectado una
resistencia previa Rv en el sentido de una celda de ampliación 6 con
relación a la conexión de entrada 12 con potencial negativo. En el
ramal derecho un transistor pnp T1 hace contacto con su emisor con
la conexión de entrada 11 y con su colector, a través de una
resistencia de colector Rc, con la entrada 12 o la conexión de
salida 14.
El micro relé MR1 hace contacto con su conexión 7
con la conexión de entrada 11 y con su otra conexión 8 con el
colector del transistor T1. La salida 17 del
micro-relé MR1 hace igualmente contacto con la
conexión de entrada 11 de la tensión de alimentación, mientras que
la otra conexión 18 conduce a un consumidor no representado que, con
su otra conexión, haría contacto con el borne de salida 14. Para la
autoprotección del micro-relé MR1 contra una
sobretensión excesivamente alta se ha previsto, en paralelo al
micro-relé MR1 o al tramo
emisor-colector del transistor T1, un diodo Zener
26 que hace contacto con su ánodo con el colector o la conexión 8
del micro-relé MR1 y, con su cátodo, con la conexión
de entrada 11. Con este conexionado se protege, por un lado, un
consumidor conectado o un dispositivo de protección mediante una
apertura del micro-relé MR1 en el caso de
sobretensión. Al mismo tiempo, en el caso de una tensión excesiva,
el micro-relé MR1 también estaría protegido por el
diodo Zener 26, ya que éste en un caso así limitaría la tensión de
mando.
En la figura 8 se ha representado un diseño de
circuitos con un reacoplamiento del potencial existente en la salida
18 del micro-relé MR1, sobre la base o el punto
nodal 24 del transistor T1. La celda nuclear 4 con la celda de
ampliación 6 se corresponde con ello con la forma de ejecución según
la figura 3. La salida 188 del micro-relé MR1
configurado como "cerrador" se ha retroacoplado en el ejemplo
según la figura 8, a través de una resistencia de histéresis Rh,
sobre el punto nodal 24. Por medio de este reacoplamiento del
potencial aplicado a la salida 18, que también se alimenta al
consumidor, se consigue una desconexión estable del
micro-relé MR1 hasta su
auto-detención. La función de histéresis sólo se
produce sin embargo, en el caso de un consumidor conectado, con
barrera Z preconectada como dispositivo limitador de tensión y
corriente.
A causa de la estructura y del comportamiento de
conmutación del micro-relé existe aquí la ventaja de
que, en el caso del diseño como "abridor", como se ha
representado en la figura 9, el micro-relé MR2 puede
aplicarse como circuito de protección sin un gasto adicional en
piezas constructivas. Sin embargo, para esto existe la premisa de
que la tensión operativa o sobretensión que se produce en las
conexiones 9 y 10, de la que quiere protegerse el consumidor
subsiguiente en los bornes 20, 14, se corresponda con la tensión
operativa del micro-relé MR2. En el ejemplo según la
figura 9 la conexión 9 y la conexión de salida 19 del
micro-relé MR2 están situadas sobre la conexión de
salida 11. La salida 10 hace contacto con la conexión de entrada 12
o la conexión de salida 14.
Un consumidor a proteger o un dispositivo de
protección S correspondiente a la figura 3 estaría conectado, de
forma correspondiente a esto, entre los bornes 20, 14. Si en el
ejemplo según la figura 9 llega una sobretensión al
micro-relé MR2, el micro-relé separa
con un tiempo de conexión extremadamente corto, a través de su
conmutador, las conexiones 19, 20 y protege, de forma
correspondiente a esto, el siguiente consumidor frente a la
sobretensión.
A causa de la estructura del
micro-relé sobre la base de materiales
semiconductores incluso en forma integrada, también es posible
integrar la celda nuclear 4 y las celdas de ampliación 5, 6 a modo
de un chip semiconductor en el propio micro-relé. De
este modo es posible prever el circuito de protección en forma de un
único elemento constructivo o un chip en el circuito
correspondiente. Conforme a la invención puede preverse además un
módulo de cuatro polos, en el que el micro-relé con
sus entradas de mando está unido, o bien a la salida de señal, por
ejemplo la señal de salida de una etapa de conmutación, y la tensión
de referencia positiva o a la salida de señal y la tensión de
referencia negativa. De este modo puede elegirse la dirección de
actuación sin gasto en piezas constructivas.
En la figura 10 se ha representado de forma
detallada la estructura de un circuito de protección para proteger
el fusible F1 no intercambiable de la barrera z estilizada, como se
ha explicado anteriormente con base en una celda nuclear y celdas de
ampliación en el conexionado con un micro-relé. La
estructura con un dispositivo de protección S subsiguiente, que se
ha representado como barrera Zener, y el consumidor subsiguiente L1
se corresponde fundamentalmente con la solicitud más antigua WO
00/62394 de la solicitante, en la que sin embargo se utilizan
elementos de conmutación habituales.
El circuito de protección mostrado en la figura
10 entre los bornes de conexión 11, 12 y 18, 14 se corresponde aquí
fundamentalmente con la forma de ejecución según la figura 8. Entre
la conexión de entrada 11 y la conexión de entrada 12 está situada
en serie una resistencia R2, a la que se ha
post-conectado un diodo Zener D1, así como otra
resistencia R5. Un transistor bipolar Q2 hace contacto con su emisor
con la entrada 11 y con su colector, a través de una resistencia R4
y una resistencia R5, con la conexión de entrada 12.
La base del transistor Q2 está colocada a través
de una resistencia de reacoplamiento R3 sobre el borne 18. La base
hace contacto al mismo tiempo con el potencial entre la resistencia
R2 y el cátodo del diodo Zener D1.
El dispositivo a proteger se compone aquí del
consumidor L1 y/o un dispositivo de seguridad S preconectado,
configurado como barrera Z. Para proteger el consumidor L1 y la
barrera Z S se ha previsto entre los bornes 11, 18 el conmutador 21
de un micro-relé MR1. El micro-relé
MR1 hace contacto, con una conexión de entrada 7, con la entrada 11
y, con su otra entrada 8, con el colector del transistor Q2 y la
resistencia R4. En funcionamiento normal, en el caso de la tensión
de alimentación habitual aplicada, el conmutador 21 del
micro-relé MR1 está cerrado, de tal manera que esta
tensión está disponible en el dispositivo de seguridad S
subsiguiente.
El dispositivo de seguridad S configurado como
barrera S se ha representado esquemáticamente en la figura 10. En
especial el circuito mostrado no debe representar ninguna barrera Z
con capacidad de autorización. El dispositivo de seguridad S
presenta en el presente caso, en el ramal en serie entre los puntos
de conexión 18, 25, una resistencia R7 con una protección F1
subsiguiente que está diseñada como fusible, y una resistencia
adicional R6. Con el punto nodal 27 entre el fusible F1 y la
resistencia R6 hace contacto el cátodo de un diodo Zener D3, que con
su ánodo está situado sobre la conexión 12 ó 14. Por motivos
técnicos de seguridad también pueden conectarse juntos varios diodos
Z en una barrera Z.
El dispositivo de seguridad S con las conexiones
de entrada 18 y 14 y las conexiones de salida 25 y 14 tiene la
función, en el ejemplo representado según la figura 10, de proteger
un consumidor L1 que hace contacto con las conexiones 25, 14, por un
lado contra una sobretensión y, por otra parte, contra un flujo de
corriente excesivamente elevado.
El diodo Zener D3 entre los bornes 27 y 14 está
diseñado de tal modo que, al producirse una sobretensión, los puntos
de conexión 27, 14 se limitan por así decirlo a la tensión Zener. En
el caso de un flujo de corriente excesivamente elevado entre los
puntos 18 y 25 se produciría una desconexión o una interrupción
mediante la protección F1, como fusible.
Debido a que el fusible F1 de la barrera Z, en
especial si éste está situado en la zona Ex, no debe sustituirse
sino que es necesario tras reaccionar F1 más bien sustituir toda la
barrera Z, debe evitarse en lo posible una reacción de F1. Con este
fin se dispone en el ejemplo según la figura 10, sobre la base de
las disposiciones anteriores según las figuras 1 a 9, de un circuito
de protección preconectado. La función de este circuito de
protección preconectado es, en especial en el caso de sobretensión
pero también en el caso de una corriente excesivamente alta como
consecuencia de una sobretensión, hace posible una desconexión más
rápida de la tensión aplicada, de tal manera que el dispositivo de
protección S subsiguiente no debe reaccionar en absoluto y, por
ello, sus elementos constructivos quedan disponibles sin ningún tipo
de limitación y de este modo para una ulterior seguridad.
El circuito de protección según la figura 10
entre los puntos de conexión 11, 12 y 18, 14 cumple por ello la
siguiente función en el caso de sobretensión. En funcionamiento
normal el conmutador 21 del micro-relé MR1 está
cerrada entre los puntos 17, 18. El transistor Q2 está bloqueado, de
tal modo que a las conexiones 7, 8 del micro-relé
MR1 se aplica tensión de mando y el conmutador 21 está cerrado.
Si ahora llega una sobretensión a las conexiones
11, 12, se produce un flujo de corriente a través del diodo Zener D1
y las resistencias R5 y R2 situadas en serie con respecto al mismo.
De este modo llega un potencial de tensión a la base del transistor
Q2, que controla este transistor Q2. La tensión de activación
aplicada a las conexiones 7, 8 del micro-relé MR1 se
desconecta, de tal modo que se abre el conmutador 21 y de este modo
se provoca la desconexión del dispositivo de seguridad S
subsiguiente y de la carga L1. Aparte de esto, mediante el circuito
también se limita la tensión aplicada a las conexiones de entrada 7,
8 del micro-relé MR1, de tal manera que el
micro-relé se protege contra sobretensión.
El circuito de protección preconectado con
micro-relés hace por tanto posible, por una parte,
de forma ventajosa la protección de los consumidores subsiguientes,
del dispositivo de seguridad S y de la carga L1 contra sobretensión
y corrientes excesivamente altas. Por otra parte se mejora la
desconexión mediante separación galvánica concreta y se amplía
considerablemente la multiplicidad de dimensiones del circuito de
protección preconectado, como se ha mostrado también en las figuras
1 a 9 anteriores.
Claims (18)
1. Circuito de protección (1) para limitar la
tensión de un dispositivo a proteger con:
- en cada caso una conexión de entrada (11) y otra de salida (18, 20),
- una línea común (12, 14) y un dispositivo detector de tensión (4) conectado entre la conexión de entrada (11) y la línea común (12, 14),
estando previsto el dispositivo a
proteger en un circuito de salida del circuito de protección y
pudiéndose separar por medio de un dispositivo de conmutación
controlable, que están dispuestos en serie entre la conexión de
entrada (11) y la conexión de salida (18, 20), y estando el
dispositivo detector de tensión en unión activa con el dispositivo
de conmutación controlable, caracterizado porque el
dispositivo de conmutación es una pieza constructiva micromecánica,
que presenta un circuito de control con una elevada resistencia de
entrada y un circuito de salida separado galvánicamente del circuito
de control, que puede conmutarse a través del circuito de control,
presentando el circuito de salida en estado de conmutación abierto
una separación galvánica de sus conexiones de salida (17, 18, 19,
20).
2. Circuito de protección (1) según la
reivindicación 1, caracterizado porque el dispositivo
detector de tensión (4) presenta un conmutador electrónico (T1) y un
dispositivo detector de tensión (Dz), estando la conexión de mando
del conmutador electrónico (T1) en unión activa eléctrica con el
dispositivo detector de tensión (Dz) y estando el circuito de mando
de la pieza constructiva micromecánica (MR1; MR2) en unión activa
eléctrica con el conmutador electrónico (T1).
3. Circuito de protección según la reivindicación
2, caracterizado porque el dispositivo detector de tensión
(Dz) es un diodo detector de tensión (Dz), en especial un diodo
Zener, y el conmutador electrónico un transistor (T1).
4. Circuito de protección según la reivindicación
3, caracterizado porque el circuito de mando de la pieza
constructiva micromecánica (MR1) está dispuesto en paralelo al tramo
colector-emisor o en paralelo al tramo
source-drain del transistor (T1).
5. Circuito de protección según una de las
reivindicaciones 2 a 4, caracterizado porque se ha asociado
al conmutador controlable (T1) al menos una resistencia de trabajo
(Rc) y al diodo detector de tensión (Dz) al menos una resistencia
(Rb), y porque la conexión de mando del conmutador controlable (T1)
está en unión activa con la resistencia (Rb) y el diodo detector de
tensión (Dz).
6. Circuito de protección según la reivindicación
5, caracterizado porque el circuito de mando de la pieza
constructiva micromecánica (MR2) está dispuesto en paralelo a la
resistencia de trabajo (Rc).
7. Circuito de protección según una de las
reivindicaciones 4 a 6, caracterizado porque el circuito de
mando de la pieza constructiva micromecánica (MR1) está unido a la
base o al gate así como al colector o al drain del transistor
(T1)
8. Circuito de protección según una de las
reivindicaciones 1 a 7, caracterizado porque el dispositivo
detector de tensión se ha previsto como celda nuclear (4) y se han
previsto un primer dispositivo de ajuste (5) entre la celda nuclear
(4) y la conexión positiva (11) de la tensión de alimentación y/o un
segundo dispositivo de ajuste (6) entre la celda nuclear (4) y la
conexión negativa (12) de la tensión de alimentación.
9. Circuito de protección según una de las
reivindicaciones 8 a 11, caracterizado porque el dispositivo
de ajuste (5; 6) presenta al menos una resistencia previa (Rv) o un
circuito serie a partir de una resistencia previa (Rv) y un diodo
Zener (Dz).
10. Circuito de protección según una de las
reivindicaciones 1 a 9, caracterizado porque la pieza
constructiva micro-mecánica está configurada como
micro-relé (MR) con función de cerrador.
11. Circuito de protección según la
reivindicación 10, caracterizado porque el circuito de mando
(7, 8) de un micro-relé (MR1) configurado como
cerrador hace contacto con el tramo emisor-colector
del transistor (T1).
12. Circuito de protección según una de las
reivindicaciones 1 a 9, caracterizado porque la pieza
constructiva micro-mecánica está configurada como
micro-relé (MR) con función de abridor.
13. Circuito de protección según una de las
reivindicaciones 10 a 12, caracterizado porque el
micro-relé (MR1) hace contacto, con una conexión de
salida (17), directa o indirectamente con la conexión de tensión de
alimentación positiva o negativa y, con la otra conexión (18)
directa o indirectamente con el dispositivo a proteger.
14. Circuito de protección según una de las
reivindicaciones 10 a 13, caracterizado porque el
micro-relé (MR1) detecta la tensión aplicada a sus
conexiones de entrada (9, 10) y porque, cuando se presenta una
sobretensión, el micro-relé (MR1) modifica
abruptamente su estado de conmutación.
15. Circuito de protección según una de las
reivindicaciones 10 a 14, caracterizado porque al
micro-relé (MR1) se han preconectado o conectado en
paralelo elementos constructivos (4, 5, 6, 16) para limitar la
tensión y/o la corriente o porque estos elementos constructivos
eléctricos están integrados en micro-relés
(MR1).
16. Circuito de protección según una de las
reivindicaciones 1 a 15, caracterizado porque el dispositivo
a proteger es un consumidor (L1) con dispositivo limitador de
tensión y corriente (S).
17. Circuito de protección según la
reivindicación 16, caracterizado porque el dispositivo
limitador de tensión y corriente (S) preconectado al consumidor (L1)
es una barrera Zener (D3).
18. Circuito de protección según una de las
reivindicaciones 2 a 17, caracterizado porque el dispositivo
detector de tensión (Dz) está diseñado como detector de potencia o
detector de temperatura.
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