WO2002025694A3 - Systeme et procede de commande des effets de pulverisation et de depot dans un dispositif d'implantation a immersion dans du plasma - Google Patents

Systeme et procede de commande des effets de pulverisation et de depot dans un dispositif d'implantation a immersion dans du plasma Download PDF

Info

Publication number
WO2002025694A3
WO2002025694A3 PCT/GB2001/003797 GB0103797W WO0225694A3 WO 2002025694 A3 WO2002025694 A3 WO 2002025694A3 GB 0103797 W GB0103797 W GB 0103797W WO 0225694 A3 WO0225694 A3 WO 0225694A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
platen
high voltage
implant
control signal
plasma
Prior art date
Application number
PCT/GB2001/003797
Other languages
English (en)
Other versions
WO2002025694A2 (fr
Inventor
James David Bernstein
Peter Lawrence Kellerman
Original Assignee
Axcelis Tech Inc
Eaton Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Axcelis Tech Inc, Eaton Ltd filed Critical Axcelis Tech Inc
Priority to AU2001282327A priority Critical patent/AU2001282327A1/en
Publication of WO2002025694A2 publication Critical patent/WO2002025694A2/fr
Publication of WO2002025694A3 publication Critical patent/WO2002025694A3/fr

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32412—Plasma immersion ion implantation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

L'invention concerne un système d'implantation ionique (10) à immersion dans du plasma permettant de maîtriser les effets de pulvérisation et de dépôt pendant son fonctionnement. Le système comprend une chambre (12) permettant l'implantation dans des plaquettes (W), positionnées sur un plateau (14), d'ions présents dans un plasma généré dans celles-ci, une première alimentation (33) destinée à fournir un signal de haute tension pulsée au plateau (14), une seconde alimentation (46) destinée à générer une puissance nécessaire à l'allumage du plasma, une alimentation (56) de polarisation du plateau destinée à appliquer une tension de polarisation au plateau entre les impulsions successives d'implantation à haute tension, et un contrôleur (52) d'implant maître. Le contrôleur (52) d'implant maître transmet simultanément en sortie un premier signal de commande (72) à la seconde alimentation (46) afin d'allumer le plasma, et un second signal de commande (74) à un modulateur (35) afin d'appliquer une première série d'impulsions d'implant à haute tension au plateau (14), de manière à réduire ainsi au minimum le temps que la plaquette (W) passe dans le plasma avant la première impulsion d'implantation. Le contrôleur d'implant maître produit ensuite en sortie un troisième signal de commande (76) afin de déterminer les périodes pendant lesquelles des impulsions d'implant à haute tension successives sont appliquées au plateau. De plus, dans un autre mode de réalisation, (i) le contrôleur (52) d'implant maître émet à nouveau en sortie un quatrième signal de commande (78) afin de déterminer et de faire varier les durées entre les temps pendant lesquels les impulsions d'implant à haute tension successives sont appliquées au plateau, en réponse à un signal de retour de dose/courant, ou (ii) le système (10) comprend également un régulateur de charge (54B) destiné à produire en sortie un signal de commande (84) de polarisation destiné à commander la grandeur de la tension de polarisation appliquée au plateau (14) entre les impulsions d'implant à haute tension successives.
PCT/GB2001/003797 2000-09-18 2001-08-23 Systeme et procede de commande des effets de pulverisation et de depot dans un dispositif d'implantation a immersion dans du plasma WO2002025694A2 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU2001282327A AU2001282327A1 (en) 2000-09-18 2001-08-23 System and method for controlling sputtering and deposition effects in a plasma immersion implantation device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US66414600A 2000-09-18 2000-09-18
US09/664,146 2000-09-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2002025694A2 WO2002025694A2 (fr) 2002-03-28
WO2002025694A3 true WO2002025694A3 (fr) 2002-07-18

Family

ID=24664741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/GB2001/003797 WO2002025694A2 (fr) 2000-09-18 2001-08-23 Systeme et procede de commande des effets de pulverisation et de depot dans un dispositif d'implantation a immersion dans du plasma

Country Status (3)

Country Link
AU (1) AU2001282327A1 (fr)
TW (1) TW494712B (fr)
WO (1) WO2002025694A2 (fr)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6939434B2 (en) 2000-08-11 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution
US7695590B2 (en) 2004-03-26 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids
US8058156B2 (en) 2004-07-20 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having multiple ion shower grids
US7767561B2 (en) 2004-07-20 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid
US7666464B2 (en) 2004-10-23 2010-02-23 Applied Materials, Inc. RF measurement feedback control and diagnostics for a plasma immersion ion implantation reactor
US7687787B2 (en) 2005-03-15 2010-03-30 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Profile adjustment in plasma ion implanter
KR101246869B1 (ko) 2005-03-15 2013-03-25 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. 플라즈마 이온 주입에서 프로파일 조정
CN102376519B (zh) * 2010-08-17 2013-12-25 中国科学院微电子研究所 一种离子注入剂量检测控制方法
FR2980911B1 (fr) * 2011-10-04 2013-11-22 Ion Beam Services Module de commande pour implanteur ionique
US8461554B1 (en) * 2011-12-07 2013-06-11 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Apparatus and method for charge neutralization during processing of a workpiece
FR3045206B1 (fr) 2015-12-10 2020-01-03 Ion Beam Services Procede de commande pour un implanteur fonctionnant en immersion plasma
CN113727554B (zh) * 2021-08-27 2023-07-14 北京北方华创微电子装备有限公司 电源组件、等离子体浸没离子注入设备及其使用方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5572038A (en) * 1993-05-07 1996-11-05 Varian Associates, Inc. Charge monitor for high potential pulse current dose measurement apparatus and method
US5654043A (en) * 1996-10-10 1997-08-05 Eaton Corporation Pulsed plate plasma implantation system and method
WO2000032839A1 (fr) * 1998-12-01 2000-06-08 Silicon Genesis Corporation Mode, procede et systeme ameliores au plasma d'implantation ionique par immersion dans le plasma
US6237527B1 (en) * 1999-08-06 2001-05-29 Axcelis Technologies, Inc. System for improving energy purity and implant consistency, and for minimizing charge accumulation of an implanted substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5572038A (en) * 1993-05-07 1996-11-05 Varian Associates, Inc. Charge monitor for high potential pulse current dose measurement apparatus and method
US5654043A (en) * 1996-10-10 1997-08-05 Eaton Corporation Pulsed plate plasma implantation system and method
WO2000032839A1 (fr) * 1998-12-01 2000-06-08 Silicon Genesis Corporation Mode, procede et systeme ameliores au plasma d'implantation ionique par immersion dans le plasma
US6237527B1 (en) * 1999-08-06 2001-05-29 Axcelis Technologies, Inc. System for improving energy purity and implant consistency, and for minimizing charge accumulation of an implanted substrate

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002025694A2 (fr) 2002-03-28
AU2001282327A1 (en) 2002-04-02
TW494712B (en) 2002-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2002025694A3 (fr) Systeme et procede de commande des effets de pulverisation et de depot dans un dispositif d'implantation a immersion dans du plasma
JP4822240B2 (ja) 二重パルスを使用して，低電圧のプラズマドーピングをする方法および装置。
CN101892463B (zh) 稳定的和可重复的等离子体离子注入的方法
US6165376A (en) Work surface treatment method and work surface treatment apparatus
AU6608400A (en) High pulse rate pulse power system with fast rise time and low leakage current
WO1999020087A3 (fr) Systeme d'inflammation du plasma par elevation rapide de la tension
WO2006063035A3 (fr) Systeme d'implantation ionique par plasma avec confinement electrostatique axial
JP2000256845A5 (fr)
KR20090118912A (ko) 고전력 임펄스 마그네트론 스퍼터링(ｈｉｐｉｍｓ)을 구비한 ｒｆ 기판 바이어스
JP2004514264A (ja) イオン供給源
CA2052543A1 (fr) Methode et appareil d'implantation ionique et de traitement superficiel
TW312400U (en) Soft plasma ignition in plasma processing chambers
US6031334A (en) Method and apparatus for selectively distributing power in a thruster system
JP2006505960A5 (fr)
EP3575437B1 (fr) Dispositif de pulvérisation cathodique réactive et procédé de formation d'un film mixte ou d'un film de composé métallique composite l'utilisant
ATE363726T1 (de) Vorrichtung und verfahren zum vakuum- ionenstrahlsputtern
CA2119304A1 (fr) Methode et dispositif de charge d'elements d'alimentation sous forme d'elements primaires
US9783884B2 (en) Method for implementing low dose implant in a plasma system
DE59301814D1 (de) Verfahren zum ansteuern von elektrischen, stromgesteuerten stellgliedern
EP1354659A3 (fr) Methode d'amorçage d'un arc entre une pièce et une electrode fusible
WO1999019950A8 (fr) Regulation de l'energie des impulsions dans un laser excimere
US4743806A (en) Process and arrangement to irradiate solid state materials with ions
US6740843B2 (en) Method and apparatus for automatically re-igniting vacuum arc plasma source
TW200503590A (en) Method and apparatus for plasma doping
US20040031566A1 (en) Plasma processing apparatus and method

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TR TT TZ UA UG UZ VN YU ZA ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

AK Designated states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TR TT TZ UA UG UZ VN YU ZA ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642

122 Ep: pct application non-entry in european phase
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP