TW494712B - System and method for controlling sputtering and deposition effects in a plasma immersion implantation device - Google Patents

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494712 A7 ____JB7__ 五、發明說明（丨） 相關應用 以下之美國專利申請作爲已經被完全說明之本文參考 文件並與本文共同整合：申請序號:〇9/619,839，於2〇〇〇年 7月20日建檔，標題爲用在電漿浸入式離子植入系統之積 體化功率振盪射頻源。 發明之領域 本發明係大致地有關於電漿浸入式離子植入系統之領 域，更特別有關於用來同時控制這種系統之濺鑛及沉積效 果的一種機制。 發明背景 電獎浸入式離子植入系統(PI三次方或是PI3)是一種新 興的技術’其中之基板’例如在平臺上面的晶片，被浸入 電槳室中的離子化電漿裡。照這種方式，該電漿室同時作 用如製程室及電漿源。典型地，電漿由將含有想要得到之 各種類摻雜物(例如，硼(B)、砷(As)或是磷(P))氣體離子化 所產生。在電漿中的正離子被介於電漿室之室壁及平臺之 間週期性建立的電位差吸引至（並植入）晶片。一個充足的 電壓差（偏壓）被週期性地施加於平臺上，可以造成晶片表 面的脈衝離子植入。 在這種系統中想要得到的結果是，以劑量濃度及深度 來說，進行製程的晶片整個表面需具有均勻的植入特徵。 劑量術裝置典型地被整合於電漿浸入式離子植入系統中， 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · · -線. 494712 A7 五、發明說明（/) 來控制植入晶片的離子劑量。此外，這種系統可以被用來 降低離子的能量散佈。 一般來說，只有當在平臺被週期地施加偏壓時才會發 生植入。在這些偏壓的脈衝之間，晶片繼續停留在電漿中 ，其在介於植入脈衝間的中間時段內持續反應。結果是， 電漿之成份可以在晶片的表面發生沉積。基本上，摻雜係 被沉積於晶片上面，接著以反彈植入之方式 >被撃入〃基 板中，這種沉積方式有時候被稱爲化學吸附法，只有在晶 片與電漿接觸時才能發生，而且是由於摻雜之離子及摻雜 之中性粒子都被電漿解離所造成。 此外，在特定的電漿浸入式離子植入製程中，例如淺 接面形成製程中，在其深度增加時需要有高劑量濃度。在 這種製程的後面階段裡，先植入的摻雜會被目前要植入的 離子濺鍍而離開晶片。 如果這些因子沒有被植入系統適當地處理，濺鍍及沉 積的功效反而會影響植入的品質。例如，劑量控制系統可 能指示一特定想得到的劑量已被達成，而實際上一些劑量 可能已經被濺鍍而離開。此外，在介於植入脈衝之間所沉 積在晶片表面的電漿成份反而很可能影響該系統控制植入 深度的能力。 因此，本發明的目的是提供一可同時控制電漿浸入式 離子植入系統中的濺鍍及沉積效果之系統及方法。 發明槪要 一種電獎浸入式離子植入系統是用來在該系統操作過 _____5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1--" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -線· 494712 A7 _B7_ 五、發明說明（>| ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 程中控制濺鍍及沉積的效果。該系統包含一電漿室，其用 來將被放置在該室中平臺上之晶片以電漿室產生之電漿其 中出現的離子來進行植入；第一電力供應器用來將脈衝高 電壓信號供應到平臺；第二電力供應器用來產生點燃電漿 所需的電力；一平臺偏壓供應器用來在相繼的高電壓植入 脈衝之間將偏壓施加到平臺；以及一主植入控制器。 |線· 該主植入控制器輸出一第一控制信號到第二電力供應 器以點燃電漿，同時將第二控制信號輸出到一調制器以將 一系列高電壓植入脈衝中的第一個施加到平臺上，以此將 晶片在第一植入脈衝之前，停留在電漿中的時間降至最少 。該主植入控制器進一步輸出第三控制信號以決定施加在 平臺上相繼之高壓植入脈衝時間長度。此外，另一方式係 ⑴該主植入控制器進一步輸出一第四控制信號以決定及改 變施加在平臺上相繼高壓植入脈衝之間的時間長度，以響 應劑量/電流回饋信號，或是(ii)該系統更進一步包括一電 荷控制器以輸出一偏壓控制信號來控制施加在平臺上相繼 之高壓植入脈衝之間的偏壓大小。 圖式簡單說明 圖1是一電漿浸入式離子植入系統橫斷面之平視圖， 在其中整合了一個依照本發明之原理所建構的沉積及濺鍍 控制系統之實施例； 圖2是一如圖1中所示之沉積以及濺鍍控制系統的方 塊圖；以及 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " " "~ 494712 A7 _B7_ 五、發明說明（y ) 圖3是一如圖1示之沉積以及濺鍍控制系統第二實施 例方塊圖。 元件符號說明 10 ·系統 12 ·製程室 14 ·晶片支撐平台 16 ·電槳室 17 ·牆壁 18 ·絕緣器 19·石英窗口 21 ·入口 21A ·環狀導管 22 ·射頻(RF)功率振盪器 23 ·細針 25 ·細針組件 28 ·天線 30、32 ·導線 33 ·功率供應器 34、36、38、40 ·電磁線圈 35 ·調制器 37 ·幫浦支管 42 ·電流收集器 43 ·劑量回饋信號 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： -線· 494712 A7 _B7_ 五、發明說明（厶） 46 · DC振盪功率供應器 50、50B •控制系統 52 ·主植入控制器 54、54B ·電荷控制器 56 ·平台偏壓供應器 58、66 ·電閘 60 ·電流限制電阻器 62 ·脈衝成型電阻 64、68 ·電容器 67 ·平台電壓電閘機構 72 ·第一控制信號 74 ·第二控制信號 76 ·第三控制信號 78 ·第四控制信號 80 ·輸出信號 84 ·偏壓控制信號 86 ·輸出信號 88 ·平台電流感應益 90 ·平台電流回饋信號 較佳實施例詳細說明 現在參考這些附圖，圖1揭示了一電漿浸入式離子植 入系統，在本文中普遍地以10標明。系統10包含一被抽 真空的製程室12，其定義是由被安裝在絕緣器18上面的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雄 · --線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 494712 A7 _____B7___ 五、發明說明（b ) 電子式活化晶片支撐平台14、一具有牆壁17的電性接地 室殻16以及一石英窗口 19所組成。在電漿室16中產生之 電漿，含有想要被植入於基板之摻雜物種(例如，砷As、 磷P或是硼B)之正電荷離子，當負電壓施加於晶片支撐平 台14時被植入基板，例如一個位於其中的半導體晶片W 。如圖1所示，晶片W被細針組件25所操作的細針23提 起而離開平臺。以這種方式，該晶片W可以經由一個承載 器組件(未被顯示出來)完成裝入以及移開之動作。 電漿在該製程室12中產生方式係如以下所示。一可離 子化摻雜氣體從入口 21以及有孔的環狀導管21A引入該 製程室12，該環狀導管21A係環繞於製程室上面的周圍。 射頻(RF)功率振盪器22產生一 RF信號(大約13.5百萬赫 芝（MHz)數量級），其經由導線30及32與具有內部及外 部電路線圈的一平面天線28直接耦合。在天線28中生成 的RF電流引起一通過石英窗口 19而進入製程室12的磁 基於通過天線線圈之電流方向，磁力線朝著如箭頭B 所示的方向。該磁場經由該石英窗口 19穿入該製程室12 ，引發一在製程室中的電場。該電場將電子加速，接著將 摻雜氣體離子化，其經由環狀導管21A被引入製程室以產 生電漿。該電漿包含想要得到之摻雜的正電荷離子，當高 壓功率供應器33提供適當之反向電壓，週期地由調制器 35施加到晶片支撐平台14時，可以被植入晶片W中。由 於植入製程發生於真空中，該製程室I2以幫浦(未被顯示 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · · 線· 494712 A7 _____B7___ 五、發明說明（η ) 出來)經由幫浦支管37抽真空。 電磁線圏34、36、38以及40係位於該製程室12的 外面。該線圈的目的是改變在製程室12中的磁場來有效地 變化電漿擴散率，其可以由改變橫跨於晶片表面的徑向電 漿濃度分布，來確定整個晶片表面的均勻植入。在該較佳 實施例中，電磁線圈包含被分別放置在上面及下面的兩個 較大之主線圈34及40，及兩個位於更靠近製程室12附近 的較小的微調線圏36以及38。 此外，晶片支撐平台14包括含一劑量術偵測器，如一 個或是多個位於製程室12中之晶片W附近的法拉第電流 收集器或杯42。該電流收集器42被用來量測離子流密度 ，也因此以一劑量回饋信號43的形式提供一植入劑量之指 示。該劑量回饋信號43因此被以一悉知的方式控制植入晶 片W的劑量。如將更進一步解釋的，在本發明的一個較佳 實施例中，劑量回饋信號43也被用在濺鍍及沉積控制系統 中。射頻(RF)功率振盪器22被直流(DC)振盪功率供應器 46活化(例如，以3kV直流電）。該功率振盪器22係與天 線28整合至其儲能電路中，免除所需之RF功率振盪器22 之阻抗與製程室中電漿負載相匹配之匹配網路。使用這種 積體化功率振盪可以使自動及立即之天線電路共振頻率被 動追蹤變得可能，而同時以將反射回產生器的RF信號降 至最低，以確保天線28之最大功率輸出。除了免除匹配網 路之外，積體化功率振盪器22也免除相關之控制器、可變 電容、耦合電纜以及功率回饋計量器的需要。 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雄 _線· 494712 A7 五、發明說明（） 更進一步，積體化功率振盪器22提供了在製程室壓力 大約爲0.5m Ton·時之額外的立即電漿點燃效益。幾乎立 即的電漿點燃是可能的，既然匹配網路的調變不是必需的 。這種積體化功率振盪器22的一種型態被揭示在申請人待 審美國專利申請序號:09/619,839中，於2000年7月20曰 建檔爲用在電漿浸入式離子植入系統之積體化功率振盪射 頻源，在此完全倂入並作爲本文之已完全說明之參考。 本發明提供用來控制植入製程之方法，其係以合倂處 理電漿離子植入系統中濺鍍以及沉積效果的方式來進行控 制。如在圖1及圖2中所示，一控制系統50的第一實施例 包括該調制器35、一主植入控制器52、一接收劑量回饋信 號43的電荷控制器54以及一平台偏壓供應器56。 該調制器35運轉以控制由高電壓功率供應器33所施 加於晶片支撐平台14之一系列高電壓脈衝的時間調節，以 及控制由平台偏壓供應器56、在高電壓脈衝之間施加於平 台的低偏壓脈衝。該主植入控制器52產生作用以調節這些 脈衝時間之方式來控制該調制器，也決定被調制之高電壓 脈衝工作週期，以控制介於相繼高電壓脈衝之間的時間長 度。以這種方式，植入製程中的濺鑛及沉積效果可以被控 制。 特別是以圖2作爲參考，調制器的操作將會首先被詳 細描述。電閘58用來週期地施加或是衝擊（一高電壓）至 晶片支撐平台14,來使在電漿中的正充電離子可以被植入 放置於平臺上的晶片W。高電壓脈衝具有範圍在-.5KV到- 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·- -線· 494712 A7 ----— —_B7_____ 五、發明說明（（| ) 10kV的大小，而且最好是在-〇.5kV的大小尺度上。經由電 流限制電阻器60(20Ω)以及脈衝成型電阻62(10Ω)，高負 電壓脈衝被施加，通常是以大約4到於5微秒(4-5 sec)的 時間長度（雖然其時間長度也可以是幾百微秒）。一電容器 64被裝置在介於接地地面及功率供應器33的輸出之間， 作爲一緩衝器以壓制電力供應電壓所產生的尖峰。 一電閘66被連接於晶片支撐平台14(經由脈衝成型電 阻62)與平台偏壓供應器56之間，在電閘58開路後提供 大約0到+20伏特電壓到支撐平台14。電閘58、66以及 電阻60、62在此通常指的是平台電壓電閘機構67。電容 器68被裝置在地面接地及平台偏壓供應器56的輸出之間 ，作用是過濾偏壓供應輸出信號。 電閘58及66兩者最好都是高電壓IGBT-型電閘。該 主植入控制器52控制這些在平台電壓電閘機構67中幾個 電閘的運轉。控制器52也可以被用來控制高電壓功率供應 器33以及平台偏壓供應器56之電壓輸出。如下面更進一 步解釋的，控制器也⑴基於電荷控制器54的部分輸出，來 控制由功率供應器33提供的被調制高電壓脈衝工作週期( 也就是將在電閘58接通時的時間最佳化），以及(ii)將平台 電壓電閘機構67的運轉與振盪功率供應器46整合，以使 得在製程室12的電漿立即點燃時間與電閘58之接通相一 致。該控制器包括必需的硬體及可程式軟體以允許進行這 種操作。 電閘66以謹慎控制的兩種序列方式來操作(開路及接 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱1 一 "~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} .鱗· 訂·- i線· 494712 A7 ____ B7____ 五、發明說明（^ ) 通)(i)確保均勻之植入能量分布及(ii)將系統10所植入的基 板之聚集電荷降至最低。少了電聞66以及相關的平臺偏壓 供應，一殘餘電壓在電閘58開路後繼續維持(當植入脈衝 結束的時候)會繼續吸引及植入正離子到晶片W上面，雖 然比較於高電壓脈衝被施加的時候來說，能量是逐漸降低 的（深度也因此一樣）。具有長下降時間的殘餘電壓造成被 植入晶片W的離子的能量分散。在電閘58開路後，平臺 的電壓馬上開始下降，最後造成在製程室12中、用來使離 子可植入晶片W的電漿離子層之崩潰。例如，對於一個具 有離子濃度爲l〇1()/cm3的電漿，及一個5微秒之-5kV高電 壓脈衝來說，離子層的最小崩潰時間爲6微秒，因此植入 可以在電閘58開路後的6微秒中發生。 如果殘餘電壓的下降時間比6微秒還長，大量的能量 分散會發生。特別是，已經發現在具有下降時間爲20微秒 的-5kV脈衝中，只有大約25%的植入離子在高電壓中植入 。這種下降時間延長的結果是，生成的電漿能量分布是不 均勻的。然而，如果電閘66是在電閘58開路後的大約1 微秒接通的話，在平臺上面加偏壓到電漿電位値或是電位 値以下(典型地介於10到於20伏特之間），可以確定平臺 上高電壓之快速下降時間。該植入製程因此停止，在植入 的能量分散也被降至最低。甚且，能量的分散無關於電漿 之狀態，如電漿濃度。 除了改良了植入能量分布外，該電閘66也可以用來降 低可能會傷害其中電路之W晶片上電荷。首先，以偏壓供 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 494712 A7 _____B7 _ 五、發明說明（丨\ ) 應器56加偏壓至該平台24可以將晶片表面中性化以防止 正電荷的聚集，否則電漿中的離子會被植入到晶片基板之 絕緣結構(層）中。這種電荷聚集可能因允許在絕緣層及基 板之間生成極大的電位差而損傷晶片電路。在植入脈衝之 間將平臺施加正偏壓可以增加有效的電子流的大小，使得 電漿中的電子被吸引到晶片，而將充有正電荷的晶片之絕 緣層予以中性化。 此外，加正偏壓於平臺防止了晶片W被充電，否則當 在製程室12中的電漿環繞晶片W時會將晶片W的絕緣層 充電到電漿之電位。施加偏壓到平臺達或是接近於電漿的 電位能可以防止介於絕緣層及晶片W基板之間大電壓差的 建立。這樣，電漿引發在絕緣層上的電壓壓力可以被防止 ，藉此保護了晶片W的電路。 沉積及濺鍍的效果在系統10中係藉由主植入控制器 52而得以控制。沉積是以下面的方法控制⑴在第一植入脈 衝之前，不讓晶片W承受不需要的電漿暴露，以及(ii)相 繼的植入脈衝之間將晶片W停留在電漿的時間降至最小。 以同時傳送第一控制信號72到振盪功率供應器46以及傳 送第二控制信號74到平台電壓電閘機構67的方式，主植 入控制器52將晶片初始暴露在電漿的時間降至最低。以這 種方式，在製程室12中的電漿在電閘58接通的幾乎同時 被點燃。 藉由把高電壓植入脈衝的工作週期增加到於最大，該 主植入控制器52將介於相繼的植入脈衝之間，晶片W停 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： •線. 494712 A7 ____B7 ____ 五、發明說明（（X ) 留在電漿中的時間降至最低。高電壓植入脈衝工作週期是 以第三控制信號76所定義，其決定或是改變高電壓脈衝的 時間長度；以及以第四控制信號78所定義，其決定或是改 變介於高電壓脈衝之間的時間長度。基於電荷控制器54的 輸出信號80，第四控制信號被控制器52輸出。藉由將介 於植入脈衝間的時間降至最低，則晶片暴露在介於脈衝之 間的電漿離子電流以及中性流量可被降至最低。爲了完成 此目的且不受到充電荷損傷的問題，該正偏壓在介於植入 脈衝之間被施加到平臺，而提供中和用所需之電子流增加 〇 藉由降低可以被電漿解離之原子摻雜中性粒子的數量 ，沉積效果也可以被減輕。中性粒子的數量的降低可以藉 由增加電漿氣體壓力的方式達成。降低氣體壓力可以降低 電漿的電子溫度，其接著減少解離的程度。中性粒子的數 量也可以用當壓力維持相同時，增加氣體流量及增加在電 漿室中的抽氣速度來減輕，因此降低氣體在製程室中的停 留時間。這種降低停留時間的方式降低了氣體的分子解離 程度。例如，在以BF2氣體爲基礎的電漿案例裏，硼B的 量相對於被植入的BF2離子來說是被降低的。 另一方面，濺鍍是以將高電壓植入脈衝的時間長度降 至最低以及將介於脈衝之間的時間增加到最大(當平臺被施 以正偏壓時)來控制。植入控制可以被程式化，因此可以把 植入製程中之濺鍍降至最低。然而，濺鍍的減少(把調制的 高電壓植入脈衝工作周期降至最小)必然地增加了製程中的 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - --線· 494712 A7 一 _B7_______ 五、發明說明) 沉積。相反地，沉積的減少(把調制的高電壓植入脈衝工作 周期升至最大）必然地增加在製程中的濺鍍。我們發現’沉 積及濺鍍的可接受範圍可以由改變在2到200微秒範圍中 的脈衝寬度，以及脈衝重複頻率係在·5到5kHz之範圍來 達成。 精確控制植入製程的目標是要達到一高保留植入劑量 ，特別是在深度很淺時不會有超量濺鍍或是沉積。在本發 明中，植入控制器使這種精密控制被完成的方法是⑴同 時輸出控制信號72及74來點燃電漿並開始植入，以及(H) 輸出控制信號76及78來所定義植入脈衝的工作週期。 圖3揭示了一另一類的控制系統50之實施例，以50B 來代表。圖3的控制系統50B與圖2的控制系統50相似 ，除了電荷控制器54B是經由偏壓控制信號84來控制且 改變由平台偏壓供應器56在介於植入脈衝之間所施加至平 台的偏壓大小，而不是由介於脈衝間的時間。電荷控制器 54B係基於平台電流感應器88的輸出信號86來輸出偏壓 信號84，該平台電流感應器88可以偵測平台電流回饋信 號90。 替換地使用在控制系統50以及50B所揭示的劑量/電 流回饋機制是要被考慮的。例如，從圖2的電流收集器42 產生的劑量回饋信號43可以被用在控制系統5〇B，而不是 圖3所示之平台電流感應器88的輸出信號86。相同地， 在控制系統50B中平台電流感應器88的輸出信號86可以 被用在控制系統50中電荷控制器54的輸入(而不是從電流 16 ^氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公璧) --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 線- 494712 A7 ____B7 五、發明說明（vlV) 收集器42來的劑量回饋信號43) 在系統10中的劑量/電流回饋機制實施例是在習知技 術中所悉知的。例如，感應耦合器可以被作爲圖3中的電 流感應器88。而且，在圖2中，法拉地杯42可以將平臺 及放在其上面的平板中添加絕緣物（介電質）來形成一電容 器的方式來實施。在電容器上面的電壓被監控以提供晶片 上充電電荷的指標。 因此，一個較佳實施例已經被描述爲一種以控制電漿 浸入式離子植入系統中的濺鑛及沉積效果的機制。此外， 該機制提供均勻之植入能量分布，以及將聚集在以離子植 入系統進行植入的基板上面的電荷降至最低。然而，記住 在上面之描述，可以理解的是這種描述雖只是以範例方式 來表現，本發明不限於在此所描述的特定實施例，不同的 重組、修改以及替代可以基於前面的描述來實施而不脫離 如以下聲明及其等效所定義之本發明範圍。特別是，應該 被思考的是主植入控制器52可以在一個或是多個控制元件 中實施，以及控制信號72、74、76、78以及84可以以分 開的信號、單一的多重信號、或是任何的結合形式來提供 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · · •線.

Claims (1)

1. 494712 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1·-種植入控制系統（50)，其在一脈衝電漿浸入式離 子植入系統（10)中具有一個製程室（12)以植入被放置在晶片 支撐平台（14)的基板(W)，離子出現在該製程室中含有的一 電漿中，係包括： 一主植入控制器(52)，其用來輸出第一控制信號(72)到 一負責產生電漿點燃所需功率之功率供應器(46)，以及輸 出一第二控制信號(74)到一調制器(35)以施加一系列高電壓 植入脈衝中的第一個到該平台（14)，其中該第一及第二控 制信號係被該主植入控制器幾乎同時地發出；以及 一平台偏壓供應器(56)，其係用來在相繼的高電壓植 入脈衝中間施加偏壓到該平臺。 2·如申請專利範圍第1項所述之植入控制系統(50)， 其中該主植入控制器(52)進一步輸出第三控制信號(76)以決 定施加於該平臺之相繼高電壓植入脈衝之時間長度。 3. 如申請專利範圍第2項所述之植入控制系統（50)， 其中該主植入控制器(52)更進一步輸出第四控制信號(78)以 決定及改變施加於該平臺之相繼高電壓植入脈衝間的時間 間隔長度。 4. 如申請專利範圍第3項所述之植入控制系統(50)， 其中施加在該平臺的偏壓大約是從〇(零）到+20(二十)伏特 〇 5. 如申請專利範圍第4項所述之植入控制系統(50)， 其中施加在該平臺的偏壓電壓大約與電漿電位能相同。 6. 如申請專利範圍第3項所述之植入控制系統(50)， 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 言 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   494712 一_§_ 六、申請專利範圍 其中該第四控制信號(78)由該主植入控制器(52)發出以響應 電荷控制器(54)的輸出信號(80)。 7. 如申請專利範圍第6項所述之植入控制系統(50)， 其中該電荷控制器(54)接收一位於製程室（12)中，靠近晶片 (W)周圍之電流收集器(42)所發出的劑量回饋信號(43)。 8. 如申請專利範圍第3項所述之植入控制系統(50)， 其中第四控制信號(78)是由該主植入控制器(52)所發出，以 響應可偵測平台電流回饋信號(90)之平台電流感應器(88)的 輸出信號(86)。 9. 如申請專利範圍第2項所述之植入控制系統(50)， 其中更進一步包含一電荷控制器(54B)，以輸出偏壓控制 信號(84)來控制由平台偏壓供應器(56)施加至平台（14)的偏 壓大小。 10. 如申請專利範圍第9項中所述之植入控制系統(50) ，其中該電荷控制器(54B)輸出偏壓控制信號（84)以響應平 台電流感應器(88)的輸_號（86)，平台電流感應器(88)可 以偵測平台電流回饋f^|〇)。 11. 一種電漿浸入系統（10)，係包括·. 一製程室（I2)用來於其中之平台（14)上的晶片w 以出現在製程室所產生之電漿中之離子進行植入； 一第一功率供應器(33)用來提供脈衝電壓信號到該平 台（14); 一第二功率供應器(46)用來產生電漿點燃所需的功率 ， 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印？衣 494712 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一主植入控制器(52)用來輸出第一控制信號(72)到該功 率供應器(46)，以及該功率供應器(33)輸出一第二控制信號 (74)到一調制器(35)，以施加一系列高電壓植入脈衝中的第 一個到平台（14)，其中該第一及第二控制信號由該主植入 控制器幾乎同時地發出；以及 一平台偏壓供應器（56)，其用來在相繼的高電壓植入 脈衝之間施加一個偏壓到該平臺。 12. 如申請專利範圍第11項所述之電漿浸入式離子植 入系統（10)，其中該主植入控制器(52)進一步輸出第三控制 信號（76)以決定所述的相繼高電壓植入脈衝被施加到該平 臺的時間長度。 13. 如申請專利範圍第12項所述之電漿浸入式離子植 入系統（10)，其中該主植入控制器(52)更進一步輸出第四控 制信號（78)以決定及改變介於被施加到該平臺的相繼高電 壓植入脈衝之時間間隔。 14. 如申請專利範圍第13項所述之電漿浸入式離子植 入系統（10)，其中被施加於該平臺的偏壓大約在〇(零)到於 20(二十)伏特之間。 15. 如申請專利範圍第14項所述之電漿浸入式離子植 入系統（10)，其中被施加於該平臺的偏壓大約等於電漿位 能。 16. 如申請專利範圍第13項所述之電漿浸入式離子植 入系統（10)，其中該第四控制信號(78)是由該主植入控制器 (52)所發出，以響應電荷控制器(54)的輸出信號(80)。 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 言 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   494712 A8 B8 _g___ 六、申請專利範圍 17·如申請專利範圍第16所述之的電漿浸入式離子植 入系統（10)，其中該電荷控制器(54)接收在製程室12中， 位於晶片W附近的位置之電流收集器(42)所發出的第四控 制信號(78)。 18.如申請專利範圍第13項所述之電漿浸入式離子植 入系統（10)，其中該第四控制信號(78)是由該主植入控制器 (52)發出，以響應可以偵測平台電流回饋信號(90)之平台電 流感應器(88)的輸出信號(86)。 19·如申請專利範圍第12項所述之電漿浸入式離子植 入系統（10)，進一步包括一電荷控制器(54B)以輸出偏壓控 制信號(84)來控制由平台偏壓供應器(56)所施加到平台（14) 的偏壓大小。 20.如申請專利範圍第19項所述之電漿浸入式離子植 入系統（10)，其中該電荷控制器(54B)輸出偏壓控制信號84 以響應偵測到平台電流回饋信號(90)之平台電流感應器(88) 的輸出信號(86)輸出。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· -丨線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印？衣 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）