WO2001092896A1

WO2001092896A1 - Commutateur d'acceleration

Info

Publication number: WO2001092896A1
Application number: PCT/JP2001/004446
Authority: WO
Inventors: Kouichi Itoigawa; Hitoshi Muraki
Original assignee: Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho
Priority date: 2000-05-29
Filing date: 2001-05-28
Publication date: 2001-12-06
Also published as: US20030136654A1; EP1302772A1; US6797899B2; JP2001337108A; EP1302772A4

Description

明細書

加速度スィツチ [技術分野]

本発明は、加速度スィッチに関し、詳しくは、可動電極を有する可動部と固定電極とを含み、加速度の印加に伴って可動部が変位することによって可動電極が固定電極に接触する加速度スィツチに関する。 [背景技術]

近年、自動車の多くは、エアバッグシステムを備える。一般にエアバッグシステムは、エアバッグ、点火装置、電子制御ユニット（E C U) を含む。 E C Uは加速度センサを含み、加速度センサは、車両が衝突したとき、加速度の急激な変化を感知する。このような加速度センサとして、半導体式加速度センサが用いられる。半導体式加速度センサは、例えば、マス部を支持している梁に歪みゲージを含む。 E C Uは、印加された加速度が設定値以上であると判断した場合、点火装置を作動させる。すると、加熱されたエアの熱膨張により、折り畳まれていたエアバッグが瞬時に膨らむ。 .

周囲の機器の出す電磁波の影響を受けて、 E C Uが誤動作を起こすおそれがある。このため、電子式の加速度センサに加えて、機械式の加速度スィッチ（いわゆるセーフイングセンサ）を用いることが提案されている。機械式の加速度スィッチであれば、電子式のそれに比較して、電磁波の影響を受けにくいからである。

図 1 A〜1 Cに、従来の加速度スィッチ 5 1の概略的な構成が示される。

加速度スィッチ 5 1は、張り合わされたシリコンチップ 5 2と基板 5 3とを含む。シリコンチップ 5 2内には空洞部 5 2 aが設けられ、その空洞部 5 2 a内には略直方体状の慣性錘 5 4が設けられている。慣性錘 5 4の両長辺において、両長辺の中心よりもずれた位置に、それぞれビーム 5 5が形成されている。ビーム 5 5によつて慣性錘 5 4とチップ本体 5 2とが連結されている。慣性錘 5 4は、中心（重心 ) から偏心した位置でビーム 5 5によって軸支されている。慣性錘 5 4の裏面においてビーム 5 5から離間した側の先端の略中央には、 2つの可動竃極 5 6， 5 7が互いに近接して形成されている。

一方、基板 5 3の上面には凹部 5 3 aが設けられ、凹部 5 3 aにおいて各可動電極 5 6， 5 7と対応する箇所には、固定電極 5 8が形成されている。各可動電極 5 6 , 5 7と固定電極 5 8とは、通常、離間している。

加速度スィツチ 5 1に加速度が印加されると、ビーム 5 5を軸心として慣性錘 5 4を下方向（図 1 Aに矢印 Gで示す方向）に回動させようとする慣性力が慣性錘 5 4に働く。加速度スィツチ 5 1に所定値以上の加速度が加わると、慣性錘 5 4が同図 1 Aに矢印 Fで示す方向に回動し、各可動電極 5 6， 5 7が固定電極 5 8に接触する。加速度が小さい場合には、慣性錘 5 4はビーム 5 5を軸心として回動されず、固定電極.5 8は可動電極 5 6に接触することができない。加速度スィツチ 5 1は、設定値以上の加速度が印加したときのみ動作をする。

検出対象としている特定の方向以外の方向から加速度が印加される場合、慣性錘 5 4には、図 2 Aに矢印 Gで示すような方向から慣性力が印加される。この場合、図 2 Aに示すように、慣性錘 5 4は捻れた状態で回動する。このとき、図 2 Bに示すように、慣性錘 5 4の下面側端縁が先に基板 5 3に接触する。そのため、慣'|~生錘 5 4の動きが規制されてしまい、同一面上にある両可動電極 5 6， 5 7が固定電極 5 8に接触しないおそれがあった。すなわち、加速度スィッチ 5 1は、検出対象としている特定の方向以外の方向からの加速度が印加されたときに接点不良を生じるおそれがあった。

[発明の開示]

本発明の目的は、特定の方向以外の方向から加速度が印加されたときにおいても確実に動作する加速度スィツチを提供することにある。本発明の一態様では、可動電極を有する可動部と固定電極とを含み、加速度の印加に伴って可動部が変位することによって可動電極が固定電極に接触する加速度スイッチが供給される。加速度スィッチの可動部は、加速度の印加に伴って変位する慣性錘と、慣性錘を回動可能に支持する梁部と、慣性錘に設けられ、先端に可動電極をそれぞれ有し、且つ個別に変形する複数の可撓片とを含む。

この構成では、可動電極が各々設けられた複数の可撓片は、個別に変形するため、各可撓片の変形時に各可動電極は個別に動く。よって、偏方向から加速度スイツチに加速度が印加された場合、一方の可動電極のみが固定電極に接触しても、他方の可動電極は、個別に動くことによって固定電極に接触する。従って、偏方向から加速度が印加されたときにおいても、加速度スィツチは確実に動作する。

[図面の簡単な説明]

本発明を、本発明の目的及ぴ特徴とともにより良く理解するため、添付図面とともに以下の代表的な実施の形態の記載を参照する。

図 1 Aは、従来の加速度スィツチの概略的な断面図である。

図 1 Bは、図 1 Aの加速度スィツチを構成するシリコンチップの概略的な裏面図である。

図 1 Cは、図 1 Bの A— A線に沿った断面図である。

図 2 A及び図 2 Bは、従来の加速度スィツチに偏方向から加速度が印加された状態における可動部の動作を示す概略的な拡大図である。

図 3 Aは、本発明の一実施形態の加速度スィツチの概略的な断面図である。図 3 Bは、図 3 Aの加速度スィツチを構成するシリコンチップの概略的な裏面図である。

図 3 Cは、図 3 Bの A— A線に沿った断面図である。

図 4 Aは、図 3 Aの加速度スィッチの製造手順を説明するためのシリコの概略的な平面図である。

図 4 Bは、図 4 Aの B— B線に沿った断面図である。

図 4 Cは、図 4 Aの C— C線に沿った断面図である。図 5 Aは、図 3 Aの加速度スィッチの製造手順を説明するためのシリコの概略的な平面図である。

図 5 Bは、図 5 Aの B— B線に沿った断面図である。

図 5 Cは、図 5 Aの C一 C線に沿った断面図である。

図 6 Aは、図 3 Aの加速度スィツチの製造手順を説明するためのシリコの概略的な平面図である。

図 6 Bは、図 6 Aの B— B線に沿った断面図である。

図 6 Cは、図 6 Aの C一 C線に沿った断面図である。

図 7 Aは、図 3 Aの加速度スィツチの製造手順を説明するためのシリコンの概略的な平面図である。

図 7 Bは、図 7 Aの B— B線に沿った断面図である。

図 7 Cは、図 7 Aの C一 C線に沿った断面図である。 - 図 8は、図 3 Aの加速度スィツチの加速度印加状態を示す概略的な断面図である図 9は、図 3 Aの加速度スィツチに偏方向から加速度が印加された状態を示す概略的な断面図である。

図 1 0八〜図1 0 Cは、図 3 Aの加速度スィッチに偏方向から加速度が印加された状態における可動部の動作を示す概略的な拡大図である。

図 1 1 A及び図 1 1 Bは、図 3 Aの加速度スィッチに偏方向から加速度が印加された状態における可動部の動作を示す概略的な拡大図である。

図 1 2 A〜図 1 2 Cは、他の実施形態の加速度スィッチのシリコンチップの概略的な裏面図である。

[発明を実施するための最良の形態]

図 3 Aは、本発明の一実施形態の加速度スィツチ 1の概略的な断面図である。図 3 Aに示すように、加速度スィッチ 1は、シリコンチップ 2と基板 3とを張り合わすことにより形成されている。シリコンチップ 2は、チップ本体 4と二層構造のェピタキシャル成長層 5， 6とを含む。チップ本体 4は、直方体状をした面方位 ( 1 1 0 ) の p型単結晶シリコンから形成され、ェピタキシャル成長層 5， 6は、チップ本体 4の片面に積層され、 n型単結晶シリコンから形成される。チップ本体 4の厚さは、 5 0 0 m〜6 0 0 m程度である。各ェピタキシャル成長層 5， 6の厚さは約 1 5 μ πιであり、ェピタキシャル成長層 5， 6の二層分の厚さは約 3 0 z m程度である。なお、説明の便宜上、ェピタキシャル成長層 5， 6は、実際のものよりも厚く図示されている。チップ本体 4の裏面側には、長方形状の空洞部 7が形成されている。空洞部 7の深さは、約 1 0 0 /z mで、二層分のェピタキシャル成長層 5 , 6の厚さよりも大きレ、。空洞部 7内には、慣性錘 8、パランサ 9、梁部であるビーム 1 0及び複数（本実施形態では 2つ）の可撓片 1 1を有する可動部 Ml が収容されている。

慣性錘 8及ぴバランサ 9は矩形状に形成され、ともに約 2 0 mの厚さを有している。慣性錘 8は、パランサ 9よりも大きくかつ重い。ビーム 1 0は、平面視で略「十」字状の形状を有し、慣性錘 8とバランサ 9との間に形成されている。ビーム 1 0は、 7 . 5 m程度の厚さを有し、可撓性を有している。ビーム 1 0における一方の対向する 2つの端縁はそれぞれチップ本体 4に連結され、他方の対向する 2 つの端縁は慣性錘 8の一側部とパランサ 9の一側部に連結されている。慣性錘 8及ぴパランサ 9は、ビーム 1 0によって軸支され、ビーム 1 0を軸心として回動可能である。

一対の可撓片 1 1は、ビーム 1 0と連結された慣性錘 8の側部とは反対側の側部に、慣性錘 8と一体に形成されている。各可撓片 1 1は、慣性錘 8の先端に設けられており、ビーム 1 0と離間した位置に形成されている。図 3 Bに示すように、各可撓片 1 1は、平面視で略台形状に形成され、基端から先端に向かって細い形状を有する。各可撓片 1 1の厚さは、ビーム 1 0の厚さと同程度に設定され、 7 . 5 μ m程度の厚さを有する。各可撓片 1 1は、慣性錘 8の側部のほぼ中央に形成され、慣性錘 8の下面と同一レベルの下面を有する。

各可撓片 1 1は、互いに近接した状態で形成されている。具体的には、各可撓片 1 1の間隔は、 1 0 ！〜 2 0 0 i m程度であり、本実施形態においては 4 0 μ m程度である。各可撓片 1 1の先端部の裏面側には、それぞれ可動電極 1 2が設けられている。各可動電極 1 2の幅は、各可撓片 1 1の先端部の幅と同等に設定されている。各可動電極 1 2は、可撓片 1 1、慣性錘 8及びビーム 1 0上に形成された配線パターン 1 2 aを介して図示しない外部端子に接続されている。

基板 3は矩形状に形成され、シリコンチップ 2と同形状に形成されている。本実施の形態では、絶縁性の基板 3として、ガラス基板が使用されている。これに代えて例えばシリコン基板が使用されてもよい。基板 3の内側面には、矩形状の凹部 1 3が形成されている。凹部 1 3は、シリコンチップ 2側にある空洞部 7に対応する位置に、例えばエッチングにより形成される。基板 3とシリコンチップ 2は、公知の陽極接合技術を用いて接合されている。なお、陽極接合技術に限らず、基板 3とシリコンチップ 2は、例えば接着剤を用いて貼着されるようにしてもよい。

凹部 1 3における内側面において、各可動電極 1 2と対応する箇所に、固定電極 1 4が形成されている。このため、慣性錘 8が回動して各可撓片 1 1が基板 3側に傾倒したとき、各可動電極 1 2と固定電極 1 4とが接触する。このとき、各可動電極 1 2が固定電極 1 4を介して電気的に接続される。

次に、本実施形態の加速度スィツチ 1が表面マイクロマシ一二ング技術を用いて製造される手順の一例を、図 4〜図 7に従って説明する。

加速度スィッチ 1に用いられる基板 3は、次のようにして作製される。まず、矩形状のガラス基板（例えばパイレックスガラスなど）がエッチングされて、内側面における 1箇所に所定形状の凹部 1 3が形成される。次いで、あらかじめマスクが形成された状態で、導電性金属（例えばアルミニウム A 1 ) がスパッタリングされて、凹部 1 3の内側面上に固定電極 1 4が形成される。なお、スパッタリングのような乾式成膜法に代えて、例えば無電解めつき等の湿式成膜法が使用されてもよい次に、シリコンチップ 2の作製を説明する。まず、チップ本体 4の上面に図示しないマスクが形成され、フォトエッチングによって同マスクの所定領域に開口部が 1

形成される。次いで、チップ本体 4の表面に対して、例えばイオン注入法によってホウ素などの p型不純物が所定濃度で打ち込まれ、さらに p型不純物が熱拡散される。その結果、シリコンチップ 2の所定箇所に、第 1の高濃度 p型シリコン層（下層側の P +シリコン埋込層） 2 1が形成される（図 4参照）。なお、下層側の p ⁺シリコン埋込層 2 1の形成位置は、後に空洞部 7が形成される領域に対応している。次に、 p +シリコン埋込層 2 1が形成されたチップ本体 4の上面全体に、気相成長によって n型単結晶シリコンからなる第 1のェピタキシャル成長層 5が形成される。その結果、第 1のェピタキシャル成長層 5内に、 p +シリコン埋込層 2 1が埋め込まれる（図 4参照）。この後、第 1のェピタキシャル成長層 5上に図示しないマスクが形成され、フォトエッチングによって同マスクの所定領域に開口部が形成される。ここで、例えばイオン注入によって p型不純物が打ち込まれ、さらに打ち込まれた p型不純物が熱拡散される。その結果、第 1のェピタキシャル成長層 5に、さらに第 2の高濃度 p型シリコン層（上層側の p +シリコン埋込層） 2 2が形成される。上層側の p +シリコン埋込層 2 2は、先に形成された下層側の p +シリコン埋込層 2 1の深さにまで及んでいる。なお、 p ⁺シリコン埋込層 2 2の形成位置もまた、後に空洞部 7が形成される領域に対応している。 p ⁺シリコン埋込層 2 2 の形成時にマスクされた箇所は、後に慣性錘 8及ぴパランサ 9が形成される領域の側部に対応している。

次に、第 1のェピタキシャル成長層 5の上面全体に、気相成長によって n型単結晶シリコンからなる第 2のェピタキシャル成長層 6が形成される。その結果、第 2 のェピタキシャル成長層 6内に、上層側の p +シリコン埋込層 2 2が埋め込まれる (図 4参照）。この後、第 2のェピタキシャル成長層 6上に図示しないマスクが形成され、フォトエッチングによって同マスクの所定領域に開口部が形成される。次いで p型不純物の打ち込み ·熱拡散が行われ、さらに p型不純物が熱拡散される。その結果、第 1及び第 2のェピタキシャル成長層 5， 6に、第 3の高濃度 p型シリコン層（p +シリコン拡散層） 2 3が形成される (図 5参照）。シリコン拡散層 2 3は、上層側の p +シリコン埋込層 2 2の深さにまで達している。なお、第 3の高濃度 p型シリコン層（P +シリコン拡散層） 2 3の形成位置もまた、後に空洞部 7が形成される領域に対応している。また、 p ⁺シリコン拡散層 2 3の形成時にマスクされた箇所は、後に慣性錘 8、バランサ 9、ビーム 1 0及ぴ各可撓片 1 1が形成される領域に対応している。言い換えると、 p +シリコン拡散層 2 3は、所定領域内において慣性錘 8、パランサ 9、ビーム 1 0及ぴ可撓片 1 1が形成される箇所を残すように形成されている。

次に、高濃度 p型シリコン層形成工程を経たシリコンチップ 2が酸素中または空気中で加熱されることにより、その上下両面に図示しない酸化膜が形成される。この状態で、酸化膜上への A 1のスパッタリングまたは真空蒸着が行われた後、フォトリソグラフィが行われる。その結果、後に慣性錘 8及ぴ可撓片 1 1が形成される領域の表面に、可動電極 1 2及ぴ配線パターン 1 2 aが形成される（図 6参照）。

さらに、シリコンチップ 2上に、例えばタングステン Wやモリブデン M oのスパッタリングまたは真空蒸着が行われ、かつフォトリソグラフィが行われることによつて、開口部を有する金属保護膜（図示略）が形成される。この後、開口部に位置する部分の酸化膜が除去されることによって、その下に隠れていた p +シリコン拡散層 2 3の上面が露出される。なお、 Wや M oが選択されたのは、. これらの金属は耐ふつ酸性を有するからである。

マスキング工程を経たシリコンチップ 2に対して、続いて下記のような方法で陽極化成が行われる。

陽極化成用の処理タンク内には、陽極化成用酸性溶液である髙濃度のふつ酸（H F ) 溶液が満たされる。ふつ酸溶液中において、例えば白金からなる対向電極及ぴシリコンチップ 2は、対向した位置関係で浸漬される。直流電源の陽極はシリコンチップ 2の裏面に接続され、直流電源の陰極は対向電極に接続される。従って、直流電流はシリコンチップ 2の裏面側から表面側に向かって流れる。すると、シリコンチップ 2において高濃度 p型シリコンからなる部分（即ち p ⁺シリコン埋込層 2 1， 2 2、 p +シリコン拡散層 2 3 ) が選択的に多孔質化される。その結果、第 1 〜第 3の高濃度 p型シリコン層 2 1， 2 2， 2 3が多孔質シリコン層に一括して改質される。

陽極化成工程を経た後、金属保護膜が剥離される前に、アルカリエッチングが行われる。ここでは、エツチャントとして例えば TMAH (テトラメチルアンモニゥムハイド口オキサイド）等が使用される。その結果、多孔質シリコン層がエツチングされることで溶解除去される。改質部分である多孔質シリコン層は、非改質部分である緻密なシリコン層に比較して、アルカリに溶解しやすい。このため、多孔質シリコン層は容易に空洞化され、そこには空洞部 7ができる。その結果、空洞部 7 内に可動部 Ml が形成される（図 7参照）。シリコンチップ 2が上下反転された状態で、予め作製しておいた基板 3.に貼着されることにより、図 3の加速度スィッチ 1が完成される。

次に、加速度スィッチ 1の動作を説明する。図 8に示すように、加速度スィッチ 1に対して加速度が加わると、可動部 M lは矢印 G方向への慣性力を受ける。加速度スィツチ 1に対して所定値以上の大きな加速度が印加された場合には、図 8に矢印 Fで示すように、慣性力によって慣性錘 8がビーム 1 0を軸心として下方に回動する。このとき、バランサ 9に対しても同様に慣性力が加わるものの、慣性錘 8の質量がバランサ 9のそれより大きいため、慣性錘 8が下方に回動する。両可動電極 1 2が固定電極 1 4に接触し、両可動電極 1 2が固定電極 1 4を介して導通（オン ) する。

一方、設定値未満の小さな加速度が加速度スィッチ 1に加わった場合には、慣性錘 8はビーム 1 0を中心として回動することができない。よって、たとえビーム 1 0にある程度の撓みが生じたとしても、慣性錘 8は所定位置まで変位することができないため、両可動電極 1 2は導通しない。すなわち、加速度スィッチ 1は、設定値以上の加速度が印加したときのみ動作する。

加速度スィッチ 1においても、従来の加速度スィッチ 5 1と同様に、検出対象としている特定の方向以外の方向（偏方向）から加速度が印加される場合がある。図 1 0において、偏方向から加速度が印加される場合の慣性力の方向が矢印 Gで示される。加速度が所定値以上であれば、図 1 0に示すように、慣性錘 8は捻れた状態で回動する。偏方向からの加速度が印加された場合の加速度スィツチ 1の動作を図 1 0及ぴ図 1 1に従って説明する。

まず、図 1 O Aに矢印 Gで示すように、慣性錘 8に対して偏方向から所定値以上の慣性力が働いた場合、ビーム 1 0に捻れの力が加わる。.そのため、図 1 0 B示すように、慣性錘 8は捻れた状態で下方への回動を始める。なお、各可撓片 1 1は慣性錘 8に比べて充分に薄く形成されているため、加速度の印加によって各可撓片 1 1に加わる慣性力が小さく、慣性力はほぼ慣性錘 8にのみ加わる。加速度印加時に、各可撓片 1 1は、慣性錘 8との連結部を軸としてほとんど撓まない。よって、各可撓片 1 1は、慣性錘 8と一体的に回動する。

慣性錘 8が下方に回動していくと、図 1 0 Cに示すように、一方の可動電極 1 2 が固定電極 1 4に接触する。この状態において慣性錘 8には依然として慣性力が加わっているため、慣性錘 8はそのまま下方に回動しょうとする。慣性錘 8の'さらなる回動により、図 1 1 Aに示すように、固定電極 1 4に接触した側の可撓片 1 1が撓む。各可撓片 1 1は各々独立しているため、一方の可撓片 1 1が撓んでも、橈み力が他方の可撓片 1 1には影響しない。よって、慣性錘 8がさらに下方に回動すると、一方の可撓片 1 1が橈んで固定電極 1 4との接触を維持したまま、他方の可撓片 1 1が下方に移動する。従って、図 1 1 Bに示すように、他方側の可撓片 1 1の可動電極 1 2も固定電極 1 4に接触する。

本実施形態の加速度スィツチ 1においては、慣性錘 8に対して偏方向から所定値以上の加速度が印加された場合でも、各可動電極 1 2が固定電極 1 4に確実に接触する。このため、加速度スィッチ 1は確実に動作する。

本実施形態の加速度スィツチ 1は、以下の利点を有する。

( 1 ) 可動電極 1 2が各々設けられた一対の可撓片 1 1は、個別に弾性変形するため、各可撓片 1 1の変形時に各可動電極 1 2は個別に動く。よって、偏方向から加速度スィツチ 1に加速度が印加された場合、一方の可動電極 1 2のみが固定電極 1 4に接触しても、他方の可動電極 1 2は、一方の可動電極 1 2とは個別に動いて固定電極 1 4に接触する。従って、偏方向から加速度が印加されたときにおいても、加速度スィッチ 1は確実に動作できる。

( 2 ) 各可撓片 1 1は、慣性錘 8よりも薄く形成されている。このため、各可撓片 1 1を確実に弾性変形させることができる。しかも、可撓片に対する慣性力の影響が減少される '

また、本実施形態において可撓片 1 1の厚さは、ビーム 1 0と同じ厚さに設定されているため、シリコンチップ 2の製造時に、ビーム 1 0と同じ工程で可撓片 1 1 を形成することができる。従って、シリコンチップ 2の製造工程数の増加が防止される。

( 3 ) 可撓片 1 1の先端部の幅は、可動電極 1 2の幅とほぼ同等に設定されている。このため、可撓片 1 1が捻れた状態で下方に移動しても、可動電極 1 2は固定電極 1 4に確実に接触できる。

( 4 ) 各可撓片 1 1は略台形状を有し、先端に向かって細く形成される。このため、可撓片 1 1と慣性錘 8との連結箇所の強度が高められる。

( 5 ) 各可撓片 1 1は近接した状態で形成されている。このため、慣性錘 8に偏方向から慣性力が加わった場合、各可動電極 1 2が固定電極 1 4に接触するまでの時間が短縮される。

( 6 ) 各可撓片 1 1の下面は、慣性錘 8の側部のほぼ中央において、慣性錘 8の下面と同一平面上となるように形成されている。このため、慣性錘 8が捻れた状態で回動しても、各可動電極 1 2は固定電極 1 4により確実に接触できる。本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、本発明が他の代替例に具体化され得ることは当業者にとって明らかである。

• 図 1 2 Aに示すように、パランサ 9は省略されてもよい。この場合、加速度スィッチ 1は、小型化される。

. ビーム 1 0は、図 1 2 Bに示すように、一体形成された慣性錘 8とパランサ 9の両側部を軸支するように形成されてもよい。また、ビーム 1 0は、図 1 2 Cに示すように、慣性錘 8における可撓片 1 1が設けられた側の側部と対向する側部を軸支するように形成されてもよい。この場合、パランサ 9は省略される。

• 各可撓片 1 1は、ビーム 1 0と同じ厚さに限らず、少なくとも慣性錘 8よりも薄く、かつ弾性変形可能に形成されればよい。

• 可撓片 1 1の形状は、略台形状に限らず、長方形状や棒状に形状されてもよい。

• 各可撓片 1 1は、互いに離間して形成されてもよい。

• 可撓片 1 1全体は導電性金属によって形成されてもよい。また、可撓片 1 1全体が可動電極として形成されてもよい。

Claims

請求の範囲

1. 可動電極（12) を有する可動部（Ml) と固定電極（14) とを含み、加速度の印加に伴つて前記可動部が変位することによつて前記可動電極が前記固定電極に接触する加速度スィッチ（1) において、

前記可動部は、

前記加速度の印加に伴って変位する慣性錘（8) と、

前記慣性錘を回動可能に支持する粱部（10) と、

前記慣性錘に設けられ、先端に前記可動電極をそれぞれ有し、且つ個別に変形する複数の可撓片（11) とを含むことを特徴とする加速度スィッチ。

2. 請求項 1に記載の加速度スィッチにおいて、

前記可動部の材質は、シリコンであることを特徴とする加速度スィツチ。

3. 請求項 1または請求項 2に記載の加速度スィツチにおいて、

前記各可撓片の厚さは、前記慣性錘のそれよりも薄いことを特徴とする加速度スィツチ。

4. 請求項 1〜 3のいずれか 1項に記載の加速度スィツチにおいて、前記各可撓片は、先細に形成され、各可撓片の先端の幅が前記可動電極の幅とほぼ等しいことを特徴とする加速度スィッチ。

5. 請求項 4に記載の加速度スィッチにおいて、

前記各可撓片は、略台形状の平面を有することを特徴とする加速度

6. 請求項 1〜 5のいずれか 1項に記載の加速度スィツチにおいて、前記各可撓片は、互いに近接して設けられていることを特徴とする加速度スィッチ。

7. 請求項 6に記載の加速度スィッチにおいて、

前記各可撓片の間隔は、 10 ^m〜200 /zmであることを特徴とする加速度スィツチ。

8. 請求項 7に記載の加速度スィッチにおいて、

前記各可撓片の間隔は、ほぼ 40 / mであることを特徴とする加速度スィツチ。

9. 請求項 1〜 8のいずれか 1項に記載の加速度スィツチにおいて、前記可撓片の厚さは、前記梁部のそれとほぼ等しいことを特徴とする加速度スィッテ。