WO1999019543A1 - Procede de production de billes metalliques tres petites - Google Patents

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WO1999019543A1
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Takeshi Nishiuchi
Kohshi Yoshimura
Fumiaki Kikui
Original Assignee
Sumitomo Special Metals Co., Ltd.
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    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
    • B23K35/0222—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
    • B23K35/0244—Powders, particles or spheres; Preforms made therefrom
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    • B22F1/17—Metallic particles coated with metal
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    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
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    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps

Definitions

  • the present invention relates to a method for efficiently producing minute metal spheres such as Cu balls having an outer diameter of 1 mm or less.
  • Metal wires such as Cu having a diameter of 0.3 mm or less are cut into required lengths and melted and solidified.
  • an alloy or metal such as Cu or solder is deposited on the surface and the outer diameter is lmm or less.
  • the present invention relates to a method of manufacturing a fine metal sphere to obtain a precise fine metal sphere.
  • microspheres used as bump core materials for BGA (Ball Grid Array) type semiconductor packages have a diameter of about 0.1 mm to 1.0 mm.
  • a chip carrier coated with a brazing material using metal spheres such as Kovar (Ni-Co-Fe alloy), Cu, 42Ni-Fe alloy as a core material is proposed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-112355). ) Has been.
  • a so-called dropping method in a liquid in which a molten metal is dropped into a liquid at a predetermined temperature, and the molten metal is formed into a sphere by the surface tension of the molten metal itself and solidified as it is (Japanese Patent Laid-Open No. 7-252510), (Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-354808), a method in which metal particles or metal pieces are placed on a flat plate in a non-oxidizing atmosphere, heated and melted while applying vibration, and the surface tension is increased.
  • a vibration heating method Japanese Patent Publication No. 2-50961 has been proposed in which the sphere is formed into a sphere and solidified as it is.
  • the present invention solves the above-mentioned problems, and is effective for mass production of a BGA (Ball Grid Array) type semiconductor package bump.
  • An object of the present invention is to provide a method for producing micro metal spheres, which can produce metal spheres extremely efficiently.
  • the inventors of the present invention have conducted various studies with a view to efficiently producing minute metal spheres such as Cu balls having an outer diameter of 1 mm or less.As a result, a metal wire such as Cu having a diameter of 0.3 mni or less was cut to a required length. The spheroidized starting metal piece is melted and solidified, and a horizontally rotatable plating tank is used.These rotations are periodically repeated at high speed to form a metal such as Cu or an alloy such as solder on the surface. The present inventors have found that a high-precision fine metal sphere having an outer diameter of 1 mm or less can be obtained, and completed the present invention.
  • the present invention provides, for example, a negative electrode disposed in a circumferential portion of a tank that can be horizontally rotated on a vertical axis, and an anode disposed in a central portion of the tank.
  • a metal wire with a diameter of 0.3 mm or less is cut to the required length, for example, by cutting the ratio L / D of the length L to the diameter D of the metal wire to 0.7 to 1.5.
  • a starting metal piece obtained by melting and solidifying this was charged into the plating tank, and the plating tank was rotated at a rotation speed.
  • FIG. 1A is a vertical sectional view of a horizontal rotary type plating apparatus used in the present invention
  • FIG. 1B is a vertical sectional view of a main part showing details of a bottom of a plating tank.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing an example of a basic control pattern for controlling the rotation of the plating tank.
  • FIG. 1 shows the structure of the horizontal rotary type plating apparatus used in the method of the present invention.
  • the plating equipment is mainly composed of a conical plating tank 3 placed on a table 2 supported on a vertical axis 1, and the plating tank 3 rotates horizontally by the rotation of the vertical axis 1.
  • a ring-shaped force source (cathode) 4 and a plating tank 3 are provided with an anode (anode) 6 at the center in the circumference of the bottom of the tank, as shown in the figure.
  • the plating liquid flowing out of the porous ring 5 is replenished by the liquid level sensor 10 mounted in the plating tank 3 according to the number of rotations, so that the plating liquid level becomes a predetermined level. Will be maintained.
  • the plating tank 3 is rotated forward at a specific rotation speed, then reversed, and this cycle is repeated periodically. Due to the centrifugal force and inertia force generated during rotation and stoppage, accumulation on the circumferential wall It is characterized by the fact that it is difficult to agglomerate because plating is performed while gradually changing its position by repeatedly stacking and collapsing.
  • the starting metal piece 11 repeats deposition and collapse on the circumferential wall surface, but a metal piece having a large outer diameter can obtain sufficient kinetic energy to reach the cathode.
  • the plating layer can be increased until the target outer diameter is attained by plating with a small outer diameter metal piece, and consequently, the starting metal piece 11 has a larger plating layer. As a result, a small metal sphere with a uniform outer diameter is obtained.
  • the distance between the bottom surface 3a of the plating tank and the lower surface of the force sword portion 4 varies depending on the number of rotations described later.
  • micro metal spheres with an arbitrary outer diameter can be obtained.
  • the thickness of the porous ring 5 or a non-conductive spacer in place of this is required.
  • FIG. 2 shows an example of a basic control pattern for controlling the rotation of the plating tank 3.
  • the operation consists of acceleration rotation ⁇ constant speed (high speed) rotation ⁇ deceleration rotation ⁇ pause, and the time setting of each part can be freely programmed.
  • the metal is energized only during a predetermined high-speed rotation and constant-speed operation, and the fine metal sphere is sufficiently contacted with the cathode by centrifugal force due to the rotation, so that a uniform and high-quality metal film is formed. As a result, good quality metal spheres can be obtained.
  • a metal wire is cut to a required length and is melted to form a starting metal piece.
  • the diameter of the metal wire exceeds 0.3 mm, an inevitable variation in the cut length of the wire is caused.
  • the variation in the outer diameter of the starting metal piece increases, and it takes more time to uniformly align and mount the outer diameter.
  • the diameter of the metal wire is preferably 0.3 mm or less.
  • L / D is preferably 0.7 to 1.5.
  • the anode is made of a metal according to the target metal type and alloy composition as in the case of general electroplating, but an insoluble electrode such as titanium or platinum is provided on the circumferential wall in a ring shape for the cathode. It can be used by attaching it to a position set at a predetermined distance from the bottom surface of the plating tank according to the outer diameter of the target fine metal sphere. For example, when manufacturing a Cu ball with an outer diameter of 0.25 mm under the conditions of 500 rpm of the plating tank, it is good to arrange the cathode ring at a position 15 mm away from the bottom surface of the plating tank.
  • the present invention it is possible to manufacture minute metal spheres for all metals capable of forming a metal film by plating, such as Cu, solder, and Kovar (Fe-Ni-Co alloy), and to obtain ion concentration in a plating solution and a cathode current.
  • the density is appropriately selected according to the starting metal piece and the metal to be plated, and the plating bath conditions are preferably an ion concentration of 1 to 70 g / l and a current density of 0.05 to: LOA / dm 2 .
  • the amount in the production of Cu spheres is preferably 40 to 70 g / l, more preferably 50 to 60 g / l.
  • the concentration of Au ions in the plating solution is preferably 1 to 15 g / l, more preferably 2 to 12 g / l, and the current density is preferably 0.05 to 2 A / dm2. More preferably, it is 0.1 to lA / dm 2 .
  • the rotation speed of the plating tank is less than 50 rpm, a sufficient centrifugal force cannot be obtained, and the contact with the cathode is not sufficient, so that there are many projections on the plating surface and the number of rotations is small. If a good plating film cannot be obtained, and if it exceeds 800 rpm, the plating solution is scattered and stable plating cannot be performed.
  • the ratio of energization time is small and inefficient, and if more than 8 seconds, the contact time with the cathode is long, and the metal sphere is partially covered by the cathode portion.
  • the cycle of normal rotation and reversal is preferably 3 to 8 seconds, and the constant speed rotation time for conducting is preferably 2 seconds to 6 seconds. The normal rotation time and the reversal time may be the same or different. .
  • the plating solution to be used is appropriately selected according to the metal type.
  • the plating solution to be used is appropriately selected according to the metal type.
  • Cu plating copper sulfate, copper pyrophosphate, etc.
  • solder plating tin sulfonic acid tin, lead alkanol sulfonate, A solution containing tin phenol sulfonate, lead phenol sulfonate, or the like can be used.
  • a fine copper wire with a diameter D of 0.20 mm was cut so that the length L was 0.2 mm and the ratio L / D of the length L to the diameter D was 1, and this was melted and spheroidized to form 150,000 pieces.
  • a sulfuric acid bath containing 55 g / l of Cu as a Cu plating bath, and apply an electric plating at a bath temperature of 30 ° C. Carried out.
  • the plating conditions were as follows: a titanium ring was placed as a cathode ring at a position 15 mm from the bottom of the bath, phosphorous-containing copper was used as the anode plate, the horizontal rotation speed of the plating bath was 500 rpm, the current density was 3 A / dm 2 , Electroplating with a reversal period of 6 seconds was performed for 9 hours, and the surface of the Cu starting metal piece was covered with a Cu plating layer.
  • the particle size distribution was determined from the average, maximum and minimum values obtained by sampling 200 samples.
  • Comparative Example 1 In order to obtain Cu spheres with an outer diameter of 0.25mm ⁇ 0.015mm, metal spheres obtained by heating and melting on a vibrating plate by cutting a 0.20mm diameter Cu fine wire to a length of 0.25mm Table 1 shows the particle size distribution and the yield when the outer diameter is 0.25mm ⁇ 0.015mm. The particle size distribution was performed in the same manner as in Example 1.
  • Electroplating was carried out at a bath temperature of 23 ° C. using a plating solution having a pH of 1 and a semi-brightening agent.
  • the present invention uses a horizontally rotatable tanning tank as a starting metal piece that is cut into a required length of a metal wire such as Cu having a diameter of 0.3 mm or less, melted and solidified, and formed into a sphere as shown in the embodiment. This is repeated periodically at high speed and normal rotation is reversed, and metal such as Cu or an alloy such as solder is adhered to the surface. It can be mass-produced efficiently as a small metal sphere having a required outer diameter of less than 1 mm.

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Description

明細書 微小金属球の製造方法
技術分野
この発明は、 外径 lmm以下の Cuボールなどの微小金属球を効率よく製造す る方法に係リ、 直径 0.3mm以下の Cu等の金属線を所要長さに切断してこれを 溶融凝固した出発金属片に、 水平回転可能なめっき槽を用い、 これを高速で正 転反転を周期的に繰り返すことにより、 表面に Cu、 はんだなどの合金や金属 をめつきして外径 lmm以下の高精度な微小金属球を得る微小金属球の製造方 法に関する。 背景技術
従来、 BGA(Ball Grid Array)タィプの半導体パッケージのバンプ芯材とし て用いられる微小球は、 直径が 0.1mm~1.0mm程度で、 材質としては所定組 成のハンダの他、 最近では、 電気特性や機械的特性を考慮して、 コバール (Ni- Co-Fe合金)、 Cu、 42Ni-Fe合金などの金属球を芯材としてろう材を被覆した チップキヤリァ一が提案 (特開昭 62-112355号)されている。
前記微小球の製造方法として、 溶融金属を所定温度の液体中に滴下し、 溶融 金属自体の表面張力にて球形化してそのまま凝固するいわゆる液体中滴下方法 (特開平 7-252510号)、 金型によるフォーミング等のいわゆる機械的塑性加工方 法 (特開平 4-354808号)、 金属粒又は金属片を非酸化性雰囲気中で平板上に載置 して振動を加えながら加熱溶融してその表面張力で球形化してそのまま凝固す る振動加熱方法 (特公平 2-50961号)などが提案されている。
上記の液体中滴下方法や機械的塑性加工方法においては、 比較的大径の微小 球を得ることが可能であるが、 いずれも作業性が悪く大量生産に不向きであ リ、 特に液体中滴下方法では寸法精度のばらつきが大きく、 BGAタイプの半 導体パッケージ用バンプとして要求される寸法精度を有する微小球を確保する ためには、 所要の外径の金属球を分級にょリ分離する必要があり、 非常に歩留 りが悪くコストアップの要因となっている。
また、 機械的塑性加工方法においても球径に応じて種々の金型が必要とな リ、 上記の作業性とともにコストアップの要因となっている。
治具内で加熱溶融させて金属球を得る方法においても、 得られる金属球の外 径のばらつきは個々の切断片の単重ばらつきに起因しており、 例えば、 はんだ のように柔らかい金属の場合、 同じ単位重量を持った金属球を得ることの困難 さから、 球径にばらつきを生じ、 液体中滴下方法と同様に非常に歩留りが悪い 問題がある。 発明の開示
この発明は、 上記の問題点を解決し、 BGA(Ball Grid Array)タイプの半導 体パッケージ用バンプとして有効な量産性に優れしかも寸法精度が高い微小金 属球、 特に外径 lmm以下の微小金属球を極めて効率よく製造できる、 微小金 属球の製造方法の提供を目的とする。
発明者らは、 外径 lmm以下の Cuボールなどの微小金属球を効率よく製造す る方法を目的に種々検討した結果、 直径 0.3mni以下の Cu等の金属線を所要長 さに切断してこれを溶融凝固させて球状化した出発金属片に、 水平回転可能な めっき槽を用い、 これを高速で正転反転を周期的に繰り返して、 表面に Cu等 の金属やはんだなどの合金をめつきすることより、 高精度な外径 lmm以下の 微小金属球が得られることを知見し、 この発明を完成した。
すなわち、 この発明は、 例えば、 垂直軸で水平回転可能な槽内円周部に陰 極、 槽内中央部に陽極を配設しためつき槽内に送入されためつき液を回転円周 部よリ排出する構成の水平回転めつき槽を用い、 直径 0.3mm以下の金属線を 所要長さ、 例えば、 金属線の長さ Lと直径 Dの比 L/Dが 0.7〜1.5に切断してこれ を溶融凝固した出発金属片を前記めつき槽内に装入し、 該めっき槽を回転数 50〜800rpmにて所要方向に正転次いで反転を周期的に繰リ返しながら、 例え ば、 イオン濃度 l〜70g/l、 電流密度 0.05~10A/dm2のめつき浴条件で、 出発金 属片を槽内円周部の陰極に電気的に接触させて所要金属又は合金の電気めつき を施し、 外径 lmm以下の微小金属球にする微小金属球の製造方法である。 図面の説明
図 1Aはこの発明に用いる水平回転型めつき装置の縦断説明図、 図 1Bはめつ き槽底部の詳細を示す要部縦断説明図である。 図 2は、 めっき槽の回転を制御 する基本制御パターンの一例を示す説明図である。 発明を実施するための最良の形態
この発明方法で用いる水平回転型めつき装置の構造を図 1に示す。 めっき装 置は、 垂直軸 1に支持されたテーブル 2上に載置された円錐状のめっき槽 3を主 体とし、 めっき槽 3が垂直軸 1の回転で水平回転するもので、 めっき槽 3の底部 円周にリング状の力ソ一ド部 (陰極) 4、 めっき槽 3中央部にアノード部 (陽極) 6が 設置されており、 図に示すようにめつき液はホンプで薬液パイプ 7よりめつき 槽 3内に送入されるとともに、 力ソード部 4の下部に設けた通気性の良い多孔質 板からなるポーラスリング 5を通じて水平回転速度に応じた流速でめっき槽 3の 円周部外へ排出され、 めっき槽 3を覆うように配置された防滴槽 8の排出口 9よ りめつき液を排出する構成からなる。
めっき槽 3の回転時は、 めっき槽 3内に取リ付けた液面センサ一 10により、 回転数に応じてポーラスリング 5より流出するめつき液が補給されて、 めっき 液面が所定高さに維持される。
この発明によるめつき方法は、 めっき槽 3を特定の回転数で正転させ、 その 後反転させ、 これを周期的に繰リ返して行うもので、 微小な出発金属片 11は めっき槽 3の回転と停止の際に起こる遠心力と慣性力によって円周壁面への堆 積と崩壊を繰り返し、 徐々に位置を変えながらめっきされるため、 凝集が起こ リ難くなることを特徴としている。
従って、 この発明によるめつき方法では、 出発金属片 11は円周壁面への堆積 と崩壊を繰り返すが、 外径の大きな金属片では陰極に達するのに十分な運動ェ ネルギ一を得ることができずにめっきが施されず、 逆に、 外径の小さな金属片 ではめつきにより目的とする外径となるまでめつき層を増大させることが可能 で、 結果として、 出発金属片 11はめつき層によって外径の揃った微小金属球と なる。
この発明において、 出発金属片 11を所定の外径の微小金属球とするには、 後 述する回転数によっても異なるが、 めつき槽底部 3a面と力ソード部 4の下面と の間の距離 hを変化させることにより、 任意の外径の微小金属球が得られるも ので、 所定の外径の微小金属球を得るには、 ポーラスリング 5もしくはこれに 代わる不導体スぺーサ一の厚みを適宜選定することによリ可能で、 設備の上で コストを低減できる利点がある。
めっき槽 3の回転を制御する基本制御パターンの一例を図 2に示す。 基本的に は、 加速回転→定速 (高速)回転→減速回転→休止の動作からなっており、 各 パートの時間設定は自由にプログラミングできる。 この発明において、 所定の 高速回転の定速運転時にのみ通電してめつきを行うもので、 微小金属球は回転 による遠心力によって陰極と十分に接触されるため、 均一で良質な金属皮膜が 生成され、 良質な微小金属球を得ることができる。
この発明において、 金属線を所要長さに切断してこれを溶融して出発金属片 となすが、 金属線の直径が 0.3mmを越えると、 線材の切断長さの不可避のば らつきに起因する出発金属片の外径のばらつきが増大して、 外径を均一に揃え てめつきするのにより多くの時間を要するため好ましくなく、 金属線の直径は 0.3mm以下が好ましい。 この発明において、 金属線の長さ Lと直径 Dの比 L/Dは、 0.7未満では、 線材 の切断が困難であり、 1.5を越えると溶融によって球体に近い金属片を得るこ とが困難となるため、 L/Dは 0.7~1.5が好ましい。
この発明において、 陽極は、 一般の電気めつきと同様、 目的とする金属種、 合金組成に応じた金属を用いるが、 陰極にはチタン、 白金等の不溶性電極を円 周壁にリング状に取リ付けて用いることができ、 目的の微小金属球の外径に応 じてめっき槽底部面より所定の距離に設定された位置に配設して用いる。 例え ば、 外径が 0.25mmの Cuボールをめつき槽の回転数 500rpmの条件で製造する 場合、 めっき槽底部面より 15mm離れた位置に陰極リングを配設すると良い。 この発明では、 Cu、 はんだ、 コバール (Fe-Ni-Co合金)など、 めっきによる 金属皮膜形成が可能な全ての金属において微小金属球の製造が可能であり、 めっき液中のイオン濃度、 陰極電流密度は、 対象とする出発金属片とめっき金 属に応じて適宜選定され、 めっき浴条件としては、 イオン濃度 l〜70g/l、 電流 密度 0.05〜： LOA/dm2が望ましい。
例えば、 Cu球の製造に際して、 めっき液中の Cuイオン濃度は、 40g/l未満で は極間電圧が高くガスが発生し、 70g/lを越えると不均化反応が起こり良質な めっき被膜が得られないため、 40~70g/lが好ましく、 さらに好ましい条件は 50〜60g/lである。 電流密度は、 lA/dm2未満では生産性が悪く、 被膜表面がざ らつき良好な被膜が得られず、 10A/dm2を越えるとめつき反応時のガス発生が 多く、 ピンホールの発生が懸念されるため、 1〜： LOA/dm2が好ましく、 さらに 好ましくは 3~5A/dm2である。
また、 Au球の製造に際して、 めっき液中の Auイオン濃度は、 l~15g/lが好 ましく、 さらに好ましい条件は 2~12g/lで、 電流密度は、 0.05~2A/dm2が好ま しく、 さらに好ましくは 0.1~lA/dm2である。
この発明において、 めっき槽の回転数については、 50rpm未満では十分な遠 心力が得られず、 陰極との接触が十分でないため、 めっき表面の突起が多くザ ラついて良好なめっき被膜が得られず、 また 800rpmを超えると、 めっき液の 飛散が生じ、 安定しためっきができないため、 50~800rpmが好ましい。
この発明において、 正転、 反転する周期については、 3秒未満では通電時間 の割合が少なく能率的でなく、 8秒を超えると陰極との接触時間が長く、 金属 球が陰極部に一部被着するので正転、 反転する周期は、 3~8秒が好ましく、 通 電する定速回転時間は 2秒 ~6秒が好ましく、 また、 正転時間と反転時間は同一 でも異なっていても良い。
この発明において、 使用するめつき液は金属種に応じて適宜選定するが、 Cuめっきの場合、 硫酸銅、 ピロリン酸銅等、 はんだめつきの場合、 アル力 ノールスルホン酸錫、 アルカノールスルホン酸鉛、 フエノールスルホン酸錫、 フエノールスルホン酸鉛等をふくむめつき液を使用することができる。
実施例
実施例 1
直径 Dが 0.20mmの Cu細線を長さ Lが 0.2mm、 長さ Lと直径 Dの比 L/Dが 1と なるように切断し、 これを溶融して球状ィ匕して 15万個の出発金属片となし、 外 径 0.25mm±0.015mmの Cu球を得るために、 Cuめっき浴として Cuを 55g/l含 んだ硫酸浴を用い、 浴温 30°Cにて、 電気めつきを実施した。
めっき条件は、 陰極リングとしてチタンリングを槽底部から 15mmの位置に 配置し、 陽極板として含りん銅を用い、 めっき槽の水平回転数が 500rpm、 電 流密度が 3A/dm2、 正転、 反転周期が 6秒からなる電気めつきを 9時間行い、 Cu 出発金属片表面に Cuめつき層を被覆した。
得られた金属球の粒度分布、 並びに外径 0.25mm±0.015mmを規格とした場 合の歩留りを測定し、 表 1に示す。 なお、 粒度分布は 200個をサンプリングし て測定した平均値並びに最大値、 最小値から求めた。
比較例 1 外径 0.25mm ± 0.015mmの Cu球を得るため、 直径が 0.20mmの Cu細線を長 さが 0.25mmとなるように切断して、 振動平板上で加熱溶融法によリ得られた 金属球の粒度分布、 並びに外径 0.25mm±0.015mmを規格とした場合の歩留り を測定し、 表 1に示す。 粒度分布は実施例 1と同様方法にて行った。
実施例 2
直径 Dが 0.15mm、 Sn/Pb = l/9のはんだ細線を長さ Lが 0.15mm、 長さ Lと直 径 Dの比 L/Dが 1となるように切断し、 これを溶融して球状化して 10万個の出 発金属片となし、 外径 0.20mm± 0.012mmのはんだ球を得るために、 はんだ めっき浴として錫 2.3g/l、 鉛 7.7g/lを含んだアルカノールスルホン酸、 半光沢剤 を含む pHく 1のめつき液を用い、 浴温 23°Cにて、 電気めつきを実施した。 めっき条件は、 陰極リングとしてチタンリングを槽底部から 18mmの位置に 配置し、 陽極板として Sn/Pb= l/9のはんだを用い、 めっき槽の水平回転数が 600rpm、 電流密度が 0.4Adm2、 正転、 反転周期が 5秒からなる電気めつきを 6 時間行い、 はんだ出発金属片表面にはんだめつき層を被覆した。
得られた金属球の粒度分布、 並びに外径 0.20mm±0.012mmを規格とした場 合の歩留りを測定し、 表 1に示す。 粒度分布は実施例 1と同様方法にて行った。 比較例 2
外径 0.20mm±0.012mmのはんだ球を得るため、 直径が 0.18mm、
Sn/Pb = l/9のはんだ細線を長さが 0.17mmとなるように切断し、 振動平板上で 加熱溶融法によリ得られた金属球の粒度分布、 並びに外径 0.20mni±0.012mm を規格とした場合の歩留りを測定し、 表 1に示す。 粒度分布は実施例 1と同様方 法にて行った。 表 1
Figure imgf000010_0001
産業上の利用可能性
この発明は、 実施例に示すごとく、 直径 0.3mm以下の Cu等の金属線を所要 長さに切断してこれを溶融凝固させて球状化した出発金属片に、 水平回転可能 なめつき槽を用い、 これを高速で正転反転を周期的に繰リ返して、 表面に Cu 等の金属やはんだなどの合金をめつきすることより、 微小金属球がそれ自体に 凝集を生じることなく、 高精度な外径 lmm以下の所要の外径を有する微小金 属球として、 効率よく大量生産できる。

Claims

請求の範囲 水平回転可能な槽内円周部に陰極、 槽内中央部に陽極を配設した めっき槽内に送入されためつき液を回転円周部より排出する構成の水平 回転めつき槽を用い、 金属細線を所要長さに切断してこれを溶融凝固し た出発金属片を前記めつき槽内に装入し、 該めっき槽を所要方向に正転 次いで反転を周期的に繰リ返しながら、 出発金属片を槽内円周部の陰極 に電気的に接触させて所要金属又は合金の電気めつきを施し、 外径 lmm以下の微小金属球にする微小金属球の製造方法。
2. 請求項 1において、 金属細線は直径 0.3mm以下である微小金属球 の製造方法。
3. 請求項 1において、 めっき槽を回転数 50〜800rpmにて回転させる 微小金属球の製造方法。
4. 請求項 1において、 金属線の長さ Lと直径 Dの比 L/Dが 0.7~1.5で ある微小金属球の製造方法。
請求項 1において、 めっき浴条件がイオン濃度 l~70g/l、 電流密 度 0.05〜： LOA/dm2である微小金属球の製造方法。
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