WO1998000587A1 - Procede de production de composes cristallins d'une grande purete et dispositif de mise en oeuvre de ce procede - Google Patents

Procede de production de composes cristallins d'une grande purete et dispositif de mise en oeuvre de ce procede Download PDF

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WO1998000587A1
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chasτi
ρeaκτορa
reactor
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Jury Viktorovich Klevkov
Sergei Alexandrovich Medvedev
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Jury Viktorovich Klevkov
Sergei Alexandrovich Medvedev
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor

Definitions

  • the closest to the invention is the method of obtaining high-quality crystalline connections, which is also included in the vacuum, which is also a vacuum cylinder.
  • 2 s ⁇ de ⁇ lady ⁇ as ⁇ l ⁇ zhennuyu in ⁇ e ⁇ edney chas ⁇ i ⁇ ea ⁇ a vs ⁇ m ⁇ ga- ⁇ elnuyu and ⁇ ltse ⁇ b ⁇ aznugo ⁇ ab ⁇ chuyu chas ⁇ i, ⁇ is ⁇ alliches ⁇ e s ⁇ edinenie ⁇ meschago ⁇ in Part ⁇ ab ⁇ chugo with ⁇ m ⁇ schyu ⁇ em ⁇ e ⁇ a ⁇ u ⁇ n ⁇ g ⁇ g ⁇ adien ⁇ a ⁇ e ⁇ ev ⁇ dya ⁇ eg ⁇ in gaz ⁇ vugo ⁇ azu and s ⁇ bi ⁇ ayu ⁇ ⁇ chischenn ⁇ e ⁇ is ⁇ alliche ⁇ e s ⁇ edinenie in ⁇ m ⁇ a ⁇ nuyu weight
  • the main disadvantage of this method is the noticeable dependence of the duration of the process on the simultaneous connection of the system.
  • a basic technical task that is not readily available is a combination of a non-intermittent circuit and a non-integrated circuit ⁇ ⁇ lichie ⁇ izves ⁇ - us ⁇ s ⁇ s ⁇ b ⁇ v where ⁇ yam ⁇ y sin ⁇ ez ⁇ is ⁇ alliches ⁇ i ⁇ s ⁇ edineny in ⁇ n ⁇ m sl ⁇ e ⁇ sn ⁇ van on is ⁇ lz ⁇ vanii ⁇ avn ⁇ vesiya ⁇ ve ⁇ d ⁇ e- ⁇ a ⁇ in iz ⁇ b ⁇ e ⁇ enii sin ⁇ ez s ⁇ ed_shen_ ⁇ _1 ⁇ susches ⁇ vlyae ⁇ sya ⁇ me ⁇ a- nism ⁇ a ⁇ -zhid ⁇ s ⁇ - ⁇ is ⁇ all (P-F- ⁇ ) in l ⁇ aln ⁇ m ⁇ beme ( briefly), when in the process of reacting, one takes part in a relatively small number of recoverable sources of matter.
  • This large-scale installation provides the possibility of simultaneously improving the homogeneity of the obtained connection, to increase the voltage of the network.
  • the time of heating and discharging in a hot condition in the hot part depends on the number of local non-discontinuities in the case of inconsistent connection.
  • the original material in the full part of the process, and in the second place in the general part of it.
  • the first and second substances are disposed of in a free part of the process, which makes it easy to remove the by-product and process
  • the appliance of the furnace cuts off the local temperature and increases the temperature of the internal heater by 20–50 ° C, which results in the loss of the appliance.
  • By transferring the furnace to the local heating it is only possible to transfer to the domestic wall (2nd cycle of payment).
  • These operating systems provide a large number of ways to achieve a predetermined calculation level. With this, volatile impurities and excesses to the contrary? these substances (initial ones) are deleted in the free part of the process.
  • ⁇ n ⁇ aya ⁇ az ⁇ ushae maya ⁇ e ⁇ eg ⁇ d ⁇ a ⁇ az ⁇ ushae ⁇ sya ⁇ i_. ⁇ m ⁇ schi ma ⁇ gni ⁇ ya ⁇ g ⁇ b ⁇ y ⁇ a 30 ⁇ y ⁇ e ⁇ emeschayu ⁇ vd ⁇ l ⁇ ntsev ⁇ y ⁇ ub- ⁇ i with ⁇ m ⁇ schy ⁇ magni ⁇ v (on che ⁇ ezhe not ⁇ azan ) ⁇ n ⁇ aya ⁇ e ⁇ u- li ⁇ v ⁇ a ⁇ em ⁇ e ⁇ a ⁇ u ⁇ y and ⁇ em ⁇ e ⁇ a ⁇ u ⁇ n ⁇ g ⁇ g ⁇ adien ⁇ a ⁇ v ⁇ di ⁇ sya with ⁇ m ⁇ schvyu ⁇ echi 28 l ⁇ aln ⁇ g ⁇ ⁇ b ⁇ g ⁇ eva, ⁇ aya us ⁇ an ⁇ vlena in zaz ⁇ e between ⁇ ea ⁇ m and vn
  • a gas appliance and a clean appliance in the receiver dispose of the material *
  • the first source of material is zinc, it is disposed of as a part of the process, and selenium is the second source of material, of which there is no external part of the process. In another drawing, this is indicated by position 7.
  • the skin of the processor with a part of the end pipe is attached to the body of the pump. After a 20 mm working outlet, the outlet is pumped out to a 10 mm vacuum tube.

Abstract

Cette invention concerne un procédé permettant de produire des substances d'une grande pureté lors d'une cristallisation en une seule étape et en éliminant les impuretés lors de ce processus. On dispose, dans un réacteur sous vide, des substances de départ qui sont choisies selon un rapport stoechiométrique permettant d'effectuer la synthèse du composé voulu. La première phase de départ, que l'on fait passer en phase gazeuse, va se déposer sur la paroi d'une chambre annulaire qui est définie par les parties cylindriques interne et externe de la zone de travail du corps du réacteur. La première substance ainsi obtenue se présente sous forme d'une couche fine sur laquelle on envoie ensuite la seconde substance également convertie en phase vapeur. La zone de réaction (synthèse) est ensuite déplacée à l'aide d'un gradient de température mobile le long de la couche de la première substance. Le composé cristallin obtenu est ensuite transféré dans une zone auxiliaire du réacteur. La zone de chauffage, qui est déplacée en direction de la zone auxiliaire, va ainsi assurer la recristallisation en une seule étape du composé cristallin, ceci à l'aide d'une gamme de températures de chauffage préalablement déterminée. Afin d'obtenir un produit fini homogène et d'une plus grande pureté, le composé est maintenu quelque temps à l'état chauffé, après quoi la masse compacte est récupérée puis extraite du réacteur. Le réacteur consiste en un tube cylindrique dont la zone de travail renferme un tube interne. Ce tube interne va définir, avec un tube externe, la chambre de travail annulaire où s'effectue le processus de synthèse et de recristallisation. La conversion des substances de départ en phase gazeuse, l'opération inverse, ainsi que la recristallisation du composé synthétisé, l'homogénéisation et le transfert du produit final dans la zone auxiliaire du réacteur, peuvent être effectués en équipant le dispositif d'unités de chauffage externe, interne et local. Chacune de ces unités comprend un dispositif assurant son déplacement le long du réacteur. Afin de faire le vide dans la chambre du réacteur, le dispositif est équipé d'une conduite d'extrémité qui traverse le couvercle dudit réacteur.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2738585A1 (de) * 1976-08-27 1978-03-02 Western Electric Co Aufbringung von cadmiumsulfid auf p-leitendem halbleitermaterial
SU810085A3 (ru) * 1974-11-29 1981-02-28 Ой Лохья Аб (Фирма) Способ получени составных пленокНЕОРгАНичЕСКиХ СОЕдиНЕНий
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DE3304060A1 (de) * 1983-02-07 1984-08-09 Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich Verfahren und vorrichtung zur herstellung von einkristallen aus der gasphase
US4584054A (en) * 1984-07-13 1986-04-22 Research Corporation Solids refining process

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