UA94562C2 - Споособ получения металлического германия из диоксида германия - Google Patents

Споособ получения металлического германия из диоксида германия Download PDF

Info

Publication number
UA94562C2
UA94562C2 UAA201011832A UAA201011832A UA94562C2 UA 94562 C2 UA94562 C2 UA 94562C2 UA A201011832 A UAA201011832 A UA A201011832A UA A201011832 A UAA201011832 A UA A201011832A UA 94562 C2 UA94562 C2 UA 94562C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
germanium
temperature
dioxide
germanium dioxide
metallic
Prior art date
Application number
UAA201011832A
Other languages
English (en)
Ukrainian (uk)
Inventor
Михаил Маркович Локшин
Григорий Соломонович Пекарь
Александр Федорович Сингаевский
Original Assignee
Михаил Маркович Локшин
Григорий Соломонович Пекарь
Александр Федорович Сингаевский
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Михаил Маркович Локшин, Григорий Соломонович Пекарь, Александр Федорович Сингаевский filed Critical Михаил Маркович Локшин
Priority to UAA201011832A priority Critical patent/UA94562C2/ru
Publication of UA94562C2 publication Critical patent/UA94562C2/ru

Links

Landscapes

  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
UAA201011832A 2010-10-06 2010-10-06 Споособ получения металлического германия из диоксида германия UA94562C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAA201011832A UA94562C2 (ru) 2010-10-06 2010-10-06 Споособ получения металлического германия из диоксида германия

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAA201011832A UA94562C2 (ru) 2010-10-06 2010-10-06 Споособ получения металлического германия из диоксида германия

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA94562C2 true UA94562C2 (ru) 2011-05-10

Family

ID=50833006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAA201011832A UA94562C2 (ru) 2010-10-06 2010-10-06 Споособ получения металлического германия из диоксида германия

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA94562C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113560591A (zh) * 2021-07-21 2021-10-29 安徽光智科技有限公司 锗金属小球的制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113560591A (zh) * 2021-07-21 2021-10-29 安徽光智科技有限公司 锗金属小球的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101665253B (zh) 多晶硅提纯方法及用于多晶硅提纯的坩埚、提纯设备
Safarian et al. Processes for upgrading metallurgical grade silicon to solar grade silicon
US4356029A (en) Titanium product collection in a plasma reactor
JP2012508154A (ja) 冶金級シリコンを精錬してソーラー級シリコンを生産するための方法及び装置
NO321946B1 (no) Smeltedigel med beskyttende lag av silisium og anvendelse av det samme
Safarian et al. Kinetics and mechanism of phosphorus removal from silicon in vacuum induction refining
Lai et al. Leaching behavior of impurities in Ca-alloyed metallurgical grade silicon
Peng et al. Removal of aluminum from metallurgical grade silicon using electron beam melting
NO171778B (no) Fremgangsmaate for raffinering av silisium
KR102303581B1 (ko) 다결정 실리콘 로드 및 그 제조 방법
WO2011001919A1 (ja) シリコンの製造方法、シリコンおよび太陽電池用パネル
KR20110069770A (ko) 고순도 결정 실리콘, 고순도 사염화규소 및 이들의 제조 방법
Mitrašinović et al. Impurity removal and overall rate constant during low pressure treatment of liquid silicon
Ren et al. Effect of Zr addition on B-removal behaviour during solidification purification of Si with Si–Sn solvent
UA94562C2 (ru) Споособ получения металлического германия из диоксида германия
Li et al. An approach to prepare high-purity TiSi 2 for clean utilization of Ti-bearing blast furnace slag
EA015477B1 (ru) Способ получения поликристаллического кремния из раствора кремнефтористо-водородной кислоты и установка для получения поликристаллического кремния
JPH05262512A (ja) シリコンの精製方法
Hoseinpur et al. Phosphorus removal from Al-doped silicon by vacuum refining
JPH01108322A (ja) 蒸留精製方法
CN111197121A (zh) 一种感应加热下定向凝固提取超高纯铝的方法
Safarian et al. Vacuum removal of the impurities from different silicon melts
Luo Study on the Preparation of Solar Grade Silicon by Metallurgical Method
RU2707053C1 (ru) Способ очистки металлургического кремния от углерода
RU2635157C1 (ru) Способ очистки технического кремния