UA83170U - Способ изготовления зондов сканирующей туннельной микроскопии - Google Patents

Способ изготовления зондов сканирующей туннельной микроскопии

Info

Publication number
UA83170U
UA83170U UAU201303494U UAU201303494U UA83170U UA 83170 U UA83170 U UA 83170U UA U201303494 U UAU201303494 U UA U201303494U UA U201303494 U UAU201303494 U UA U201303494U UA 83170 U UA83170 U UA 83170U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
production
probes
electron microscopy
scanning tunnel
tunnel electron
Prior art date
Application number
UAU201303494U
Other languages
English (en)
Ukrainian (uk)
Inventor
Алексей Павлович Чепугов
Сергей Алексеевич Ивахненко
Максим Александрович Цисар
Original Assignee
Институт Сверхтвердых Материалов Им. В.М.Бакуля Нан Украины
Алексей Павлович Чепугов
Сергей Алексеевич Ивахненко
Максим Александрович Цисар
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Сверхтвердых Материалов Им. В.М.Бакуля Нан Украины, Алексей Павлович Чепугов, Сергей Алексеевич Ивахненко, Максим Александрович Цисар filed Critical Институт Сверхтвердых Материалов Им. В.М.Бакуля Нан Украины
Priority to UAU201303494U priority Critical patent/UA83170U/ru
Publication of UA83170U publication Critical patent/UA83170U/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Способ изготовления зондов для сканирующей туннельной микроскопии включает изготовление острия зонда с использованием монокристалла алмаза, который выращивают на затравке с приложением к ростовой ячейке высоких давления и температуры методом температурного градиента между источником углерода и затравочным кристаллом. Для изготовления острия зонда используют кристалл алмаза, который имеет полупроводниковые свойства и концентрацию примеси бора не меньше чем 10см.
UAU201303494U 2013-03-21 2013-03-21 Способ изготовления зондов сканирующей туннельной микроскопии UA83170U (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201303494U UA83170U (ru) 2013-03-21 2013-03-21 Способ изготовления зондов сканирующей туннельной микроскопии

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201303494U UA83170U (ru) 2013-03-21 2013-03-21 Способ изготовления зондов сканирующей туннельной микроскопии

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA83170U true UA83170U (ru) 2013-08-27

Family

ID=52275416

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU201303494U UA83170U (ru) 2013-03-21 2013-03-21 Способ изготовления зондов сканирующей туннельной микроскопии

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA83170U (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201612179A (en) A process for preparing a crystalline organic semiconductor material
PL401614A1 (pl) Sposób wytwarzania sadzy przy uzyciu wstepnie ogrzanego wsadu oraz sluzaca do tego instalacja
BR112018007590A2 (pt) método para produzir proteína de fusão que tem domínio fc de igg
SG195154A1 (en) Method for producing gaas single crystal and gaas single crystal wafer
AR078361A1 (es) Estabilizacion de hilos de precursor poliacrilonitrilo
MX2020009648A (es) Muestreador de lecho fijo y metodos relacionados.
WO2015048051A3 (en) Methods of selecting algae strains for productivity and robustness
MY174702A (en) Apparatus and method for the production of ingots
MX2016003240A (es) Berbinas sustituidas y su sintesis.
UA83170U (ru) Способ изготовления зондов сканирующей туннельной микроскопии
ZA201603627B (en) Method for the in vitro micropropagation of plant material and method for large-scale and large-volume production of cloned plant seedlings ready for field growth
UA89625U (ru) Способ изготовления зондов сканирующей туннельной микроскопии
MY187928A (en) Process for producing silicon single crystal
MY183015A (en) Solvent production using monophasic clostridia
Chunming et al. Detailed study on volume acid fracturing technology for fractured carbonate reservoirs.
UA79560U (ru) Способ культивирования личинок, яиц гельминтов и ооцист простейших
UA89509U (ru) Способ определения интенсивности биопленкообразования у микроорганизмов
MD402Y (en) Process for rapid growth of bismuth monocrystal
CL2010000141S1 (es) Metodo para produccion de humus estable y sustratos que almacenan agua que comprende: a) mezclar c pirogenico pulverizado y/o cribado con biomasa organica, b) inocular mezcla con cultivo activador por fermentacion lactica, c) incubacion de mezcla bajo exclusion de aire a 30-40 grados celsius; suelo antropogenico; metodo para mejorar suelo; y dispositivo.
Nakakoji et al. High Precision Measurements of Temperature Dependence of Creep Rate of Polycrystalline Forsterite
PL398152A1 (pl) Sposób wytwarzania grafenu
UA70965U (ru) Способ выращивания монокристаллов алмаза на затравке
UA83364U (ru) Держатель для крепления прутков-подложек в реакторе выращивания поликристаллического кремния
PL413916A1 (pl) Rurka galowa do domieszkowania kryształów GaN
胡美华 et al. Effects of FeNi-phosphorus-carbon system on crystal growth of diamond under high pressure and high temperature conditions