UA69453C2 - Плазмохімічний реактор - Google Patents

Плазмохімічний реактор Download PDF

Info

Publication number
UA69453C2
UA69453C2 UA2001117920A UA2001117920A UA69453C2 UA 69453 C2 UA69453 C2 UA 69453C2 UA 2001117920 A UA2001117920 A UA 2001117920A UA 2001117920 A UA2001117920 A UA 2001117920A UA 69453 C2 UA69453 C2 UA 69453C2
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
plasma
working substance
anode
cathode
working
Prior art date
Application number
UA2001117920A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Володимир Антонович Саєнко
Original Assignee
Науковий Центр "Інститут Ядерних Досліджень" Національної Академії Наук України
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Науковий Центр "Інститут Ядерних Досліджень" Національної Академії Наук України filed Critical Науковий Центр "Інститут Ядерних Досліджень" Національної Академії Наук України
Priority to UA2001117920A priority Critical patent/UA69453C2/uk
Publication of UA69453C2 publication Critical patent/UA69453C2/uk

Links

Landscapes

  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

Плазмохімічний реактор складається з трубки подавання робочого газу (1), анода з водяним охолодженням (2) та робочою речовиною (3), термоемісійного катода (4), вміщених у соленоїд (5), допоміжного електрода (6), підкладкотримача (7) та блоків електроживлення (8 - 11). Трубка подавання робочого газу (1) реактора розташована в отворі на осі анода (2), а катод виконаний у вигляді плоскої двозахідної спіралі (4), розташованої над поверхнею всієї робочої речовини (3). Плазмохімічний реактор може мати трубку подавання газу, виконану у вигляді сопла, кут розхилу якого охоплює підкладку. Винахід забезпечує збільшення швидкості та рівномірності синтезу сполук робочої речовини (3) з робочим газом, підвищує ступінь використання робочого газу та збільшує швидкість нанесення покриття.

Description

Опис винаходу
Заявка належить до пристроїв нанесення тонких плівок та покриття, (С2Зс 14/00) серед яких найбільшого 2 застосування набули вакуумно-плазмові пристрої, а саме: плоский магнетрон та вакуумно-дугові випарні пристрої.
Перші мають такі основні недоліки: 1) присутність баластного інертного газу (аргону) у матеріалі покриття; 2) низький коефіцієнт іонізації плазми робочої речовини (близько процента); 3) недостатню енергію частинок, які утворюють покриття, що обумовлює зниження його якості, а саме: адгезію, густину, провідність тощо.
Другим властиві свої недоліки, а саме: 1) присутність крапель робочої речовини в покритті; 2) обмеженість вибору робочих речовин провідниками та низькоомними напівпровідниками. 12 Недоліки вакуумно-дугового випаровування обумовлені контрагованістю (неоднорідністю, локальністю) випаровування з катодної плями. Тому зараз інтенсивно розвиваються пристрої з однорідним випаровуванням електрода у вакуумі, серед яких досить поширеними є пристрої з випаровуванням анода. Прототипом даного винаходу є плазмохімічний реактор з охолодженням анода |1)Ї. Він складається з джерела робочого газу у вигляді кільця з отворами, які охоплюють потік плазми робочої речовини, тигля-анода з водяним охолодженням та робочою речовиною, термоемісійного кільцевого плоского катода, які вміщені в соленоїд. Крім того, реактор має джерела живлення (розжарення катода, підтримання розряду, зміщення потенціалу підкладки) та підкладкотримач для закріплення деталей, що обробляються.
Указана конструкція плазмохімічного реактора обумовлює його недоліки: 1) робочий газ використовується неефективно, тільки незначна його частина йде на утворення покриття, а с 29 решта - відкачується насосами; Ге) 2) кільцевий катод нерівномірно випаровує робочу речовину, завантажену в тигель-анод, що зменшує можливу швидкість нанесення покриття.
Застосування катода у вигляді циліндричної спіралі не ліквідувало цей недолік |21.
Для ліквідування відмічених недоліків прототипу, ми пропонуємо катод виконувати у вигляді плоскої о двозахідної спіралі, діаметр якої близький до розмірів робочої поверхні анода, тобто розташований над ю поверхнею всієї робочої речовини. Крім того, джерело хімічно активного робочого газу у вигляді трубки чи сопла розташовується в отворі на осі анода, щоб робоча речовина симетрично омивала підкладкотримач і М переважно йшла на синтез покриття. Ф
Розроблений таким чином плазмохімічний реактор показаний на фіг.1 і працює так. Подається робочий газ 3о через сопло 1. Кут розхилу сопла однорідно (розсереджено на робочій ділянці електрода випарювання) ее, спрямовує потік робочого газу на підкладкотримач, а не по всьому об'єму технологічної вакуумної камери.
Тигель-анод (2) із водяним охолодженням завантажується робочою речовиною (3), яка випаровується за допомогою термоемісійного катода (4). Коли тиск пари робочої речовини над поверхнею випаровування досягає « величини Р-102Па, між робочою речовиною (3) і катодом запалюється несамостійний дуговий розряд, в якому -о 70 іонізуються робоча речовина та робочий газ. Іонізація може підсилюватись магнітним полем соленоїда (5) та с електричним полем допоміжного електрода (6). Плазма пари та газу конденсується на підкладці, яка закріплена :з» на підкладкотримачі (7). На підкладці відбувається синтез сполук робочих речовин та газів. Активізується процес синтезу електричним потенціалом зміщення підкладки, що подається від джерела живлення (8). Ступінь іонізації плазми регулюється струмом додаткового електрода від джерела живлення (9), а також струмом б» 395 розжарення катода від джерела (10) та пов'язаним із ним розрядним струмом джерела (11). Напрямок подавання води для охолодження тигля-анода вказаний стрілками. Щоб нагрівання і випаровування робочої речовини (се) відбувалось рівномірно і з максимальною величиною, катод виконується у вигляді плоскої двозаходної спіралі, їз як показано на фіг.2, її діаметр близький до діаметру робочої речовини, а не у вигляді плоского кільця, що збільшує розміри поверхні і температуру випаровування, а отже, і швидкість синтезу сполук при достатній (9) 50 кількості робочого газу на поверхні підкладки. Трубку подавання робочого газу найкраще виконувати у вигляді со сопла з кутом розхилення стінок таким, щоб потік робочого газу зупинявся підкладкою. Це суттєво економить його витрати в порівнянні з кільцевим подаванням. Якщо сопло розташувати за межами осі реактора, то збільшується радіальна неоднорідність синтезу покриття (1,21.
Література 59 1. Саенко В.А. и др. Плазмохимические реакторьі синтеза материалов // Проблемь! специальной
ГФ) злектрометаллургии - 1998. - Мо3. - с.29-34. 7 2. Саенко В.А. и др. Термоионньй синтез материалов // Проблемь! специальной злектрометаллургиий - 1999. -
Мо3. - с.34-37. 60 б5
ПлазмокіМТЯних реактор 7 8 р - ж е
О оце 720 в (З
С пен я Ин ни МН інше - ни Ж -
С стер шк -і. сч й о ДИ ню 7 (6) вм пос и в нев
Ф І т Фо со й І - ю
СОЮ о - / - (Се) і - шт п « з о о 4 7 де н с . Физою я и?

Claims (2)

  1. Формула винаходу ре) 1. Плазмохімічний реактор, що складається з трубки подавання робочого газу (1), анода з водяним їз охолодженням (2) та робочою речовиною (3), термоемісійного катода (4), вміщених у соленоїд (5), допоміжного 5р епектрода (6), підкладкотримача (7) та блоків електроживлення (8 - 11), який відрізняється тим, що трубка 1 подавання робочого газу (1) розташована в отворі на осі анода (2), а катод виконаний у вигляді плоскої с» двозахідної спіралі (4), розташованої над поверхнею всієї робочої речовини (3).
  2. 2. Плазмохімічний реактор за п. 1, який відрізняється тим, що трубка подавання газу виконана у вигляді сопла, кут розхилу якого охоплює підкладку.
    сш. , , , ш. Офіційний бюлетень "Промислоава власність". Книга 1 "Винаходи, корисні моделі, топографії інтегральних (Ф) мікросхем", 2004, М 9, 15.09.2004. Державний департамент інтелектуальної власності Міністерства освіти і ГІ науки України. 60 б5
UA2001117920A 2001-11-20 2001-11-20 Плазмохімічний реактор UA69453C2 (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA2001117920A UA69453C2 (uk) 2001-11-20 2001-11-20 Плазмохімічний реактор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA2001117920A UA69453C2 (uk) 2001-11-20 2001-11-20 Плазмохімічний реактор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA69453C2 true UA69453C2 (uk) 2004-09-15

Family

ID=34514662

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA2001117920A UA69453C2 (uk) 2001-11-20 2001-11-20 Плазмохімічний реактор

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA69453C2 (uk)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2571547C2 (ru) * 2011-04-07 2015-12-20 Пикосан Ой Реактор для осаждения с плазменным источником

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2571547C2 (ru) * 2011-04-07 2015-12-20 Пикосан Ой Реактор для осаждения с плазменным источником

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100807806B1 (ko) 직류 아크 플라즈마트론 장치 및 사용 방법
US20020070357A1 (en) Magnetron negative ion sputter source
TWI335356B (en) Apparatus and method for depositing thin films
JP2007507601A (ja) Oledを製造するためのペレットを使用する蒸着源
JP2012124168A (ja) ビーム状プラズマ源
US4224897A (en) Methods of depositing materials on substrates
EA030379B1 (ru) Способ нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы (варианты)
JP2004533703A (ja) バイポーラプラズマ源、プラズマシート源、及びバイポーラプラズマ源を用いた噴散セル
KR20060123578A (ko) 열 물리적 증착 소스 및 면적이 큰 기판을 피복하는 방법
JP5032466B2 (ja) 素早い気化を促進するための材料の計量供給
UA69453C2 (uk) Плазмохімічний реактор
RU2631553C2 (ru) Магнетронная распылительная система с инжекцией электронов
JP4417945B2 (ja) イオン発生装置
Baránková et al. Hollow cathode and hybrid plasma processing
JP2019121422A (ja) 表面処理装置
JP3806834B2 (ja) 酸化窒化シリコンの成膜方法
JP6619921B2 (ja) 蒸発源
JP3401365B2 (ja) プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置
US6800177B2 (en) Apparatus and method for fabricating carbon thin film
JP2019189930A (ja) 反応性イオンプレーティング装置および方法
JP3732074B2 (ja) 成膜装置
JPS5941509B2 (ja) 強付着性の特に硬質炭素層を大きな面積に蒸着するための装置
JP2002075691A (ja) プラズマ発生装置
US20160118231A1 (en) Method and Device for Generating an Electrical Discharge
JP4997596B2 (ja) イオンプレーティグ方法