UA69453C2 - Плазмохімічний реактор - Google Patents
Плазмохімічний реактор Download PDFInfo
- Publication number
- UA69453C2 UA69453C2 UA2001117920A UA2001117920A UA69453C2 UA 69453 C2 UA69453 C2 UA 69453C2 UA 2001117920 A UA2001117920 A UA 2001117920A UA 2001117920 A UA2001117920 A UA 2001117920A UA 69453 C2 UA69453 C2 UA 69453C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- plasma
- working substance
- anode
- cathode
- working
- Prior art date
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Плазмохімічний реактор складається з трубки подавання робочого газу (1), анода з водяним охолодженням (2) та робочою речовиною (3), термоемісійного катода (4), вміщених у соленоїд (5), допоміжного електрода (6), підкладкотримача (7) та блоків електроживлення (8 - 11). Трубка подавання робочого газу (1) реактора розташована в отворі на осі анода (2), а катод виконаний у вигляді плоскої двозахідної спіралі (4), розташованої над поверхнею всієї робочої речовини (3). Плазмохімічний реактор може мати трубку подавання газу, виконану у вигляді сопла, кут розхилу якого охоплює підкладку. Винахід забезпечує збільшення швидкості та рівномірності синтезу сполук робочої речовини (3) з робочим газом, підвищує ступінь використання робочого газу та збільшує швидкість нанесення покриття.
Description
Опис винаходу
Заявка належить до пристроїв нанесення тонких плівок та покриття, (С2Зс 14/00) серед яких найбільшого 2 застосування набули вакуумно-плазмові пристрої, а саме: плоский магнетрон та вакуумно-дугові випарні пристрої.
Перші мають такі основні недоліки: 1) присутність баластного інертного газу (аргону) у матеріалі покриття; 2) низький коефіцієнт іонізації плазми робочої речовини (близько процента); 3) недостатню енергію частинок, які утворюють покриття, що обумовлює зниження його якості, а саме: адгезію, густину, провідність тощо.
Другим властиві свої недоліки, а саме: 1) присутність крапель робочої речовини в покритті; 2) обмеженість вибору робочих речовин провідниками та низькоомними напівпровідниками. 12 Недоліки вакуумно-дугового випаровування обумовлені контрагованістю (неоднорідністю, локальністю) випаровування з катодної плями. Тому зараз інтенсивно розвиваються пристрої з однорідним випаровуванням електрода у вакуумі, серед яких досить поширеними є пристрої з випаровуванням анода. Прототипом даного винаходу є плазмохімічний реактор з охолодженням анода |1)Ї. Він складається з джерела робочого газу у вигляді кільця з отворами, які охоплюють потік плазми робочої речовини, тигля-анода з водяним охолодженням та робочою речовиною, термоемісійного кільцевого плоского катода, які вміщені в соленоїд. Крім того, реактор має джерела живлення (розжарення катода, підтримання розряду, зміщення потенціалу підкладки) та підкладкотримач для закріплення деталей, що обробляються.
Указана конструкція плазмохімічного реактора обумовлює його недоліки: 1) робочий газ використовується неефективно, тільки незначна його частина йде на утворення покриття, а с 29 решта - відкачується насосами; Ге) 2) кільцевий катод нерівномірно випаровує робочу речовину, завантажену в тигель-анод, що зменшує можливу швидкість нанесення покриття.
Застосування катода у вигляді циліндричної спіралі не ліквідувало цей недолік |21.
Для ліквідування відмічених недоліків прототипу, ми пропонуємо катод виконувати у вигляді плоскої о двозахідної спіралі, діаметр якої близький до розмірів робочої поверхні анода, тобто розташований над ю поверхнею всієї робочої речовини. Крім того, джерело хімічно активного робочого газу у вигляді трубки чи сопла розташовується в отворі на осі анода, щоб робоча речовина симетрично омивала підкладкотримач і М переважно йшла на синтез покриття. Ф
Розроблений таким чином плазмохімічний реактор показаний на фіг.1 і працює так. Подається робочий газ 3о через сопло 1. Кут розхилу сопла однорідно (розсереджено на робочій ділянці електрода випарювання) ее, спрямовує потік робочого газу на підкладкотримач, а не по всьому об'єму технологічної вакуумної камери.
Тигель-анод (2) із водяним охолодженням завантажується робочою речовиною (3), яка випаровується за допомогою термоемісійного катода (4). Коли тиск пари робочої речовини над поверхнею випаровування досягає « величини Р-102Па, між робочою речовиною (3) і катодом запалюється несамостійний дуговий розряд, в якому -о 70 іонізуються робоча речовина та робочий газ. Іонізація може підсилюватись магнітним полем соленоїда (5) та с електричним полем допоміжного електрода (6). Плазма пари та газу конденсується на підкладці, яка закріплена :з» на підкладкотримачі (7). На підкладці відбувається синтез сполук робочих речовин та газів. Активізується процес синтезу електричним потенціалом зміщення підкладки, що подається від джерела живлення (8). Ступінь іонізації плазми регулюється струмом додаткового електрода від джерела живлення (9), а також струмом б» 395 розжарення катода від джерела (10) та пов'язаним із ним розрядним струмом джерела (11). Напрямок подавання води для охолодження тигля-анода вказаний стрілками. Щоб нагрівання і випаровування робочої речовини (се) відбувалось рівномірно і з максимальною величиною, катод виконується у вигляді плоскої двозаходної спіралі, їз як показано на фіг.2, її діаметр близький до діаметру робочої речовини, а не у вигляді плоского кільця, що збільшує розміри поверхні і температуру випаровування, а отже, і швидкість синтезу сполук при достатній (9) 50 кількості робочого газу на поверхні підкладки. Трубку подавання робочого газу найкраще виконувати у вигляді со сопла з кутом розхилення стінок таким, щоб потік робочого газу зупинявся підкладкою. Це суттєво економить його витрати в порівнянні з кільцевим подаванням. Якщо сопло розташувати за межами осі реактора, то збільшується радіальна неоднорідність синтезу покриття (1,21.
Література 59 1. Саенко В.А. и др. Плазмохимические реакторьі синтеза материалов // Проблемь! специальной
ГФ) злектрометаллургии - 1998. - Мо3. - с.29-34. 7 2. Саенко В.А. и др. Термоионньй синтез материалов // Проблемь! специальной злектрометаллургиий - 1999. -
Мо3. - с.34-37. 60 б5
ПлазмокіМТЯних реактор 7 8 р - ж е
О оце 720 в (З
С пен я Ин ни МН інше - ни Ж -
С стер шк -і. сч й о ДИ ню 7 (6) вм пос и в нев
Ф І т Фо со й І - ю
СОЮ о - / - (Се) і - шт п « з о о 4 7 де н с . Физою я и?
Claims (2)
- Формула винаходу ре) 1. Плазмохімічний реактор, що складається з трубки подавання робочого газу (1), анода з водяним їз охолодженням (2) та робочою речовиною (3), термоемісійного катода (4), вміщених у соленоїд (5), допоміжного 5р епектрода (6), підкладкотримача (7) та блоків електроживлення (8 - 11), який відрізняється тим, що трубка 1 подавання робочого газу (1) розташована в отворі на осі анода (2), а катод виконаний у вигляді плоскої с» двозахідної спіралі (4), розташованої над поверхнею всієї робочої речовини (3).
- 2. Плазмохімічний реактор за п. 1, який відрізняється тим, що трубка подавання газу виконана у вигляді сопла, кут розхилу якого охоплює підкладку.сш. , , , ш. Офіційний бюлетень "Промислоава власність". Книга 1 "Винаходи, корисні моделі, топографії інтегральних (Ф) мікросхем", 2004, М 9, 15.09.2004. Державний департамент інтелектуальної власності Міністерства освіти і ГІ науки України. 60 б5
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UA2001117920A UA69453C2 (uk) | 2001-11-20 | 2001-11-20 | Плазмохімічний реактор |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UA2001117920A UA69453C2 (uk) | 2001-11-20 | 2001-11-20 | Плазмохімічний реактор |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
UA69453C2 true UA69453C2 (uk) | 2004-09-15 |
Family
ID=34514662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
UA2001117920A UA69453C2 (uk) | 2001-11-20 | 2001-11-20 | Плазмохімічний реактор |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
UA (1) | UA69453C2 (uk) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2571547C2 (ru) * | 2011-04-07 | 2015-12-20 | Пикосан Ой | Реактор для осаждения с плазменным источником |
-
2001
- 2001-11-20 UA UA2001117920A patent/UA69453C2/uk unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2571547C2 (ru) * | 2011-04-07 | 2015-12-20 | Пикосан Ой | Реактор для осаждения с плазменным источником |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100807806B1 (ko) | 직류 아크 플라즈마트론 장치 및 사용 방법 | |
US20020070357A1 (en) | Magnetron negative ion sputter source | |
TWI335356B (en) | Apparatus and method for depositing thin films | |
JP2007507601A (ja) | Oledを製造するためのペレットを使用する蒸着源 | |
JP2012124168A (ja) | ビーム状プラズマ源 | |
US4224897A (en) | Methods of depositing materials on substrates | |
EA030379B1 (ru) | Способ нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы (варианты) | |
JP2004533703A (ja) | バイポーラプラズマ源、プラズマシート源、及びバイポーラプラズマ源を用いた噴散セル | |
KR20060123578A (ko) | 열 물리적 증착 소스 및 면적이 큰 기판을 피복하는 방법 | |
JP5032466B2 (ja) | 素早い気化を促進するための材料の計量供給 | |
UA69453C2 (uk) | Плазмохімічний реактор | |
RU2631553C2 (ru) | Магнетронная распылительная система с инжекцией электронов | |
JP4417945B2 (ja) | イオン発生装置 | |
Baránková et al. | Hollow cathode and hybrid plasma processing | |
JP2019121422A (ja) | 表面処理装置 | |
JP3806834B2 (ja) | 酸化窒化シリコンの成膜方法 | |
JP6619921B2 (ja) | 蒸発源 | |
JP3401365B2 (ja) | プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置 | |
US6800177B2 (en) | Apparatus and method for fabricating carbon thin film | |
JP2019189930A (ja) | 反応性イオンプレーティング装置および方法 | |
JP3732074B2 (ja) | 成膜装置 | |
JPS5941509B2 (ja) | 強付着性の特に硬質炭素層を大きな面積に蒸着するための装置 | |
JP2002075691A (ja) | プラズマ発生装置 | |
US20160118231A1 (en) | Method and Device for Generating an Electrical Discharge | |
JP4997596B2 (ja) | イオンプレーティグ方法 |