UA69453C2 - Плазмохимический реактор - Google Patents
Плазмохимический реактор Download PDFInfo
- Publication number
- UA69453C2 UA69453C2 UA2001117920A UA2001117920A UA69453C2 UA 69453 C2 UA69453 C2 UA 69453C2 UA 2001117920 A UA2001117920 A UA 2001117920A UA 2001117920 A UA2001117920 A UA 2001117920A UA 69453 C2 UA69453 C2 UA 69453C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- plasma
- working substance
- anode
- cathode
- working
- Prior art date
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Плазмохимический реактор состоит из трубки подачи рабочего газа (1), анода с водяным охлаждением (2) и рабочим веществом (3), термоэмиссионного катода (4), помещенных в соленоид (5), вспомогательного электрода (6), подложкодержателя (7) и блоков электропитания (8-11). Трубка подачи рабочего газа (1) реактора расположена в отверстии на оси анода (2), а катод выполнен в виде плоской двухзаходной спирали (4), расположенной над поверхностью всего рабочего вещества (3). Плазмохимический реактор может иметь трубку подачи газа, выполненную в виде сопла, угол раствора которого охватывает подложку. Изобретение обеспечивает увеличение скорости и равномерности синтеза соединений рабочего вещества (3) с рабочим газом, повышает степень использования рабочего газа и увеличивает скорость нанесения покрытия.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2001117920A UA69453C2 (ru) | 2001-11-20 | 2001-11-20 | Плазмохимический реактор |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2001117920A UA69453C2 (ru) | 2001-11-20 | 2001-11-20 | Плазмохимический реактор |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA69453C2 true UA69453C2 (ru) | 2004-09-15 |
Family
ID=34514662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA2001117920A UA69453C2 (ru) | 2001-11-20 | 2001-11-20 | Плазмохимический реактор |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA69453C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2571547C2 (ru) * | 2011-04-07 | 2015-12-20 | Пикосан Ой | Реактор для осаждения с плазменным источником |
-
2001
- 2001-11-20 UA UA2001117920A patent/UA69453C2/ru unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2571547C2 (ru) * | 2011-04-07 | 2015-12-20 | Пикосан Ой | Реактор для осаждения с плазменным источником |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100807806B1 (ko) | 직류 아크 플라즈마트론 장치 및 사용 방법 | |
| US20020070357A1 (en) | Magnetron negative ion sputter source | |
| TWI335356B (en) | Apparatus and method for depositing thin films | |
| JP2007507601A (ja) | Ｏｌｅｄを製造するためのペレットを使用する蒸着源 | |
| JP2012124168A (ja) | ビーム状プラズマ源 | |
| US4224897A (en) | Methods of depositing materials on substrates | |
| EA030379B1 (ru) | Способ нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы (варианты) | |
| JP2004533703A (ja) | バイポーラプラズマ源、プラズマシート源、及びバイポーラプラズマ源を用いた噴散セル | |
| KR20060123578A (ko) | 열 물리적 증착 소스 및 면적이 큰 기판을 피복하는 방법 | |
| JP5032466B2 (ja) | 素早い気化を促進するための材料の計量供給 | |
| UA69453C2 (ru) | Плазмохимический реактор | |
| RU2631553C2 (ru) | Магнетронная распылительная система с инжекцией электронов | |
| JP4417945B2 (ja) | イオン発生装置 | |
| Baránková et al. | Hollow cathode and hybrid plasma processing | |
| JP2019121422A (ja) | 表面処理装置 | |
| JP3806834B2 (ja) | 酸化窒化シリコンの成膜方法 | |
| JP6619921B2 (ja) | 蒸発源 | |
| JP3401365B2 (ja) | プラズマ発生装置およびイオンプレーティング装置 | |
| US6800177B2 (en) | Apparatus and method for fabricating carbon thin film | |
| JP2019189930A (ja) | 反応性イオンプレーティング装置および方法 | |
| JP3732074B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JPS5941509B2 (ja) | 強付着性の特に硬質炭素層を大きな面積に蒸着するための装置 | |
| JP2002075691A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| US20160118231A1 (en) | Method and Device for Generating an Electrical Discharge | |
| JP4997596B2 (ja) | イオンプレーティグ方法 |