UA460U - Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву - Google Patents

Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву

Info

Publication number
UA460U
UA460U UA98052800U UA98052800U UA460U UA 460 U UA460 U UA 460U UA 98052800 U UA98052800 U UA 98052800U UA 98052800 U UA98052800 U UA 98052800U UA 460 U UA460 U UA 460U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
furnace
growth
charge
obtaining
single crystals
Prior art date
Application number
UA98052800U
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Олександр Якович Данько
Александр Яковлевич Данько
Наталія Степанівна Сідельнікова
Наталья Степановна Сидельникова
Василь Миколайович Каніщев
Василий Николаевич Канищев
Георгій Тимофійович Адонкін
Георгий Тимофеевич Адонкин
Сергій Вікторович Ніжанковський
Сергей Викторович Нижанковский
Original Assignee
Науково-Дослідне Відділення "Оптичні Та Конструкційні Кристали" Нтк "Інститут Монокристалів" Нан України
Научно-Исследовательское Отделение "Оптические И Конструкционные Кристаллы" Нтк "Институт Монокристаллов" Нан Украины
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Науково-Дослідне Відділення "Оптичні Та Конструкційні Кристали" Нтк "Інститут Монокристалів" Нан України, Научно-Исследовательское Отделение "Оптические И Конструкционные Кристаллы" Нтк "Институт Монокристаллов" Нан Украины filed Critical Науково-Дослідне Відділення "Оптичні Та Конструкційні Кристали" Нтк "Інститут Монокристалів" Нан України
Priority to UA98052800U priority Critical patent/UA460U/uk
Publication of UA460U publication Critical patent/UA460U/uk

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Корисна модель відноситься до галузі металургії. Вона може бути використана при отриманні шихти високої чистоти для вирощування оптичних монокристалів корунду розплавними методами (крім методу Вернейля), наприклад, горизонтальною направленою кристалізацією (ГНК). Піч має днище, кожух і склепіння, які охолоджено зовні та футеровано, усередині неї - нагрівач.
UA98052800U 1998-05-29 1998-05-29 Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву UA460U (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA98052800U UA460U (uk) 1998-05-29 1998-05-29 Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UA98052800U UA460U (uk) 1998-05-29 1998-05-29 Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA460U true UA460U (uk) 1999-12-29

Family

ID=74347833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UA98052800U UA460U (uk) 1998-05-29 1998-05-29 Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA460U (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3776333D1 (de) Anordnung zur zuechtung profilierter monokristalle.
MY107784A (en) Method for growing multiple single crystals and apparatus for use therein
EP0787836A3 (en) Method for preparing silicon melt from polycrystalline silicon charge
JPS56114895A (en) Manufacture of high purity single crystal by czochralski crucible pullinggup method
MY113637A (en) Rapid cooling of cz silicon crystal growth system
EP0781865A3 (en) Process and apparatus for producing polycrystalline semiconductors
MY104640A (en) Apparatus for manufacturing silicon single crystals.
EP0781868A3 (en) A single crystal growing apparatus
UA460U (uk) Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву
EP0390671A3 (en) Process for determination of concentrations of metal impurities in czochralski single crystal silicon
IL68435A (en) Crucible for production of monocrystals by the hanging drop method
JPS5738397A (en) Apparatus and method for growing crystal
UA21982A (uk) Спосіб вирощуваhhя моhокристалічhих пластиh складhих тугоплавких оксидів горизоhтальhою hаправлеhою кристалізацією (варіаhти)
JPS5777098A (en) Method and apparatus for growing znse in liquid phase
RU2001140C1 (ru) Способ выплавки магнитного сплава, содержащего FE-CO-NI-AL-CU-TI
EP1132503A3 (en) Process and apparatus for producing oxide single crystals
SU1629361A1 (ru) Устройство дл выращивани монокристаллов тугоплавких оксидов
JPS54141389A (en) Crucible used in crystal growing device, manufacture of said crucible and crystal growing method using said crucible
EP0321576A4 (en) PROCESS FOR THE CULTURE OF SINGLE CRYSTALS FROM A FUSION LIQUID.
JPS58104100A (ja) ＳｍＣｏ↓５単結晶の育成法
JPS5326204A (en) Method for prevention of solidification of melt at taphole of cupola furnace
JPS5560088A (en) Production of single crystal
KR950018696A (ko) 단 결정 제조방법 및 이에 사용되는 장치
JPS5446197A (en) Production of crystal-containing blast furnace granulated slag
KR960037874A (ko) 망간-아연 페라이트 단결정의 제조방법