TWM679293U - 高導熱的先進封裝器件 - Google Patents

Abstract

本創作公開一種高導熱的先進封裝器件，包括一板體以及三維導熱圖案。所述板體具有相對的一第一表面及一第二表面，所述板體為一高剛性材料所形成且具有一熱源接觸區。所述三維導熱圖案形成於所述熱源接觸區內，以構成所述第一表面與所述第二表面之間的至少一熱傳導路徑，所述三維導熱圖案為一高導熱材料所形成，且所述至少一熱傳導路徑具有大於500 W/mK的導熱係數。因此，不僅能滿足先進封裝的晶片散熱需求，還能達到簡化製程、提升良率及降低成本。

Description

高導熱的先進封裝器件

本創作涉及一種半導體封裝器件及其製作方法，特別是涉及一種高導熱的先進封裝器件及其製作方法，可應用於基板上晶圓上晶片封裝(CoWoS，Chip-on-Wafer-on-Substrate)等先進封裝中。

先進封裝是將不同系統集成到同一封裝內，例如將不同種類的晶片透過封裝、堆疊技術整合在一起，以提升半導體裝置的整體性能，包括傳輸速度、運算速度等，並能縮小尺寸、減少功耗。然而，隨著先進封裝技術的發展，在多種材料相互配合造成的熱應力不均勻、各種封裝參數條件(如溫度、濕度、壓力)、封裝體幾何尺寸等因素之影響下，易導致封裝體發生熱膨脹係數不匹配(CTE mismatch)、翹曲(warpage)、脫層(delamination)與剝離(peeling)、破裂(crack)等現象。

本創作所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種高導熱的先進封裝器件及其製作方法。本創作的構想為，根據實際散熱需求，將設計的三維導熱圖案整合於具有高剛性的結構中，形成不可分的一體化結構(All-in-one structure)，其中三維導熱圖案可以在晶片與其他界面之間建立不間斷的高效熱傳導路徑；這種結構的熱性能和力學性能均佳，從而在先進封裝領域具有廣泛的應用前景。

為了解決上述的技術問題，本創作所採用的其中一技術方案是提供一種高導熱的先進封裝器件，其包括一板體以及三維導熱圖案。所述板體具有相對的一第一表面及一第二表面，所述板體為一高剛性材料所形成且具 有一熱源接觸區。所述三維導熱圖案形成於所述熱源接觸區內，以構成所述第一表面與所述第二表面之間的至少一熱傳導路徑，所述三維導熱圖案為一高導熱材料所形成，且所述至少一熱傳導路徑具有大於500W/mK的導熱係數。

在本創作可行或較佳的實施例中，所述高剛性材料為鋁碳化矽、晶圓材料、高剛性塑料及高剛性金屬材料中的至少一種；所述高導熱材料為鑽石、類鑽碳、石墨烯及高導熱合金中的至少一種。

在本創作可行或較佳的實施例中，所述晶圓材料為矽材料、碳化矽或氮化鎵；所述高剛性塑料為聚醯亞胺；所述高剛性金屬材料為鉬或鎳。

在本創作可行或較佳的實施例中，所述板體具有位於所述熱源接觸區內且貫穿所述第一表面與所述第二表面的至少一穿孔，且所述三維導熱圖案包括填充於所述至少一穿孔中的至少一導熱柱。

在本創作可行或較佳的實施例中，所述至少一穿孔為排成一排或排成陣列的多個穿孔，且所述至少一導熱柱為分別填充於所述多個穿孔的多個導熱柱。

在本創作可行或較佳的實施例中，所述至少一導熱柱為多個鑽石顆粒堆積成型。

在本創作可行或較佳的實施例中，所述至少一穿孔在所述第一表面上的一孔徑小於所述至少一穿孔在所述第二表面上的一孔徑。

在本創作可行或較佳的實施例中，所述板體具有位於所述熱源接觸區內且貫穿所述第一表面與所述第二表面的至少一開槽，且所述三維導熱圖案包括嵌入所述至少一開槽中的至少一導熱片。另外，所述至少一導熱片呈長條狀或網狀。

在本創作可行或較佳的實施例中，所述至少一導熱片為多層的網狀結構，且所述多層的網狀結構的一上層與一下層的網格交錯分布。

在本創作可行或較佳的實施例中，所述板體包括一滲鋁碳化矽基板及包覆在所述滲鋁碳化矽基板外的鋁皮層。

在本創作可行或較佳的實施例中，所述滲鋁碳化矽基板包括一碳化矽基多孔陶瓷基板及滲入並填充於所述碳化矽基多孔陶瓷基板之孔隙中的固態鋁基金屬。

在本創作可行或較佳的實施例中，所述碳化矽基多孔陶瓷基板為小粒徑顆粒、中粒徑顆粒與大粒徑顆粒所構成，且所述小粒徑顆粒、所述中粒徑顆粒與所述大粒徑顆粒的粒徑比為1：2-2.5：3-20。

在本創作可行或較佳的實施例中，所述小粒徑顆粒的粒徑在0.1μm至5μm的範圍內，所述中粒徑顆粒的粒徑在2μm至10μm的範圍內，且所述大粒徑顆粒的粒徑在10μm至100μm的範圍內。

在本創作可行或較佳的實施例中，以所述碳化矽基多孔陶瓷基板的總重量為基準計，所述小粒徑顆粒、所述中粒徑顆粒與所述大粒徑顆粒的重量比為1：3：4。

為了解決上述的技術問題，本創作所採用的另外一技術方案是提供如上所述的高導熱的先進封裝器件的製作方法，其包括：將所述高剛性材料形成一預型體，以及將所述高導熱材料形成所述三維導熱圖案並置入所述預型體內；以及對內置有所述三維導熱圖案的所述預型體進行壓燒成型。

總體來說，本創作所提供的高導熱的先進封裝器件，憑藉“板體為一高剛性材料所形成且具有一熱源接觸區”、“三維導熱圖案形成於熱源接觸區內以構成板體上、下表面之間的至少一熱傳導路徑”與“三維導熱圖案為一高導熱材料所形成以使熱傳導路徑具有大於500W/mK的導熱係數”的技術特徵組合，不僅能滿足先進封裝的晶片散熱需求，還能達到簡化製程、提升良率及降低成本。

更進一步來說，本創作所提供的高導熱的先進封裝器件能具有諸多優異特性，包括高剛性、高導熱性、高強度和良好的熱尺寸穩定性，非常適合應用於一或多個半導體晶片(半導體晶粒)之先進封裝架構。

為使能更進一步瞭解本創作的特徵及技術內容，請參閱以下有關本創作的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本創作加以限制。

Z1、Z2:封裝架構

1:高導熱的先進封裝器件

11:板體

100:容置區

11A:熱源接觸區

11S1:第一表面

11S2:第二表面

111:滲鋁碳化矽基板

1111:碳化矽基多孔陶瓷基板

1112:固態鋁基金屬

112:鋁皮層

12:三維導熱圖案

121:導熱柱

13:框體

2:環器件

200:容置區

3:基板

4:半導體晶片

5:第一黏著層

6:第二黏著層

7:第三黏著層

8:連接凸塊

9:底部填充層

D:鑽石顆粒

H:熱源

P1:小粒徑顆粒

P2:中粒徑顆粒

P3:大粒徑顆粒

T、T1、T2:穿孔

T3:開槽

圖1為本創作第一實施例的高導熱的先進封裝器件的其中一立體示意圖。

圖2A及圖2B為圖1的II-II剖面的剖面示意圖。

圖3為圖2A的結構變化示意圖。

圖4為圖3的IV部分的放大示意圖。

圖5為本創作第一實施例的高導熱的先進封裝器件的另外一立體示意圖。

圖6為圖5的VI-VI剖面的剖面示意圖。

圖7為圖5的VII-VII剖面的剖面示意圖。

圖8為本創作第一實施例的高導熱的先進封裝器件的再一立體示意圖。

圖9為圖8的IX-IX剖面的剖面示意圖。

圖10為本創作第一實施例的高導熱的先進封裝器件的板體的結構示意圖。

圖11為圖10的XI部分的放大示意圖。

圖12為包括本創作第一實施例的高導熱的先進封裝器件的封裝架構的示意圖。

圖13為本創作第二實施例的高導熱的先進封裝器件的局部立體示意圖。

圖14為包括本創作第三實施例的高導熱的先進封裝器件的封裝架構的示意圖。

圖15為本創作實施例的高導熱的先進封裝器件的製造方法流程圖。

以下是通過特定的具體實施例來說明本創作所公開有關“高導熱的先進封裝器件”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本創作的優點與效果。本創作可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本創作的構思下進行各種修改與變更。另外，本創作的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本創作的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本創作的保護範圍。

應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

在沒有另行定義的情況下，本文中所使用的術語具有與本領域技術人員的通常理解相同的含義。各實施例中所涉及的材料，如無特別說明則為市售或根據現有技術製得的材料。各實施例中所涉及的方法或操作，如無特別說明則為本領域常規的方法或操作。

[第一實施例]

請參閱圖1至圖3，圖1示出了根據本創作第一實施例的高導熱的先進封裝器件1，圖2A、圖2B及圖3示出了根據本創作第一實施例的高導熱的先進封裝器件1在其中一實施方式中的技術特徵。如上述圖式所示，本創作第一實施例提供一種高導熱的先進封裝器件1，其包括一板體11以及三維導熱圖案12。板體11具有一熱源接觸區11A，以與熱源H(如半導體晶片)保持熱接觸。三維導熱圖案12形成於熱源接觸區11A內，以構成板體11的第一表面11S1(如上表面)與第二表面11S2(如下表面)之間的至少一熱傳導路徑，其能將熱從熱源H高效地傳導至外部環境或一散熱器，使得熱源H產生的熱消散。

在本創作中，板體11為一高剛性材料所形成；三維導熱圖案12為一高導熱材料所形成，並分布在熱源接觸區11A內與板體11形成一體化之複合材料結構。相較於傳統以金屬材料製成的封裝器件，上述複合材料結構的熱性能和力學性能更佳，從而在先進封裝領域具有廣泛的應用前景。值得一提的是，由三維導熱圖案12所構成的至少一熱傳導路徑，其導熱係數(K值)可達500W/mK以上，優選為500W/mK至2000W/mK。

根據實際需要，三維導熱圖案12所構成熱傳導路徑的導熱係數(K值)可為500W/mK、600W/mK、700W/mK、800W/mK、900W/mK、1000W/mK、1100W/mK、1200W/mK、1300W/mK、1400W/mK、1500W/mK、1600W/mK、1700W/mK、1800W/mK、1900W/mK、或2000W/mK。

適用於本創作的高剛性材料可為鋁碳化矽、晶圓材料、高剛性塑料及高剛性金屬材料中的至少一種；晶圓材料優選為矽材料、碳化矽或氮化鎵；高剛性塑料優選為聚醯亞胺(PI)；高剛性金屬材料優選為鉬或鎳。適用於本創作的高導熱材料可為鑽石、類鑽碳、石墨烯及高導熱合金中的至少一種，其中高導熱合金可含有銅、鉬、鈷及/或鐳。

在本實施例中，板體11具有位於熱源接觸區11A內且貫穿第一 表面11S1與第二表面11S2的至少一穿孔T，且三維導熱圖案12包括填充於至少一穿孔T中的至少一導熱柱121(如柱狀的鑽石結構)。實際應用時，可採用雷射加工(如雷射鑽孔)或機械加工(如機械鑽孔)方式在板體11上形成穿孔T，並通過控制工條件來調控穿孔T的構型，例如，將穿孔T形成為具有基本一致的孔徑，如圖1所示，或者將穿孔T形成為具有沿板體11的厚度方向逐漸縮小的孔徑，如圖2A所示。

配合圖4所示，導熱柱121可由多個鑽石顆粒D緊密堆積成型，其中多個鑽石顆粒D可經高溫燒結以在相互之間形成大量的鑽石鍵結，從而獲得高堆積密度的鑽石結構。

另配合圖2B所示，導熱柱121可通過凹凸卡合方式以定位於穿孔T內。

圖8及圖9示出了根據本創作第一實施例的高導熱的先進封裝器件1在另外一實施方式中的技術特徵。如圖8及圖9所示，根據實際散熱需求(如較大面積的散熱需求)，穿孔T與導熱柱121的數量均可為多個。具體來說，多個穿孔T可以在熱源接觸區11A內排成陣列；且多個導熱柱121分別填充於多個穿孔T內，其中每一個導熱柱121可將對應的穿孔T完成填滿，以使其兩端分別從板體11的第一表面11S1與第二表面11S2外露。然而，以上所述只是可行的實施方式，而非用以限制本創作。舉例來說，多個穿孔T也可以在熱源接觸區11A內排成一排。

圖5至圖7示出了根據本創作第一實施例的高導熱的先進封裝器件1在再一實施方式中的技術特徵。如圖5至圖7所示，多個穿孔T可包括構型不相同的多個第一穿孔T1及多個第二穿孔T2，且多個第一穿孔T1與多個第二穿孔T2交替排列。具體來說，每一個第一穿孔T1具有沿板體11的第一表面11S1向第二表面11S2的方向逐漸縮小的孔徑，每一個第二穿孔T2具有沿板體11的 第二表面11S2向第一表面11S1的方向逐漸縮小的孔徑。因此，由三維導熱圖案12所構成的至少一熱傳導路徑可以沿板體11的厚度方向進行均勻散熱。

配合圖10及圖11所示，從熱性能和力學性能方面加以考慮，板體11可用鋁碳化矽並通過氣相或液相滲透法來形成。具體來說，板體11可包括一滲鋁碳化矽基板111及包覆在滲鋁碳化矽基板111外的鋁皮層112。滲鋁碳化矽基板111包括一碳化矽基多孔陶瓷基板1111及滲入並填充於碳化矽基多孔陶瓷基板1111之孔隙中的固態鋁基金屬1112。另外，鋁皮層112可為鋁基金屬的熔液或蒸氣沉積和附著於碳化矽基多孔陶瓷基板1111的外表面上而形成，其中鋁皮層112可全面覆蓋碳化矽基多孔陶瓷基板1111的外表面。

由於板體11具有上述技術特徵，本創作的高導熱的先進封裝器件1具有諸多優異特性，包括高剛性、高導熱性、高強度和良好的熱尺寸穩定性，非常適合應用於一或多個半導體晶片(半導體晶粒)之先進封裝架構，以解決因先進封裝尺寸變大而導致的不同材料間熱膨脹係數不匹配、翹曲、脫層與剝離、破裂等問題。

如圖11所示，碳化矽基多孔陶瓷基板1111可為小粒徑顆粒P1、中粒徑顆粒P2與大粒徑顆粒P3所構成，且具有20%至70%的孔隙率，其中小粒徑顆粒P1、中粒徑顆粒P2與大粒徑顆粒P3的粒徑比可為1：2-2.5：3-20。實際應用時，小粒徑顆粒P1的粒徑可在0.1μm至5μm的範圍內，中粒徑顆粒P2的粒徑可在2μm至10μm的範圍內，且大粒徑顆粒P3的粒徑可在10μm至100μm的範圍內。較佳地，以碳化矽基多孔陶瓷基板1111的總重量為基準計，小粒徑顆粒P1、中粒徑顆粒P2與大粒徑顆粒P3的重量比為1：3：4。

需要說明的是，隨著碳化矽基多孔陶瓷基板1111的尺寸(如厚度)改變，小粒徑顆粒P1、中粒徑顆粒P2與大粒徑顆粒P3各自的粒徑會依上述比例增大或減小。另外，小粒徑顆粒P1、中粒徑顆粒P2與大粒徑顆粒P3可 通過燒結或黏著方式連結在一起，並且互相堆積以構成一體化結構(如塊狀或片狀結構)。

在一些實施例中，碳化矽基多孔陶瓷基板1111的材料基本為碳化矽，其中在小粒徑顆粒P1、中粒徑顆粒P2與大粒徑顆粒P3中有99%以上的顆粒為碳化矽顆粒。因此，可以提高碳化矽基多孔陶瓷基板1111的熱傳導係數。

在一些實施例中，碳化矽基多孔陶瓷基板1111的材料包括碳化矽和鑽石，其中在小粒徑顆粒P1、中粒徑顆粒P2與大粒徑顆粒P3中有30%以下的顆粒為碳化矽顆粒。因此，可以提高碳化矽基多孔陶瓷基板1111的成型性。

請參閱圖12，其示出了應用本創作第一實施例的高導熱的先進封裝器件1的一種封裝架構Z1。如圖12所示，此種封裝架構Z1包括本創作的高導熱的先進封裝器件1以及一環器件2(Ring component)、一基板3、一半導體晶片4。具體來說，環器件2設置於基板3上，半導體晶片4接合於基板3上，並且配置於環器件2的容置區200內。本創作的高導熱的先進封裝器件1作為蓋器件以設置於環器件2上，並且位於容置區200上方以覆蓋半導體晶片4。

實際應用時，環器件2可通過一第一黏著層5以結合至基板3上，且本創作的高導熱的先進封裝器件1可通過一第二黏著層6以結合至環器件2上。另外，半導體晶片4可通過一底部填充層9(Underfill)以附接至基板3，並通過多個連接凸塊8(如多個焊料凸塊)以電連接至基板3；底部填充層9可形成於半導體晶片4周圍，並填入半導體晶片4與基板3之間的空隙。又，在本創作的高導熱的先進封裝器件1與半導體晶片4之間可具有一第三黏著層7(如一熱介面材料)。然而，以上所述只是可行的實施方式，而非用以限制本創作。

請參閱圖15，其示出了本創作第一實施例的高導熱的先進封裝器件1的一種製作方法，其包括：步驟S1，將一高剛性材料形成一預型體，以及將一高導熱材料形成三維導熱圖案並置入預型體內；以及對內置有三維導 熱圖案的預型體進行壓燒成型。

[第二實施例]

請參閱圖13，其示出了根據本創作第二實施例的高導熱的先進封裝器件1。如圖13所示，本創作的高導熱的先進封裝器件1包括一板體11以及三維導熱圖案12。在本實施例中，板體11具有相對的一第一表面11S1及一第二表面11S2，其中板體11為一高剛性材料所形成且具有一熱源接觸區11A。三維導熱圖案12形成於熱源接觸區11A內，以構成板體11的第一表面11S1與第二表面11S2之間的至少一熱傳導路徑，其中三維導熱圖案12為一高導熱材料所形成，從而至少一熱傳導路徑具有大於500W/mK的導熱係數。

本實施例與第一實施例的不同之處在於：在本實施例中，板體11具有位於熱源接觸區11A內且貫穿第一表面11S1與第二表面11S2的至少一開槽T3，且三維導熱圖案12包括嵌入至少一開槽T3中的至少一導熱片122。具體來說，至少一導熱片122可包括一或多個條狀結構，其優選為網狀導熱片，從而由三維導熱圖案12所構成的至少一熱傳導路徑可以沿板體11的厚度方向進行均勻散熱。

第一實施例中提到的相關技術細節在本實施例中依然有效，為了減少重複，這裡不再贅述。相應地，本實施例中提到的相關技術細節也可應用在第一實施例中。

[第三實施例]

請參閱圖14，其示出了根據本創作第三實施例的高導熱的先進封裝器件1。在本實施例中，本創作的高導熱的先進封裝器件1包括一板體11、三維導熱圖案12以及一框體13。板體11與框體13採用高剛性材料一體成型設計，其中板體11具有相對的一第一表面11S1及一第二表面11S2，且框體13從第二表面11S2延伸出。另外，板體11具有一熱源接觸區，且三維導熱圖案12形 成於熱源接觸區內，以構成板體11的第一表面11S1與第二表面11S2之間的至少一熱傳導路徑；三維導熱圖案12為一高導熱材料所形成，從而至少一熱傳導路徑具有大於500W/mK的導熱係數。

圖14中進一步示出了包括本創作第三實施例的高導熱的先進封裝器件1的一種封裝架構Z2，此種封裝架構Z2包括本創作的高導熱的先進封裝器件1以及一基板3、一半導體晶片4。具體來說，本創作的高導熱的先進封裝器件1設置於基板3上，其中板體11與框體13共同圍構出一容置區100。半導體晶片4設置於基板3上，並且配置於板體11與框體13之間的容置區100內。

第一和第二實施例中提到的相關技術細節在本實施例中依然有效，為了減少重複，這裡不再贅述。相應地，本實施例中提到的相關技術細節也可應用在第一和第二實施例中。

[實施例的有益效果]

本創作所提供的高導熱的先進封裝器件，憑藉“板體為一高剛性材料所形成且具有一熱源接觸區”、“三維導熱圖案形成於熱源接觸區內以構成板體上、下表面之間的至少一熱傳導路徑”與“三維導熱圖案為一高導熱材料所形成以使熱傳導路徑具有大於500W/mK的導熱係數”的技術特徵組合，不僅能滿足先進封裝的晶片散熱需求，還能達到簡化製程、提升良率及降低成本。

更進一步來說，本創作所提供的高導熱的先進封裝器件能具有諸多優異特性，包括高剛性、高導熱性、高強度和良好的熱尺寸穩定性，非常適合應用於一或多個半導體晶片(半導體晶粒)之先進封裝架構。

更進一步來說，本創作所提供的高導熱的先進封裝器件應用於先進封裝，能有效避免熱膨脹係數不匹配、翹曲、脫層與剝離、破裂等現象發生，從而提升製程良率、降低成本。

以上所公開的內容僅為本創作的優選可行實施例，並非因此侷限本創作的申請專利範圍，所以凡是運用本創作說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本創作的申請專利範圍內。

1:高導熱的先進封裝器件

11:板體

11S1:第一表面

11S2:第二表面

12:三維導熱圖案

Claims (14)

1. 一種高導熱的先進封裝器件，其包括： 一板體，具有相對的一第一表面及一第二表面，其中所述板體為一高剛性材料所形成且具有一熱源接觸區；以及 三維導熱圖案，形成於所述熱源接觸區內，以構成所述第一表面與所述第二表面之間的至少一熱傳導路徑，其中所述三維導熱圖案為一高導熱材料所形成，且所述至少一熱傳導路徑具有大於500 W/mK的導熱係數。
2. 如請求項1所述的高導熱的先進封裝器件，其中，所述高剛性材料為鋁碳化矽、晶圓材料、高剛性塑料及高剛性金屬材料中的至少一種，所述高導熱材料為鑽石、類鑽碳、石墨烯及高導熱合金中的至少一種。
3. 如請求項2所述的高導熱的先進封裝器件，其中，所述晶圓材料為矽材料、碳化矽或氮化鎵，所述高剛性塑料為聚醯亞胺，所述高剛性金屬材料為鉬或鎳。
4. 如請求項2所述的高導熱的先進封裝器件，其中，所述板體具有位於所述熱源接觸區內且貫穿所述第一表面與所述第二表面的至少一穿孔，且所述三維導熱圖案包括填充於所述至少一穿孔中的至少一導熱柱。
5. 如請求項4所述的高導熱的先進封裝器件，其中，所述至少一穿孔為排成一排或排成陣列的多個穿孔，且所述至少一導熱柱為分別填充於所述多個穿孔的多個導熱柱。
6. 如請求項4或5所述的高導熱的先進封裝器件，其中，所述至少一導熱柱為多個鑽石顆粒堆積成型。
7. 如請求項4或5所述的高導熱的先進封裝器件，其中，所述至少一穿孔在所述第一表面上的一孔徑小於所述至少一穿孔在所述第二表面上的一孔徑。
8. 如請求項2所述的高導熱的先進封裝器件，其中，所述板體具有位於所述熱源接觸區內且貫穿所述第一表面與所述第二表面的至少一開槽，且所述三維導熱圖案包括嵌入所述至少一開槽中的至少一導熱片；其中，所述至少一導熱片呈長條狀或網狀。
9. 如請求項8所述的高導熱的先進封裝器件，其中，所述至少一導熱片為多層的網狀結構，且所述多層的網狀結構的一上層與一下層的網格交錯分布。
10. 如請求項1所述的高導熱的先進封裝器件，其中，所述板體包括一滲鋁碳化矽基板及包覆在所述滲鋁碳化矽基板外的鋁皮層。
11. 如請求項10所述的高導熱的先進封裝器件，其中，所述滲鋁碳化矽基板包括一碳化矽基多孔陶瓷基板及滲入並填充於所述碳化矽基多孔陶瓷基板之孔隙中的固態鋁基金屬。
12. 如請求項11所述的高導熱的先進封裝器件，其中，所述碳化矽基多孔陶瓷基板為小粒徑顆粒、中粒徑顆粒與大粒徑顆粒所構成，且所述小粒徑顆粒、所述中粒徑顆粒與所述大粒徑顆粒的粒徑比為1 : 2-2.5 : 3-20。
13. 如請求項12所述的高導熱的先進封裝器件，其中，所述小粒徑顆粒的粒徑在0.1 μm至5 μm的範圍內，所述中粒徑顆粒的粒徑在2 μm至10 μm的範圍內，且所述大粒徑顆粒的粒徑在10 μm至100 μm的範圍內。
14. 如請求項12所述的高導熱的先進封裝器件，其中，以所述碳化矽基多孔陶瓷基板的總重量為基準計，所述小粒徑顆粒、所述中粒徑顆粒與所述大粒徑顆粒的重量比為1 : 3 : 4。