TWM673402U - 耐濕電阻器 - Google Patents

Abstract

本揭露之一實施例係關於一種電阻器，包括基板、第一電極、第二電極、及傳導層。該第一電極及該第二電極設置於該基板上。該傳導層設置於該基板上並電性連接該第一電極及該第二電極。該基板具有第一間隙與該傳導層相鄰。第一間隙使基板的表面粗糙度較高，保護層與基板之間的附著力更高，可有效避免或減少濕氣或水氣滲入、從而提供更可靠的電路。

Description

耐濕電阻器

本新型係關於電阻器，具體而言，係關於耐濕電阻器。

隨著現代科技技術的快速發展，電子產品及其他電路應用不斷提升規格，電阻器需要耐濕氣、耐突波、耐靜電與高阻值，以維護電子裝備之安全及正常運作。

為達上述目的，本新型提供一種電阻器，包括基板、第一電極、第二電極、及傳導層。該第一電極及該第二電極設置於該基板上。該傳導層設置於該基板上並電性連接該第一電極及該第二電極。該基板具有第一間隙與該傳導層相鄰。第一間隙使基板的表面粗糙度較高，保護層與基板之間的附著力更高，可有效避免或減少濕氣或水氣滲入、從而提供更可靠的電路。

1a:電阻器

2a:電阻器

3a:電阻器

3b:電阻器

3c:電阻器

3d:電阻器

4a:電阻器

4b:電阻器

4c:電阻器

4d:電阻器

10:基板

101:表面

102:表面

10r:間隙

12a:電極

12a1:延伸部

12b:電極

12b1:延伸部

13:傳導層

13r:間隙

14:保護層

15:晶種層

16:端電極

20:金屬層

20x:氧化物

40:矽膠

AA':切線

BB':切線

g:間距

h1:深度

h2:深度

X:X軸

Y:Y軸

在下文實施方式中將參考隨附圖式討論本揭露實施例之各種態樣，該等圖式並非依比例繪製。在該等圖式及實施方式中之技術特徵以元件符號標記，該等元件符號係用以幫助理解本揭露實施例之各種態樣，但不限制本揭露之新型申請專利範圍。在該等圖式中： 圖1A所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之俯視圖；圖1B所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之剖視圖；圖1C所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之剖視圖；圖2A所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之俯視圖；圖2B所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之剖視圖；圖3A所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之俯視圖；圖3B所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之俯視圖；圖3C所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之俯視圖；圖3D所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之俯視圖；圖3E所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之剖視圖；圖4A所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之俯視圖；圖4B所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之俯視圖；圖4C所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之俯視圖；圖4D所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之俯視圖；圖4E所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之剖視圖；圖5A所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之製造方法中之一或更多步驟中的俯視圖；圖5B所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之製造方法中之一或更多步驟中的剖視圖；圖6A所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之製造方法中之一或更多步驟中的俯視圖；圖6B所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之製造方法中之一或更多步驟中的剖視圖； 圖7A所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之製造方法中之一或更多步驟中的俯視圖；圖7B所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之製造方法中之一或更多步驟中的剖視圖；圖7C所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之製造方法中之一或更多步驟中的剖視圖；圖8A所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之製造方法中之一或更多步驟中的俯視圖；及圖8B所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器之製造方法中之一或更多步驟中的剖視圖。

圖1A所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器1a之俯視圖。圖1B為圖1A之電阻器1a沿切線AA'剖面之剖視圖。圖1C為圖1A之電阻器1a沿切線BB'剖面之剖視圖。電阻器1a可包括基板10、電極12a、12b、傳導層13、保護層14、晶種層15及端電極16。

在一些實施例中，基板10可包括絕緣基板，例如陶瓷基板、玻璃基板、樹脂基板、絕緣處理金屬基板等。在一些實施例中，基板10可包括(但不限於)硼矽酸鹽玻璃(borophosphosilicate glass，BPSG)、經摻雜矽酸鹽玻璃(undoped silicate glass，USG)、矽(silicon，Si)、氧化矽(silicon oxide，SiO₂)、氮化矽(silicon nitride，Si₃N₄)、氮氧化矽(silicon oxynitride，Si₂N₂O)、氧化鋁(aluminum oxide，Al₂O₃)、氮化鋁(aluminum nitride，AlN)、聚醯亞胺(Polyimide，PI)、ABF基材(Ajinomoto build-up film，ABF)、膜塑料(molding compounds)、預浸漬 複合纖維(pre-impregnated composite fibers)(例如，預浸材料)、及其中之組合、或其他類似物。膜塑料的實例可包括(但不限於)環氧樹脂(epoxy resin)(包含分散其中的填料(fillers))。預浸材料的實例可包括(但不限於)通過堆疊或層壓(laminating)多個預浸漬材料及/或片料(sheets)所形成的多層結構。在一些實施例中，基板10可包括(但不限於)電路板(如FR4)。基板10可具有表面101及與表面101相對的表面102。

電極12a及電極12b可設置於基板10之表面102的兩端。電極12a及電極12b可彼此分離、未直接地相連或隔開一距離。電極12a及電極12b可稱為第一電極及第二電極，序號僅係為方便指明不同的電極，並非限制本新型的電極數量或順序。電阻器1a還可包括設置於基板10之表面102的兩端的電極。

在一些實施例中，電極12a及電極12b可各包括(但不限於)銅(Cu)、銀(Ag)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鎢(W)、錫(Sn)、或其他金屬或合金。例如，在一些實施例中，合金可包括鎳鉻合金(如鎳鉻鋁、鎳鉻矽)、鎳銅合金(如鎳銅錳)等。

在一些實施例中，在大致上垂直於基板10的表面102的一方向上，電極12a及電極12b之厚度可各介於約3.0微米(μm)至約12.0微米之間。然而，本揭露不限於此。在一些實施例中，電極12a及電極12b可各依裝置規格或製程要求而設置在其他位置，可具有任意數量，且可依裝置規格或製程要求而具有其他厚度。

傳導層13可設置於基板10的表面102上。在大致上垂直於基板10的表面102的一方向上，傳導層13可不與電極12a及/或電極12b重 合。然而在其他實施例中，傳導層13可設置於電極12a及/或電極12b上。

在一些實施例中，傳導層13可包括(但不限於)銅(Cu)、銀(Ag)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鎢(W)、錫(Sn)、或其他金屬或合金。例如，在一些實施例中，合金可包括鎳鉻合金(如鎳鉻鋁、鎳鉻矽)、鎳銅合金(如鎳銅錳)等。在一些實施例中，傳導層13可包括複數個金屬層，例如可包括一層金屬層及一層晶種層。例如，傳導層13可包括一層銀金屬層及一層銅晶種層。在一些實施例中，傳導層13可包括單一金屬層。在一些實施例中，傳導層13可包括單一合金層。

在一些實施例中，傳導層13可經圖案化或具有圖案。例如，傳導層13可具有彎曲的圖案。例如，傳導層13可具有間隙13r。在一些實施例中，間隙13r可形成於基板10及傳導層13中。例如，間隙13r從傳導層13向下凹陷至基板10中。在一些實施例中，間隙13r可從表面102向基板10內部凹陷。

在一些實施例中，間隙13r具有實質上平整的側壁。基板10之側壁及傳導層13之側壁共同界定間隙13r的側壁。在一些實施例中，基板10之側壁及傳導層13之側壁可實質上共平面(coplanar)。在一些實施例中，基板10之側壁及傳導層13之側壁可形成連續的表面。

間隙13r可具有間距g。在一些實施例中，間距g介於約10微米至約100微米之間。在一些實施例中，間距g可實質上等間距。

間隙13r可具有深度h1。在一些實施例中，深度h1介於約10微米至約100微米之間。在一些實施例中，深度h1可實質上等深。在一些實施例中，可依裝置規格或製程要求而設計傳導層13的圖案、間距g、及深度h1，並不限於本揭露中所描繪或舉出的特定圖案或數值。

在一些實施例中，在大致上垂直於基板10的表面102的方向上，傳導層13之厚度可介於約0.01微米至約5.00微米之間。然而，本揭露不限於此。在一些實施例中，傳導層13可依裝置規格或製程要求而具有其他厚度。

在一些實施例中，基板10可經圖案化或具有圖案。例如，基板10可具有間隙10r。間隙10r可與傳導層13相鄰。在一些實施例中，間隙10r可形成於基板10中。在一些實施例中，間隙10r可從表面102向基板10內部凹陷。在一些實施例中，從剖視圖觀看時，間隙10r可具有鋸齒狀。

在大致上垂直於基板10的表面102的方向上，間隙10r與傳導層13可不重合。在大致上垂直於基板10的表面102的方向上，間隙10r與間隙13r可不重合。在一些實施例中，在傳導層13的兩側，可各具有三條間隙10r。

在一些實施例中，間隙10r可具有長邊延伸在X軸方向。在一些實施例中，間隙13r可具有長邊延伸在Y軸方向。X軸方向與Y軸方向亦可稱為第一方向及第二方向、或第二方向及第一方向。

在一些實施例中，間隙10r的長邊延伸方向與間隙13r的長邊延伸方向可彼此實質上垂直，以提高阻值並同時提高耐水度。例如，從俯視圖觀看時，間隙13r、電極12a、及電極12b可圍繞傳導層13的至少四邊，以提高基板10的表面粗糙度，提高保護層14與基板10之間的附著力，避免濕氣滲入影響傳導層13。

間隙10r可具有深度h2。在一些實施例中，深度h2介於約10微米至約100微米之間。在一些實施例中，深度h2可實質上等深。間隙 10r與間隙13r可在同一製程步驟中，透過雷射蝕刻的方式形成。在一些實施例中，深度h2可與深度h1實質上相等。在一些實施例中，可依裝置規格或製程要求而設計間隙10r，並不限於本揭露中所描繪或舉出的特定圖案或數值。

在一些實施例中，在傳導層13的一側的間隙10r可稱為第一間隙，在另一側的間隙10r可稱為第二間隙，而在傳導層13中的間隙13r可稱為第三間隙。

保護層14可覆蓋基板10與傳導層13。保護層14可設置於傳導層13上。保護層14可設置於間隙13r中。例如，保護層14可穿過傳導層13及表面102而延伸進基板10內部。

保護層14可局部地設置在間隙10r中。例如，保護層14可在傳導層13的兩側形成延伸進基板10內部的耐濕結構或固定部。例如，保護層14與基板10可具有鋸齒狀的接合面。保護層14與基板10的接合面的粗糙度可大於保護層14與傳導層13的接合面的粗糙度。保護層14的耐濕結構或固定部可設置於間隙10r中。相較於不具有間隙10r的電阻器，具有間隙10r的電阻器的保護層14與基板10之間的附著力較高。

保護層14可包括(但不限於)含氟聚合物、環氧樹脂(epoxy)、胺基甲酸乙酯(urethane)、丙烯酸(acrylic)、有機與無機填料、光引發劑(photoinitiator)、及其中之組合、或其他類似物。含氟聚合物可包括聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(TFE/PAVE，PFA)、四氟乙烯-全氟甲基乙烯基醚共聚物(TFE/PMVE，MFA)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(TFE/HFP，FEP)、四氟乙烯-乙烯共聚物(TFE/Ethylene，ETFE)等。有機與無機填料可包括氧化矽、氮化矽、 氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮化硼(boron nitride，BN)、高嶺土(kaolinite)、滑石粉(talcum)、金屬纖維等。在大致上垂直於基板10的表面102的方向上，保護層14之厚度可介於約10微米至約20微米之間。

晶種層15可設置於基板10之兩端。在一些實施例中，晶種層15可覆蓋電極12a及電極12b之局部表面。端電極16可設置於基板10之兩端且設置於晶種層15上。在一些實施例中，晶種層15及端電極16可包括(但不限於)上述針對傳導層13所列舉的材料，在此不再贅述。

隨著現代科技技術的快速發展，電子產品及其他電路應用不斷提升規格，電阻器的品質要求提高，因此希望提供一複合式電阻器，具有耐濕氣、耐突波、耐靜電與高阻值等特性，以維護電子裝備之安全及正常運作。

根據本新型所揭露之實施例，本新型之耐濕電阻器的基板表面具有間隙，相較於傳統的電阻器，基板的表面粗糙度較高，保護層與基板之間的附著力更高，可有效避免或減少濕氣或水氣滲入、從而提供更可靠的電路。

圖2A所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器2a之俯視圖。圖2B為圖2A之電阻器2a沿切線BB'剖面之剖視圖。電阻器2a與電阻器1a相似，為簡潔之緣故，相同的元件以相同標號標示且將不再重複，僅將差異描述如下。

電阻器2a更包含金屬層20。在一些實施例中，在大致上垂直於基板10的表面102的方向上，金屬層20與電極12a、電極12b、及傳導層13可不重合。從俯視圖觀看時，金屬層20、電極12a、及電極12b可圍繞傳導層13。在一些實施例中，金屬層20可包括(但不限於)上述針對 傳導層13所列舉的材料，在此不再贅述。

在一些實施例中，間隙10r可形成於基板10及金屬層20中。例如，間隙10r從金屬層20向下凹陷至基板10中。在一些實施例中，間隙10r具有實質上平整的側壁。基板10之側壁及金屬層20之側壁共同界定間隙10r的側壁。在一些實施例中，基板10之側壁及金屬層20之側壁可實質上共平面。在一些實施例中，基板10之側壁及金屬層20之側壁可形成連續的表面。在雷射切割時，金屬層20可增加雷射能量吸收，使得基板10的表面更粗糙，使雷射出的間隙10r的深度更深，而進一步提升耐濕性。

在一些實施例中，以雷射蝕刻的方式移除金屬層20所產生的熱能使金屬層20氧化，而在金屬層20的邊緣處形成氧化物20x。在一些實施例中，氧化物20x可包括金屬層20的氧化物。在一些實施例中，氧化物20x可位於金屬層20之側壁上。例如，從俯視圖觀看時，氧化物20x可圍繞間隙10r的周圍。

在一些實施例中，氧化物20x可沿著間隙10r的側壁形成。例如，從剖視圖觀看時，氧化物20x可局部地覆蓋間隙10r的側壁。在一些實施例中，氧化物20x可沿著間隙10r的側壁形成而圍繞保護層14。在一些實施例中，氧化物20x可延長濕氣滲入的路徑，而進一步提升耐濕性。

圖3A所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器3a之俯視圖。電阻器3a與電阻器1a相似，為簡潔之緣故，相同的元件以相同標號標示且將不再重複，僅將差異描述如下。

電阻器3a的電極12a具有延伸部12a1延伸在X軸方向。延伸部12a1朝向電極12b延伸，並與電極12b間隔一距離。從俯視圖觀看時， 延伸部12a1、電極12a、及電極12b可圍繞傳導層13。透過增加側邊電極的面積，可提高側邊電極與保護層之間的附著力，而進一步提升耐濕性。

圖3B所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器3b之俯視圖。電阻器3b與電阻器3a相似，差異在於電阻器3b的電極12b具有延伸部12b1朝向電極12a延伸，並與電極12a間隔一距離。

圖3C所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器3c之俯視圖。電阻器3c與電阻器3a相似，差異在於電阻器3c的基板10具有間隙10r。間隙10r與延伸部12a1均有耐濕功能，在一些實施例中，可依裝置規格或製程要求而設計間隙10r與延伸部12a1，並不限於本揭露中所描繪或舉出的特定圖案或數值。

圖3D所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器3d之俯視圖。圖3E為圖3D之電阻器3d沿切線BB'剖面之剖視圖。電阻器3d與電阻器3c相似，差異在於電阻器3d的延伸部12a1亦具有間隙10r。在一些實施例中，以雷射蝕刻的方式移除延伸部12a1所產生的熱能使延伸部12a1氧化，而在延伸部12a1的邊緣處形成氧化物20x。在一些實施例中，氧化物20x可包括延伸部12a1的氧化物。在一些實施例中，氧化物20x可位於延伸部12a1之側壁上。例如，從俯視圖觀看時，氧化物20x可圍繞間隙10r的周圍。

從剖視圖觀看時，氧化物20x可局部地覆蓋間隙10r的側壁。在一些實施例中，氧化物20x可沿著間隙10r的側壁形成而圍繞延伸部12a1。在一些實施例中，氧化物20x可延長濕氣滲入的路徑，而進一步提升耐濕性。

圖4A所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器4a之俯視 圖。電阻器4a與電阻器1a相似，為簡潔之緣故，相同的元件以相同標號標示且將不再重複，僅將差異描述如下。

電阻器4a具有矽膠40。矽膠40可延伸在X軸方向。從俯視圖觀看時，矽膠40、電極12a、及電極12b可圍繞傳導層13，以避免濕氣滲入影響傳導層13。

圖4B所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器4b之俯視圖。電阻器4b與電阻器4a相似，差異在於矽膠40覆蓋傳導層13、電極12a、及電極12b。

圖4C所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器4c之俯視圖。電阻器4c與電阻器4a相似，差異在於電阻器4c的基板10具有間隙10r。間隙10r與矽膠40均有耐濕功能，在一些實施例中，可依裝置規格或製程要求而設計間隙10r與矽膠40，並不限於本揭露中所描繪或舉出的特定圖案或數值。

圖4D所示為根據本揭露之部分實施例之電阻器4d之俯視圖。圖4E為圖4D之電阻器4d沿切線BB'剖面之剖視圖。電阻器4d與電阻器4b相似，差異在於電阻器4d的基板10具有間隙10r。矽膠40可設置於間隙10r中，保護層14覆蓋矽膠40，避免濕氣沿著間隙10r滲入，而進一步提升耐濕性。

圖5A至圖8A所示為根據本揭露之部分實施例之電子元件之製造方法。圖5B、圖6B、圖7B、及圖8B分別為圖5A、圖6A、圖7A、及圖8A之結構沿切線AA'剖面的剖視圖。圖7C為圖7A之結構沿切線BB'剖面的剖視圖。根據本揭露之部分實施例，圖5A至圖8A所揭露之製造方法可用以製造如圖2A所示之電阻器2a。根據本揭露之部分實施例，圖5A至 圖8A所揭露之製造方法亦可用以製造其他電阻器。

參照圖5A及圖5B，提供基板10。於基板10上形成電極12a及電極12b。基板10可具有表面101及與表面101相對的表面102。在一些實施例中，可以雷射切割的方式在基板10中形成切割道(未圖示)。在一些實施例中，切割道之深度可占基板10之厚度約20%至約60%的比例。

在一些實施例中，電極12a及電極12b可藉由濺射、無電電鍍(electroless plating)、電鍍(plating)、印刷(printing)、黃光微影(photolithography)或其他可行的方式而形成。在一些實施例中，如圖5B所示，電極12a及電極12b可形成於基板10相對的兩個面上。

在一些實施例中，電極12a及/或電極12b可具有延伸部，如圖3A及圖3B所示。

參照圖6A及圖6B，於基板10上形成傳導層13及金屬層20。在一些實施例中，傳導層13及金屬層20可形成在基板10的表面102中未被電極12a及電極12b覆蓋的部分。例如，傳導層13及金屬層20可未形成在電極12a及電極12b上。例如，傳導層13及金屬層20可不與電極12a及電極12b重合。

在一些實施例中，傳導層13可保型地(comformally)形成於電極12a及電極12b上。在一些實施例中，傳導層13及金屬層20可藉由濺射、無電電鍍、電鍍、印刷、黃光微影或其他可行的方式而形成。

在一些實施例中，在形成傳導層13之前，可先形成晶種層(未圖示)。在一些實施例中，晶種層可藉由濺射鈦及銅(Ti/Cu)或TiW而形成。在一些實施例中，晶種層可藉由無電電鍍Ni或Cu而形成。例如，可先形成一層銅晶種層，再覆蓋一層銀金屬層。之後分別移除銅晶種 層及銀金屬層的一部分，而形成圖6A的面積。

參照圖7A及圖7B，在金屬層20及傳導層13中形成間隙10r及間隙13r。在一些實施例中，基板10經由間隙10r及間隙13r而曝露。在一些實施例中，間隙10r可經由雷射蝕刻的方式移除部分的金屬層20(或圖案化金屬層20)及基板10而形成，間隙13r可經由雷射蝕刻的方式移除部分的傳導層13(或圖案化傳導層13)及基板10而形成。在一些實施例中，由於雷射蝕刻可形成實質上平整的切割面，因此間隙10r及間隙13r可具有實質上平整的側壁。

在一些實施例中，以雷射蝕刻的方式移除金屬層20所產生的熱能使金屬層20氧化，而在金屬層20的邊緣處形成氧化物20x。在一些實施例中，傳導層13的邊緣處亦會形成氧化物。

在一些實施例中，傳導層13之電阻值在雷射蝕刻的過程中可隨著截面積與繞線長度改變而動態地(或即時)調整，且可精準地控制在所期望的範圍內，進而增加傳導層13之準確性及設計彈性。使用雷射蝕刻形成傳導層13的圖案可增加傳導層13的尺寸之精準度。根據本揭露之部分實施例，傳導層13的尺寸之誤差小於等於約±2%。

在一些實施例中，在圖7A、圖7B、及圖7C的步驟中，可同時量測傳導層13之電阻值而即時地調整傳導層13之圖案(或形狀)。例如，可先形成進行一次圖案化，接著量測傳導層13之電阻值，再根據所測得的電阻值而微調傳導層13之圖案，進而得到精準的電阻值。在一些實施例中，上述量測及微調圖案的步驟可重複多次。

在一些實施例中，傳導層13之圖案亦可以乾式蝕刻(dry etching)、離子撞擊(ion bumping)、網版印刷(screen printing)或其他可行 的方式形成。例如，以雷射蝕刻結合可行的其他蝕刻方式圖案化傳導層13，並不限於本揭露中所列舉的方式。

參照圖8A及圖8B，在傳導層13上形成保護層14。在一些實施例中，保護層14可藉由塗佈、印刷、黃光微影或其他可行的方式而形成。在基板10的兩端形成晶種層15。晶種層15可覆蓋電極12a及12b。

在一些實施例中，晶種層15可藉由濺射鈦及銅(Ti/Cu)或TiW而形成。在一些實施例中，晶種層15可藉由無電電鍍Ni或Cu而形成。在一些實施例中，晶種層15可藉由端塗銀或銅而形成。

在一些實施例中，在形成晶種層15之前，可將基板10沿著經由雷射劃線而形成的切割道而分離成複數個獨立的元件，以露出基板10之側面。

接著，於基板10之兩端形成端電極16。在一些實施例中，端電極16可藉由電鍍Ni、Cu、Ag、Au或其他金屬而形成。在一些實施例中，端電極16可藉由無電電鍍Ni、Pb或其他金屬而形成。在一些實施例中，端電極16可藉由印刷Cu、Ag、Au或其他金屬而形成。

在本揭露中討論之結構及方法之實施例，並不限於實施方式及隨附圖式中描述及繪示之構造或配置，而係能以各種方式實踐或執行。

此外，在本揭露中使用之措辭及術語係出於描述之目的且不應視為限制。例如，單數形式或複數形式之措辭不意在限制當前所揭示之結構及方法。本揭露中使用之「包含」、「包括」、「具有」、「含有」、「涉及」等涵蓋在其後列出之項目、其等效物、及額外項目。本揭露中使用之「或」可視為指示所描述之一個以上之項目中之任一者。前及 後、左及右、頂部及底部、上部及下部、及垂直及水平等意在方便描述，而不應視為限制結構及方法於一個位置、空間、或方向。

因此，本新型技術領域中具有通常知識者根據本揭露中所載的特定實施例應可想到各種更改、修改、及改良。此等更改、修改、及改良仍落入本揭露之範圍內。

1a:電阻器

10:基板

10r:間隙

12a:電極

12b:電極

13:傳導層

13r:間隙

AA':切線

BB':切線

g:間距

X:X軸

Y:Y軸

Claims (10)

1. 一種電阻器，包含：一基板；一第一電極及一第二電極，設置於該基板上；及一傳導層，設置於該基板上並電性連接該第一電極及該第二電極；其中該基板具有一第一間隙與該傳導層相鄰。
2. 如請求項1所述之電阻器，該基板具有一第二間隙與該傳導層相鄰，其中該第一間隙、該第二間隙、該第一電極、及該第二電極圍繞該傳導層。
3. 如請求項1所述之電阻器，其中該傳導層具有一第三間隙，其中該第一間隙的一長邊延伸方向與該第三間隙一長邊延伸方向彼此實質上垂直。
4. 如請求項3所述之電阻器，其中該第三間隙的一深度與該第一間隙的一深度實質上相等。
5. 如請求項1所述之電阻器，進一步包含：一金屬層，設置於該基板上，且不與該第一電極、該第二電極、及該傳導層重合，其中該第一間隙位於該金屬層中。
6. 如請求項5所述之電阻器，其中該金屬層具有氧化物，從一俯視圖觀看時，該氧化物圍繞該第一間隙的周圍。
7. 如請求項1所述之電阻器，其中該第一電極具有一延伸部朝向該第二電極延伸，且其中該第一間隙位於該延伸部中。
8. 如請求項7所述之電阻器，其中該延伸部具有氧化物，從一俯視圖觀看時，該氧化物圍繞該第一間隙的周圍。
9. 如請求項1所述之電阻器，進一步包含：一保護層，覆蓋該傳導層，且具有一部分設置於該第一間隙中。
10. 如請求項1所述之電阻器，進一步包含：一矽膠，設置於該第一間隙中；及一保護層，覆蓋該矽膠與該傳導層。