TWM653530U - 線路板 - Google Patents

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TWM653530U
TWM653530U TW112211918U TW112211918U TWM653530U TW M653530 U TWM653530 U TW M653530U TW 112211918 U TW112211918 U TW 112211918U TW 112211918 U TW112211918 U TW 112211918U TW M653530 U TWM653530 U TW M653530U
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TW
Taiwan
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conductive
circuit board
hole
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layer
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TW112211918U
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Inventor
魏宗平
蔣易霖
陳君豪
Original Assignee
欣興電子股份有限公司
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一種線路板,包含一核心層以及至少一導電結構。核心層具有彼此背對的二外表面。至少一導電結構包含一導電通孔、一塞孔柱以及二導電接墊。導電通孔位於核心層中並連接二外表面。塞孔柱填充於導電通孔中。二導電接墊分別設置於塞孔柱的相對兩側,並電性連接於導電通孔。二導電接墊介於二外表面之間。

Description

線路板
本新型關於一種線路板,特別係一種包含塞孔柱的線路板。
在製造線路板時,一般會透過半加成法(Semi-Additive Process,SAP)、改良型半加成法(modified Semi-Additive Process,mSAP)或乾膜蓋孔法蝕刻(Tenting process),來形成線路層或是電性連接於導電通孔的導電接墊。當線路板的厚度較厚或導電通孔的孔徑較大時,通常會需要採用乾膜蓋孔法蝕刻形成導電接墊。
然而,在進行蝕刻製程時,若導電接墊之間的距離過近,則會容易產生蝕刻不潔的問題。也就是說,採用蝕刻製程來形成導電接墊之方式,會對導電接墊之間的距離產生限制,而難以進一步提升導電通孔的設置密度。基於上述原因,傳統的線路板會有難以兼顧尺寸設計彈性及導電通孔的設置密度之問題。
本新型在於提供一種能兼顧尺寸設計彈性及包含導電通孔的導電結構之設置密度的線路板。
本新型一實施例揭露之一種線路板,包含一核心層以及至少一導電結構。核心層具有彼此背對的二外表面。至少一 導電結構包含一導電通孔、一塞孔柱以及二導電接墊。導電通孔位於核心層中並連接二外表面。塞孔柱填充於導電通孔中。二導電接墊分別設置於塞孔柱的相對兩側,並電性連接於導電通孔。二導電接墊介於二外表面之間。
於本新型的一實施例中,二導電接墊遠離塞孔柱的一側分別與二外表面齊平。
於本新型的一實施例中,導電通孔的相對兩側分別與二外表面齊平。
於本新型的一實施例中,核心層的厚度大於0.3毫米。
於本新型的一實施例中,導電通孔的孔徑大於90微米。
於本新型的一實施例中,塞孔柱由樹脂製成。
於本新型的一實施例中,線路板更包含二增層結構,且二增層結構分別設置於核心層的二外表面。
於本新型的一實施例中,二增層結構各自包含一介電層、一導電盲孔及一線路層。二介電層分別設置於二外表面。二導電盲孔分別將二導電接墊電性連接於二線路層。二線路層分別設置於二介電層上。
根據上述實施例揭露之線路板,二導電接墊分別設置於塞孔柱的相對兩側,並介於二外表面之間。因此,得以選擇採用蝕刻製程以外的其他製程來形成導電結構的導電接墊,而使 得導電接墊之間的距離不會受到蝕刻製程的限制。如此一來,便能在線路板中更密集地設置導電結構。此外,填充於導電通孔的塞孔柱使得線路板能被設計成具有較厚的厚度,或使得導電通孔能被設計成具有較大的孔徑。如此一來,便能兼顧線路板的尺寸設計彈性及導電結構的設置密度。
10:線路板
20:基底
21:線路層
30:導電材料層
35:塞孔材料
40:導電材料層
100:核心層
101,102:外表面
103:通孔
200:導電結構
210:導電通孔
220:塞孔柱
230:導電接墊
300:增層結構
310:介電層
320:導電盲孔
330:線路層
T:厚度
D:孔徑
圖1至圖9呈現根據本新型一實施例的線路板之製造方法及對應之結構。
以下在實施方式中詳細敘述本新型之實施例之詳細特徵以及優點,其內容足以使任何本領域中具通常知識者了解本新型之實施例之技術內容並據以實施,且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式,任何本領域中具通常知識者可輕易地理解本新型相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本新型之觀點,但非以任何觀點限制本新型之範疇。
請參閱圖1至圖9,圖1至圖9呈現根據本新型一實施例的線路板之製造方法及對應之結構。於本實施例中,線路板10之製造方法可包含下列步驟。
如圖1所示,提供一基底20。基底20包含一核心層100及二線路層21。線路層21設置於核心層100上。
接著,如圖2所示,例如透過機械鑽孔於基底20形 成二通孔103。通孔103貫穿核心層100中彼此背對的二外表面101、102。此外,通孔103貫穿二線路層21。
接著,如圖3所示,例如透過電鍍製程於線路層21及通孔103形成多個導電材料層30。
接著,如圖4所示,於通孔103填充與導電材料層30齊平的塞孔材料35。
接著,如圖5所示,例如透過雷射蝕刻製程移除部分的塞孔材料35,而形成塞孔柱220。塞孔柱220介於外表面101、102之間,且分離於外表面101、102。也就是說,塞孔柱220相對外表面101、102向內凹陷。
接著,如圖6所示,例如透過電鍍製程於導電材料層30及塞孔柱220上形成二導電材料層40。塞孔柱220例如由樹脂製成。於本實施例中,二導電材料層40上具有多個凹槽,但並不以此為限。於其他實施例中,導電材料層30及塞孔柱220上的二導電材料層亦可具有平整的外表面而不具有凹槽。
接著,如圖7所示,例如透過研磨製程移除位於外表面101、102外之線路層21、部分的導電材料層30及部分的導電材料層40。如此一來,會形成多個導電結構200。導電結構200包含一導電通孔210、塞孔柱220以及二導電接墊230。也就是說,於本實施例中,例如是選擇採用蝕刻製程之外的其他製程(如研磨製程)來形成導電接墊230。因此,導電接墊230之間的距離不會受到蝕刻製程的限制。如此一來,便能在線路板10中更密集 地設置導電結構200。
導電通孔210設置於通孔103並連接於外表面101、102。此外,導電通孔210的相對兩側例如分別與二外表面101、102齊平。塞孔柱220填充於導電通孔210中。二導電接墊230分別設置於塞孔柱220的相對兩側,並電性連接於導電通孔210。導電通孔210及導電接墊230例如由銅製成。
二導電接墊230介於二外表面101、102之間。進一步來說,於本實施例中,二導電接墊230遠離塞孔柱220的一側分別與二外表面101、102齊平。然而,本新型並不以此為限。於其他實施例中,二導電接墊遠離塞孔柱的一側亦可分離於二外表面。也就是說,於其他實施例中,二導電接墊亦可相對二外表面向內凹陷。
接著,如圖8所示,形成二介電層310於核心層100的二外表面101、102上。
接著,如圖9所示,形成多個導電盲孔320於介電層310中,並形成二線路層330於二介電層310上,而形成了二增層結構300。導電盲孔320將導電接墊230電性連接於線路層330。至此,已完成線路板10之製造。
請參閱圖9,於本實施例中,核心層100的厚度T(即外表面101、102之間的距離)例如大於0.3毫米。導電通孔210的孔徑D例如大於90微米。
須注意的是,於其他實施例中,線路板亦可無須包含 二增層結構。也就是說,線路板的製造方法亦可省略圖8及圖9中的步驟,而僅包含圖1至圖7中的步驟。
根據上述實施例揭露之線路板,二導電接墊分別設置於塞孔柱的相對兩側,並介於二外表面之間。因此,得以選擇採用蝕刻製程以外的其他製程來形成導電結構的導電接墊,而使得導電接墊之間的距離不會受到蝕刻製程的限制。如此一來,便能在線路板中更密集地設置導電結構。此外,填充於導電通孔的塞孔柱使得線路板能被設計成具有較厚的厚度,或使得導電通孔能被設計成具有較大的孔徑。如此一來,便能兼顧線路板的尺寸設計彈性及導電結構的設置密度。
雖然本新型以前述之諸項實施例揭露如上,然其並非用以限定本新型,任何熟習相像技藝者,在不脫離本新型之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本新型之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
10:線路板
100:核心層
101,102:外表面
103:通孔
200:導電結構
210:導電通孔
220:塞孔柱
230:導電接墊
300:增層結構
310:介電層
320:導電盲孔
330:線路層
T:厚度
D:孔徑

Claims (8)

  1. 一種線路板,包含:一核心層,具有彼此背對的二外表面;以及至少一導電結構,包含:一導電通孔,位於該核心層中並連接該二外表面;一塞孔柱,填充於該導電通孔中;以及二導電接墊,分別設置於該塞孔柱的相對兩側,並電性連接於該導電通孔,該二導電接墊介於該二外表面之間。
  2. 如請求項1所述之線路板,其中該二導電接墊遠離該塞孔柱的一側分別與該二外表面齊平。
  3. 如請求項1所述之線路板,其中該導電通孔的相對兩側分別與該二外表面齊平。
  4. 如請求項1所述之線路板,其中該核心層的厚度大於0.3毫米。
  5. 如請求項1所述之線路板,其中該導電通孔的孔徑大於90微米。
  6. 如請求項1所述之線路板,其中該塞孔柱由樹脂製成。
  7. 如請求項1所述之線路板,更包含二增層結構,該二增層結構分別設置於該核心層的該二外表面。
  8. 如請求項7所述之線路板,其中該二增層結構各自包含一介電層、一導電盲孔及一線路層,該二介電層分別設置於該二外表面,該二導電盲孔分別將該二導電接墊電性連接於該二線路層,該二線路層分別設置於該二介電層上。
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