TWM643515U - 具冷卻及排屑效果之研磨機台 - Google Patents

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TWM643515U
TWM643515U TW112203250U TW112203250U TWM643515U TW M643515 U TWM643515 U TW M643515U TW 112203250 U TW112203250 U TW 112203250U TW 112203250 U TW112203250 U TW 112203250U TW M643515 U TWM643515 U TW M643515U
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TW
Taiwan
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chip removal
cooling
grinding machine
wafer
bottom plate
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Application number
TW112203250U
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English (en)
Inventor
李佑仁
周育正
洪博耀
Original Assignee
盛新材料科技股份有限公司
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本新型提供一種具冷卻及排屑效果之研磨機台,包括一底板、一晶圓載台以及一個以上的液體噴管,該晶圓載台可旋轉地設置在該底板上,該一個以上的液體噴管設置在該底板上且鄰近該晶圓載台的一側緣,當研磨液的數量在研磨製程中,因熱能或該晶圓載台旋轉而被甩出,導致研磨液的數量減少,造成溫度上升以及排屑效果不佳,如此一來,以達到提升冷卻以及排屑之目的。

Description

具冷卻及排屑效果之研磨機台
本新型係關於一種研磨機台,尤指一種具冷卻及排屑效果之研磨機台。
晶圓在生產過程中,因前置的製程,使得晶圓表面不平坦,當晶圓表面不平坦時,後續生產的電子元件將易產生良率問題,故,為了提升良率,透過對晶圓的表面進行研磨,以使晶圓表面可更為平坦化。
現有之研磨製程,需先在一晶圓載台上放置一待研磨晶圓,該晶圓載台並對該待研磨晶圓進行真空吸附,以固定該待研磨晶圓,接著,將該晶圓載台進行旋轉,以使該待研磨晶圓旋轉,接著,將一研磨液滴落在該待研磨晶圓上,並對該晶圓載台進行旋轉,使該研磨液均勻的分散在該待研磨晶圓的表面。
然而,該研磨液在研磨過程中將產生熱能或因旋轉而從該待研磨晶圓上被甩出,致使該研磨液的數量減少,如此,將造成溫度上升以及排屑效果不佳。
因此,現有技術確實有待進一步提供更佳改良方案的必要性。
有鑑於上述現有技術之不足,本新型的主要目的在於提供一種具冷卻及排屑效果之研磨機台,通過持續適當的提供該研磨液,避免因研磨液的數量減少,造成溫度上升以及排屑效果不佳,以達到提升冷卻以及排屑之目的。
為達成上述目的所採取的主要技術手段係令具冷卻及排屑效果之研磨機台包括: 一底板; 一晶圓載台,其可旋轉地設置在該底板上;以及 一個以上的液體噴管,其設置在該底板上且鄰近該晶圓載台的一側緣。
透過上述構造,該一個以上的液體噴管設置鄰近該晶圓載台的該側緣,當該研磨液的數量因在研磨過程中有所減少時,可以更為適時地對該待研磨晶圓提供該研磨液,避免因研磨液數量不足,造成溫度上升以及排屑效果不佳,如此一來,以達到提升冷卻以及排屑之目的。
關於本新型的較佳實施例,如圖1A以及圖1B所示,本新型之具冷卻及排屑效果之研磨機台10包括一底板11、一晶圓載台12以及一個以上的液體噴管13,該晶圓載台12可旋轉地設置在該底板11上,該一個以上的液體噴管13設置在該底板11上且鄰近該晶圓載台12的一側緣設置。
在本實施例中,該晶圓載台12係一圓柱體,該晶圓載台12更包括一置放面120以及一旋轉軸121,該置放面120以及該旋轉軸121係分別設置在該圓柱體的兩面,使得該置放面120與該旋轉軸121呈相對設置,而該旋轉軸121從該晶圓載台12的其中一面並遠離該置放面120朝外凸伸形成一軸體,使該軸體與該置放面120呈垂直設置,該置放面120提供一待研磨晶圓W置放,並將該待研磨晶圓W固定在該置放面120。在本實施例中,該置放面120可具有複數個氣孔(圖未繪示),該等氣孔穿設該置放面120,且該等氣孔可與一真空機(圖未繪示)連接,當該晶圓載台12的該置放面120置放該待研磨晶圓W時,啟動該真空機,以透過該等穿孔對該待研磨晶圓W進行真空吸附,以將該待研磨晶圓W固定在該置放面120。
在本實施例中,該具冷卻及排屑效果之研磨機台10更包括一旋轉馬達14,該旋轉馬達14與該底板固接,且該旋轉馬達14供該旋轉軸121插設連接,當該旋轉馬達14通電時,將帶動該旋轉軸121以旋轉方向進行旋轉,以驅使該晶圓載台12進行旋轉,進而該待研磨晶圓W可被該晶圓載台12帶動旋轉。在本實施例中,該旋轉軸121以軸向與該旋轉馬達14插設連接。在本實施例中,該旋轉馬達14也可以設置在該底板11下,並與該底板11鎖固連接,該底板11進一步具有一孔洞,以提供該旋轉軸121穿設該底板11,進而與該旋轉馬達14連接。
在本實施例中,該一個以上的液體噴管13具有三個液體噴管13,該等液體噴管13設置在該晶圓載台12的該側緣。在本實施例中,該一個以上的液體噴管13係呈L形。
詳細來說,該一個以上的液體噴管13係呈該L形時,該L形的一端與該底板11固接,以將該一個以上的液體噴管13固定。在本實施例中,該一個以上的液體噴管13與該旋轉軸121平行設置,也就是說,該一個以上的液體噴管13的一端以軸向與該底板11固接。
在本實施例中,如圖2所示,該等液體噴管13彼此之間具有一間隔角度,使得該等液體噴管13平均設置在該晶圓載台12的該側緣,以在不同角度適當提供研磨液到該待研磨晶圓W上。在本實施例中,該間隔角度可為120°。
在本實施例中,該一個以上的液體噴管13更包括一噴嘴130,該噴嘴130與該晶圓載台12呈一角度設置,以使該噴嘴130可對該待研磨晶圓W噴灑液體。在本實施例中,該噴嘴130設置在該L型的另一端,並鄰近該晶圓載台12。
在本實施例中,如圖3所示,該噴嘴130的設置係高於該置放面120,該噴嘴130與該底板11形成一第一高度H 1,該置放面120與該底板11形成一第二高度H 2,該第一高度H 1係高於該第二高度H 2,以使該噴嘴130可對該待研磨晶圓W的研磨位置噴灑液體,以適當的對該待研磨晶圓W提供研磨液。在本實施例中,該待研磨晶圓W的該研磨位置可為該待研磨晶圓W的半徑位置。
在本實施例中,該噴嘴130的一口徑的尺寸係大於4公分,以提供每分鐘7~8公升的液體。在本實施例中,該口徑大約4.5公分,可提供每分鐘7~8公升的液體,透過上述的一個以上的液體噴管13的該噴嘴130設計,以提供較大流量的研磨液體給該待研磨晶圓W,避免研磨液數量不足,造成發生溫度上升以及排屑不佳的情形。
綜上所述,該一個以上的液體噴管13設置鄰近該晶圓載台12的該側緣,當該研磨液的數量因在研磨過程中有所減少時,可以更為適時地對該待研磨晶圓W提供該研磨液,如此一來,可避免因研磨液數量不足,造成溫度上升以及排屑效果不佳,以提升冷卻以及排屑之目的。
10:具冷卻及排屑效果之研磨機台 11:底板 12:晶圓載台 120:置放面 121:旋轉軸 13:液體噴管 130:噴嘴 14:旋轉馬達 W:待研磨晶圓 H 1:第一高度 H 2:第二高度
圖1A係本新型之實施例結構示意圖; 圖1B係本新型之實施例情境示意圖; 圖2係本新型之另一實施例結構示意圖;以及 圖3係本新型之再一實施例結構示意圖。
10:具冷卻及排屑效果之研磨機台
11:底板
12:晶圓載台
120:置放面
121:旋轉軸
13:液體噴管
14:旋轉馬達

Claims (9)

  1. 一種具冷卻及排屑效果之研磨機台,其包括: 一底板; 一晶圓載台,其可旋轉地設置在該底板上;以及 一個以上的液體噴管,其設置在該底板上且鄰近該晶圓載台的一側緣。
  2. 如請求項1所述之具冷卻及排屑效果之研磨機台,其中,該晶圓載台更包括: 一置放面,其設置在該晶圓載台的一面;以及 一旋轉軸,其設置在該晶圓載台的另一面,且從該另一面遠離該置放面朝外凸伸。
  3. 如請求項2所述之具冷卻及排屑效果之研磨機台,其中,該研磨機台更包括: 一旋轉馬達,其與該底板固接,並供該旋轉軸插設連接。
  4. 如請求項1所述之具冷卻及排屑效果之研磨機台,其中,該一個以上的液體噴管具有三個液體噴管,該等液體噴管設置在該晶圓載台的該側緣。
  5. 如請求項1所述之具冷卻及排屑效果之研磨機台,其中,該一個以上的液體噴管具有三個液體噴管,該等液體噴管彼此之間具有一間隔角度,以將該等液體噴管平均地設置在該晶圓載台的該側緣。
  6. 如請求項2所述之具冷卻及排屑效果之研磨機台,其中,該一個以上的液體噴管更包括: 一噴嘴,其與該晶圓載台係呈一角度設置。
  7. 如請求項6所述之具冷卻及排屑效果之研磨機台,其中,該噴嘴的一口徑係大於4公分。
  8. 如請求項7所述之具冷卻及排屑效果之研磨機台,其中,該一個以上的液體噴管係呈一L形,該L形的一端與該底板固接,且該L形的另一端設置該噴嘴。
  9. 如請求項7所述之具冷卻及排屑效果之研磨機台,其中,該噴嘴與該底板形成一第一高度,該置放面與該底板形成一第二高度,該第一高度係高於該第二高度。
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