TWM641749U - 距離感測模組 - Google Patents

Abstract

一種距離感測模組，包括第一基板、上蓋、發光單元及 至少一感測畫素。上蓋配置第一基板以形成容置空間。發光單元配置於容置空間中的發射端。感測畫素配置於容置空間中的接收端，且包括第二基板、多個感測區、導光層以及透光層。第二基板配置於容置空間中且具有頂面。多個感測區配置於第二基板內，並露出於頂面。導光層包括多個導光結構，各導光結構具有相對的第一側以及第二側。多個第二側連接多個感測區。導光層位於第二基板與透光層之間，多個第一側連接透光層。

Description

距離感測模組

本新型創作是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種距離感測模組。

在目前距離感測技術的應用中，從距離較遠的遙感地貌探測，至中距離的工廠自動化之無人搬運車、智慧機械、車輛輔助駕駛或無人車、無人機等，而至短距離的應用包括掃地機器人，手勢辨識裝置以及手機之人臉辨識系統等，極其廣泛，無所不在。近年來突飛猛進的發展，主要是受到該技術在民生消費品以及車用電子應用的驅動所導致。在一般距離感測技術的應用中經常使用飛時測距(Time of Flight,ToF)感測裝置，藉由計算感測裝置發射光源到接收光源反射回來的時間差或相位差來計算感測裝置與待測物體間的距離。

在上述的飛時測距感測裝置中，可配置有多個感測畫素作為感測單元。然而，對於飛時測距感測裝置的感測元件而言，只有入射在感測區域的光線會被矽吸收，但因為感測區域面積僅占感測元件的一部分，所以將導致整體收光效率不佳。在目前的 架構中，可使用巨型微透鏡(Giant micro lens,GML)先會聚光線後傳遞給感光元件，藉此提高有效填充因子(Effective fill factor)。然而，經由巨型微透鏡聚焦之後的光斑，仍會有部分的光斑落在感測區域外，導致收光效率仍然不高。

本新型創作提供一種距離感測模組，可增加接收端接收感測光束時的收光效率，進而提升距離感測效果。

本新型創作提供一種距離感測模組，包括第一基板、上蓋、發光單元以及至少一感測畫素。上蓋配置於第一基板以形成容置空間。發光單元配置於容置空間中的發射端。至少一感測畫素配置於容置空間中的接收端。感測畫素包括第二基板、多個感測區、導光層以及透光層。第二基板配置於容置空間中且具有頂面。多個感測區配置於第二基板內，並露出於頂面。導光層配置於第二基板上，其中導光層包括多個導光結構，各多個導光結構具有相對的第一側以及第二側。多個第二側連接多個感測區。透光層配置於導光層上。導光層位於第二基板與透光層之間，多個第一側連接透光層。

基於上述，在本新型創作的距離感測模組中，距離感測模組的發射端包括發光單元及接收端的至少一感測畫素。其中，感測畫素包括第二基板、多個感測區、導光層以及透光層。導光層包括多個導光結構，用以使感測光束傳遞至導光層中的多個導 光結構時，可通過全反射的原理將感測光束集中入射到感測區，進而減少感測光束的損失。如此一來，可增加收光量以提高感測光束的使用效率，進而提升距離感測模組的感測效果。

為讓本新型創作的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

50:距離感測模組

60:第一基板

70:發射端

72:發光單元

80:接收端

92:擋牆

94:上蓋

100,100A~100G,100D1:感測畫素

110:第二基板

120:感測區

121:非感測區

130:導光層

132,132A~132E:導光結構

134:介質結構

136:反射介面

140:透光層

150,150A:透鏡層

152,152A:透鏡

A1:第一側

A2:第二側

A3:側壁

C1,C2:中心線

E:焦平面

F:待感測目標

G1:間距

L:感測光束

O1,O2:窗口

S1:頂面

S2:入射面

圖1為本新型創作一實施例的距離感測模組的剖面示意圖。

圖2為圖1中距離感測模組的接收端的俯視示意圖。

圖3為本新型創作一實施例的感測畫素的剖面示意圖。

圖4為本新型創作一實施例的導光結構的立體示意圖。

圖5為本新型創作另一實施例的感測畫素的剖面示意圖。

圖6為本新型創作另一實施例的感測畫素的剖面示意圖。

圖7為本新型創作另一實施例的感測畫素的剖面示意圖。

圖8A為本新型創作另一實施例的感測畫素的剖面示意圖。

圖8B為本新型創作另一實施例的感測畫素的剖面示意圖。

圖9為本新型創作明另一實施例的感測畫素的剖面示意圖。

圖10為本新型創作另一實施例的感測畫素的剖面示意圖。

圖11為本新型創作另一實施例的感測畫素的剖面示意圖。

圖12A及圖12B分別為本新型創作不同實施例的導光結構的剖面示意圖。

圖1為本新型創作一實施例的距離感測模組的剖面示意圖。為方便說明，圖1所顯示各元件的數量及尺寸僅為示意。請參考圖1。距離感測模組50用以發出光線照射待感測目標F及感測從待感測目標F反射的光線，並通過計算光線的飛行時間(ToF)來測量距離感測模組50與待感測目標F間的距離。本實施例提供一種距離感測模組50，包括第一基板60、上蓋94、發光單元72以及至少一感測畫素100。其中，上蓋94配置於第一基板60以形成容置空間E，其中容置空間E具有發射端70以及接收端80。發光單元72配置於發射端70，且至少一感測畫素100配置於接收端80。發射端70用以對待感測目標F(例如手指)提供感測光束L(即發光單元72所提供，本新型創作並不限制發射端70中發光單元72的數量)，而接收端80用以接收由待感測目標F所反射的感測光束L以進行分析。

在本實施例中，距離感測模組50還包括擋牆92，且感測畫素100包括第二基板110。第二基板110設置於容置空間E且電連接第一基板60，第二基板110的材料例如是矽(Si)，具有頂面S1，此頂面S1為第二基板110遠離第一基板60的表面。擋牆92設置於容置空間E中且連接上蓋94，用以將容置空間E區隔為發射端70及接收端80。此外，上蓋94具有分別對應發射端70及接收端80的窗口O1、O2，發光單元72發射的光線通過窗口O1向 外發射至待感測目標F，而從待感測目標F反射的光線則通過窗口O2進入接收端80。此外，擋牆92可與上蓋94一體成形或分開成形，本新型創作並不限於此。

圖2為圖1中距離感測模組的接收端的俯視示意圖。請同時參照圖1及圖2。本實施例所顯示的感測畫素100可應用於圖1所顯示的接收端80中，其中感測畫素100在接收端80中的配置數量可以是單個或多個，本新型創作並不限於此，以下以多個感測畫素100說明為例。接收端80的多個感測畫素100可以陣列方式排列。例如感測畫素100可排列為3x3的陣列並共用第二基板110，但本新型創作對於感測畫素100的排列方式不限。此外，每個感測畫素100中可包括感測區120及位於感測區120周遭的非感測區121。如圖2所示，每個感測畫素100可包括排列為2x2陣列的四個感測區120，各感測區120之間可能具有間隙(即非感測區121)，感測區120用以感測光信號。非感測區121則可包括用以讀取感測區120所感測光信號的電路區及感測區120周遭的淨空區。因此，感測區120所組成的陣列不必然中心對齊感測畫素100，且感測區120陣列的面積亦可能小於感測畫素100的面積。意即，感測區120可與感測畫素100中的其他構件(例如透鏡)形成錯位配置。感測畫素100的具體結構將於後續段落更詳細說明。

圖3為本新型創作一實施例的感測畫素的剖面示意圖。請參考圖1及圖3。在本實施例中，感測畫素100包括第二基板 110、多個感測區120、導光層130、透光層140以及透鏡層150。值得一提的是，在本實施例中，感測畫素100的數量為多個，設置於距離感測模組50的接收端80，且多個感測畫素100共用同一個第二基板110，如圖1所顯示。每個感測畫素100的多個感測區120配置於第二基板110內，並露出於第二基板110的頂面S1，但本新型創作並不限於此。本例的感測區120排列為2x2陣列，而圖3顯示出其中2個感測區120。具體而言，每個感測區120具有入射面S2，且入射面S2與第二基板110的頂面S1可共平面。此外，如圖1所顯示，第二基板110可由容置空間E中的接收端80延伸至發射端70，並且於位在發射端70區域配置一參考光感測元件(未顯示)，用以在發射端70對發光單元72所提供的感測光束L進行額外的感測，以利後續的距離計算使用。

圖4為本新型創作一實施例的導光結構的立體示意圖。請參考圖3及圖4。導光層130配置於第二基板110及透光層140之間，其中導光層130包括多個導光結構132，其材料例如為氮化物、磷化物、砷化物等。各導光結構132具有相對的第一側A1以及第二側A2，各導光結構132的第一側A1連接透光層140，各導光結構132的第二側A2連接所述的多個感測區120。換言之，各導光結構132的第一側A1在導光層130與透光層140的交接處共平面，而各導光結構132的第二側A2在導光層130與第二基板110的交接處共平面，且第二側A2的正投影與相對應感測區120的入射面S2完全重疊。具體而言，各導光結構132還具有側壁 A3，連接並環繞於第一側A1以及第二側A2之間。在本實施例中，如圖4所示，第一側A1的面積大於第二側A2的面積，第二側A2在第二基板110上的正投影完全重疊於第一側A1在第二基板110上的正投影。更進一步地，第二側A2在第二基板110上的正投影中心對齊於第一側A1在第二基板110上的正投影中心，也就是第一側A1與第二側A2中心對齊。舉例而言，在本實施例中，多個導光結構132的外型為平頭多角錐體，如圖所顯示的四角柱。然而在不同的實施例中，多個導光結構132的外型也可設計為六角柱/錐、八角柱/錐，或平頭圓錐體等圓柱/錐，本新型創作並不限於此。

請再參閱圖3，具體而言，導光層130還包括介質結構134，其材料例如為氧化物，圍繞導光層130中的多個導光結構132。其中，導光結構132的折射率大於介質結構134的折射率。具體而言，在本實施例中，當發光單元72發射的是波長940nm的光線，導光結構132的折射率例如為1.9，介質結構134的折射率例如為1.45。當發光單元72發射的是不同波段的光線時，導光結構132與介質結構134的折射率會隨之略有不同，例如當發光單元72發射的是550nm的光線時，導光結構132及介質結構134的折射率分別例如為1.92及1.46，但本新型創作並不限於此。由於導光結構132的折射率大於介質結構134，因此，進入導光層130的光線將藉由導光結構132的引導，自第一側A1傳導至第二側A2後入射到感測區120。其中，通過第一側A1的感測光束中， 一部分不碰到側壁A3而直接經第二側A2進入感測區120，另一部分則在傳遞到側壁A3後，因導光結構132的折射率大於側壁A3外的介質結構，使得感測光束產生全反射而從側壁A3反射至第二側A2以進入感測區120。在本實施例中，多個導光結構132的配置位置及數量對應於多個感測區120。

透光層140由透光材料製成，例如為二氧化矽(SiO₂)、氮化矽(SiN)、樹脂類聚合物或光阻等介電質，其折射率例如為1.52。透光層140配置於導光層130與透鏡層150之間，可做為透鏡層150及導光層130的接合介質，以穩固連接導光層130及透鏡層150。透鏡層150包括至少一透鏡152，配置於透光層140上。在本實施例中，透鏡層150中透鏡152的數量為多個，其中透鏡152的數量與感測畫素100中感測區120的數量相同，且這些透鏡152的配置的位置對應於多個導光結構132。另外，在本實施例中，這些透鏡152的焦平面E重疊於導光結構132的第一側A1，且多個透鏡152的中心線C1與多個第一側A1的中心線C2具有間距G1。其中，可依照透鏡152的焦距搭配設計透光層140的厚度，以使透鏡152的焦平面E與導光結構132的第一側A1重疊。此外，所謂中心線C1、C2即分別為通過透鏡152及第一側A1的中心點且垂直於水平方向上的虛擬線。換言之，透鏡152與相對應的導光結構132呈現離軸(off-axis)設計：透鏡152在第二基板110上的正投影之幾何中心與對應的第一側A1在第二基板110上的正投影之幾何中心不重疊；亦即透鏡152與第一側A1並非中心對 齊。值得一提的是，由於本實施例中第一側A1、第二側A2及感測區120中心對齊，而透鏡152與第一側A1並非中心對齊，故可見透鏡152與第二側A2、感測區120亦非中心對齊。

因此，當感測光束L自發射端70出射，並經由待感測目標F反射至接收端80而進入感測畫素100時，感測光束L依序由透鏡層150、透光層140及導光層130傳遞至對應的感測區120。其中，感測光束L傳遞至導光層130時，通過第一側A1範圍內而進入導光結構132的感測光束L，可藉由全反射而經側壁A3反射到第二側A2所對應的感測區120，進而減少感測光束L的損失。如此一來，因感測區120未與透鏡152中心對齊，以致原本在無導光結構132時經透鏡152會聚後無法入射到感測區120的部分感測光束L，可通過導光結構132的引導而入射到感測區120，增加收光效率，進而提升感測畫素100的感測效果。

圖5為本新型創作另一實施例的感測畫素的剖面示意圖。請參考圖5。本實施例的感測畫素100A類似於圖3所顯示的感測畫素100。兩者不同之處在於，在本實施例中，一個感測畫素100A的感測區120的數量仍為多個(例如四個)，但透鏡層150A中透鏡152的數量為一個，例如是巨大微透鏡(Giant Micro Lens)，且覆蓋多個感測區120，亦即多個感測區120共用一個透鏡152。透鏡152的中心線C1與多個第一側A1的中心線C2都具有間距G1。換句話說，透鏡152與多個導光結構132間呈現離軸設計。當感測光束L傳遞至導光層130時，各導光結構132可將 通過第一側A1的光束藉由全反射引導至相應的第二側A2以入射到感測區120，使光線盡量集中入射到感測區120而非感測區120以外的區域，進而減少感測光束L的損失。以本實施例來說，在未設置導光結構132的情況下，感測光束L透鏡152會聚後，有部分的光束將傳遞到多個感測區120之間的非感測區而造成浪費。藉由本實施所公開的導光層130，可有效收集被會聚的光線到感測區120，提高感測光束L的使用效率，進而提升感測畫素100A的感測效果。

圖6為本新型創作另一實施例的感測畫素的剖面示意圖。請參考圖6。本實施例的感測畫素100B類似於圖3所顯示的感測畫素100。兩者不同之處在於，在本實施例中，多個透鏡152的焦平面與多個第一側A1具有間隔。透鏡152的焦平面例如是設計於鄰近第二側A2處或其他位置上，本新型創作並不限於此。因此，相較於透鏡152的焦平面重疊於第一側A1，本實施例中的感測光束L從透光層140到導光層130交界面的入射角度較小，因此通過第一側A1的感測光束L在導光結構132中有越多部分可直接入射到感測區120，而另一部分傳遞到側壁A3的光束與側壁A3的法線間的角度亦越容易大於臨界角而發生全反射，進而從側壁A3反射到感測區120。因此可降低在側壁A3上未產生全反射所造成的損失，更進一步提升感測光束L的使用效率。

圖7為本新型創作另一實施例的感測畫素的剖面示意圖。請參考圖7。本實施例的感測畫素100C類似於圖5所顯示的 感測畫素100A。兩者不同之處在於，在本實施例中，透鏡152的焦平面與多個第一側A1具有間隔。透鏡152的焦平面例如是設計於鄰近第二側A2處或其他位置上，本新型創作並不限於此。感測光束L傳遞至導光層130中的多個導光結構132時，相較於圖5所示的感測畫素，可減少因在側壁A3上未產生全反射所造成的光量損失，進而提升感測光束L的使用效率。相關原理已於前段說明，於此不再贅述。如此一來，感測光束L可較集中入射到感測區120而非感測區120以外的淨空或電路區，進而減少感測光束L的損失，可增加收光效率以提高感測光束L的使用效率，進而提升感測畫素100C的感測效果。

圖8A為本新型創作另一實施例的感測畫素的剖面示意圖。請參考圖8A。本實施例的感測畫素100D類似於圖3所顯示的感測畫素100。兩者不同之處在於，在本實施例中，多個導光結構132A的第二側A2在第二基板110上的正投影僅部份重疊於多個導光結構132A的第一側A1在第二基板110上的正投影。此外，多個透鏡152的中心線C1重疊於多個第一側A1的中心線C2。在本實施例中，多個導光結構132A的第一側A1的面積相等於第二側A2的面積。以橫截面而言，多個導光結構132A呈現平行四邊形。因此，當感測光束L由多個透鏡152朝多個導光結構132A傳遞時，由於第一側A1與透鏡152中心對齊，經透鏡152會聚後的感測光束L可更易於傳遞進入多個導光結構132A內，並引導光束傳遞到未與透鏡152對齊的第二側A2後入射感測區120。如此一 來，感測光束L可較集中入射到感測區120，增加感測畫素100D的收光及感測效果。

在不同實施例中，導光結構132A的橫截面仍呈現平行四邊形，但其第一側A1與透鏡152可以不是中心對齊，以便依照需求使感測光束L更容易在導光結構132A中發生全反射。在其他實施例中，感測畫素100D亦可配置為類似圖6所示，使透鏡152的焦平面與導光結構132A多個第一側A1具有間隔。又或在另一實施例中，感測畫素100D更可配置為如圖5或圖7所示，在透鏡層150中以一個透鏡152A覆蓋感測畫素100D中的多個感測區120。本新型創作對上述變化不做限制。

圖8B為本新型創作另一實施例的感測畫素的示意圖。請參考圖8B。本實施例的感測畫素100D1類似於圖8A所顯示的感測畫素100D。兩者不同之處在於，在本實施例中，多個導光結構132B的第一側A1的面積大於第二側A2的面積。以橫截面而言，多個導光結構132B呈現倒梯形，所述倒梯形的第二側A2與側壁A3所形成的兩個夾角其中之一可為銳角(如圖8B所示)，更有利於產生全反射的效果。因此，相較於圖8A實施例的感測畫素100D，本實施例可使感測光束L更易於傳遞進入多個導光結構132B內。如此一來，感測光束L可較集中入射到感測區120而非感測區120以外的淨空或電路區，進而減少感測光束L的損失，可增加收光效率以提高感測光束L的使用效率，進而提升感測畫素100D1的感測效果。

在不同實施例中，導光結構132B呈現倒梯形，但其第一側A1與透鏡152可以不是中心對齊，例如使第一側A1面積更向外擴大，以便接收更多的感測光束L。在其他實施例中，感測畫素100D1亦可配置為類似圖6所示，使透鏡152的焦平面與導光結構132B多個第一側A1具有間隔。又或在另一實施例中，感測畫素100D1更可配置為如圖5或圖7所示，在透鏡層150中以一個透鏡152A覆蓋感測畫素100D1中的多個感測區120。本新型創作對上述變化不做限制。

圖9為本新型創作另一實施例的感測畫素的示意圖。請參考圖9。本實施例的感測畫素100E類似於圖3所顯示的感測畫素100。兩者不同之處在於，在本實施例中，多個導光結構132C的側壁A3中朝向相鄰導光結構132C的部分側壁A3設計改為垂直面。意即，多個導光結構132C中朝向感測畫素100E中心的側壁A3為垂直面。如此一來，除了可進一步增加感測光束L的使用效率，進而提升感測畫素100D的感測效果之外，還可以降低製程難度以提高良率。

在不同實施例中，可設置導光結構132C的第一側A1的面積及位置，使第一側A1與透鏡152中心對齊。此外，在其他實施例中，感測畫素100E亦可配置為類似圖6所示，使透鏡152的焦平面與導光結構132C多個第一側A1具有間隔。又或在另一實施例中，感測畫素100E更可配置為如圖5或圖7所示，在透鏡層150中以一個透鏡152A覆蓋感測畫素100E中的多個感測區120。 本新型創作對此不做限制。

圖10為本新型創作另一實施例的感測畫素的示意圖。請參考圖10。本實施例的感測畫素100F類似於圖3所顯示的感測畫素100。兩者不同之處在於，在本實施例中，省略配置了透鏡層150，因此可適用於不同的需求中，例如可設置於薄型的光感測裝置中。值得一提的是，前述所有實施例中的透鏡層150亦可如圖10進行省略以形成不同實施例，本新型創作並不限於此。省略透鏡層的感測畫素除仍可藉由前述各實施例中導光層的結構，將通過第一側A1的感測光束L傳遞到感測區120，而達到提升收光效率的功效。具體而言，通過第一側A1的感測光束L中，部分光束可直傳遞到第二側A2而入射到感測區120，另一部分光束則可藉由側壁A3產生全反射後再傳到第二側A2並入射感測區120。此外，省略透鏡層可縮減感測畫素整體的高度，適用於對感測畫素的高度要求較嚴格的薄型光感測模組；此外還具有製作上較易、降低成本等優點。

圖11為本新型創作另一實施例的感測畫素的示意圖。請參考圖11。本實施例的感測畫素100G類似於圖10所顯示的感測畫素100F。兩者不同之處在於，在本實施例中，導光層130還包括反射介面136，配置於多個導光結構132的多個側壁A3。換言之，導光層130中的反射介面136設置在各導光結構132與介質結構134之間。舉例而言，反射介面136例如為金屬。因此，藉由配置利於反射感測光束的反射介面136，可進一步提高感測光束 L在多個導光結構132內的反射效果。前述所有實施例中的導光層130中，亦皆可配置如圖11所示的反射介面136於導光結構132的側壁A3，進一步提高感測光束L通過導光結構132入射到感測區120的效果。

圖12A及圖12B分別為本新型創作不同實施例的導光結構的剖面示意圖。請參考圖12A及圖12B。除了前述實施例的導光結構132、132A、132B、132C之外，例如在透鏡與相應的導光結構的第一側A1及第二側A2皆中心對齊時，亦可將導光結構設計為第一側A1小於第二側A2的平頭多角錐體(如圖12A所示導光結構132D)或第一側A1與第二側A2相等且其投影完全重疊的柱狀體(如圖12B所示導光結構132E)，以便利用導光結構132D、132E將來自感測畫素外部的感測光束引導或反射至相應的感測區，本新型創作並不限於此。

綜上所述，在本新型創作的距離感測模組中，距離感測模組的發射端包括發光單元及接收端的至少一感測畫素。其中，感測畫素包括第二基板、多個感測區、導光層以及透光層。導光層包括多個導光結構，用以使感測光束傳遞至導光層中的多個導光結構時，可通過全反射的原理將感測光束集中入射到感測區，進而減少感測光束的損失。如此一來，可增加收光量以提高感測光束的使用效率，進而提升距離感測模組的感測效果。

雖然本新型創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 本新型創作的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

50:距離感測模組

60:第一基板

70:發射端

72:發光單元

80:接收端

92:擋牆

94:上蓋

100:感測畫素

110:第二基板

120:感測區

F:待感測目標

L:感測光束

O1,O2:窗口

Claims (10)

1. 一種距離感測模組，包括： 第一基板； 上蓋，配置於所述第一基板以形成一容置空間； 發光單元，配置於所述容置空間中的發射端；以及 至少一感測畫素，配置於所述容置空間中的接收端，所述至少一感測畫素包括： 第二基板，配置於所述容置空間中且具有頂面； 多個感測區，配置於所述第二基板內，並露出於所述頂面； 導光層，配置於所述第二基板上，其中所述導光層包括多個導光結構，各所述多個導光結構具有相對的第一側以及第二側，所述多個第二側連接所述多個感測區；以及 透光層，配置於所述導光層上，所述導光層位於所述第二基板與所述透光層之間，所述多個第一側連接所述透光層。
2. 如請求項1所述的距離感測模組，其中所述導光層還包括介質結構，圍繞所述多個導光結構，所述多個導光結構的折射率大於所述介質結構的折射率。
3. 如請求項1所述的距離感測模組，其中所述第一側的面積大於或等於所述第二側的面積。
4. 如請求項1所述的距離感測模組，其中所述第二側在所述第二基板上的正投影完全重疊於所述第一側在所述第二基板上的正投影。
5. 如請求項4所述的距離感測模組，其中所述第二側在所述第二基板上的正投影中心對齊於所述第一側在所述第二基板上的正投影中心。
6. 如請求項1所述的距離感測模組，其中所述第二側在所述第二基板上的正投影僅部份重疊於所述第一側在所述第二基板上的正投影。
7. 如請求項1所述的距離感測模組，其中所述多個導光結構的外型為平頭多角錐體或平頭圓錐體。
8. 如請求項1所述的距離感測模組，其中各所述多個導光結構還具有至少一側壁，連接於所述第一側以及所述第二側，所述導光層還包括反射介面，配置於所述多個導光結構的所述多個側壁，所述反射介面為金屬或空氣層。
9. 如請求項1所述的距離感測模組，還包括： 擋牆，設置於所述容置空間中，以將所述容置空間區隔為所述發射端及所述接收端。
10. 如請求項1所述的距離感測模組，其中所述至少一感測畫素的數量為多個，且所述多個感測畫素共用同一個所述第二基板。

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