TWI790717B - 降低腔內雜散光干擾的tof光學感測模組 - Google Patents

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Abstract

一種TOF光學感測模組至少包含：一基板；一帽蓋，至少包含一本體以及與本體連接的一接收窗、一發射窗及一擋板結構，其中本體與基板共同定義出一腔體；以及一收發單元，位於腔體中，發出量測光，並且通過接收窗接收感測光，其中擋板結構位於發射窗與接收窗之間，以配合收發單元將腔體分割成分別位於接收窗與發射窗下方且不相連通的一接收腔體與一發射腔體，其中收發單元至少包含一光參考區，光參考區包含：至少一參考像素，參考像素設置於擋板結構下方；以及一導光結構，光耦合至參考像素及發射腔體，使參考像素通過發射腔體及導光結構接收參考光以產生一參考電信號。

Description

降低腔內雜散光干擾的TOF光學感測模組
本發明是有關於一種飛行時間(Time Of Flight,TOF)光學感測模組，且特別是有關於一種降低腔內雜散光干擾的TOF光學感測模組。
現今的智能電話、平板電腦或其他手持裝置搭配有光學模組，來達成手勢偵測、三維(3D)成像或近接偵測或者相機對焦等功能。操作時，TOF感測器向場景中發射近紅外光，利用光的飛行時間信息，測量場景中物體的距離。TOF感測器的優點是深度信息計算量小，抗干擾性強，測量範圍遠，因此已經漸漸受到青睞。
TOF感測器的核心組件包含：光源，特別是紅外線垂直共振腔面射雷射(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)；光感測器，特別是單光子雪崩二極體(Single Photon Avalanche Diode,SPAD)；和時間至數位轉換器(Time to Digital Converter,TDC)。SPAD是一種具有單光子探測能力的光電探測雪崩二極體，只要有微弱的光信號就能產生電流。TOF感測器中的VCSEL向場景發射脈衝波，SPAD接收從目標物體反射回來的脈衝波，TDC記錄發射脈衝和接收脈衝之間的時間間隔，利用飛行時間計算待測物體的深度信息。
圖1顯示一種傳統的TOF光學感測模組300的示意圖。如圖1所示，TOF光學感測模組300包含一帽蓋(cap)310、一發光單元320、一感測器晶片330及一基板350。基板350譬如是印刷電路板，包括一個或 多個絕緣層和導電層(未顯示)。基板350上通過黏膠材料設置發光單元320及感測器晶片330。發光單元320及感測器晶片330電連接至基板350。感測器晶片330上形成有至少一參考像素331及至少一感測像素341。光學感測模組300更包含用於發送、接收和處理電信號的控制處理電路，譬如是積體電路，用來控制發光單元320的光線發射、參考像素331的光線接收、感測像素341的光線接收以及參考像素331與感測像素341接收光線後所產生的電信號的處理。帽蓋310具有一發射窗314及一接收窗312，並且設置於基板350的上方，以將基板350上的發光單元320及感測器晶片330容置於帽蓋310的一腔室315中。發光單元320發出量測光L1通過發射窗314到達物體(未顯示)，感測像素341通過接收窗312接收物體反射之感測光L3。量測光L1被帽蓋310反射後產生參考光L2朝參考像素331行進，故參考光L2也稱為腔內反射的光線。可以理解的，有一部分的參考光L2會繼續在腔室315內反射而被感測像素341接收，進而干擾了感測像素341的感測結果。因此，如何降低雜訊干擾，實為本案所欲解決的問題。
因此，本發明的一個目的是提供一種降低腔內雜散光干擾的TOF光學感測模組，藉由適當地設計腔內的擋板結構，可以有降低腔內雜散光對感測像素的干擾，讓距離感測結果更加穩定及準確。
為達上述目的，本發明提供一種TOF光學感測模組，至少包含：一基板；一帽蓋，至少包含一本體以及與本體連接的一接收窗、一發射窗及一擋板結構，其中本體與基板共同定義出一腔體；以及一收發單元，位於腔體中，發出量測光，並且通過接收窗接收感測光，其中擋板結構位於發射窗與接收窗之間，以配合收發單元將腔體分割成分別位於接收 窗與發射窗下方且不相連通的一接收腔體與一發射腔體，其中收發單元至少包含一光參考區，光參考區包含：至少一參考像素，參考像素設置於擋板結構下方；以及一導光結構，光耦合至參考像素及發射腔體，使參考像素通過發射腔體及導光結構接收參考光以產生一參考電信號。
藉由上述的TOF光學感測模組，利用互不連通的接收腔體與發射腔體，除了可以阻絕接收腔體與發射腔體的互相干擾以外，也可以配合導光結構讓參考像素設置在擋板結構的正下方，可以保護參考像素，隔離參考像素與發光單元，降低參考像素受到發光單元的熱干擾。
為讓本發明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
A1:第一光軸
A2:第二光軸
F:目標物
G1:參考端角度導光結構
G2:感測端角度導光結構
L1:量測光
L2:參考光
L3:感測光
10:帽蓋
10A:不透光區
11:腔體
11A:發射腔體
11B:接收腔體
12:接收窗
13:擋板結構
14:發射窗
15:周緣
16:本體
17:內表面
18:外表面
20:發光單元
30:光參考區
31:參考像素
31C:中心線
32:第一遮光層
32W:導光結構
33:第一參考光孔
34:第二遮光層
35:第二參考光孔
36:第三遮光層
38:透明介質層組
38a,38b,38c:透明介質層
39:參考微透鏡
40:光感測區
41:感測像素
43:第一感測光孔
44:感測晶片
44A:像素基板
44B:導光結構
44C:凹槽
44D:側壁
45:第二感測光孔
46:第二擋板結構
47:縱向阻光結構
49:感測微透鏡
50:基板
90:收發單元
100:TOF光學感測模組
300:TOF光學感測模組
310:帽蓋
312:接收窗
314:發射窗
315:腔室
320:發光單元
330:感測器晶片
331:參考像素
341:感測像素
350:基板
〔圖1〕顯示一種傳統的TOF光學感測模組的示意圖。
〔圖2A〕與〔圖2B〕顯示依據本發明較佳實施例的TOF光學感測模組的兩個例子的示意圖。
〔圖3〕顯示〔圖2B〕的TOF光學感測模組的局部剖面示意圖。
〔圖4〕至〔圖6〕顯示〔圖3〕的TOF光學感測模組的數個變化例的局部剖面示意圖。
〔圖7A〕至〔圖8C〕顯示〔圖2B〕的TOF光學感測模組的數個變化例的示意圖。
〔圖9〕顯示〔圖7C〕的TOF光學感測模組的變化例的示意圖。
〔圖10A〕至〔圖10C〕顯示〔圖3〕的TOF光學感測模組的數個變化例的局部剖面示意圖。
本發明的一樣態是採用一種晶圓級製程，在光感測晶片上面製作至少一種特定角度的導光結構(圖2A至圖6)，可以藉此將在封裝體結構內傳導的雜散光干擾降至最低，進而提高感測像素的信噪比(Signal to Noise Ratio,SNR)，解決上述習知技術的問題。在兩種特定角度的導光結構的例子中，具體實施是利用晶圓級製作的微透鏡配合晶圓級製作的遮光層來製作參考端角度導光結構來導引腔內反射的光線(其通常為一斜向入射光)進入參考像素，同時製作了感測端角度導光結構以避免腔內反射的光線進入感測像素，如此可避免腔內反射的雜散光，甚至大幅減少來自外界各方向的雜散光進入感測像素中，讓飛行時間的偵測及計算過程簡化，得到精確的深度信息或距離信息。
本發明的另一樣態是採用一種封裝製程，也可以是晶圓級封裝製程，在封裝帽蓋的內側製作擋板結構，可以製作出局部互通的接收腔體與發射腔體(圖7A至圖9)，可以讓製程控制變得容易、簡化製造流程、提升結構的穩定度、降低接收腔體與發射腔體之間的環境條件差異以提升光學感測的穩定度，並可以降低雜散光干擾，進而提高感測像素的信噪比。
本發明的又另一樣態是採用一種封裝製程，也可以是晶圓級封裝製程，在封裝帽蓋的內側製作擋板結構(圖10A至圖10C)，可以製作出互不連通的接收腔體與發射腔體，除了可以阻絕接收腔體與發射腔體的互相干擾以外，也可以配合導光結構讓參考像素設置在擋板結構的正下方，可以保護參考像素，隔離參考像素與發光單元，降低參考像素受到發光單元的熱干擾。可以理解的，上述三個樣態可以單獨使用，也可以組合使用。
圖2A與圖2B顯示依據本發明較佳實施例的TOF光學感測模組的兩個例子的示意圖。圖3顯示圖2B的TOF光學感測模組的局部剖 面示意圖。圖2A與圖2B的差異在於圖2A的參考像素的上方沒有設置對應的角度導光結構。如圖2A所示，一種TOF光學感測模組100至少包含一帽蓋10及一收發單元90。收發單元90包含一發光單元20、一光感測區40及一可選的光參考區30，其中光參考區30靠近發光單元20而光感測區40較遠離發光單元20。光感測區40與光參考區30形成於一感測晶片44中。以另一觀點來看，感測晶片44包含一像素基板44A及位於像素基板44A上方的一角度導光結構44B。光參考區30的至少一參考像素31形成於像素基板44A中，用於接收光線；以及光感測區40的至少一感測像素41形成於像素基板44A中，用以通過角度導光結構44B接收來自特定角度範圍的光線。上述像素的一部分為光敏結構，例如光電二極體、雪崩二極體(Avalanche Photo Diode,APD)等等，在本實施例其為SPAD，像素的其他部分為感測電路，用於處理來自於光敏結構的電信號。感測晶片44的製造可以是使用例如互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)製程，例如採用前面照度(Front Side Illumination,FSI)或背面照度(Back Side Illumination,BSI)製程，抑或者其他的半導體製程，本發明並不以此為限。此外，TOF光學感測模組100可以更包含一基板50。發光單元20與感測晶片44的光參考區30及光感測區40設置於基板50上，帽蓋10具有倒U形結構而覆蓋基板50上以形成一腔體11，使發光單元20、光參考區30與光感測區40容納於腔體11中。基板50包括一個或多個絕緣層和導電層，例如是印刷電路板或陶瓷基板等等。
像素基板44A的材料可以包含半導體材料，半導體材料例如矽、鍺、氮化鎵、碳化矽、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦、銻化銦、矽鍺合金、磷砷鎵合金、砷鋁銦合金、砷鋁鎵合金、砷銦鎵合金、磷銦鎵合金、磷砷銦鎵合金或上述材料的組合。像素基板上可以更包括一個或多 個電氣元件(如積體電路)。積體電路可以是類比或數位電路，類比或數位電路可以被實現為在晶片內形成並且根據晶片的電氣設計與功能而達成電連接的主動元件、被動元件、導電層和介電層等等。像素基板可以通過打線或導電凸塊電連接至基板50，進而電連接至外部以及發光單元20，藉此控制發光單元20、光參考區30與光感測區40的操作，並提供信號處理的功能。
帽蓋10至少包含一個不透光的本體16以及與本體16連接的一接收窗12及一發射窗14。本體16與基板50共同定義腔體11、一個包覆著腔體11的內表面17及一個暴露於外界環境的外表面18。於一例子中，腔體11為一透明模料所製造的實心體，本體16為一不透明的材料所製造，例如不透明模料或金屬等等，並覆蓋於該透明模料的腔體11上，僅露出對應於接收窗12及發射窗14部分的透明模料。於另一例子中，腔體11為空氣(可以包含高於或低於一大氣壓)。可以理解的，在此實施例中，帽蓋10可以事先製成並黏貼於基板50上，例如，部分或全部藉由射出成型的方法，直接形成在基板50上。接收窗12及發射窗14可以是穿透的中空開口或者具有特殊光學功能的光學器件，例如特定波長的光學濾波器等等，或者具有例如散光或聚光功能的鏡頭或繞射元件等等，抑或多個光學功能的結合，例如前兩者等等。
發光單元20設置於基板50上，並對應地位於發射窗14的下方，並發出量測光L1，量測光L1的一部分通過發射窗14經過一段距離後照射在帽蓋10上方的目標物F並從目標物F反射輸出感測光L3，其中目標物F包含生物體及非生物體。部分的感測光L3會透過接收窗12而被感測晶片44的光感測區40接收並轉換成電信號。光感測區40設置於接收窗12的下方，用於通過接收窗12接收感測光L3以產生一感測電信號。然 而光感測區40接收到的信號必須要參照一基準點才能計算出目標物F的距離，由飛行時間公式，可以得到2L=C△t，其中L為光學感測模組100到目標物F的距離，C為光速，△t為光跑的時間(在此定義為從發射到接收的時間)。因此除了光感測區40要能將感測光L3轉成電信號以外，最好也要透過光參考區30得到量測光L1發射時的時間起始點。然而，於另一例子中，也可以依據發光單元20被控制發光的時間點當作量測光L1發射時的時間起始點，或時間起始點加上一個預定的延遲時間作為飛行時間計算的依據。由於發光單元20具有一定的發散角度，因此量測光L1的另一部分在帽蓋10的腔體11內反射而產生參考光L2，會有部分特定角度的參考光L2被光參考區30接收，藉以獲得時間起始點(封裝體結構內反射的走距相較於物體偵測的距離(2L)是可以被忽略的，因此可以設定光參考區30接收到參考光L2的時間點為時間起始點)。因此，收發單元90位於腔體11中，發出量測光L1通過發射窗14，並且通過接收窗12接收感測光L3。於一例子中，發光單元20被配置成以特定頻率或頻率範圍發射輻射，例如發射紅外(Infrared,IR)線。於數個例子中，發光單元20為VCSEL或發光二極體(Light-Emitting Diode,LED)(例如紅外線LED)。發光單元20可以通過黏著材料被固定至基板50的上表面，並且可以通過例如打線或導電凸塊而電連接至基板50。圖2A的角度導光結構44B的側壁設置有縱向阻光結構47，可以阻擋雜散光進入角度導光結構44B中，避免干擾。雖然參考光L2會朝向光感測區40行進，但是由於導光結構44B的設計，使得參考光L2不會進入感測像素41中。有關導光結構44B的配置的一例，由於與圖2B相同，故將配合圖2B與圖3來說明。
如圖2B與圖3所示，光參考區30設置於靠近發光單元20的腔體11中，並位於帽蓋10的不透光區10A(位於透光區的發射窗14與接 收窗12之間)的下方，並更包含一參考端角度導光結構G1，其形成於像素基板44A上，並且構成角度導光結構44B的一部分，且包含位於參考像素31的上方的至少一第一遮光層32的一第一參考光孔33及至少一參考微透鏡39，用於將參考光L2導引至參考像素31，使參考像素31產生一參考電信號。第一遮光層32可以是由金屬材料或非金屬材料所製成。參考微透鏡39位於第一遮光層32的第一參考光孔33的上方。在本實施例中，參考微透鏡39之中心線與第一參考光孔33之中心線被設計成不對準，使得一第一特定角度範圍的參考光L2可以通過參考微透鏡39及第一參考光孔33聚焦於參考像素31。因此，藉由參考微透鏡39與第一參考光孔33的設置，可以提供一種可控角度準直結構(Angle Controllable Collimator，簡稱ACC)作為光參考區30的參考端角度導光結構G1。
如圖2A、圖2B、圖3與圖4所示，光感測區40設置於接收窗12的下方，且更包含一感測端角度導光結構G2，其包含第一遮光層32的一第一感測光孔43以及至少一感測微透鏡49，其中圖4僅用於說明光感測區40可以具有兩個以上的感測像素41及感測微透鏡49。感測微透鏡49位於第一遮光層32的第一感測光孔43的上方。感測微透鏡49的中心線與第一感測光孔43的中心線呈對準關係(在此謹以此中心線對準設計作為說明，但並不限定於此)，且感測光L3通過感測微透鏡49及第一感測光孔43聚焦於感測像素41。譬如，於圖3及圖4的例子中，感測光L3通過感測微透鏡49及第一感測光孔43聚焦於感測像素41，導光結構44B至少包含一透明介質層組38、第一遮光層32、參考微透鏡39及感測微透鏡49，且光感測區40與光參考區30形成一體的構造。因此，藉由感測微透鏡49與第一感測光孔43的設置，可以提供另一種ACC作為光感測區40的感測端角度導光結構G2。由於本發明藉由晶圓級製造同時完成光感測區 及光參考區的光學結構設計，因此圖中所示的遮光層或微透鏡可以是由相同製程完成。
可以理解的，參考像素31及感測像素41可各自被配置成單點、一維或二維陣列。光參考區30用於接收由帽蓋10反射來的第一特定角度範圍的參考光L2並將此參考光L2轉換成參考電信號；且光感測區40用於接收來自目標物F的第二特定角度範圍的感測光L3並將此感測光L3轉換成一感測電信號。於一例子中，光參考區30於一第一時間點T0接收到由帽蓋10反射來的參考光L2並執行光電轉換而產生參考電信號，其中參考光L2相對於光參考區30的一第一光軸A1為斜向光。另外，光感測區40設置於一第二時間點T1接收到來自目標物F所輸出的感測光L3並執行光電轉換而產生感測電信號，其中感測光L3相對於光感測區40的一第二光軸A2為第二特定角度範圍的光線，其中兩個特定角度範圍不同。雖然參考光L2有可能在感測晶片44與帽蓋10之間反射而到達光感測區40附近，但是藉由光感測區40的特定ACC設計，可以避免感測像素41接收到參考光L2。控制處理電路藉由上述飛行時間公式、第一時間點T0、第二時間點T1與光速C，即可得到目標物F與TOF光學感測模組100的距離。於本例子中，雖然所繪製的感測光L3是相對於入射法線(垂直於感測像素41的表面)的左右兩側呈現對稱的角度範圍的光線，但是並未將本發明限制於此。於另一例子中，感測光可以是相對於入射法線的左右兩側呈現不對稱的角度範圍的光線。於又另一例子中，感測光的角度範圍僅位於入射法線的右或左側。
於圖3與圖4中，透明介質層組38包含透明介質層38a與38b，透明介質層38a設置於參考像素31與第一遮光層32之間，而透明介質層38b設置於第一遮光層32與參考微透鏡39之間。此外，透明介質層 38a也設置於感測像素41與第一遮光層32之間，而透明介質層38b也設置於第一遮光層32與感測微透鏡49之間。因此，透明介質層組38可以是單層材料的型式存在或是以多層結構的型式存在。於一例中，透明介質層的材料例如SiO2等等介電材料或透明高分子等等。於另一例中，透明介質層可包含光固化材料(UV-Curable Material)、熱固化材料(Thermosetting Material)或上述的組合。例如，透明介質層可包含例如聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(Methyl Methacrylate)，PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、全氟環丁基(Perfluorocyclobutyl，PFCB)聚合物、聚亞醯胺(Polyimide，PI)、亞克力樹酯、環氧樹脂(Epoxy resins)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、聚乙烯(Polyethylene，PE)、聚苯乙烯(Polystyrene，PS)、聚氯乙烯(Polyvinyl Chloride，PVC)、其他適當的材料、或上述的組合。然而，本揭露內容並未受限於此。在另一實施例中，可設置一縱向阻光結構47在光感測區40與光參考區30之間的透明介質層組38中，以阻擋雜散光進入到感測像素41及參考像素31中。縱向阻光結構47與帽蓋10隔開一段距離，並設置於光參考區30與光感測區40之間，用於隔絕光參考區30與光感測區40的雜散光干擾。縱向阻光結構47的材料包含金屬與非金屬材料。可以理解的，縱向阻光結構47是屬於非必要的結構。
如圖5所示，本例子類似於圖3，差異點在於光參考區30及光感測區40更包含一第二遮光層34，以及透明介質層組38包含透明介質層38a、38b與38c。第二遮光層34屬於參考端與感測端角度導光結構的一部分，且位於第一遮光層32的上方，並分別具有第二參考光孔35及第二感測光孔45。透明介質層38a位於參考像素31與第一遮光層32之間以及位於感測像素41與第一遮光層32之間，透明介質層38b位於參考微透 鏡39與第二遮光層34之間以及位於感測微透鏡49與第二遮光層34之間，而透明介質層38c位於第二遮光層34與第一遮光層32之間。需注意的是，圖4的多個感測像素41的架構也可應用到圖5。於此情況下，參考微透鏡39的中心線、第一參考光孔33的中心線與第二參考光孔35的中心線三者都不對準，且參考光L2通過參考微透鏡39、第二參考光孔35及第一參考光孔33聚焦於參考像素31。因此，參考端角度導光結構G1包含參考微透鏡39、第一參考光孔33及第二參考光孔35。類似的，感測微透鏡49的中心線、第一感測光孔43的中心線與第二感測光孔45的中心線呈對準關係。如此一來，感測光L3可以通過感測微透鏡49、第二感測光孔45及第一感測光孔43聚焦於感測像素41。因此，感測端角度導光結構G2包含感測微透鏡49、第一感測光孔43及第二感測光孔45，用於阻止參考光L2進入感測像素41，並將感測光L3導引至感測像素41(透過接收窗12接收感測光L3進入感測像素41)，使感測像素41產生感測電信號。
如圖6所示，本例子類似於圖5，差異點在於光參考區30及光感測區40更包含一第三遮光層36，其也是屬於參考端與感測端角度導光結構的一部分。第三遮光層36位於第二遮光層34的上方、參考微透鏡39的周圍與感測微透鏡49的周圍，以遮擋雜散光免於進入參考像素31及感測像素41中。圖4的多個感測像素41的架構也可應用到圖6。
上述的第一至第三遮光層的材料可包含：金屬材料(譬如是積體電路製程的最後一道金屬材料)，例如鎢、鉻、鋁或鈦等，可通過例如化學氣相沉積、物理氣相沉積工藝(例如：真空蒸鍍工藝(Vacuum Evaporation Process)、濺鍍工藝(Sputtering Process)、脈衝激光沉積(Pulsed Laser Deposition，PLD))、原子層沉積(Atomic Layer Deposition，ALD)、其他適合的沉積工藝、或前述的組合，來毯覆性地形成遮光層。在一些實 施例中，遮光層可包含具有遮光特性的高分子材料，例如環氧樹脂、聚醯亞胺等。
於另一例子中，也可以結合帽蓋10的結構設計更進一步阻擋或限制參考光L2到達光感測區40。如圖7A所示，帽蓋10可以更包含一擋板結構13。擋板結構13連接至帽蓋10的本體16，並且位於第一光軸A1與第二光軸A2之間，或者是說是位於光感測區40和光參考區30之間，或位於發射窗14與接收窗12之間。感測晶片44和擋板結構13在一縱向方向上隔開。當然擋板結構13的延伸方向也可能因為製造或光學考量而有一角度偏移，而非真正的垂直方向。擋板結構13並未接觸該感測晶片44的上表面，使得擋板結構13與感測晶片44之間留有一空隙，可以說擋板結構13配合收發單元90將本感測模組的腔體11分割成分別位於接收窗12與發射窗14下方且局部互通的一接收腔體11B及一發射腔體11A，使得光感測區40位於接收腔體11B中，並使得光參考區30及發光單元20位於發射腔體11A中。擋板結構13可以更進一步限制更多來自發射腔體11A的參考光L2到達或進入接收腔體11B中的光感測區40，用於避免光感測區40依據參考光L2而產生雜散光信號，如此可降低發射腔體11A對接收腔體11B造成的雜散光干擾，亦即，降低位於發射腔體11A中的發光單元20造成的雜散光對位於接收腔體11B中的光感測區40的干擾。擋板結構13具有鋸齒狀結構，並且與本體16形成一體成型結構。鋸齒狀結構具有多個斜面，面向光參考區30，可以把雜散光往右邊反射，使雜散光不會進入到光感測區40，提供多重的雜散光剔除效果。因此，擋板結構13沒有將腔體11分割成兩個互不連通的空間，這種設計在封裝製程上較好控制，因為封裝上使用模具來形成倒U形結構，倒U形結構的四周與基板50接觸才能形成帽蓋10的周緣15，但是若擋板結構13的鋸齒還要與感測晶片44直接 接觸，在公差上的要求必須是非常高，且鋸齒因為是尖端，容易造成損壞。所以實際製作時，必須將擋板結構13設計成與感測晶片44不密合而隔開一個間隙，以簡化製造流程，提升結構的穩定度，同時亦可避免兩個腔體的環境條件(譬如發光單元造成的溫度升高)差異過大而使得參考像素與感測像素的特性差異過大。
值得注意的是，由於擋板結構13可以將大部分的參考光L2侷限在發射腔體11A中，並避免大部分的參考光L2進入接收腔體11B中，所以光參考區30與光感測區40可以不需要設置上述的角度導光結構。另外，擋板結構13也可以是非鋸齒狀結構，而在圖7A的視角下呈現長方形結構，但仍與感測晶片44在縱向方向上隔開，以提供另一種選擇。
如圖7B所示，本例類似於圖7A，差異點在於光感測區40包含上述的角度導光結構(參見圖3至圖6)，因為光感測區40的角度導光結構可以更進一步精準控制所欲接收的特定角度的光，故可更進一步阻擋其他雜散光進入感測像素41中。
如圖7C所示，本例類似於圖7B，差異點在於光參考區30包含上述的角度導光結構(參見圖3至圖6)，因為光參考區30的角度導光結構可以更進一步精準控制所欲接收的特定角度的光，故可更進一精準控制所欲接收的參考光L2的入射角度。
如圖8A至圖8C所示，這三例分別類似於圖7A至圖7C，差異點在於TOF光學感測模組100更包含一第二擋板結構46。第二擋板結構46連接於感測晶片44，並且位於第一光軸A1與第二光軸A2之間，或者是說位於光感測區40和光參考區30之間。第二擋板結構46與帽蓋10在縱向方向上隔開，且第二擋板結構46與擋板結構13在一水平方向上隔開。當然，第二擋板結構46的延伸方向也可能因為製造或光學考量而有一 角度偏移，非真正的垂直方向。擋板結構13與第二擋板結構46阻擋或限制參考光L2到達光感測區40。因此，第二擋板結構46可以更進一步避免通過擋板結構13的雜散光進入到光感測區40，提供多重的雜散光剔除效果。上述的隔開狀況所造成的間隙所帶來的好處也是因為製造上比較好控制。
如圖9所示，光感測區40與光參考區30可以共用像素基板44A，但是在光參考區30與光感測區40之間的導光結構44B的一部分可以省略或移除，也就是那部分的導光結構44B有形成一個凹槽44C，使像素基板44A從凹槽44C露出。於此情況下，擋板結構13可以延伸進入凹槽44C中，達成遮光的效果，且定義該凹槽44C的兩相對側壁44D可以分別具有兩縱向阻光結構47，以避免雜散光從導光結構44B輸出到光感測區40中。
如圖10A所示，本例的光感測區40相同於圖2A，也就是感測像素41沒有對應的ACC；光參考區30類似於圖3，差異點在於光參考區30具有導光結構。在此實施例中，光參考區30至少包含參考像素31；第一遮光層32；一導光結構32W，光耦合至第一參考光孔33及參考像素31；以及參考微透鏡39。參考光L2通過參考微透鏡39、第一參考光孔33、及導光結構32W聚焦於參考像素31。如此一來，可以利用導光結構32W將光線導引到適當的位置，有利於佈局的多樣化及多選擇性。
於圖10A中，藉由基板50及位於基板50上的收發單元90與帽蓋10，可以共同定義出接收腔體11B與發射腔體11A。為達成此目的，TOF光學感測模組100可以更包含擋板結構13，位於參考像素31的正上方。擋板結構13直接連接至感測晶片44，以將腔體11分割成不相連通的發射腔體11A及接收腔體11B，分別位於接收窗12與發射窗14下方。由 於圖10A的擋板結構13屬於一個完整的結構體，不再具有容易損壞的鋸齒狀結構，所以可以直接連接至感測晶片44，或者，當製程的控制性不是設計上的主要考量時，圖10A的擋板結構13也提供另一種可選的實施方式。由於是使用導光結構32W來將光線往左邊的方向導引，所以可以將參考像素31設計成位於擋板結構13的下方(譬如是正下方，亦即，參考像素31的一中心線31C穿過擋板結構13)。於本例子中，雖然可以將擋板結構13設計成阻擋或限制參考光L2進入接收腔體11B中，但是在接收腔體11B中使用上述的感測端角度導光結構除了可以大幅減少來自外界各方向的雜散光進入感測像素中，也可以藉由感測端角度導光結構提供進一步的參考光L2的雜散光剔除效果，以解決製造上的誤差或長期使用下來的老化等等問題造成的參考光洩漏造成的干擾。可以理解的，圖5的第二遮光層34及第二參考光孔35以及圖6的第三遮光層36都可以選擇性地應用至圖10A的結構中，讓參考光L2可以通過參考微透鏡39、第二參考光孔35、第一參考光孔33及導光結構32W聚焦於參考像素31。
如圖10B所示，本例類似於圖10A，差異點在於光感測區40相同於圖3，而光參考區30沒有使用圖10A所示的參考微透鏡39、透明介質層38b及第一遮光層32，在上述情況下，亦可使用導光結構32W配合參考像素31來達成類似的效果。於本例中，導光結構32W光耦合至參考像素31及發射腔體11A，使參考像素31通過發射腔體11A及導光結構32W接收參考光L2以產生參考電信號。可以理解的，於其他例子中，也可以使用第一遮光層32的第一參考光孔33來達成類似的效果，於此情況下，導光結構32W將第一參考光孔33光耦合至參考像素31。
如圖10A與10B所示，參考像素31的範圍全部落於擋板結構13正投影於參考像素31的範圍內，也就是擋板結構13的橫向涵蓋範圍 大於或等於參考像素31的橫向涵蓋範圍。此外，由於參考像素31被埋在擋板結構13的下方，使得參考像素31不直接暴露在發射腔體11A中，故可降低參考像素31受到發光單元的熱干擾。
如圖10C所示，本例類似於圖10A，差異點在於光感測區40相同於圖10B。因此，對於參考光L2與感測光L3而言，都可以通過ACC來精準控制所欲接收的特定角度的光。可以理解的，亦可組合圖10A的光感測區40與圖10B的光參考區30的結構，以形成另一不具ACC的例子。或者，也可以將圖3至圖6的光參考區30與光感測區40的ACC的細部結構適當地應用於圖10A至圖10C中。
值得注意的是，上述所有實施例，都可以適當的交互組合、替換或修改，以提供各式各樣的組合效果。上述的TOF光學感測模組可應用於各種電子設備，電子設備可以是行動電話、平板電腦、相機及/或可以裝設於衣服、鞋子、手錶、眼鏡或是其他任意可穿戴結構中的可穿戴計算裝置。在某些實施例中，TOF光學感測模組或電子設備本身可以位於如輪船和汽車的交通工具、機器人或者任何其他可移動結構或機器中。
藉由上述實施例的TOF光學感測模組，可以適當地設計至少一種角度導光結構以及可選的雜散光剔除結構，可以有效隔絕雜訊對感測像素的干擾，讓距離感測結果更加穩定及準確，以供相關的應用。此外，在封裝帽蓋的內側製作擋板結構，可以讓製程控制變得容易、簡化製造流程、提升結構的穩定度、降低雜散光干擾及降低熱干擾，進而提高感測像素的信噪比。
在較佳實施例的詳細說明中所提出的具體實施例僅用以方便說明本發明的技術內容，而非將本發明狹義地限制於上述實施例，在不超出本發明的精神及申請專利範圍的情況下，所做的種種變化實施，皆屬 於本發明的範圍。
L2:參考光
L3:感測光
10:帽蓋
11:腔體
11A:發射腔體
11B:接收腔體
13:擋板結構
16:本體
30:光參考區
31:參考像素
31C:中心線
32:第一遮光層
32W:導光結構
33:第一參考光孔
38:透明介質層組
38a,38b:透明介質層
39:參考微透鏡
40:光感測區
41:感測像素
44:感測晶片
44A:像素基板
47:縱向阻光層
50:基板

Claims (15)

  1. 一種TOF光學感測模組，至少包含： 一基板； 一帽蓋，至少包含一本體以及與該本體連接的一接收窗、一發射窗及一擋板結構，其中該本體與該基板共同定義出一腔體；以及 一收發單元，位於該腔體中，該收發單元發出量測光，並且通過該接收窗接收感測光，其中該擋板結構位於該發射窗與該接收窗之間，以配合該收發單元將該腔體分割成分別位於該接收窗與該發射窗下方且不相連通的一接收腔體與一發射腔體，其中該收發單元至少包含一光參考區，該光參考區包含：至少一參考像素，該參考像素設置於該擋板結構下方；以及一導光結構，光耦合至該參考像素及該發射腔體，使該參考像素通過該發射腔體及該導光結構接收參考光以產生一參考電信號。
  2. 如請求項1所述的TOF光學感測模組，其中該至少一參考像素的範圍全部落於該擋板結構正投影於該至少一參考像素的範圍內。
  3. 如請求項1所述的TOF光學感測模組，其中該光參考區更包含： 至少一第一遮光層，位於該參考像素的上方，並具有一第一參考光孔，其中該導光結構將該第一參考光孔光耦合至該參考像素。
  4. 如請求項3所述的TOF光學感測模組，其中該光參考區更包含： 至少一參考微透鏡，位於該第一遮光層的上方，其中該參考微透鏡的一中心線與該第一參考光孔的一中心線不對準，且該參考光通過該參考微透鏡、該第一參考光孔及該導光結構聚焦於該參考像素。
  5. 如請求項4所述的TOF光學感測模組，其中該光參考區更包含： 一第二遮光層，位於該第一遮光層的上方，並具有一第二參考光孔，其中該參考微透鏡的該中心線、該第一參考光孔的該中心線與該第二參考光孔的一中心線三者都不對準，且該參考光通過該參考微透鏡、該第二參考光孔、該第一參考光孔及該導光結構聚焦於該參考像素。
  6. 如請求項5所述的TOF光學感測模組，其中該光參考區更包含： 一第三遮光層，位於該第二遮光層的上方以及該參考微透鏡的周圍，以遮擋雜散光免於進入該參考像素中。
  7. 如請求項1所述的TOF光學感測模組，其中該收發單元更包含： 一發光單元，設置於該發射窗的下方，並發出該量測光，該量測光的一部分通過該發射窗照射在位於該帽蓋的上方的一目標物並從該目標物反射輸出該感測光，而該量測光的另一部分在該帽蓋內反射而產生該參考光；以及 一光感測區，設置於該接收窗的下方，用於通過該接收窗接收該感測光以產生一感測電信號，其中該擋板結構阻擋該參考光從該發射腔體進入該接收腔體中。
  8. 如請求項7所述的TOF光學感測模組，其中該光感測區包含至少一感測像素，用於感測該感測光而產生該感測電信號。
  9. 如請求項8所述的TOF光學感測模組，其中該光感測區更包含： 至少一第一遮光層，位於該感測像素的上方，並具有一第一感測光孔；以及 至少一感測微透鏡，位於該第一遮光層的上方，其中該感測光通過該感測微透鏡及該第一感測光孔聚焦於該感測像素。
  10. 如請求項9所述的TOF光學感測模組，其中該光感測區更包含： 一第二遮光層，位於該第一遮光層的上方，並具有一第二感測光孔，其中該感測光通過該感測微透鏡、該第二感測光孔及該第一感測光孔聚焦於該感測像素。
  11. 如請求項10所述的TOF光學感測模組，其中該光感測區更包含： 一第三遮光層，位於該第二遮光層的上方以及該感測微透鏡的周圍，以遮擋雜散光免於進入該感測像素中。
  12. 如請求項7所述的TOF光學感測模組，其中該收發單元更包含一縱向阻光層，設置於該光參考區與該光感測區之間。
  13. 如請求項7所述的TOF光學感測模組，其中該光參考區不具有對應該參考像素的一參考端角度導光結構；以及該光感測區包含至少一感測像素，但不具有對應該感測像素的一感測端角度導光結構。
  14. 如請求項7所述的TOF光學感測模組，其中該光參考區更包含對應該參考像素的一參考端角度導光結構；以及該光感測區包含至少一感測像素，但不具有對應該感測像素的一感測端角度導光結構。
  15. 如請求項7所述的TOF光學感測模組，其中該光參考區不具有對應該參考像素的一參考端角度導光結構；以及該光感測區包含至少一感測像素以及對應該感測像素的一感測端角度導光結構。
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