TWM637162U - 用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置 - Google Patents

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蔡宜興
蔡季樺
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蔡宜興
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一種用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,該探針固定裝置包括一固定本體以及一延伸本體,其中該固定本體包含一平面、一第一穿孔、一第二穿孔、一第三穿孔以及一第四穿孔,該第一穿孔、該第二穿孔、該第三穿孔以及該第四穿孔形成在該平面上,而且該第一穿孔的一軸線以及該第二穿孔的一軸線與該平面正交,該第一穿孔的軸線與該第三穿孔的一軸線形成一夾角,該第二穿孔的軸線與該第四穿孔的一軸線形成一夾角;該延伸本體自該固定本體的一端延伸,該延伸本體配置用以組合在該測阻儀的一移動裝置上。

Description

用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置
本創作係關於一種探針固定裝置,特別是關於一種用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置。
目前已知的低阻值電阻,是透過於一基板 (通常為氧化鋁陶瓷或半導體所構成)上形成一電阻膜,在該電阻膜外部包覆一保護層,並且分別於該基板兩端提供一導體電極,即可作為電阻器使用。其中,根據該電阻膜形成方式的不同,該已知低阻值電阻又可以區分為利用薄膜製程(thin-film process)所製作之薄膜電阻;以及利用厚膜印刷製程(thick-film printing process)所製作之厚膜電阻。另一種已知的低阻值電阻,是利用沖膜成型之一合金板所構成,該合金板外部包覆一封裝體,並且在該合金板二端分別鍍上一導電層以作為端電極。
然而,低阻值電阻在量測的過程中,探針在接觸待測電阻時,其些微的位移較容易造成所量測電阻值產生波動,使得低阻值電阻的量測的誤差範圍偏高,造成低阻值電阻的精確度較難掌控。
因此,為克服現有技術中的缺點和不足,有必要提供改良的一種用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,以解決上述習用技術所存在的問題。
本創作之主要目的在於提供一種用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,透過第一穿孔的軸線以及第二穿孔的軸線與固定本體的平面正交,該第一穿孔的軸線與第三穿孔的軸線所形成的夾角以及該第二穿孔的軸線與第四穿孔的軸線所形成的夾角,以取得穩定精準的量測。
為達上述之目的,本創作提供一種用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,該探針固定裝置配置用以供多個探針安裝以檢測放置在一測阻儀的一晶片電阻,該探針固定裝置包括一固定本體以及一延伸本體,其中該固定本體包含一平面、一第一穿孔、一第二穿孔、一第三穿孔以及一第四穿孔,該第一穿孔、該第二穿孔、該第三穿孔以及該第四穿孔形成在該平面上,而且該第一穿孔的一軸線以及該第二穿孔的一軸線與該平面正交,該第一穿孔的軸線與該第三穿孔的一軸線形成一夾角,該第二穿孔的軸線與該第四穿孔的一軸線形成一夾角;該延伸本體自該固定本體的一端延伸,該延伸本體配置用以組合在該測阻儀的一移動裝置上。
在本創作之一實施例中,該第一穿孔以及該第二穿孔分別對應該晶片電阻的一第一測試點以及一第二測試點,該第三穿孔以及該第四穿孔分別對應該晶片電阻的一第三測試點以及一第四測試點,而且該第一測試點以及該第二測試點位於該晶片電阻的一側,該第三測試點以及該第四測試點位於該晶片電阻的另一側。
在本創作之一實施例中,該第一穿孔及該第二穿孔間隔排列在一第一行,該第三穿孔以及該第四穿孔間隔排列在一第二行,而且該第一行與該第二行平行。
在本創作之一實施例中,該第一穿孔以及該第二穿孔配置用以供電壓針的探針穿過,該第三穿孔以及該第四穿孔配置用以供電流針的探針穿過。
在本創作之一實施例中,該固定本體另包含多個理線孔,該等理線孔形成在該固定本體的表面的一側,該第一穿孔、該第二穿孔、該第三穿孔以及該第四穿孔位於該固定本體的表面的另一側。
在本創作之一實施例中,該固定本體的一第一連接面與該延伸本體的一第二連接面連接在一起,該第一連接面與該第二連接面部分貼合且部分露出。
在本創作之一實施例中,該第一穿孔與該第三穿孔之間的距離自該固定本體的平面往另一平面漸縮,該第二穿孔與該第四穿孔之間的距離自該固定本體的平面往另一平面漸縮。
在本創作之一實施例中,該延伸本體具有一卡合面,該卡合面配置用以卡合該移動裝置的一連接座的一凹槽上。
在本創作之一實施例中,該延伸本體形成至少一螺孔,該螺孔配置用以鎖固在該連接座上。
在本創作之一實施例中,該第一穿孔的軸線與該第三穿孔的軸線所形成的夾角以及該第二穿孔的軸線與該第四穿孔的軸線所形成的夾角皆為5度至9度。
如上所述,對該等低阻值電阻進行量測時,該第一穿孔的軸線以及該第二穿孔的軸線與該平面正交,該第一穿孔的軸線與該第三穿孔的軸線形成夾角以及該第二穿孔的軸線與該第四穿孔的軸線形成夾角,使得該等電壓針的探針分別接觸該第一測試點、該第二測試點,該等電流針的探針分別接觸該第三測試點以及該第四測試點,以取得穩定精準的量測,避免低阻值量測受到探針的位移而造成所量測電阻值產生波動,藉此縮小電阻量測的誤差範圍。
為了讓本創作之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯易懂,下文將特舉本創作實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。再者,本創作所提到的方向用語,例如上、下、頂、底、前、後、左、右、內、外、側面、周圍、中央、水平、橫向、垂直、縱向、軸向、徑向、最上層或最下層等,僅是參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語是用以說明及理解本創作,而非用以限制本創作。
請參照圖1及圖2所示,為本創作用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置的一實施例。該探針固定裝置配置用以供多個探針101(例如電流針、電壓針)安裝以檢測放置在一測阻儀102下方的一晶片電阻103,該晶片電阻103中的多個低阻值電阻(mΩ)是呈矩陣式排列,該晶片電阻103至少具有一電阻R1,該電阻R1配置用以供該等探針101接觸對應的測試點(例如第一測試點T1、第二測試點T2、第三測試點T3以及第四測試點T4)來進行電阻值的量測,在本實施例中,該探針固定裝置包括一固定本體2以及一延伸本體3。本創作將於下文詳細說明各部分的細部構造、關係及其原理。
請參照圖1、圖3及圖5所示,該固定本體2包含一平面20、一第一穿孔21、一第二穿孔22、一第三穿孔23以及一第四穿孔24,該第一穿孔21、該第二穿孔22、該第三穿孔23以及一第四穿孔24形成在該平面20上,而且該第一穿孔21的一軸線L1以及該第二穿孔22的一軸線L1與該平面20正交(圖5僅顯示第二穿孔22),該第一穿孔21的軸線L1與該第三穿孔23的一軸線L2形成一夾角,該第二穿孔22的軸線L1與該第四穿孔24的一軸線L2形成一夾角(圖5僅顯示第二穿孔22及第四穿孔24)。在本實施例中,該第一穿孔21及該第二穿孔22間隔排列在一第一行,該第三穿孔23以及該第四穿孔24間隔排列在一第二行,而且該第一行與該第二行平行。
請參照圖2、3及圖4所示,該第一穿孔21以及該第二穿孔22分別對應該晶片電阻103的第一測試點T1以及第二測試點T2,該第三穿孔23以及該第四穿孔24分別對應該晶片電阻103的第三測試點T3以及第四測試點T4,而且該第一測試點T1以及該第二測試點T2位於該晶片電阻103的一側,該第三測試點T3以及該第四測試點T4位於該晶片電阻103的另一側。在本實施例中,該第一穿孔21以及該第二穿孔22配置用以供電壓針的探針穿過,該第三穿孔23以及該第四穿孔24配置用以供電流針的探針穿過。
請參照圖1、圖2及圖6所示,該延伸本體3自該固定本體2的一端延伸,而且該延伸本體3配置用以組合在該測阻儀102的一移動裝置104的一連接座105上,其中該移動裝置104可以帶動該探針固定裝置的固定本體2沿著X、Y或Z軸(見圖3)移動,使得該等探針101能夠移動到預期的位置(例如第一測試點T1、第二測試點T2、第三測試點T3以及第四測試點T4)與該晶片電阻103的電阻R1電性連接。
請參照圖3所示,該固定本體2另包含多個理線孔25,該等理線孔25形成在該固定本體2的平面20的一側,而且配置用以供連接該等探針101的電線穿伸。該第一穿孔21、該第二穿孔22、該第三穿孔23以及該第四穿孔24位於該固定本體2的平面20的另一側。另外,該固定本體2的一第一連接面201與該延伸本體3的一第二連接面301連接在一起,其中該第一連接面201與該第二連接面301部分貼合且部分露出。
續參照圖3所示,該延伸本體3具有一卡合面302,該卡合面302配置用以卡合該移動裝置104的連接座105的一凹槽106上。另外,該延伸本體3形成至少一螺孔31,該螺孔31配置用以鎖固在該連接座105的凹槽106中。
請參照圖3、圖5及圖6所示,該第一穿孔21與該第三穿孔23之間的距離自該固定本體2的平面20往另一平面20’漸縮,該第二穿孔22與該第四穿孔24之間的距離自該固定本體2的平面20往另一平面20’漸縮(圖5僅顯示第二穿孔22及第四穿孔24)。在本實施例中,該第一穿孔21的軸線L1與該第三穿孔23的軸線L2所形成的夾角以及該第二穿孔22的軸線L1與該第四穿孔24的軸線L2所形成的夾角皆為5度至9度(圖5僅顯示第二穿孔22及第四穿孔24)。
依據上述結構,穿過該第三穿孔23以及該第四穿孔24用以供電流針的探針提供恆定電流,穿過該第一穿孔21以及該第二穿孔22用以供電壓針的探針之間的電壓,藉以換算該電阻R1的電阻值,由於習知技術的低阻值量測容易受到探針些微的位移而造成所量測電阻值產生波動,本創作用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置利用多個探針101分別接觸該第一測試點T1、該第二測試點T2、該第三測試點T3以及該第四測試點T4,其中該第一穿孔21的軸線L1以及該第二穿孔22的軸線L1與該平面20正交,使得電壓針的探針可以定位在該第一測試點T1以及該第二測試點T2而不會滑移,該第一穿孔21的軸線L1與該第三穿孔23的軸線L2所形成的夾角以及該第二穿孔22的軸線L1與該第四穿孔24的軸線L2所形成的夾角皆為5度至9度,使得電壓針的探針能夠與電壓針的探針形成足夠的距離,以取得穩定的量測,藉此可使例如10 mΩ 阻值量測再現性達到0.2%以下,優於現有技術量測的 0.5 %。
如上所述,對該等低阻值電阻進行量測時,該第一穿孔21的軸線L1以及該第二穿孔22的軸線L1與該平面20正交,該第一穿孔21的軸線L1與該第三穿孔23的軸線L2所形成的夾角以及該第二穿孔22的軸線L1與該第四穿孔24的軸線L2所形成的夾角皆為5度至9度,使得該等電壓針的探針101分別接觸該第一測試點T1、該第二測試點T2,該等電流針的探針101分別接觸該第三測試點T3以及該第四測試點T4,以取得穩定精準的量測,避免低阻值量測受到探針的位移而造成所量測電阻值產生波動,藉此縮小電阻量測的誤差範圍。
雖然本創作已以實施例揭露,然其並非用以限制本創作,任何熟習此項技藝之人士,在不脫離本創作之精神和範圍內,當可作各種更動與修飾,因此本創作之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
101:探針 102:測阻儀 103:晶片電阻 104:移動裝置 105:連接座 106:凹槽 2:固定本體 201:第一連接面 20:平面 20’:另一平面 21:第一穿孔 22:第二穿孔 23:第三穿孔 24:第四穿孔 25:理線孔 3:延伸本體 31:螺孔 301:第二連接面 302:卡合面 R1:電阻 T1:第一測試點 T2:第二測試點 T3:第三測試點 T4:第四測試點 L1、L2:軸線 X、Y、Z:軸
圖1是根據本創作用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置的一實施例的示意圖。 圖2是根據本創作用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置的一實施例的晶片電阻的示意圖。 圖3是根據本創作用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置的一實施例與連接座組合的示意圖。 圖4是根據本創作用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置的一實施例探針治組合的示意圖。 圖5是根據本創作用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置的一實施例的固定本體沿著剖線D且不含探針的剖視圖。 圖6是根據本創作用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置的一實施例的固定本體沿著剖線D且含探針的剖視圖。
2:固定本體
20:平面
20’:另一平面
22:第二穿孔
24:第四穿孔
L1、L2:軸線

Claims (10)

  1. 一種用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,該探針固定裝置配置用以供多個探針安裝以檢測放置在一測阻儀的一晶片電阻,該探針固定裝置包括: 一固定本體,包含一平面、一第一穿孔、一第二穿孔、一第三穿孔以及一第四穿孔,該第一穿孔、該第二穿孔、該第三穿孔以及該第四穿孔形成在該平面上,而且該第一穿孔的一軸線以及該第二穿孔的一軸線與該平面正交,該第一穿孔的軸線與該第三穿孔的一軸線形成一夾角,該第二穿孔的軸線與該第四穿孔的一軸線形成一夾角;以及 一延伸本體,自該固定本體的一端延伸,該延伸本體配置用以組合在該測阻儀的一移動裝置上。
  2. 如請求項1所述之用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,其中該第一穿孔以及該第二穿孔分別對應該晶片電阻的一第一測試點以及一第二測試點,該第三穿孔以及該第四穿孔分別對應該晶片電阻的一第三測試點以及一第四測試點,而且該第一測試點以及該第二測試點位於該晶片電阻的一側,該第三測試點以及該第四測試點位於該晶片電阻的另一側。
  3. 如請求項1所述之用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,其中該第一穿孔及該第二穿孔間隔排列在一第一行,該第三穿孔以及該第四穿孔間隔排列在一第二行,而且該第一行與該第二行平行。
  4. 如請求項1所述之用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,其中該第一穿孔以及該第二穿孔配置用以供電壓針的探針穿過,該第三穿孔以及該第四穿孔配置用以供電流針的探針穿過。
  5. 如請求項1所述之用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,其中該固定本體另包含多個理線孔,該等理線孔形成在該固定本體的表面的一側,該第一穿孔、該第二穿孔、該第三穿孔以及該第四穿孔位於該固定本體的表面的另一側。
  6. 如請求項1所述之用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,其中該固定本體的一第一連接面與該延伸本體的一第二連接面連接在一起,該第一連接面與該第二連接面部分貼合且部分露出。
  7. 如請求項1所述之用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,其中該第一穿孔與該第三穿孔之間的距離自該固定本體的平面往另一平面漸縮,該第二穿孔與該第四穿孔之間的距離自該固定本體的平面往另一平面漸縮。
  8. 如請求項1所述之用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,其中該延伸本體具有一卡合面,該卡合面配置用以卡合該移動裝置的一連接座的一凹槽上。
  9. 如請求項8所述之用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,其中該延伸本體形成至少一螺孔,該螺孔配置用以鎖固在該連接座上。
  10. 如請求項9所述之用於低阻值電阻四線量測之探針固定裝置,其中該第一穿孔的軸線與該第三穿孔的軸線所形成的夾角以及該第二穿孔的軸線與該第四穿孔的軸線所形成的夾角皆為5度至9度。
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