TWM630083U - 磁場下積體電路晶片電學測試系統 - Google Patents

Abstract

本描述涉及一種系統(200)，該系統包含：積體電路晶片支撐件(210)；探針卡(220)，該探針卡耦合至電學量測裝置(230)；以及磁產生器(250)，該磁產生器藉由機器人平台(240)攜帶，該探針卡佈置在該支撐件與該產生器之間。

Description

磁場下積體電路晶片電學測試系統

本揭示案大體而言係關於積體電路晶片之測試，該等積體電路晶片基於半導體材料，諸如矽，或其他材料。本描述具體而言係關於晶片之磁場下電學測試。

藉助於測試系統執行積體電路晶片之電學測試為已知的，該測試系統包含磁產生器，該磁產生器適於產生磁場且將磁場施加至晶片；及導電測試探針(測試探針)，該導電測試探針適於與晶片電學接觸，以作為對所施加磁場之回應而致能執行該晶片之電學量測。

需要改良使用磁產生器的電學晶片測試系統。

具體而言，需要改良產生器與電學測試探針相關聯，且具體而言與電學測試探針卡相關聯的應用中的電學晶片測試系統。

實施例克服已知測試系統之缺點中之全部或部分。

實施例提供系統，該系統包含： - 積體電路晶片支撐件； - 探針卡，該探針卡耦合至電學量測裝置；以及 - 磁產生器，該磁產生器藉由機器人平台攜帶，該探針卡佈置在該支撐件與該產生器之間。

根據一實施例，該系統適於積體電路晶片之組件之該電學測試且該產生器適於產生磁場且將該磁場施加至該組件。

根據一實施例，該機器人平台經組配來相對於該晶片調適該產生器之位置及/或方位。

根據一實施例，該機器人平台包含機器人，該機器人具有至少三個軸線。

根據一特定實施例，該等三個軸線對應於平行於該支撐件之平面的第一方向及第二方向且對應於第三方向，該第三方向對應於垂直於此平面的方向，該第一方向及該第二方向例如彼此正交。

根據一特定實施例，該機器人包含沿該第一方向線性運動中的第一馬達、沿該第二方向線性運動中的第二馬達，及沿該第三方向線性運動中的第三馬達，該等馬達例如彼此耦合。

根據一實施例，該機器人平台包含例如六足裝置類型的具有六個軸線之機器人。

根據一特定實施例，該等六個軸線對應於： - 平行於該支撐件之該平面的第一方向及第二方向，該第一方向及該第二方向例如彼此正交； - 第三方向，該第三方向對應於垂直於此平面的該方向；以及 - 圍繞該第一、第二，及第三各別方向的三個旋轉。

根據一實施例，該機器人平台包含耦合至該產生器的元件。

根據一實施例，該機器人平台經組配來相對於該探針卡之探針之當前位置調適該產生器之該相對位置及/或該相對方位。

根據一實施例，該機器人平台經組配來相對於該探針卡之參考探針之位置調適該產生器之該相對位置及/或該相對方位。

根據一實施例，該機器人平台經組配來相對於該晶片之組件之參考軸線調適該產生器之該相對位置及/或該相對方位，該組件例如霍爾效應磁感測器。

根據一特定實施例，該產生器之該相對位置及/或該相對方位之該調適在積體電路晶片之組件之電學測試期間為週期性的。

根據一實施例，該系統適於磁場感測器，例如霍爾效應感測器，及/或隨機存取磁記憶體之該電學測試。

相同特徵在各種圖中已藉由相同參考指定。具體而言，各種實施例間共用的結構及/或功能特徵可具有同樣參考且可設置相同的結構、空間及材料性質。

出於清晰性之目的，僅對於理解本文所描述之實施例有用的步驟及元件已加以詳細例示且描述。具體而言，探針卡或晶片支撐件未詳細描述，細節在描述之領域中的技術人員之能力內。

除非另有指示，否則當涉及連接在一起的兩個元件時，此狀況表示無除導體以外的任何中間元件的直接連接，且當涉及耦合在一起的兩個元件時，此狀況表示此等兩個元件可經連接或該等兩個元件可藉由一或多個其他元件耦合。

在以下描述中，當涉及諸如術語「前」、「後」、「頂部」、「底部」、「左」、「右」等的限定絕對位置的術語，或諸如術語「上方」、「下方」、「上」、「下」等的限定相對位置的術語，或諸如術語「水平」、「垂直」等的限定方向的術語時，除非另有指定，否則該涉及參考圖式之方位或參考處於正常使用位置中的系統。

除非另有指定，否則表達「大約」、「近似」、「大體上」及「約為」表示在10%內，且較佳地在5%內。

在藉由本描述定標的應用中，磁場例如經施加至積體電路晶片，且測試探針置放成通常藉由電學接觸金屬襯墊(襯墊)與晶片之組件電學接觸。根據磁場之強度及/或方向對測試探針執行的例如測試探針之間的電阻變化的電學量測致能表徵晶片組件。

測試探針及/或晶片可相對於彼此移位，以測試晶片之複數個組件，尤其當使用獨立測試探針時。

作為獨立測試探針之替代方案，探針卡可經使用，該探針卡打開平行測試複數個組件之可能性。探針卡通常包含印刷電路，該印刷電路具有裝配在上面的測試探針，且探針卡可包含幾個探針至數百個探針。

通常藉由探針卡解決的問題在於，該探針卡不能移位或至少比獨立探針少得多，如下文所解釋。

第1A圖例示系統100，該系統適於積體電路晶片10之測試，例如適於晶片組件12之測試。系統100可稱為「測試系統」。

晶片可包含可需要經測試的一個或複數個以下組件：磁隨機存取記憶體(magnetic random access memory，MRAM)；磁場感測器，諸如霍爾效應感測器、巨磁阻(Giant Magneto Resistive，GMR)感測器及/或隧道磁阻(Tunnel Magneto Resistive，TMR)感測器，或源自於自旋電子學研究的任何其他系統。

測試系統100包含磁場產生器150，該磁場產生器適於將磁場施加至晶片10；以及探針卡120，該探針卡包含印刷電路124，該印刷電路具有裝配在上面的測試探針122。通常，測試探針為帶有具有直徑約為幾微米之末端的金屬桿。探針卡120耦合至電學量測裝置130。

測試系統100進一步包含支撐件110，晶片10可放置在該支撐件上。支撐件110可適於將晶片10定位於測試系統中。例如，支撐件可適於使晶片沿第一X方向及/或沿平行於支撐件之平面的第二Y方向(垂直於X)及/或沿垂直於該支撐件的Z方向(第三方向)移位。此支撐件可稱為「晶片卡盤」。

在所示實例中，支撐件110之平面大體上平行於探針卡120之平面。Z方向因而對應於這兩個平面之法線。

根據所施加磁場之強度及/或方向對測試探針122執行的例如測試探針之間的電阻變化之量測致能決定晶片組件之特性。

在晶片10之組件12之測試期間，探針卡120定位在產生器150與晶片10之間。為建立晶片之將要測試的組件與電學量測裝置之間的電學連結，測試探針122通常置放成與晶片之表面上的專用電學接觸金屬襯墊(未示出)接觸。

出於更清晰性，在第1A圖中已示出單個組件，且參考該單個組件進行描述，但通常一個探針卡可平行測試複數個組件。此為生產中的探針卡之優點中之又一個，尤其對於工業應用而言。因而，測試探針經置放成與晶片之專用襯墊接觸，以建立將要測試的組件與電學量測裝置之間的電學接觸。推論及缺點在於，探針卡具有相比於能夠彼此獨立移位的獨立測試探針的較少位移自由度，或甚至無位移自由度，該等獨立測試探針每探針具有一個專用微定位器。

探針卡之測試探針較佳地為可撓性的，足以能夠在施加在探針卡與晶片之間的壓力之作用下變形，所施加壓力藉由襯墊(多個)致能獲得探針與組件之間的最佳可能電學接觸。例如，如第1A圖中所例示，測試探針122可相對於卡之XY平面傾斜非零非直角銳角。當探針與晶片接觸時且在所施加壓力之效應下，該等探針可以其末端與晶片接觸之位準進一步傾斜。

根據卡上的測試探針之裝配方法，卡上的該等探針在正交於卡平面的Z方向上的位置可具有約為數百微米(自100 μm至500 μm)的定位公差。

此外，由於在每個測試時施加至探針的壓力，如上文所解釋，測試探針之變形及/或傾斜角變化可發生，從而及時修改在Z方向上觀察的探針之高度。因而，Z方向上的探針之位置可在探針及探針卡之壽命期間變化，具體而言增加。

通常，具體而言相對於系統中的固定產生器的測試系統中的晶片之位置藉由將測試探針之位置，或甚至稱為「參考探針」的單個測試探針之位置視為參考加以對齊。此外，在晶片之位準處產生的磁場取決於晶片與磁場產生器之間的距離D，具體而言產生器之磁極，且更具體而言，在晶片之位準處產生的磁場可隨距離減小。此例示於第1B圖中，第1B圖示出根據產生器與晶片之待測試組件(component under test，DUT)之間的距離的在Z方向上的磁場之以毫特斯拉(milli-Tesla，mT)為單位之振幅。因此，自身藉由相對於Z方向上的測試探針之高度，及具體而言參考探針之高度的不確定性引起的產生器與晶片組件之間的距離D之數百微米的不確定性可導致藉由晶片組件觀察的磁場之振幅之一毫特斯拉至數百毫特斯拉的誤差。

此外，在測試系統中具體藉由支撐件的晶片之定位中存在公差，該公差可在支撐件之平面中具有若干微米。

此等公差可導致Z位置中+/- 250 μm之誤差。現在，Z位置誤差為對於所產生磁場關鍵的，如第1B圖中所例示，且上文所解釋。

此外，測試系統可藉由計算卡之所有探針之重心自動地控制在晶片之XY平面中的對齊，以決定每個探針將放置在專用於該探針的區域/襯墊(例如，在各側上具有可在自近似30 μm至100 μm之範圍內的長度的區域)上。此重心平均計算可導致測試系統之XYZ參考坐標系中例如在自0.1°至5°之範圍中的晶片角度誤差，具體而言相對於產生器的晶片角度誤差。現在，當將要測試的組件為例如霍爾效應磁感測器時，角度誤差為關鍵的。據估計，為測試，此磁感測器需要小於0.1°的角度誤差。若角度誤差大於0.1°，則測試結果可證明為錯誤的。

因而必需能夠較佳地在每個測試處儘可能準確地調整晶片與產生器之間的距離D，且更一般而言晶片與產生器之間的相對定位及/或相對方位，而亦能夠管理相對於探針卡的晶片之位移，以建立且維持測試探針與將要測試的晶片組件之電學接觸，如上文所解釋，知道探針卡具有相對於晶片的極少位移自由，或甚至無位移自由。

發明人提供致能解決此等需求的系統。

下文將描述系統之實例。此等實例為非限制性的，且基於本揭示案之指示，熟習此項技術者將想到各種變更。

在本描述之剩餘部分中，為避免使其累贅，當描述晶片與產生器之間或晶片與卡之間的相對「定位」時，必須考慮該相對「定位」可談及相對「定位」及/或相對「方位」。

第2圖示意性地例示根據一實施例之系統200，該系統適於積體電路晶片10之測試，例如，適於晶片組件12之測試。系統200可稱為「測試系統」。

測試系統200不同於第1A圖之測試系統100，主要在於測試系統200包含位移裝置(機器人平台) 240，該位移裝置適於使產生器250沿一個或複數個軸線平移地及/或旋轉地位移。諸如晶片支撐件210、具有測試探針222的卡220、電學量測裝置230，及產生器250的其他元件類似於第1A圖之彼等元件。X、Y、Z方向係參考支撐件210加以限定，類似於第1A圖之彼等方向。

除晶片與探針卡之間的通常藉由晶片位移確保的相對定位之外，機器人平台藉由允許沿一個或複數個軸線相對於晶片的產生器之位移致能具有用於產生器與晶片之間的相對定位的額外調整參數。

根據一實例，機器人平台240可調整相對於參考探針之位置的產生器250之位置，該參考探針之該位置亦用作用於系統200中之晶片10之對齊的參考。由於參考探針之高度誤差，此可致能補償晶片對齊誤差。例如，此可致能降低晶片與產生器之間的距離D的不確定性。

根據一實施例，機器人平台240可定向產生器250。此可致能補償相對於測試系統200之參考坐標系的晶片10之角度誤差，例如由於相對於卡探針之重心的晶片之自動對齊。例如，即使在晶片與測試系統之間存在角度誤差，產生器經定向以降低晶片與產生器之間的角度誤差，或甚至降低至零。

例如，當晶片之將要測試的組件為霍爾效應磁感測器時，產生器可經定向使得晶片與產生器之間的角度誤差小於近似0.1°。具體而言，產生器之定位及定向可相對於霍爾效應磁感測器之參考軸線加以調整，以藉由具有小於近似0.1°之角度誤差的磁場提供感測器之激發。

機器人平台可經組配來允許在自近似1 μm至5 μm之範圍內的定位準確度及/或在自近似0.05°至1°之範圍內的方位準確度。

機器人平台可經組配來允許相對於晶片的產生器之充分準確定位，例如，產生器與晶片之間的距離D被給予近似10 μm之最大誤差及/或小於近似0.1°的角度誤差。

根據一實例，機器人平台可經組配，使得相對於晶片的產生器之定位比測試系統中的晶片之定位更準確。

根據一實例，機器人平台可經整合在包含磁場產生器的測試頭中及/或現有測試系統中。

因而，根據實施例之系統致能較佳地對於每個測試儘可能準確地調整晶片與產生器之間的相對定位。

根據一實施例，機器人平台包含至少三個位移軸線，例如，對應於平行於支撐件之平面的兩個X、Y方向(第一方向X及第二方向Y)及對應於正交於該支撐件的Z方向(第三方向)的三個線性位移軸線。具有三個軸線的機器人平台之實例在下文中關於第3A圖至第3C圖加以描述。

根據一實施例，機器人平台包含六個位移軸線，例如對應於上文限定的三個X、Y、Z方向及對應於圍繞此等各別方向的三個旋轉軸線。具有六個軸線的機器人平台之實例在下文中關於第4A圖至第4C圖加以描述。

第3A圖至第3C圖為具有帶有三個軸線之機器人平台之測試系統300之實例的透視圖。

所示測試系統300包含： - 磁場產生器350； - 裝置(機器人平台) 340，該裝置用於使產生器移位； - 基座360，該基座具有在實例中間接附接在上面的位移裝置340。

儘管此在第3A圖至第3C圖未示出以避免使其累贅，但測試系統300包含測試探針卡、電學量測裝置，及晶片支撐件。此可例如為類似於關於第1A圖及第2圖所描述之彼等的測試探針卡、電學量測裝置，及/或支撐件。可在測試期間定位在支撐件上的將要測試的晶片在第3A圖至第3C圖中未示出。

基座360沿XY平面延伸，該XY平面可大體上平行於晶片支撐件(未示出)之平面。Z方向對應於此XY平面之法線。

所示產生器350包含藉由框架351耦合的四個垂直棒352(Z方向)。每個垂直棒352藉由徑向臂354朝向產生器之中心軸線(沿Z方向指向)延伸，該徑向臂終止於極性末端355(平面極)中。每個垂直棒藉由各自耦合至電流電源的兩個線圈353A、353B包圍。兩個線圈355A、355B在耦合塊357之任一側上佈置在水平桿356周圍，該耦合塊位於桿356之中間。水平桿356附接至框架351之兩個相對側。耦合塊357藉由圓柱形臂358延續，該圓柱形臂沿Z方向延伸且具有錐形極性末端359。儘管此未示出，但中心極可藉由線圈包圍。

所示機器人平台340包含：- 三個馬達342X、342Y、342Z，形成具有三個軸線的機器人342，三個軸線對應於三個方向X、Y、Z；以及- 機器人與產生器350之間的接合元件344(配接器)。

在所示實例中，具有三個軸線的機器人包含：- 沿Y方向線性運動(平移)中的第二馬達342Y；- 沿X方向線性運動中的第一馬達342X，該第一馬達耦合至第二馬達342Y，使得第二馬達可將Y線性運動傳送至第一馬達；以及 - 沿Z方向線性運動中的第三馬達342Z，該第三馬達耦合至第一馬達342X，使得第一馬達可將X線性運動傳送至第三馬達。

接合組件344附接至第三馬達342Z，例如附接至該第三馬達之可動部分。因而，接合組件344可將Z線性運動傳送至產生器350。此外，藉由三個馬達之間的接頭，產生器350可在三個X、Y、Z方向中之每一個上獨立地移位。

機器人平台340藉由四個底腳372及基座374附接至基座360，基座374耦合至第二馬達342Y，例如耦合至該第二馬達之固定部分。

諸如上文所描述之彼機器人平台的具有三個軸線之機器人平台致能準確地且獨立地管理三個平移軸線中之每一個。例如，機器人平台致能調整產生器與晶片之間的距離。

第4A圖至第4C圖為具有帶有六個軸線之機器人平台之測試系統400之實例的透視圖。第4A圖為將要測試的晶片未示出的系統的第一視圖；第4B圖為致能看見晶片的第二視圖；且第4C圖為磁產生器的視圖。

所示測試系統400包含：- 磁場產生器450；- 裝置(機器人平台)440，該裝置用於使產生器450移位；- 基座460，該基座具有附接至該基座的位移裝置440。

儘管此在第4A圖至第4C圖中未示出，以避免使其累贅，但測試系統400包含測試探針卡及電學量測裝置，例如，類似於關於第1A圖及第2圖所描述之彼等的測試探針卡及/或電學量測裝置。晶片10已在第4B圖中示出。測試系統可包含晶片下方的晶片支撐件(未示出)。

複數個組件展示在晶片10上。此等組件中之每一個可經提交電學測試。

所示產生器450包含藉由框架451耦合的四個垂直棒452。每個垂直棒452藉由徑向臂454朝向產生器之中心軸線(沿Z方向指向)延伸，該徑向臂終止於極性末端455 (平面極)中。儘管此未示出，但每個垂直棒以各自耦合至電流電源的至少一個線圈包圍。

其他產生器組態係可能的。例如，產生器可包含中心極，該中心極自水平桿大體上沿Z方向延伸，該水平桿附接至框架之兩個相對側，且中心極可以至少一個線圈包圍。

基座460沿XY平面(該XY平面可大體上平行於未示出的晶片支撐件之XY平面)延伸。Z方向對應於此XY平面之法線。

所示機器人平台440包含： - 具有六個軸線之機器人442 (六足設備)，六個軸線對應於： - 三個X、Y、Z方向；以及 - 圍繞各別X、Y、Z方向的三個旋轉； - 機器人與產生器450之間的接合組件444 (配接器)：此接合組件裝配至六足設備之下板4421； - 四個傳動臂446：每個臂具有包含活塞的類型，該活塞允許沿其軸線的線性運動(滑動)；每個臂藉由第一接頭445耦合至配接器444且藉由第二接頭447耦合至基座460，第一接頭及第二接頭授權沿垂直於該臂之軸線的軸線之旋轉，以將機器人442之運動傳送至產生器。

需提醒，六足設備為機械裝置，該機械裝置包含藉由六個可收縮臂4423耦合的下板4421及上板4422。每個臂藉由各別球形接頭連桿4424、4425相對於兩個板中之每一個鉸接。臂之加長或收縮致能使上板4422根據六個自由度相對於下板4421移位，該等六個自由度亦即三個平移度及三個旋轉度。六足裝置經液壓及/或電學供以動力(未示出的電源)以單獨地或成對地收縮或加長臂。

諸如上文所描述之彼機器人平台的具有六個軸線之機器人平台致能準確地且獨立地管理三個平移軸線中之每一個及三個旋轉軸線中之每一個。例如，機器人平台致能調整產生器與晶片之間的距離，以及相對於晶片的產生器之方位。

在所有揭示的實施例中，且更一般而言在根據一實施例之測試系統中，磁場產生器之細節可例如類似於在專利申請案FR3046695A1中描述之彼等。

根據一實施例之測試系統可進一步包含保護框架、支撐組件及/或其他組件，例如，機械及/或液壓聯結器、電子連接、電力供應組件、處理及/或控制單元，其中所有此等組件具有第二次序且在熟習此項技術者之能力內，且未示出以避免使圖式累贅。

所描述實施例之優點將使得可能將磁場產生器使用於實行探針卡的測試，而擺脫探針與磁場產生器之頭之間的相對定位之問題。

各種實施例及變體已經描述。熟習此項技術者將理解，此等各種實施例及變體之某些特徵可經組合，且熟習此項技術者將想到其他變體。具體而言，熟習此項技術者將想到相比於所揭示彼等的機器人平台之其他變體，介於三個軸線與六個軸線之間。

最後，所描述實施例及變體之實踐實行方案基於上文給出的功能指示而在熟習此項技術者之能力內。

10:積體電路晶片

12:晶片組件

100:系統/測試系統

110:支撐件

120:探針卡

122:測試探針

124:印刷電路

130:電學量測裝置

150:磁場產生器

200:系統

210:晶片支撐件

220:卡

222:測試探針

230:電學量測裝置

240:位移裝置/機器人平台

250:產生器

300:測試系統

340:裝置/機器人平台/位移裝置

342:機器人

342X:第一馬達

342Y:第二馬達

342Z:第三馬達

344:接合元件/接合組件

350:磁場產生器

351:框架

352:垂直棒

353A,353B:線圈

354:徑向臂

355:極性末端

355A,355B:線圈

356:水平桿

357:耦合塊

358:圓柱形臂

359:錐形極性末端

360:基座

372:底腳

374:基座

400:測試系統

440:位移裝置/機器人平台

442:機器人

444:配接器

445:第一接頭

446:傳動臂

447:第二接頭

450:磁場產生器

451:框架

452:垂直棒

454:徑向臂

455:極性末端

460:基座

4421:下板

4422:上板

4423:可收縮臂

4424,4425:球形接頭連桿

D:距離

先前特徵及優點，以及其他將在參考伴隨圖式藉由例示且非限制之方式給出的特定實施例之以下描述中加以詳細描述，在伴隨圖式中：

第1A圖例示電學積體電路晶片試驗系統之實例；

第1B圖示出給出相對於晶片之待測裝置(device under test，DUT)之參考位置的根據產生器或「磁頭」之位置間隙的磁場之以毫特斯拉(milli-Tesla，mT)為單位之振幅的曲線之實例；

第2圖示意性地示出根據一實施例的系統；

第3A圖為根據一實施例的系統之一實例的部分透視圖；

第3B圖為第3A圖之系統的另一部分透視圖；

第3C圖為第3A圖之系統之磁場產生器的透視圖；

第4A圖為根據一實施例的系統之另一實例的部分透視圖；

第4B圖為第4A圖之系統的另一部分透視圖；且

第4C圖為第4A圖之系統之磁場產生器的透視圖。

10:積體電路晶片

12:晶片組件

200:系統

210:晶片支撐件

220:卡

222:測試探針

230:電學量測裝置

240:位移裝置/機器人平台

250:產生器

D:距離

Claims (14)

1. 一種磁場下積體電路晶片電學測試系統，包含：- 一積體電路晶片支撐件；- 一探針卡，耦合至一電學量測裝置；以及- 一磁產生器，藉由一機器人平台攜帶，該探針卡佈置在該積體電路晶片支撐件與該磁產生器之間。
2. 如請求項1所述之系統，該系統適於一積體電路晶片之一組件之電學測試，其中該產生器適於產生一磁場且將該磁場施加至該組件。
3. 如請求項2所述之系統，其中該機器人平台經組配來相對於該晶片調適該產生器之位置及/或方位。
4. 如請求項1所述之系統，其中該機器人平台包含一機器人，該機器人具有至少三個軸線。
5. 如請求項4所述之系統，其中該等三個軸線對應於平行於該支撐件之平面的第一方向及第二方向且對應於一第三方向，該第三方向對應於垂直於此平面的方向，該第一方向及該第二方向例如彼此正交。
6. 如請求項5所述之系統，其中該機器人包含沿一第一方向線性運動中的一第一馬達、沿該第二方向線性運動中的一第二馬達，及沿該第三方向線性運動中的一第三馬達，該等馬達例如彼此耦合。
7. 如請求項1所述之系統，其中該機器人平台 包含例如六足裝置類型的具有六個軸線之一機器人。
8. 如請求項7所述之系統，其中該等六個軸線對應於：- 平行於該支撐件之該平面的第一方向及第二方向，該第一方向及該第二方向例如彼此正交；- 一第三方向，該第三方向對應於垂直於此平面的該方向；以及- 圍繞該等第一、第二，及第三各別方向的三個旋轉。
9. 如請求項1所述之系統，其中該機器人平台包含耦合至該產生器的一元件。
10. 如請求項1所述之系統，其中該機器人平台經組配來相對於該探針卡之探針之當前位置調適該產生器之該相對位置及/或該相對方位。
11. 如請求項1所述之系統，其中該機器人平台經組配來相對於該探針卡之一參考探針之位置調適該產生器之該相對位置及/或該相對方位。
12. 如請求項1所述之系統，其中該機器人平台經組配來相對於該晶片之一組件之一參考軸線調適該產生器之該相對位置及/或該相對方位，該組件例如一霍爾效應磁感測器。
13. 如請求項1所述之系統，其中該產生器之該相對位置及/或該相對方位之該調適在一積體電路晶片之一組件之一電學測試期間為週期性的。
14. 如請求項1所述之系統，該系統適於一磁場 感測器，例如一霍爾效應感測器，及/或一隨機存取磁記憶體之該電學測試。

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