JP2022516576A - 容量性高さセンシング測定値を較正するプローブシステム及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2019年12月30日に出願された米国特許出願第16/730584号、及び2019年1月8日に出願された米国特許仮出願第62/789625号により優先権を主張し、これらの特許出願は参照することによって本明細書に含める。
本発明は一般に、容量性高さセンシング(検出)測定値を較正するためのプローブシステム及び方法に関するものである。
プローブシステムを利用して、被試験デバイス(DUT:device under test)の動作を試験することができる。一例として、プローブシステムはシリコン・フォトニクス結合技術を利用することができ、シリコン・フォトニクス結合技術では、1つ以上の光ファイバが光信号によりDUTと相互作用する。こうした例では、各光ファイバは一般にDUTとは接触せず、その代わりに、DUT上の格子カプラのような光カプラと位置合わせされて光信号を送信及び受信する。こうした構成は、光ファイバと光カプラとの精密な位置合わせのおかげで、光ファイバとDUTとの間の出力伝達を強化する。
図1~3は、本発明によるプローブシステム10及び/または方法200の例を提供する。図1~3の各々では、同様な、あるいは少なくとも実質的に同様な目的を果たす要素には同様な番号のラベルを付け、本明細書中では、これらの要素は図1~3の各々を参照して詳細に説明しないことがある。同様に、図1~3の各々では、必ずしも全要素にラベルを付けないことがあるが、本明細書中では、これらの要素に関連する参照番号を、一貫性を保つために利用することがある。本明細書中で図1~3のうちの1つ以上を参照して説明する要素、構成要素、及び/または特徴は、本発明の範囲から逸脱することなしに、図1~3のいずれかに含めること、及び/または図1~3のいずれかと共に利用することができる。一般に、特定の実施形態に含まれることが多い要素は実線で示すのに対し、任意である要素は破線で示す。しかし、実線で示す要素は必ずしも不可欠でないことがあり、一部の実施形態では、本発明の範囲から逸脱することなしに省略することができる。
C=εA/d
のように関係付けられる。媒質の絶対誘電率は
ε=εrε0
のように表すこともでき、ここにεrは媒質の無次元の相対誘電率であり、ε0=8.854×10-12F/mは真空の誘電率である。従って、容量性変位センサ40のセンシングチップ42が、面積Aを有し、センシングチップ距離44に等しい距離dだけ導体から分離されている例では、静電容量Cの測定がセンシングチップ距離の測定を可能にすることができる。容量性変位センサに対面する表面が導体である際には、こうした分析がセンシングチップ距離の正確な測定を可能にすることができるが、他の場合には、この分析は正確な測定値を生成し損なう。例えば、容量性変位センサに対面する表面が(図2の概略図の例におけるように)導体層に加えて1つ以上の絶縁層及び/または抵抗層を含む際には、以下で説明するように、こうした絶縁及び/または抵抗層が測定誤差を導入し得る。
X(f)=[2πfC]-1=d/(2πfεrε0A)
のように関係付けられる。
V/I=d(2πfεrε0A)
とすることができる。この表現式を距離dについて解けば、
d=(2πfεrε0A)V/I
となり、こうして、既知の及び/または測定した量から距離dを測定する手段が提供される。
(外1)
に、
X(f)=[2πfC]-1=d/(2πfεrε0A)
のように関係付けられる。
X(f)=[2πfC]-1=d/(2πfεrε0A)
のように計算することができる。
duncal=2πfεrε0AZmeas
のように計算することができる。こうした例では、本明細書中に説明するように、較正した容量性高さ測定値を計算するステップ260が、未較正の容量性高さ測定値と、ステップ230で計算した全層のインピーダンスの大きさに対応する高さ較正補正係数との差を計算するステップを含むことができる。一部のこうした例では、容量性変位センサを、未較正の容量性高さ測定値を生成及び/または出力するように構成することができる。
Zgap=d/(2πfεrε0A)
のように関係付けられ、これにより、較正した容量性高さ測定値を計算するステップ260は、
d=Zgap2πfεrε0A
を計算するステップを含むことができ、ここにfはステップ242における供給において利用されるAC励起電圧信号の励起周波数であり、εrはギャップを占める媒質の相対誘電率であり、Aは高さ較正構造に対面するセンシングチップの表面積である。
Δd=Zsub2πfεrε0A
のように計算するステップを含むことができ、ここにZsubはステップ230で計算した全層のインピーダンスの大きさである。こうした例では、較正した容量性高さ測定値を計算するステップ260が、ステップ264で計算した高さ較正補正係数に少なくとも部分的に基づく。例えば、較正した容量性高さ測定値を計算するステップは、未較正の容量性高さ測定値と高さ較正補正係数との差を計算するステップを含むことができる。
Zgap=d(2πfεrε0A)
のように関係付けられ、dの関数としてのZgapのプロットは直線的であるものと予期され、かつ原点を通過する。
Z1=ρ1t1/A
のように計算することができ、第2表面下層126の層インピーダンスの大きさZ3は
Z3=ρ3t3/A
のように計算することができる。第1表面下層125は絶縁体であるので、第1表面下層の層インピーダンスは第1表面下層の容量性リアクタンスによって支配されるものと仮定する。従って、第1表面下層125の層インピーダンスの大きさZ2は
Z2=t2/(2πfεrε0A)
のように計算することができ、ここにfは第1表面下層に入る電気信号の周波数である。従って、全層のインピーダンスの大きさを計算するステップ230は、
d=Zgap2πfεrε0A
のように関係付けることができ、ここにfは上記供給するステップ242で利用するAC励起電圧信号の励起周波数であり、εrはギャップを占める媒質の相対誘電率であり、Aは高さ較正構造に対面するセンシングチップの表面積である。
コントローラで、基板の高さ較正構造の高さ較正構造アーキテクチャを受信するステップであって、高さ較正構造アーキテクチャは、高さ較正構造の1つ以上の基板層に関する情報を含むステップと;
コントローラで、高さ較正構造アーキテクチャに少なとも部分的に基づいて、1つ以上の基板層における各基板層の層インピーダンスの大きさを計算するステップと;
コントローラで、1つ以上の基板層における各基板層の層インピーダンスの大きさを計算するステップに少なとも部分的に基づいて、高さ較正構造の全層のインピーダンスの大きさを計算するステップと;
容量性変位センサで、実測インピーダンスの大きさを測定するステップと;
コントローラで、全層のインピーダンスの大きさ及び実測インピーダンスの大きさに少なくとも部分的に基づいて、較正した容量性高さ測定値を計算するステップと
を含む方法。
(i) 任意で上記法線軸に沿って測定した、1つ以上の基板層における各基板層の層厚さ;
(ii) 1つ以上の基板層における各基板層の電気抵抗率;
(iii) 1つ以上の基板層における各基板層の相対誘電率;及び
(iv) 任意で上記法線軸に垂直な平面内で測定した、高さ較正構造に対面するセンシングチップのセンシングチップ表面積
のうちの1つ以上を受信するステップを含む方法。
(i) 励起電圧信号に基づく応答電流信号を測定するステップと;
(ii) 実測インピーダンス信号の大きさを、励起電圧信号の大きさ及び応答電流信号の大きさの各々に少なくとも部分的に基づいて計算するステップと
を含む方法。
(i) コントローラで、実測インピーダンスの大きさと全層のインピーダンスの大きさとの差に等しいギャップ・インピーダンスの大きさを計算するステップと;
(ii) コントローラで、ギャップ・インピーダンスの大きさに少なくとも部分的に基づいて、較正した容量性高さ測定値を計算するステップと
を含む方法。
(i) センシングチップ距離が変化する間に、実測インピーダンスの大きさを測定するステップ;及び
(ii) 既知のセンシングチップ距離における実測インピーダンスの大きさを測定するステップ;
の一方または両方を含み、
較正した容量性高さ測定値を計算するステップが、距離依存性のインピーダンスに少なくとも部分的に基づく方法。
(i) 較正した容量性高さ測定値にチップ・オフセット量を加算するステップ;及び
(ii) 較正した容量性高さ測定値からチップ・オフセット量を減算するステップ;
のうちの一方を含む方法。
1つ以上のDUTを試験するように構成されたプローブ・アセンブリと;
段落A1~A23のいずれかの方法によりプローブシステムの動作を制御するようにプログラムされたコントローラとを具えたプローブシステムであって、
プローブ・アセンブリが:
(i) プローブ支持体と;
(ii) プローブ支持体によって動作可能な様式で支持される1つ以上のプローブと;
(iii) プローブ支持体によって支持される容量性変位センサとを含み、
1つ以上のプローブの各々が、1つ以上のDUTにおける対応するDUTを試験するように構成され、
容量性変位センサがセンシングチップで終端し、センシングチップは基板に対して離間して位置決めされるように構成され;容量性変位センサが未較正の容量性高さ測定値を生成するように構成され、未較正の容量性高さ測定値は、基板からセンシングチップまでのセンシングチップ距離を少なくとも部分的に表し、センシングチップ距離は、任意で、基板に少なくともほぼ垂直に延びる法線軸に平行な方向に沿って測定されるプローブシステム。
(i) プローブ・アセンブリの少なくとも一部分;及び
(ii) 基板の少なくとも一部分
のうちの一方または両方の光学像を受けるように構成されているプローブシステム。
(i) 試験信号を発生すること;
(ii) 試験信号をプローブ経由でDUTに供給すること;
(iii) 結果信号をプローブ経由でDUTから受信すること;及び
(iv) 結果信号を分析すること
のうちの1つ以上を行うように構成されているプローブシステム。
Claims (31)
- プローブシステムを利用して、較正した容量性高さ測定値を生成する方法であって、該プローブシステムがプローブ支持体を有するプローブ・アセンブリを含み、該プローブ支持体はセンシングチップで終端する容量性変位センサを支持し、該センシングチップは基板に対して離間した関係に位置決めされるように構成され、前記容量性変位センサは、前記基板から前記センシングチップまでのセンシングチップ距離を少なくとも部分的に表す未較正の容量性高さ測定値を生成するように構成されている方法において、
コントローラで、前記基板の高さ較正構造の高さ較正構造アーキテクチャを受信するステップであって、該高さ較正構造アーキテクチャは、該高さ較正構造の1つ以上の基板層に関する情報を含むステップと、
前記コントローラで、前記高さ較正構造アーキテクチャに少なくとも部分的に基づいて、前記1つ以上の基板層における各基板層の層インピーダンスの大きさを計算するステップと、
前記コントローラで、前記1つ以上の基板層における各基板層の層インピーダンスを計算するステップに少なくとも部分的に基づいて、前記高さ較正構造の全層のインピーダンスの大きさを計算するステップと、
前記容量性変位センサで、実測インピーダンスの大きさを測定するステップと、
前記コントローラで、前記全層のインピーダンスの大きさ及び前記実測インピーダンスの大きさに少なくとも部分的に基づいて、前記較正した容量性高さ測定値を計算するステップと
を含む方法。 - 前記1つ以上の基板層が、表面層及び1つ以上の表面下層を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記高さ較正構造アーキテクチャを受信するステップが、
(i) 前記1つ以上の基板層における各基板層の層厚さ、
(ii) 前記1つ以上の基板層における各基板層の電気抵抗率、
(iii) 前記1つ以上の基板層における各基板層の相対誘電率、及び
(iv) 前記高さ較正構造に対面する前記センシングチップのセンシングチップ表面積
のうちの1つ以上を受信するステップを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記高さ較正構造アーキテクチャを受信するステップが、ユーザ入力を受けるように構成されたユーザインタフェースを介して受信するステップを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記1つ以上の基板層における各基板層の層インピーダンスを計算するステップが、前記1つ以上の基板層における少なくとも1つの前記基板層の層抵抗を、前記基板層の各々の層厚さ及び前記基板層の各々の電気抵抗率の一方または両方に少なくとも部分的に基づいて計算するステップを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記1つ以上の基板層における各基板層の層インピーダンスを計算するステップが、前記1つ以上の基板層における少なくとも1つの前記基板層の層リアクタンスを計算するステップを含み、該層リアクタンスを計算するステップが、前記1つ以上の基板層における少なくとも1つの前記基板層の層静電容量を計算するステップを含み、該層静電容量を計算するステップが、前記少なくとも1つの基板層における前記基板層の各々の層厚さ及び前記少なくとも1つの基板層における前記基板層の各々の相対誘電率の一方または両方に少なくとも部分的に基づくステップを含む、請求項3に記載の方法。
- 前記1つ以上の基板層における各基板層の層インピーダンスを計算するステップが、
(i) 少なくとも1つの前記基板層の各々の前記層抵抗と前記層リアクタンスとを比較するステップと、
(ii) 前記少なくとも1つの基板層の各々の前記層インピーダンスの大きさを、前記少なくとも1つの基板層の各々の前記層抵抗及び前記層リアクタンスのうちの小さい方として近似するステップと
を含む、請求項3に記載の方法。 - 前記高さ較正構造の全層のインピーダンスを計算するステップが、前記1つ以上の基板層の各々の前記層インピーダンスの大きさをまとめて加算するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記実測インピーダンスの大きさを測定するステップが、励起周波数の交流(AC)励起電圧信号を前記センシングチップに供給するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記実測インピーダンスの大きさを測定するステップが、
(i) 前記励起電圧信号に基づく応答電流信号を測定するステップと、
(ii) 前記励起電圧信号の大きさ及び前記応答電流信号の大きさの各々に少なくとも部分的に基づいて、前記実測インピーダンス信号の大きさを計算するステップと
をさらに含む、請求項9に記載の方法。 - 前記較正した容量性高さ測定値を計算するステップが、
(i) 前記コントローラで、前記実測インピーダンスの大きさと前記全層のインピーダンスの大きさとの差に等しいギャップ・インピーダンスの大きさを計算するステップと、
(ii) 前記コントローラで、前記ギャップ・インピーダンスの大きさに少なくとも部分的に基づいて、前記較正した容量性高さ測定値を計算するステップと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記コントローラで、前記全層のインピーダンスの大きさに少なくとも部分的に基づいて、高さ較正補正係数を計算するステップをさらに含み、前記較正した容量性高さ測定値を計算するステップが、前記高さ較正補正係数に少なくとも部分的に基づく、請求項1に記載の方法。
- 前記較正した容量性高さ測定値を計算するステップが、前記未較正の容量性高さ測定値と前記高さ較正補正係数との差を計算するステップを含む、請求項12に記載の方法。
- 前記容量性変位センサで、距離依存性のインピーダンスを測定するステップをさらに含み、該距離依存性のインピーダンスを測定するステップが、
(i) 前記センシングチップ距離が変化する間に、前記実測インピーダンスの大きさを測定するステップ、及び
(ii) 既知のセンシングチップ距離における前記実測インピーダンスの大きさを測定するステップ
の一方または両方を含み、
前記較正した容量性高さ測定値を計算するステップが、前記距離依存性のインピーダンスに少なくとも部分的に基づく、請求項1に記載の方法。 - 前記既知のセンシングチップ距離が非ゼロである、請求項14に記載の方法。
- 前記高さ較正構造の前記全層のインピーダンスの大きさを計算するステップが、前記距離依存性のインピーダンスに少なくとも部分的に基づく、請求項14に記載の方法。
- 前記プローブシステムが、前記基板からプローブチップ変位だけ離間したプローブチップを有するプローブをさらに含み、前記方法が、前記コントローラで、前記較正した容量性高さ測定値に少なくとも部分的に基づいて、前記プローブチップ変位を測定するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プローブチップが前記センシングチップからチップ・オフセット量だけ離間し、該チップ・オフセット量は、前記基板にほぼ垂直に延びる法線軸に平行な方向に沿って測定され、該チップ・オフセット量は少なくともほぼ固定であり、前記プローブチップ変位を測定するステップが:、
(i) 前記較正した容量性高さ測定値に前記チップ・オフセット量を加算するステップ、及び
(ii) 前記較正した容量性高さ測定値から前記チップ・オフセット量を減算するステップ
の一方を含む、請求項17に記載の方法。 - 前記プローブチップ変位を測定するステップが、前記チップ・オフセット量を撮像装置で測定するステップを含む、請求項18に記載の方法。
- 1つ以上の被試験デバイス(DUT)を含む基板を支持するように構成されたチャック支持面を有するチャックと、
前記1つ以上のDUTを試験するように構成されたプローブ・アセンブリと、
コントローラとを具えたプローブシステムであって、該コントローラは、請求項1に記載の方法により該プローブシステムの動作を制御するようにプログラムされたプローブシステムにおいて、
前記プローブ・アセンブリが、
(i) プローブ支持体と、
(ii) 前記プローブ支持体によって動作可能な様式で支持される1つ以上のプローブと、
(iii) 前記プローブ支持体によって支持される容量性変位センサとを含み、
前記1つ以上のプローブの各々が、前記1つ以上のDUTにおける対応するDUTを試験するように構成され、
前記容量性変位センサがセンシングチップで終端し、該センシングチップは前記基板に対して離間して位置決めされるように構成され、前記容量性変位センサが未較正の容量性高さ測定値を生成するように構成され、該未較正の容量性高さ測定値は、前記基板から前記センシングチップまでのセンシングチップ距離を少なくとも部分的に表すプローブシステム。 - 前記容量性変位センサが、前記センシングチップを少なくともほぼ円形に包囲するガード電極を含み、前記容量性変位センサは、当該容量性変位センサの動作状態での使用中に、前記ガード電圧を前記ガード電極に供給して、前記未較正の容量性高さ測定値を生成するように構成され、前記プローブ・アセンブリが、当該プローブ・アセンブリの動作状態での使用中に、前記ガード電極を少なくとも部分的に無効化して前記DUTを試験するように構成されている、請求項20に記載のプローブ・アセンブリ。
- 前記プローブの各々が、前記プローブシステムの動作状態での使用中に前記基板に対面するプローブチップを含み、前記プローブ支持体が、前記センシングチップ及び前記プローブチップを互いに対して少なくとも実質的に固定されて維持するように構成され、これにより、前記プローブシステムの動作状態での使用中に、前記チップ・オフセット量が少なくとも実質的に固定され、前記チップ・オフセット量は、前記基板に少なくともほぼ垂直に延びる法線軸に平行な方向に沿って測定される、請求項20に記載のプローブシステム。
- 前記プローブの各々が、ファイバチップを含む光ファイバを含み、該光ファイバの各々が、前記ファイバチップを通して、光信号を前記DUTへ送信すること及び該光信号を前記DUTから受信することのうちの一方または両方を行うように構成されている、請求項20に記載のプローブシステム。
- 前記光ファイバが、前記DUTの光カプラを介して前記DUTと相互作用するように構成されている、請求項23に記載のプローブシステム。
- 前記光カプラが格子カプラ及び導波路のうちの1つ以上を含む、請求項24に記載のプローブシステム。
- 前記プローブ・アセンブリがプローブ・ポジショナを含み、該プローブ・ポジショナは、動作可能な様式で前記プローブ支持体に結合され、前記プローブ支持体を前記基板に対して選択的に位置決めするように構成されている、請求項20に記載のプローブシステム。
- 前記ファイバチップが対応する前記光カプラに少なくとも実質的に位置合わせされるように、前記プローブ・ポジショナが前記プローブ支持体を位置決めするように構成されている、請求項26に記載のプローブシステム。
- 1つ以上の撮像装置をさらに具え、該撮像装置が、
(i) 前記プローブ・アセンブリの少なくとも一部分、及び
(ii) 前記基板の少なくとも一部分
のうちの一方または両方の光学像を受けるように構成されている、請求項20に記載のプローブシステム。 - 前記1つ以上の撮像装置における各撮像装置が、
(i) 前記基板に少なくともほぼ垂直に延びる法線軸に少なくともほぼ平行な方向、及び
(ii) 前記法線軸に少なくともほぼ垂直な方向
のうちの一方に沿って前記光学像を受けるように構成されている、請求項28に記載のプローブシステム。 - 信号発生兼分析アセンブリをさらに具え、該信号発生兼分析アセンブリは、
(i) 試験信号を発生すること、
(ii) 前記試験信号を前記プローブ経由で前記DUTに供給すること、
(iii) 結果信号を前記プローブ経由で前記DUTから受信すること、及び
(iv) 前記結果信号を分析すること
のうちの1つ以上を行うように構成されている、請求項20に記載のプローブシステム。 - 前記コントローラが前記信号発生兼分析アセンブリを含む、請求項30に記載のプローブシステム。
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WO (1) | WO2020146175A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024111062A1 (ja) * | 2022-11-22 | 2024-05-30 | ファナック株式会社 | 制御装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11047795B2 (en) * | 2019-06-03 | 2021-06-29 | Formfactor, Inc. | Calibration chucks for optical probe systems, optical probe systems including the calibration chucks, and methods of utilizing the optical probe systems |
US11204383B2 (en) | 2019-09-30 | 2021-12-21 | Formfactor, Inc. | Methods for maintaining gap spacing between an optical probe of a probe system and an optical device of a device under test, and probe systems that perform the methods |
US12017907B2 (en) | 2021-01-27 | 2024-06-25 | Invensense, Inc. | Capacitance gap measurement |
JP2022124177A (ja) | 2021-02-15 | 2022-08-25 | 株式会社日本マイクロニクス | 接続装置及び集光基板 |
CN113917202B (zh) * | 2021-09-23 | 2023-09-12 | 合肥欣奕华智能机器股份有限公司 | 探针安装高度校准设备、方法、控制器及计算机存储介质 |
CN114088979A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-02-25 | 百及纳米科技(上海)有限公司 | 探针校准方法、表面测量方法以及探针控制设备 |
US20240168058A1 (en) * | 2022-11-18 | 2024-05-23 | Formfactor, Inc. | Methods of establishing contact between a probe tip of a probe system and a device under test, probe systems that perform the methods, and storage media that directs probe systems to perform the methods |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06194425A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 半導体ウエハの非接触電気測定用センサおよびその製造方法 |
JPH06300509A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-10-28 | Kyoto Jushi Seiko Kk | 絶縁性被膜または絶縁部材の厚さを測定する装置およびその測定方法 |
JP2010508533A (ja) * | 2006-11-01 | 2010-03-18 | フォームファクター, インコーポレイテッド | プローブカードアセンブリにおいてアクティブなコンプライアンスを提供する方法および装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4539835A (en) | 1983-10-28 | 1985-09-10 | Control Data Corporation | Calibration apparatus for capacitance height gauges |
US6337218B1 (en) * | 1999-05-28 | 2002-01-08 | International Business Machines Corporation | Method to test devices on high performance ULSI wafers |
US6677771B2 (en) * | 2001-06-20 | 2004-01-13 | Advantest Corp. | Probe contact system having planarity adjustment mechanism |
US6762612B2 (en) * | 2001-06-20 | 2004-07-13 | Advantest Corp. | Probe contact system having planarity adjustment mechanism |
US7019513B1 (en) * | 2005-01-19 | 2006-03-28 | Vladimir Faifer | Non-contact method and apparatus for measurement of sheet resistance and leakage current of p-n junctions |
DE102006018474A1 (de) * | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Infineon Technologies Ag | Testvorrichtung für Halbleiterelemente auf einem Halbleiterwafer sowie ein Testverfahren unter Verwendung der Testvorrichtung |
US8120781B2 (en) * | 2008-11-26 | 2012-02-21 | Zygo Corporation | Interferometric systems and methods featuring spectral analysis of unevenly sampled data |
TWI384227B (zh) * | 2009-09-01 | 2013-02-01 | Advanced Semiconductor Eng | 主動式非接觸之探針卡 |
US8638109B2 (en) * | 2009-12-31 | 2014-01-28 | Mapper Lithography Ip B.V. | Capacitive sensing system with differential pairs |
WO2011137451A2 (en) | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Hysitron, Incorporated | 2-d mems tribometer with comb drives |
US10459006B2 (en) * | 2016-09-28 | 2019-10-29 | Formfactor Beaverton, Inc. | Probe systems and methods |
-
2019
- 2019-12-30 US US16/730,584 patent/US10809048B2/en active Active
- 2019-12-31 JP JP2021539675A patent/JP7280956B2/ja active Active
- 2019-12-31 KR KR1020217024710A patent/KR102650918B1/ko active IP Right Grant
- 2019-12-31 EP EP19908705.7A patent/EP3908808B1/en active Active
- 2019-12-31 WO PCT/US2019/069084 patent/WO2020146175A1/en unknown
-
2020
- 2020-01-03 TW TW109100192A patent/TWI754205B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06194425A (ja) * | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 半導体ウエハの非接触電気測定用センサおよびその製造方法 |
JPH06300509A (ja) * | 1993-02-22 | 1994-10-28 | Kyoto Jushi Seiko Kk | 絶縁性被膜または絶縁部材の厚さを測定する装置およびその測定方法 |
JP2010508533A (ja) * | 2006-11-01 | 2010-03-18 | フォームファクター, インコーポレイテッド | プローブカードアセンブリにおいてアクティブなコンプライアンスを提供する方法および装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024111062A1 (ja) * | 2022-11-22 | 2024-05-30 | ファナック株式会社 | 制御装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210122251A (ko) | 2021-10-08 |
TWI754205B (zh) | 2022-02-01 |
TW202104905A (zh) | 2021-02-01 |
EP3908808A1 (en) | 2021-11-17 |
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EP3908808B1 (en) | 2023-06-07 |
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KR102650918B1 (ko) | 2024-03-26 |
US10809048B2 (en) | 2020-10-20 |
JP7280956B2 (ja) | 2023-05-24 |
WO2020146175A1 (en) | 2020-07-16 |
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