TWM626168U - 鈑件 - Google Patents
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Abstract
一種鈑件包含卡合槽以及板體。卡合槽配置以容置熱管的一部分。卡合槽包含底部以及牆部。牆部連接底部的邊緣。鏤空部形成於牆部。板體彎折地連接牆部,並配置以與電路板接觸。
Description
本揭露係有關於一種鈑件,尤其是一種用於熱管直觸技術的鈑件。
在筆記型電腦的散熱領域中,將發熱元件(例如:CPU或GPU的晶片)散熱之最常見的結構配置是利用熱管將發熱元件產生的廢熱導入具有鰭片結構的散熱模組,然後散熱模組再將廢熱排出。上述用以將發熱元件散熱的結構配置又分為熱管直觸型、銅底焊接型以及均熱板型,其中熱管直觸型係指熱管直接接觸發熱元件。在熱管直觸型的實施方式中,熱管會透過帽蓋式鈑件覆蓋於其上以鎖固至電路板上。
然而,上述鈑件通常是透過摺邊的方式形成凹槽以容置熱管,經過摺邊加工的鈑件必然會在彎折處產生圓角。圓角會使得熱管與鈑件之間有間隙,而使熱管無法完全接觸鈑件,從而影響熱管的散熱性能。
因此,如何提出一種可解決上述問題的鈑件,是目前業界亟欲投入研發資源解決的問題之一。
有鑑於此,本揭露之一目的在於提出一種可有解決上述問題的鈑件。
為了達到上述目的,依據本揭露之一實施方式,一種鈑件包含卡合槽以及板體。卡合槽配置以容置熱管的一部分。卡合槽包含底部以及牆部。牆部連接底部的邊緣。鏤空部形成於牆部。板體彎折地連接牆部,並配置以與電路板接觸。
在本揭露的一或多個實施方式中,鏤空部進一步延伸至該底部。
在本揭露的一或多個實施方式中,鏤空部包含第一延伸區以及第二延伸區。第一延伸區形成於牆部。第二延伸區連接第一延伸區的一端,並延伸至底部。
在本揭露的一或多個實施方式中,鏤空部進一步延伸至板體。
在本揭露的一或多個實施方式中,鏤空部包含第一延伸區以及第二延伸區。第一延伸區形成於牆部。第二延伸區連接第一延伸區的一端,並延伸至板體。
在本揭露的一或多個實施方式中,第一延伸區實質上沿著邊緣延伸。
在本揭露的一或多個實施方式中,第二延伸區實質上沿著垂直於邊緣的一方向遠離第一延伸區延伸。
在本揭露的一或多個實施方式中,板體進一步包含承靠面沿著平行於邊緣之一方向延伸。
在本揭露的一或多個實施方式中,底部平行於底部之平面延伸,且承靠面相對於平面傾斜。
在本揭露的一或多個實施方式中,卡合槽具有上開口。上開口與底部相對。且板體由牆部遠離上開口延伸。
在本揭露的一或多個實施方式中,鈑件還包含固定臂。固定臂連接板體,並配置以固定至電路板。
在本揭露的一或多個實施方式中,固定臂包含第一固定結構以及第二固定結構。第一固定結構固定至板體的表面。第二固定結構位於表面的外緣之外,並配置以固定至電路板。
綜上所述,在本揭露的鈑件中,透用衝壓製程在鈑件上形成鏤空部並形成牆部,使得在接續衝壓製程之後的滾壓製程中熱管與鈑件之間的間隙變小,從而提升熱管的散熱效率。在本揭露的鈑件中,藉由形成鏤空部於鈑件上,使得熱管的管體在滾壓製程中可以朝向位於牆部兩側的鏤空部擴張,而避免管體在滾壓製程中向內凹陷,從而影響熱管的散熱性能。
以上所述僅係用以闡述本揭露所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等,本揭露之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。
以下將以圖式揭露本揭露之複數個實施方式,為明確說明起見,許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而,應瞭解到,這些實務上的細節不應用以限制本揭露。也就是說,在本揭露部分實施方式中,這些實務上的細節是非必要的。此外,為簡化圖式起見,一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。在所有圖式中相同的標號將用於表示相同或相似的元件。
以下將詳細介紹本實施方式之鈑件100所包含的各元件的結構、功能以及各元件之間的連接關係。
第1圖為根據本揭露之一實施方式中之鈑件100容置熱管HP且熱管HP接觸散熱模組DM的示意圖。如第1圖所示,熱管HP與位於其下方的發熱元件(未繪示;例如:CPU或GPU的晶片)接觸,使得發熱元件所產生的廢熱可以傳導至熱管HP,熱管HP再將廢熱導入散熱模組DM中。在一些實施方式中,在散熱模組DM附近可以設置有風扇(未繪示)配置以幫助將積存在散熱模組DM中的廢熱排出,以達成將發熱元件散熱的功效。
第2圖為根據本揭露之一實施方式中之鈑件100容置熱管HP且熱管HP接觸散熱模組DM的另一示意圖。如第2圖所示,當熱管HP容置於鈑件100中時,熱管HP的上表面以及鈑件100一部分的上表面大致共平面,使得發熱元件可以更緊密的接觸熱管HP以及鈑件100,以發揮更佳的散熱效率。如第2圖所示,散熱模組DM接觸熱管HP以接受來自熱管HP傳遞的廢熱。
在一些實施方式中,如第1圖以及第2圖所示,熱管HP可以為彎曲形狀(例如:S形),這樣的設計係為了電子裝置(例如:筆記型電腦)中的其他元件(例如:中央處理單元(CPU)、圖形處理單元(GPU)、硬碟(hard disk)、記憶體單元(memory cell)或風扇等)可以獲得最佳的空間利用,以達到縮小電子裝置的尺寸之目的,但本揭露不以此為限。換言之,本揭露不意欲針對熱管HP的形狀進行限制。
在一些實施方式中,熱管HP的材料可以是例如銅的金屬材料,但本揭露不以此為限。在一些實施方式中,熱管HP可以是任何容易導熱的材料。
在一些實施方式中,鈑件100的材料可以是包含例如銅或鋁的金屬材料,但本揭露不以此為限。在一些實施方式中,鈑件100的材料可以是任何容易導熱的材料。
接下來將詳細說明鈑件100的結構。
第3A圖以及第3B圖為根據本揭露之一實施方式中之鈑件100的兩個不同視角的立體圖。如第3A圖以及第3B圖所示,鈑件100包含板體110、牆部120以及底部130。在本實施方式中,板體110的數量為二,牆部120的數量亦為二,並且板體110係彎折地連接牆部120。在本實施方式中,底部130的數量為一,並且底部130係彎折的連接兩個牆部120。在一些實施方式中,底部130相對牆部120垂直彎折。在一些實施方式中,板體110相對牆部120垂直彎折並遠離底部130延伸。如第3A圖以及第3B圖所示,藉由板體110、牆部120與底部130之間的彎折連接,牆部120與底部130共同形成卡合槽ET。卡合槽ET具有上開口UO,且上開口UO與底部130相對。換言之,上述兩個板體110係分別由兩個牆部120遠離上開口UO延伸。
請繼續參考第3A圖以及第3B圖。牆部120係連接底部130的邊緣,底部130的邊緣係在一方向上(例如:在第3A圖以及第3B圖中的方向X上)延伸。鈑件100還包含鏤空部O,鏤空部O形成在牆部120,或者更具體地說,鏤空部O形成在牆部120上。更詳細地說,鏤空部O包含第一延伸區O1以及第二延伸區O2。第一延伸區O1形成在牆部120,並且第一延伸區O1實質上沿著上述底部130的邊緣延伸。第二延伸區O2連接第一延伸區O1的一端。在一些實施方式中,如第3A圖以及第3B圖所示,鏤空部O包含兩個第二延伸區O2,故兩個第二延伸區O2分別連接第一延伸區O1的兩端。如第3A圖以及第3B圖所示,第二延伸區O2實質上沿著垂直於底部130的邊緣的一方向(例如:在第3A圖以及第3B圖中的方向Y上)遠離第一延伸區O1延伸,並且第二延伸區O2實質上延伸至板體110以及底部130。
在一些實施方式中,鈑件100還包含數個固定臂112。如第3A圖以及第3B圖所示,固定臂112設置於板體110上並與板體110連接,並且固定臂112配置以固定至電路板。更詳細地說,如第3B圖所示,固定臂112包含第一固定結構113以及第二固定結構114。第一固定結構113固定至板體110的表面。第二固定結構114位於前述板體110的表面的外緣之外,並且第二固定結構114配置以固定至電路板。
在一些實施方式中,第一固定結構113可以藉由例如鎖固、扣合或鉚合等固定方式固定至板體110的表面上。然而,本揭露不意欲針對第一固定結構113固定至板體110的表面之固定方式進行限制。
在一些實施方式中,第二固定結構114可以藉由例如鎖固、扣合或鉚合等固定方式固定至電路板。然而,本揭露不意欲針對第二固定結構114固定至電路板之固定方式進行限制。
在一些實施方式中,固定臂112可以直接自板體110延伸。具體來說,固定臂112可以與板體110一體成形,而不包含第一固定結構113。或者,在另一些實施方式中,鈑件100可以不包含固定臂112,在這種情形下,鈑件100可以直接固定至電路板。
在本實施方式中,鈑件100中係至少藉由衝壓製程製造而成。具體來說,鈑件100可以首先藉由執行衝壓製程而形成鏤空部O。在一些實施方式中,可以藉由例如包含類似於I字型的衝壓模具(未繪示)在鈑件100上形成類似於I字型的鏤空部O。在此衝壓製程中使用包含類似於I字型的衝壓模具是為了在後續製程中形成含有第一延伸區O1以及第二延伸區O2的鏤空部O。
接著,鈑件100可以再次藉由執行衝壓製程而形成由牆部120以及底部130構成的卡合槽ET。在一些實施方式中,可以藉由另一衝壓模具(未繪示)使鈑件100共形地形成如第3A圖以及第3B圖所示的外型。換言之,在此衝壓製程中,鈑件100從而形成板體110、牆部120以及底部130,並形成與底部130相對的上開口UO。在此衝壓製程中使用該另一衝壓模具是為了形成含有第一延伸區O1以及第二延伸區O2的鏤空部O,並使得第二延伸區O2可以延伸至板體110以及底部130。
接下來將詳細說明鈑件100如何容置熱管HP。
第4圖為根據本揭露之一實施方式中之鈑件100容置熱管HP的示意圖。如第4圖所示,當鈑件100藉由執行上述衝壓製程形成卡合槽ET之後,卡合槽ET即可容置具有合適寬度的熱管HP,且熱管HP接觸牆部120以及底部130。前述熱管HP的合適寬度係例如在第4圖中的方向Y上延伸。在一些實施方式中,熱管HP的合適寬度大致等於卡合槽ET在方向Y上延伸的寬度,使得熱管HP可以適切的卡合於鈑件100上。
在一些實施方式中,當熱管HP卡合於鈑件100上時,熱管HP的例如在方向Z上延伸的高度大致等於卡合槽ET的例如在方向Z上延伸的高度(即,牆部120的例如在方向Z上延伸的長度)。或者,在一些較佳的實施方式中,熱管HP的例如在方向Z上延伸的高度略大於卡合槽ET的例如在方向Z上延伸的高度。
接下來將詳細說明熱管HP如何與鈑件100更適切地卡合。
第5圖為根據本揭露之一實施方式中之熱管HP與鈑件100卡合的剖面圖。第5圖是基於第4圖中的剖面線A-A’的剖面圖。熱管HP位於卡合槽ET中。如第5圖所示,熱管HP包含管體140以及空腔142。空腔142由管體140包圍。
在本實施方式中,熱管HP係進一步藉由滾壓製程而與鈑件100卡合。在執行上述衝壓製程之後,遂執行滾壓製程。具體來說,如第5圖所示,滾壓製程係使在高溫狀態下的熱管HP可以藉由滾壓模具(未繪示)施加下壓力F使得熱管HP被壓扁。更詳細的說,熱管HP受到下壓力F被壓扁使得熱管HP的上表面以及板體110的上表面大致共平面,同時管體140朝向沿著方向Y的兩側擴張,使得管體140中未與牆部120接觸的一部分(即,管體140與鏤空部O緊鄰的一部分)沿著遠離上開口UO的方向(如第5圖中繪示於空腔142中的四個箭頭的方向)朝向鏤空部O擴張。
第6圖為根據本揭露之一實施方式中之熱管HP與鈑件100沿著第4圖中的剖面線A-A’的另一剖面圖。在本實施方式中,如第6圖所示,板體110包含承靠面110a。承靠面110a係沿著底部130的邊緣的方向(例如:在第6圖中的方向X上)延伸,且承靠面110a平行於第6圖中的方向X與方向Z構成的平面。
第7圖為根據本揭露之一實施方式中之另一實施例之熱管HP與鈑件100沿著第4圖中的剖面線A-A’的剖面圖。在本實施方式中,如第7圖所示,板體110包含承靠面110a’。承靠面110a’係沿著底部130的邊緣的方向(例如:在第7圖中的方向X上)延伸。承靠面110a’與第6圖中的承靠面110a的不同之處在於,承靠面110a’是一個具有斜角的平面,故承靠面110a’實際上係相對於與在方向X與方向Y構成的平面上延伸的底部130傾斜,如第7圖所示。透過在板體110上形成承靠面110a’,使得熱管HP與板體110的接觸面積增加,以增進熱管HP的散熱性能。
藉由前述結構配置,由於鈑件100具有卡合槽ET,使得熱管HP可以容置於鈑件100中。由於鈑件100的牆部120形成有鏤空部O,使得熱管HP在執行滾壓製程時可以更充分的接觸牆部120以及底部130,並使熱管HP的一部分朝向鏤空部O擴張,從而使熱管HP與鈑件100卡合。除此之外,鏤空部O的設置增加了滾壓製程滾壓熱管HP後變形所產生的變形量公差,使熱管HP受到下壓力F產生形變後不會因為沒有缺口逃料,進而導致熱管HP的管體140往熱管HP的中心凹陷。因為熱管HP藉由本揭露的結構配置能與鈑件100的卡合槽ET更緊密的貼合,使得熱管HP的散熱性能提升,進而改善電子裝置的散熱效率。
在一些實施方式中,固定臂112與板體110分離地設置係為了使操作者可以更靈活地更換由於因長久使用而導致老化、鏽蝕或損壞的元件。舉例來說,若因長久使用而導致固定臂112損壞,則可以只更換固定臂112,而不需更換整個鈑件100。
需要注意的是,本揭露不意欲限制上述衝壓製程以及滾壓製程的執行次數或先後順序,使用者可以根據其喜好與不同需求任意改變、替換或變更這些操作步驟之順序,並且這些改變、替換或變更皆在本揭露的精神與範圍內。
由以上對於本揭露之具體實施方式之詳述,可以明顯地看出,在本揭露的鈑件中,透用衝壓製程在鈑件上形成鏤空部並形成牆部,使得在接續衝壓製程之後的滾壓製程中熱管與鈑件之間的間隙變小,從而提升熱管的散熱效率。在本揭露的鈑件中,藉由形成鏤空部於鈑件上,使得熱管的管體在滾壓製程中可以朝向位於牆部兩側的鏤空部擴張,而避免管體在滾壓製程中向內凹陷,從而影響熱管的散熱性能。
上述內容概述若干實施方式之特徵,使得熟習此項技術者可更好地理解本案之態樣。熟習此項技術者應瞭解,在不脫離本案的精神和範圍的情況下,可輕易使用上述內容作為設計或修改為其他變化的基礎,以便實施本文所介紹之實施方式的相同目的及/或實現相同優勢。上述內容應當被理解為本揭露的舉例,其保護範圍應以申請專利範圍為準。
100:鈑件
110:板體
110a,110a’:承靠面
112:固定臂
113:第一固定結構
114:第二固定結構
120:牆部
130:底部
140:管體
142:空腔
A-A’:剖面線
DM:散熱模組
ET:卡合槽
F:下壓力
HP:熱管
O:鏤空部
O1:第一延伸區
O2:第二延伸區
UO:上開口
X,Y,Z:方向
為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂,所附圖式之說明如下:
第1圖繪示了根據本揭露之一實施方式中之鈑件容置熱管且熱管接觸散熱模組的示意圖。
第2圖繪示了根據本揭露之一實施方式中之鈑件容置熱管且熱管接觸散熱模組的另一示意圖。
第3A圖繪示了根據本揭露之一實施方式中之鈑件的立體圖。
第3B圖繪示了根據本揭露之一實施方式中之鈑件的另一立體圖。
第4圖繪示了根據本揭露之一實施方式中之鈑件容置熱管的示意圖。
第5圖繪示了根據本揭露之一實施方式中之熱管與鈑件沿著第4圖中之剖面線A-A’的剖面圖。
第6圖繪示了根據本揭露之一實施方式中之熱管與鈑件沿著第4圖中之剖面線A-A’的另一剖面圖。
第7圖繪示了根據本揭露之一實施方式中之另一實施例之熱管與鈑件沿著第4圖中之剖面線A-A’的剖面圖。
100:鈑件
110:板體
112:固定臂
113:第一固定結構
114:第二固定結構
120:牆部
130:底部
ET:卡合槽
O:鏤空部
O1:第一延伸區
O2:第二延伸區
UO:上開口
X,Y,Z:方向
Claims (12)
- 一種鈑件,包含: 一卡合槽,配置以容置一熱管的一部分,該卡合槽包含: 一底部;以及 一牆部,連接該底部的一邊緣,其中一鏤空部形成於該牆部;以及 一板體,彎折地連接該牆部,並配置以與一電路板接觸。
- 如請求項1所述之鈑件,其中該鏤空部進一步延伸至該底部。
- 如請求項2所述之鈑件,其中該鏤空部包含: 一第一延伸區,形成於該牆部;以及 一第二延伸區,連接該第一延伸區的一端,並延伸至該底部。
- 如請求項1所述之鈑件,其中該鏤空部進一步延伸至該板體。
- 如請求項4所述之鈑件,其中該鏤空部包含: 一第一延伸區,形成於該牆部;以及 一第二延伸區,連接該第一延伸區的一端,並延伸至該板體。
- 如請求項3或5所述之鈑件,其中該第一延伸區實質上沿著該邊緣延伸。
- 如請求項3或5所述之鈑件,其中該第二延伸區實質上沿著垂直於該邊緣的一方向遠離該第一延伸區延伸。
- 如請求項1所述之鈑件,其中該板體進一步包含一承靠面沿著平行於該邊緣之一方向延伸。
- 如請求項8所述之鈑件,其中該底部平行於一平面延伸,且該承靠面相對於該平面傾斜。
- 如請求項1所述之鈑件,其中該卡合槽具有一上開口與該底部相對,且該板體由該牆部遠離該上開口延伸。
- 如請求項1所述之鈑件,進一步包含一固定臂,該固定臂連接該板體,並配置以固定至該電路板。
- 如請求項11所述之鈑件,其中該固定臂包含: 一第一固定結構,固定至該板體的一表面;以及 一第二固定結構,位於該表面的外緣之外,並配置以固定至該電路板。
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TW111200327U TWM626168U (zh) | 2022-01-10 | 2022-01-10 | 鈑件 |
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TWM626168U true TWM626168U (zh) | 2022-04-21 |
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TW111200327U TWM626168U (zh) | 2022-01-10 | 2022-01-10 | 鈑件 |
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- 2022-01-10 TW TW111200327U patent/TWM626168U/zh unknown
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