TWM610272U - 超聲波感測器 - Google Patents
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 21
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 8
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 2
- 239000007779 soft material Substances 0.000 claims description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/04—Analysing solids
- G01N29/06—Visualisation of the interior, e.g. acoustic microscopy
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/24—Probes
- G01N29/2406—Electrostatic or capacitive probes, e.g. electret or cMUT-probes
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
- G01N2291/023—Solids
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/10—Number of transducers
- G01N2291/105—Number of transducers two or more emitters, two or more receivers
Abstract
本新型創作提出一種超聲波感測器。超聲波感測器包括感
測陣列。感測陣列包括陣列排列的多個感測單元。所述多個感測單元的各別包括第一超聲波換能器以及第二超聲波換能器。第一超聲波換能器用以發射感測超聲波。第二超聲波換能器用以接收對應於感測超聲波的反射超聲波。第一超聲波換能器與第二超聲波換能器平行設置於平面。第一超聲波換能器與第二超聲波換能器具有垂直於平面的相同中心軸。
Description
本新型創作是有關於一種感測器，且特別是有關於一種超聲波感測器。
目前已知的超聲波指紋掃描原理中，大多單獨採用壓電式微加工超音波換能器(Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer，PMUT)架構來發射與接收超聲波。對此，傳統的超聲波感測技術由於具有超聲波信號強度不足，因此存在較難穿透較硬、較厚或多層固體結構的問題，或者是由PMUT架構的多個PMUT所發射的超聲波存在容易發散的缺點，而導致反射聲波具有低訊號雜訊比(Signal Noise Ratio，SNR)以及影像對比度不佳的問題。
有鑑於此，本新型創作提供一種超聲波感測器可具有良好的超聲指紋回聲信號品質。
本新型創作的超聲波感測器包括感測陣列。感測陣列包
括陣列排列的多個感測單元，其中該些感測單元的各別包括第一超聲波換能器以及第二超聲波換能器。第一超聲波換能器用以發射感測超聲波。第二超聲波換能器用以接收對應於感測超聲波的反射超聲波。第一超聲波換能器與第二超聲波換能器平行設置於平面。第一超聲波換能器與第二超聲波換能器具有垂直於平面的相同中心軸。
基於上述，本新型創作的超聲波感測器可通過在超聲波感測器當中的陣列排列且設置於同一平面的多個感測單元來發射及接收超聲波，以使超聲波感測器可感測具有良好的超聲指紋回聲信號品質的反射超聲波。
為讓本揭露的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、400、600、800:超聲波感測器
110:感測陣列
120:集成電路
210、431~437、631~635、831~837:感測單元
210C:中心軸
211、212、431T~437T、431R~437R、631T~635T、631R~635R、831T~837T、831R~837R:超聲波換能器
2111、2112、2121、2122:金屬層
2113、2123:介電層
2114、2124:腔體
220、420、620、820:基板
230、430、630、830:支撐層
401、601、801:感測目標
440、640、840:黏合層
450、650、850:面板
460、660、861~867:驅動電路
470、670、870:影像合成電路
481~487、681~685、881~887:感測電路
661~665:延遲電路
891~897:帶通濾波器
D1、D2、D3:方向
圖1是本新型創作的一實施例的超聲波感測器的示意圖。
圖2是本新型創作的一實施例的感測單元的俯視示意圖。
圖3是本新型創作的一實施例的感測單元的側視剖面示意圖。
圖4是本新型創作的第一實施例的超聲波感測器的操作示意圖。
圖5A是本新型創作的第一實施例的超聲波感測器的發射電
路圖。
圖5B是本新型創作的第一實施例的超聲波感測器的接收電路圖。
圖6是本新型創作的第二實施例的超聲波感測器的操作示意圖。
圖7A是本新型創作的第二實施例的超聲波感測器的發射電路圖。
圖7B是本新型創作的第二實施例的超聲波感測器的接收電路圖。
圖8是本新型創作的第三實施例的超聲波感測器的操作示意圖。
圖9A是本新型創作的第三實施例的超聲波感測器的發射電路圖。
圖9B是本新型創作的第三實施例的超聲波感測器的接收電路圖。
為了使本揭露之內容可以被更容易明瞭，以下特舉實施例做為本揭露確實能夠據以實施的範例。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件/構件/步驟，係代表相同或類似部件。
圖1是本新型創作的一實施例的超聲波感測器的示意圖。
參考圖1，超聲波感測器100包括感測陣列110以及集成電路120。感測陣列110包括陣列排列的多個感測單元，並且集成電路120耦接感測陣列110的所述多個感測單元。集成電路120可用於驅動所述多個感測單元，並接收所述多個感測單元的感測結果。在本實施例中，集成電路120可例如包括本新型創作各實施例所提到的驅動電路、感測電路、延遲電路及影像合成電路的至少其中之一，但本新型創作並不限於此。在一實施例中，集成電路120可包括可程式設計的一般用途或特殊用途的微處理器(microprocessor)、數位訊號處理器(digital signal processor，DSP)、可程式設計控制器、專用積體電路(application specific integrated circuit，ASIC)、圖形處理器(graphics processing unit，GPU)或其他類似元件或上述元件的組合且可用於實現本新型創作的相關功能電路。
圖2是本新型創作的一實施例的感測單元的俯視示意圖。參考圖2，圖1的感測陣列110中的每一個感測單元的俯視結構可如圖2所示的感測單元210。在本實施例中，感測單元210包括超聲波換能器211、212。在本實施例中，超聲波換能器211、212可為電容式超音波微換能器(Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer，CMUT)，但本新型創作並不限於此。在本實施例中，超聲波換能器211、212平行設置於如沿著方向D1、D2延伸所形成的平面，其中方向D1、D2、D3彼此垂直。超聲波換能器211、212具有垂直於所述平面的相同中心軸210C。在本實施例中，超聲波換能器211為環形，並且超聲波換能器211在所述平面上環
繞超聲波換能器212來設置。值得注意的是，在本實施例中，超聲波換能器211可用以發射感測超聲波，並且超聲波換能器212可用以接收對應於超聲波的反射超聲波。然而，在一實施例中，超聲波換能器212也可用以發射感測超聲波，並且超聲波換能器211也可用以接收對應於感測超聲波的反射超聲波。
圖3是本新型創作的一實施例的感測單元的側視剖面示意圖。參考圖2及圖3，圖3為圖2的感測單元210的側視剖面圖。在本實施例中，基板220上形成支撐層230，並且感測單元210形成於支撐層230當中。在本實施例中，超聲波換能器211包括金屬層2111、2112，並且金屬層2111、2112之間包括介電層2113以及腔體2114，其中腔體2114可包括介質材料，或為具有空氣或為真空的空腔體結構。金屬層2111、2112作為電極，並且可耦接驅動電路或感測電路。在本實施例中，超聲波換能器212包括金屬層2121、2122，並且金屬層2121、2122之間包括介電層2123以及腔體2124，其中腔體2124可包括介質材料或為空腔。金屬層2121、2122作為電極，並且可耦接驅動電路或感測電路。舉例而言，在一實施例中，腔體2114、2124的至少其中之一可填充滿所述介質材料，並且所述介質材料可為軟性材料。在另一實施例中，上述的介質材料可為聚合物(Polymer)材料。
在本實施例中，金屬層2111、2112、2121、2122可例如是鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、銅(Cu)或銀(Ag)等材料。介電層2113、2123可例如是二氧化矽(Silicon Dioxide)、氧化鋁(Aluminum Oxide)
或氮化矽(Silicon Nitride)等介電半導體材料。腔體2114、2124的間隙可例如介於0.03微米(um)至1.5微米之間。
圖4是本新型創作的第一實施例的超聲波感測器的操作示意圖。圖5A是本新型創作的第一實施例的超聲波感測器的發射電路圖。圖5B是本新型創作的第一實施例的超聲波感測器的接收電路圖。參考圖4，在本實施例中，超聲波感測器400包括基板420、支撐層430、黏合層440以及面板450，其中面板450可為透光面板或非透光面板，例如玻璃、顯示面板或一般板材等。在本實施例中，超聲波感測器400例如包括感測單元431~437，其中感測單元431~437的每一個可如上述圖2、3的感測單元210。
參考圖4及圖5A，超聲波感測器400還包括驅動電路460，其中驅動電路460例如設置於上述圖1實施例所述的集成電路120當中，但本新型創作並不限於此。在本實施例中，驅動電路460是以並聯的方式耦接至感測單元431~437的超聲波換能器431T~437T，以輸出驅動信號至超聲波換能器431T~437T。感測單元431~437的超聲波換能器431T~437T依據驅動信號同時發射多個感測超聲波，其中所述多個感測超聲波可為多個球面波。所述多個感測超聲波形成平面波。所述平面波經由支撐層430、黏合層440以及面板450傳遞至感測目標401的表面，以使感測目標401的表面產生反射超聲波。所述反射超聲波經由面板450、黏合層440以及支撐層430回傳至感測單元431~437。感測目標401可為手指，並且感測目標401的表面可具有指紋紋路。
在本實施例中，超聲波換能器431T~437T可例如是圖2的超聲波換能器211及超聲波換能器212的其中之一。值得注意的是，本實施例的感測單元431~437的超聲波換能器431T~437T可發射具有第一頻率的感測超聲波(中低頻機械彈性波)，其中第一頻率可例如為5~50兆赫(MHz)。
參考圖4及圖5B超聲波感測器400還包括感測電路481~487以及影像合成電路470，其中感測電路481~487以及影像合成電路470例如設置於上述圖1實施例所述的集成電路120當中，但本新型創作並不限於此。在本實施例中，感測電路481~487一對一地耦接至感測單元431~437的超聲波換能器431R~437R。超聲波換能器431R~437R用於接收上述的反射超聲波，並且感測電路481~487感測超聲波換能器431R~437R，而輸出多個感測信號至影像合成電路470。感測電路481~487分別耦接至影像合成電路470。影像合成電路470依據所述多個感測信號來產生感測影像(指紋影像)。在本實施例中，超聲波換能器431R~437R可例如是圖2的超聲波換能器211及超聲波換能器212的其中之另一。值得注意的是，本實施例的感測單元431~437的超聲波換能器431R~437R可例如接收具有第一頻率的一倍頻或兩倍頻的反射超聲波。
圖6是本新型創作的第二實施例的超聲波感測器的操作示意圖。圖7A是本新型創作的第二實施例的超聲波感測器的發射電路圖。圖7B是本新型創作的第二實施例的超聲波感測器的接收
電路圖。參考圖6，在本實施例中，超聲波感測器600包括基板620、支撐層630、黏合層640以及面板650，其中面板650可為透光面板或非透光面板，例如玻璃、顯示面板或一般板材等。在本實施例中，超聲波感測器600例如包括感測單元631~635，其中感測單元631~635的每一個可如上述圖2、3的感測單元210。
參考圖6及圖7A，超聲波感測器600還包括延遲電路661~665、驅動電路660，其中延遲電路661~665及驅動電路660例如設置於上述圖1實施例所述的集成電路120當中，但本新型創作並不限於此。在本實施例中，驅動電路660是以並聯的方式耦接至感測單元631~635的超聲波換能器631T~635T，並且延遲電路661~665一對一地分別與超聲波換能器631T~635T串聯耦接。因此，驅動電路660輸出驅動信號至延遲電路661~665，以使延遲電路661~665提供具有不同相位延遲的多個驅動信號至超聲波換能器631T~635T。感測單元631~635的超聲波換能器631T~635T依據具有不同相位延遲的所述多個驅動信號發射具有不同相位延遲的多個感測超聲波，其中所述多個感測超聲波可為多個球面波。具有不同相位延遲的所述多個感測超聲波可形成聚焦波。所述聚焦波經由支撐層630、黏合層640以及面板650傳遞至感測目標601的表面，以使感測目標601的表面產生反射超聲波。所述反射超聲波經由面板650、黏合層640以及支撐層630回傳至感測單元631~635。感測目標601可為手指，並且感測目標601的表面可具有指紋紋路。
在本實施例中，超聲波換能器631T~635T可例如是圖2的超聲波換能器211及超聲波換能器212的其中之一。值得注意的是，本實施例的感測單元631~635的超聲波換能器631T~635T可例如發射具有第一頻率的感測超聲波(中低頻機械彈性波)，其中第一頻率可例如為5~50兆赫。
參考圖6及圖7B超聲波感測器600還包括感測電路681~685以及影像合成電路670，其中感測電路681~685以及影像合成電路670例如設置於上述圖1實施例所述的集成電路120當中，但本新型創作並不限於此。在本實施例中，感測電路681~685一對一地耦接至感測單元631~635的超聲波換能器631R~635R。超聲波換能器631R~635R用於接收上述的反射超聲波，並且感測電路681~685感測超聲波換能器631R~635R，而輸出多個感測信號至影像合成電路670。感測電路681~685分別耦接至影像合成電路670。影像合成電路670依據所述多個感測信號來產生感測影像(指紋影像)。在本實施例中，超聲波換能器631R~635R可例如是圖2的超聲波換能器211及超聲波換能器212的其中之另一。值得注意的是，本實施例的感測單元631~635的超聲波換能器631R~635R可接收具有第一頻率的一倍頻或兩倍頻的反射超聲波。
圖8是本新型創作的第三實施例的超聲波感測器的操作示意圖。圖9A是本新型創作的第三實施例的超聲波感測器的發射電路圖。圖9B是本新型創作的第三實施例的超聲波感測器的接收電路圖。參考圖8，在本實施例中，超聲波感測器800包括基板
820、支撐層830、黏合層840以及面板850，其中面板850可為透光面板或非透光面板，例如玻璃、顯示面板或一般板材等。在本實施例中，超聲波感測器800例如包括感測單元831~837，其中感測單元831~837的每一個可如上述圖2、3的感測單元210。
參考圖8及圖9A，超聲波感測器800還包括驅動電路861~867，其中驅動電路861~867例如設置於上述圖1實施例所述的集成電路120當中，但本新型創作並不限於此。在本實施例中，驅動電路861~867一對一地耦接至感測單元831~837的超聲波換能器831T~837T，以在不同時間點分別輸出多個驅動信號至超聲波換能器831T~837T。感測單元831~837的超聲波換能器831T~837T的至少一部分依據不同時間點所接收到的所述多個驅動信號來分時發射多個感測超聲波，其中所述多個感測超聲波可為多個球面波。舉例而言，感測單元833、836先發射感測超聲波，接著感測單元832、835發射感測超聲波，再接著感測單元831、834、837發射感測超聲波。因此，所述多個感測超聲波可形成多個高指向性超聲波。所述多個高指向性超聲波經由支撐層830、黏合層840以及面板850傳遞至感測目標801的表面，以使感測目標801的表面產生反射超聲波。感測目標801可為手指，並且感測目標801的表面可具有指紋紋路。所述反射超聲波經由面板850、黏合層840以及支撐層830回傳至感測單元831~837。
在本實施例中，超聲波換能器831T~837T可例如是圖2的超聲波換能器211及超聲波換能器212的其中之一。值得注意
的是，本實施例的感測單元831~837的超聲波換能器831T~837T可例如發射具有第二頻率的感測超聲波(中高頻機械彈性波)，其中第二頻率可例如大於50兆赫(MHz)。
參考8及圖9B超聲波感測器800還包括感測電路881~887、帶通濾波器(band-pass filter)891~897以及影像合成電路870，其中感測電路881~887、帶通濾波器891~897以及影像合成電路870例如設置於上述圖1實施例所述的集成電路120當中，但本新型創作並不限於此。在本實施例中，感測電路881~887一對一地耦接至感測單元831~837的超聲波換能器831R~837R，並且帶通濾波器891~897一對一地耦接至感測電路881~887。超聲波換能器831R~837R用於接收上述的反射超聲波，並且感測電路881~887感測超聲波換能器831R~837R，而輸出多個感測信號至帶通濾波器891~897。值得注意的是，本實施例的感測單元831~837的超聲波換能器831R~837R可例如接收具有第二頻率的一倍頻或兩倍頻的反射超聲波。對此，帶通濾波器891~897可分離出具有第二頻率的一倍頻或兩倍頻的感測信號，並且將所述具有第二頻率的一倍頻或兩倍頻的感測信號輸出至影像合成電路870。帶通濾波器891~897分別耦接至影像合成電路870。影像合成電路870依據濾波後的所述多個感測信號來產生感測影像(指紋影像)。在本實施例中，超聲波換能器831R~837R可例如是圖2的超聲波換能器211及超聲波換能器212的其中之另一。
綜上所述，本新型創作的超聲波感測器可通過設計特殊
結構的超聲波換能器來有效地發射及接收超聲波。並且，本新型創作的超聲波感測器可透過同時發射多個感測超聲波來形成平面波的方式，或可透過發射具有不同相位延遲的多個感測超聲波來形成聚焦波的方式，或可透過分時發射多個高指向性超聲波的方式，來使超聲波感測器接收到的反射超聲波可具有高訊號雜訊比的優點，進而可產生具有良好影像品質的感測影像。
雖然本新型創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本新型創作的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。指紋影像的背景雜訊。
100:超聲波感測器
110:感測陣列
120:集成電路
Claims (13)
- 一種超聲波感測器，包括：一感測陣列，包括陣列排列的多個感測單元，其中該些感測單元的各別包括：一第一超聲波換能器，用以發射一感測超聲波；以及一第二超聲波換能器，用以接收對應於該感測超聲波的一反射超聲波，其中該第一超聲波換能器與該第二超聲波換能器平行設置於一平面，並且該第一超聲波換能器與該第二超聲波換能器具有垂直於該平面的相同中心軸。
- 如請求項1所述的超聲波感測器，其中該第一超聲波換能器為環形，並且該第一超聲波換能器在該平面上環繞該第二超聲波換能器來設置。
- 如請求項1所述的超聲波感測器，其中該第二超聲波換能器為環形，並且該第二超聲波換能器在該平面上環繞該第一超聲波換能器來設置。
- 如請求項1所述的超聲波感測器，更包括：一驅動電路，耦接該些感測單元的該些第一超聲波換能器，並且用以輸出多個驅動信號至該些第一超聲波換能器，其中該些第一超聲波換能器依據該些驅動信號發射該些感測超聲波，並且該些感測超聲波為多個球面波。
- 如請求項4所述的超聲波感測器，其中該些第一超聲波換能器同時發射該些感測超聲波，以形成一平面波傳遞至一感測目標的一表面。
- 如請求項4所述的超聲波感測器，更包括：多個延遲電路，分別耦接在該些第一超聲波換能器與該驅動電路之間，其中該些第一超聲波換能器以相位延遲的方式發射該些感測超聲波來形成一聚焦波傳遞至一感測目標的一表面。
- 如請求項1所述的超聲波感測器，更包括：多個驅動電路，分別耦接該些感測單元的該些第一超聲波換能器，並且用以輸出多個驅動信號至該些第一超聲波換能器，其中該些第一超聲波換能器的至少一部分依據該些驅動信號非同步地發射該些感測超聲波。
- 如請求項1所述的超聲波感測器，更包括：多個感測電路，分別耦接該些感測單元的該些第二超聲波換能器，並且用以感測該些第二超聲波換能器，以輸出多個感測信號；以及一影像合成電路，耦接該些感測電路，並且用以依據該些感測信號來產生一感測影像。
- 如請求項8所述的超聲波感測器，更包括：多個帶通濾波器，分別耦接在該些感測電路與該影像合成電路之間，並且用以提供該些感測信號至該影像合成電路。
- 如請求項8所述的超聲波感測器，其中該影像合成電路依據該些感測信號當中對應於一倍頻以及二倍頻的至少其中之一的該些反射超聲波的部分來產生該感測影像。
- 如請求項1所述的超聲波感測器，其中該第一超聲波換能器以及該第二超聲波換能器的至少其中之一為一電容式超音波微換能器，並且具有一介質材料的一腔體。
- 如請求項11所述的超聲波感測器，其中該介質材料為一軟性材料。
- 如請求項11所述的超聲波感測器，其中該介質材料為一聚合物材料。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202062993722P | 2020-03-24 | 2020-03-24 | |
| US62/993,722 | 2020-03-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWM610272U true TWM610272U (zh) | 2021-04-11 |
Family
ID=74121998
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109138162A TWI758930B (zh) | 2020-03-24 | 2020-11-03 | 超聲波感測器 |
| TW109214472U TWM610272U (zh) | 2020-03-24 | 2020-11-03 | 超聲波感測器 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109138162A TWI758930B (zh) | 2020-03-24 | 2020-11-03 | 超聲波感測器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN112229916A (zh) |
| TW (2) | TWI758930B (zh) |
| WO (1) | WO2021189861A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI758930B (zh) * | 2020-03-24 | 2022-03-21 | 神盾股份有限公司 | 超聲波感測器 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2746509B1 (fr) * | 1996-03-20 | 1998-08-21 | Imra Europe Sa | Procede de calibrage et procede de commande d'un dispositif de detection d'objets par ultrasons dans l'air |
| GB2511556A (en) * | 2013-03-07 | 2014-09-10 | Sharp Kk | Ultrasound imaging |
| US10001552B2 (en) * | 2014-10-15 | 2018-06-19 | Qualcomm Incorporated | Three-port piezoelectric ultrasonic transducer |
| CN105426024B (zh) * | 2015-11-25 | 2018-03-27 | 吉林大学 | 一种基于超声波聚焦的触觉反馈系统及方法 |
| US10691912B2 (en) * | 2017-08-09 | 2020-06-23 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Ultrasonic biometric sensing device integrated with optics |
| JP7110719B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2022-08-02 | セイコーエプソン株式会社 | 超音波センサー、及び電子機器 |
| US10719175B2 (en) * | 2018-05-21 | 2020-07-21 | UltraSense System, Inc. | Ultrasonic touch sensor and system |
| WO2021047122A1 (zh) * | 2019-09-10 | 2021-03-18 | 神盾股份有限公司 | 电容和超声波双模式指纹传感系统及其指纹影像辨识方法 |
| TWI758930B (zh) * | 2020-03-24 | 2022-03-21 | 神盾股份有限公司 | 超聲波感測器 |
-
2020
- 2020-11-03 TW TW109138162A patent/TWI758930B/zh active
- 2020-11-03 CN CN202011208677.6A patent/CN112229916A/zh active Pending
- 2020-11-03 WO PCT/CN2020/126108 patent/WO2021189861A1/zh active Application Filing
- 2020-11-03 CN CN202022504079.5U patent/CN213337474U/zh active Active
- 2020-11-03 TW TW109214472U patent/TWM610272U/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI758930B (zh) * | 2020-03-24 | 2022-03-21 | 神盾股份有限公司 | 超聲波感測器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN213337474U (zh) | 2021-06-01 |
| TW202136984A (zh) | 2021-10-01 |
| CN112229916A (zh) | 2021-01-15 |
| TWI758930B (zh) | 2022-03-21 |
| WO2021189861A1 (zh) | 2021-09-30 |
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