TWM609092U - 半導體元件的檢測裝置 - Google Patents

Abstract

一種半導體元件的檢測裝置，所述半導體元件適用於容置在一界定多個容置槽的承載盤，該半導體元件的檢測裝置包含一用以發出一沿直線延伸而通過多個半導體元件之檢測光線的光源單元、一適用於與該承載盤在高度間隔設置的拍攝單元，及一連接該拍攝單元且根據檢測影像中之檢測光線來檢測該等半導體元件的分析單元。所配合之半導體元件的檢測方法，是以一預備步驟預備該半導體元件的檢測裝置，在一取像步驟使用該拍攝單元拍攝的檢測影像，再於一分析步驟根據檢測影像中的檢測光線判斷該等半導體元件是否分別精準放置於該等容置槽。

Description

半導體元件的檢測裝置

本新型是有關於一種檢測裝置，特別是指一種半導體元件的檢測裝置。

參閱圖1，為多個放置於一界定出多個容置槽100之承載盤1上的晶片2，而該承載盤1之每一個容置槽100的型態，是因應每一個晶片2的尺寸與規格形狀。在該等晶片2的製程中，該承載盤1除了發揮單純的承載運輸功能，還能在該等晶片2分別確實放置於該等容置槽100的情況下，快速確認數量以及巨觀上的異常。

然而，目前確認該等晶片2放置於該承載盤1上之情況的方式，大多是以人工目視檢查，並且在發現例如漏放、重疊、歪斜等等情況時，直接藉由手動整理、補齊，甚至是直接忽略少量的漏放情況，不但精準度、可靠性有所疑慮，在效率上也十分低落。

因此，本新型之目的，即在提供一種能快速且精準地完成自動化檢測之半導體元件的檢測裝置。

於是，本新型半導體元件的檢測裝置，多個所述半導體元件適用於容置在一界定出多個容置槽的承載盤上，該等容置槽是沿相互垂直的一直線方向及一行進方向陣列設置，該半導體元件的檢測裝置包含一光源單元、一適用於與該承載盤間隔設置的拍攝單元，及一資訊連接於該拍攝單元的分析單元。

該光源單元用以發出一適用於照射在該承載盤上，並沿該直線方向延伸而通過多個所述半導體元件的檢測光線。

定義一同時垂直該直線方向及該行進方向的高度方向，該拍攝單元適用於沿該高度方向與該承載盤間隔設置，並用以拍攝該檢測光線照射於該等半導體元件上的至少一張檢測影像。

該分析單元包括一能對該至少一張檢測影像執行影像辨識，並根據該至少一張檢測影像中之該檢測光線判斷該等半導體元件是否分別精準放置於該等容置槽的處理模組。

本新型之功效在於：由於沿該直線方向延伸的該檢測光線照射於該等半導體元件時，只要任一個半導體元件未確實放置於對應的容置槽中，相較於其他沿該直線方向設置且正確放置的半導體元件，就會產生沿該高度方向的落差，此時該檢測影像上的該檢測光線也會因而產生落差變化，故能藉由該分析單元分析該至少一張檢測影像，精準且快速地得知該等半導體元件是否分別精準放置於該等容置槽。

在本新型被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

參閱圖2與圖3，為本新型半導體元件的檢測裝置之一第一實施例，多個待檢測的半導體元件8適用於容置在一界定出多個容置槽90的承載盤9上，該等容置槽90是沿相互垂直的一直線方向L及一行進方向A陣列設置，也就是說，該承載盤9是在該直線方向L與該行進方向A所構成的平面上沿橫向延伸，而每一個待檢測的半導體元件8預期是能精準地放置於個別的容置槽90中。本第一裝置實施例包含一光源單元3、一適用於與該承載盤9間隔設置的拍攝單元4，及一資訊連接於該拍攝單元4的分析單元5。

該光源單元3用以發出一適用於照射在該承載盤9上，並沿該直線方向L延伸而通過多個所述半導體元件8的檢測光線。其中，該光源單元3所發出的該檢測光線為光學解析度介於20至30微米之間的雷射光，且如圖3所示地，該檢測光線與該承載盤9之間的夾角α為15至25度，而較佳為20度。

定義一同時垂直該直線方向L及該行進方向A的高度方向H，該拍攝單元4較佳為一像素為5472*3648的感光耦合元件(CCD)相機，且適用於沿該高度方向H與該承載盤9間隔設置，用以拍攝該檢測光線照射於該等半導體元件8上的多張檢測影像。該拍攝單元4的拍攝範圍，主要是配合該檢測光線的照射，以能夠拍攝到沿該直線方向L排列的一列半導體元件8的範圍為原則。

該分析單元5包括一能對該等檢測影像執行影像辨識的處理模組51，該處理模組51具體而言可為一運算處理器，得以執行影像辨識所需之例如對位、二值化、灰階等等計算。

參閱圖4並配合圖2，執行該第一實施例的檢測方法，包含一預備步驟71、一取像步驟72，及一分析步驟73。其中，該預備步驟71即是預備該第一實施例。具體實施時，該承載盤9會沿該行進方向A移動，即較佳的實施是在該承載盤9沿該行進方向A在產線上移動而運送該等半導體元件8時，同時自動化地執行檢測。

該取像步驟72是使該光源單元3發出適用於照射在該承載盤9而沿該直線方向L延伸，並通過多個所述半導體元件8的該檢測光線，而該拍攝單元4則拍攝該檢測光線照射於該等半導體元件8上的一張檢測影像。

該分析步驟73是依據該檢測影像執行分析，如圖5所示，根據該檢測影像中之該檢測光線，可見該檢測光線在半導體元件8a、8b上時，相較於其他半導體元件8而言有沿該行進方向A的落差，也就是得以據此判斷該檢測光線是否沿該直線方向L呈現平直。因此，根據該檢測影像中的該檢測光線的呈現，即可判斷該等半導體元件8是否分別精準放置於該等容置槽90。

進一步論，在本實施方式中所述半導體製程的過程中，較有可能發生的放置瑕疵概有漏放、疊片、翹曲、歪斜、放反等等的常見情況。其中，針對漏放、疊片、翹曲的情況，也就是沿該高度方向H有較低及較高的情況，因此只要預先設定好正常的影像範圍，只要影像較低則可判斷漏放，而影像較高則可能為疊片或者翹曲。而當放置產生歪斜時，雖然不一定會在該高度方向H上有落差，但因為放置歪斜的該半導體元件8不會與該容置槽90的形狀相互對應，則可能在照射到該檢測光線的範圍有所改變，故即能藉此判斷放置歪斜的情況，特別是有放置歪斜且又在該高度方向H有所落差的情況，則會判斷有所異常。另外，針對放反的情況，由於製造完成的半導體元件8正反兩面會有不同的粗糙程度，只要該檢測光線有沿該行進方向A產生相對不平直的些微波動，即可判斷有放反的情況。

參閱圖6與圖7，為使用本新型半導體元件的檢測裝置之一第二實施例，執行檢測的情況。其中，本第二實施例與該第一實施例的差別在於：該分析單元5還包括一連結於該處理模組51並用以疊合二張檢測影像的合成模組52。而使用本第二實施例執行檢測之方法與使用該第一實施例執行檢測之方法的差別在於：該取像步驟72包括一在該檢測光線位於該等半導體元件8之一初始位置時拍攝第一張檢測影像的第一擷取子步驟721，及一在該檢測光線位於相同之該等半導體元件8沿該行進方向A位於該初始位置後方之一後續位置時，拍攝第二張檢測影像的第二擷取子步驟722。

要先說明的是，由於該第一擷取子步驟721及該第二擷取子步驟722是配合該承載盤9的移動，藉由該拍攝單元4針對同一列的該等半導體元件8陸續拍攝兩張照片，因此該拍攝單元4在該第一擷取子步驟721與該第二擷取子步驟722的間隔時間，也就是兩張檢測影像的拍攝間隔，必須配合該承載盤9的移動速度而預先妥善設定。而該初始位置及該後續位置，實質上只是以使該檢測光線照射於特定列的半導體元件8為原則，隨著該承載盤9移動的先後位置，只要是該檢測光線照射於同一列半導體元件8，並且該檢測光線與所述同一列半導體元件8之間的相對位置有所差異即可。

參閱圖8與圖9並配合圖7，該分析步驟73包括一將第一張檢測影像P1與第二張檢測影像P2，以該檢測光線沿該直線方向L呈現平直之部分為基準，利用該合成模組52相互疊合為一合成影像的合成子步驟731。該合成模組52具體而言即為電腦中得以執行合成運算的硬體部分，以及所安裝而能執行將兩張檢測影像相互對位及疊合之軟體所構成的模組，實質上為一按照資料之處理模式劃分的非實體模組。

在該分析步驟73，是判斷該合成影像中的該檢測光線是否沿該直線方向L呈現平直，以及該檢測光線是否具有沿該行進方向A的變化。由於該合成影像已將影像中該檢測光線未產生偏移或者落差的部分相互疊合，也就是為了以「概為正常」的部分為參考基準，在同一張影像上進一步凸顯該檢測光線產生偏移或者落差的程度。如圖9所示，對應圖8中未確實放置而有翹曲的半導體元件8c，在圖8中對應的影像區域Z1中則呈現兩條相互間隔的直線，得以使「未正常擺置」的情況更加凸顯，更有利於確實檢測；而對應圖8中的半導體元件8d，則可見圖9中對應的影像區域Z2中是呈現明顯傾斜的線條，同樣能更凸顯影像的異常處，使得影像更容易判斷，進一步優化檢測之快速以及精準的程度。

綜上所述，本新型半導體元件的檢測裝置，能藉由在同一列半導體元件8上照射沿該直線方向L延伸之該檢測光線的方式，利用該分析單元5來分析該拍攝單元4拍攝之影像，判斷該檢測光線是否產生例如偏斜、落差、變化等等情況，在預先設定影像之正常範圍的情況下，以自動化的流程快速且精準地確認所述半導體元件8是否分別確實放置於該承載盤9的該等容置槽90。因此，確實能達成本新型之目的。

惟以上所述者，僅為本新型之實施例而已，當不能以此限定本新型實施之範圍，凡是依本新型申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本新型專利涵蓋之範圍內。

3:光源單元 4:拍攝單元 5:分析單元 51:處理模組 52:合成模組 71:預備步驟 72:取像步驟 721:第一擷取子步驟 722:第二擷取子步驟 73:分析步驟 731:合成子步驟 8:半導體元件 8a:半導體元件 8b:半導體元件 8c:半導體元件 8d:半導體元件 9:承載盤 90:容置槽 L:直線方向 A:行進方向 H:高度方向 P1:第一張檢測影像 P2:第二張檢測影像 Z1:影像區域 Z2:影像區域 α:夾角

本新型之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中： 圖1是一俯視圖，說明將多個晶片放置於一承載盤之多個容置槽的情況； 圖2是一系統配置圖，說明本新型半導體元件的檢測裝置之一第一實施例； 圖3是一示意圖，說明該第一實施例之一光源單元； 圖4是一方塊流程圖，說明配合該第一實施例的檢測方法； 圖5是一示意圖，配合圖4說明使用該第一實施例執行檢測的情況； 圖6是一系統配置圖，說明本新型半導體元件的檢測裝置之一第二實施例； 圖7是一方塊流程圖，說明配合該第二實施例的檢測方法； 圖8是一示意圖，配合圖7說明使用該第二實施例執行檢測的情況；及 圖9是一示意圖，與圖8一同說明該第二實施例的檢測功效。

3:光源單元

4:拍攝單元

5:分析單元

51:處理模組

8:半導體元件

9:承載盤

90:容置槽

L:直線方向

A:行進方向

H:高度方向

Claims (4)

1. 一種半導體元件的檢測裝置，多個所述半導體元件適用於容置在一界定出多個容置槽的承載盤上，該等容置槽是沿相互垂直的一直線方向及一行進方向陣列設置，該半導體元件的檢測裝置包含： 一光源單元，用以發出一適用於照射在該承載盤上，並沿該直線方向延伸而通過多個所述半導體元件的檢測光線； 一拍攝單元，定義一同時垂直該直線方向及該行進方向的高度方向，該拍攝單元適用於沿該高度方向與該承載盤間隔設置，並用以拍攝該檢測光線照射於該等半導體元件上的至少一張檢測影像；及 一分析單元，資訊連接於該拍攝單元，並包括一能對該至少一張檢測影像執行影像辨識，並根據該至少一張檢測影像中之該檢測光線判斷該等半導體元件是否分別精準放置於該等容置槽的處理模組。
2. 如請求項1所述半導體元件的檢測裝置，其中，該光源單元所發出的該檢測光線為光學解析度介於20至30微米之間的雷射光。
3. 如請求項1所述半導體元件的檢測裝置，該承載盤是在該直線方向與該行進方向所構成的平面上沿橫向延伸，其中，該光源單元發出的該檢測光線與該承載盤之間的夾角為15至25度。
4. 如請求項1所述半導體元件的檢測裝置，其中，該分析單元還包括一連結於該處理模組並用以疊合二張檢測影像的合成模組。

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