TWM596452U - 用於電漿處理腔室中之基板支撐件的邊緣環組合件 - Google Patents

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Abstract

本揭示內容總體上涉及用於控制在基板邊緣附近的電漿鞘層的設備和方法。該設備涉及處理腔室和/或基板支撐件，該處理腔室和/或該基板支撐件包括具有邊緣環電極的邊緣環組合件和具有夾持電極的靜電吸盤。該邊緣環組合件定位為與該靜電吸盤相鄰，諸如邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部或周圍。該邊緣環組合件包括基部和定位在該基部上方的帽，其中該邊緣環電極定位在該帽與該基部之間。該邊緣環電極的該基部可以包括內凹槽和/或外凹槽，其中該帽包括延伸到該內凹槽和/或該外凹槽中的一個或多個唇緣。一個或多個矽環和/或絕緣環定位為與該邊緣環組合件相鄰。

Description

用於電漿處理腔室中之基板支撐件的邊緣環組合件
本揭示內容的各方面總體上涉及用於控制在基板邊緣附近的電漿鞘層的方法和設備。
在當前半導體製造工業中，特徵大小持續減小，並且電晶體結構變得越來越複雜。為了滿足處理需求，先進處理控制技術對於控制成本並最大化基板和管芯良率來說是有用的。通常，在基板邊緣處的管芯都會遭遇良率問題，諸如經由不對準造成的接觸和對硬掩模的不良的選擇性。這些問題的原因之一是在基板邊緣附近的電漿鞘層的彎曲。
因此，需要允許在基板邊緣處進行精細局部製程調節的方法和設備。
在一個態樣中，本揭示內容涉及一種基板支撐件。該基板支撐件包括：靜電吸盤，該靜電吸盤具有吸附電極；邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括邊緣環電極；外矽環，該外矽環定位在該邊緣環組合件的上方；內矽環，該內矽環定位在該邊緣環組合件的上方、在該外矽環內；以及絕緣環，該絕緣環定位在該邊緣環組合件的上方、在該外矽環與該內矽環之間。
在另一態樣中，本揭示內容涉及一種處理腔室。該處理腔室包括：腔室主體；以及基板支撐件，該基板支撐件定位在該腔室主體內。該基板支撐件包括：靜電吸盤，該靜電吸盤包括吸附電極；邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括邊緣環電極；外矽環，該外矽環定位在該邊緣環組合件的上方；內矽環，該內矽環定位在該邊緣環組合件的上方、在該外矽環內；以及絕緣環，該絕緣環定位在該邊緣環組合件的上方、在該外矽環與該內矽環之間。
在另一態樣中，本揭示內容涉及一種處理基板的方法。該方法包括使用電漿鞘層處理在包括基板支撐件的處理腔室內的第一基板，該基板支撐件包括：邊緣環組合件，該邊緣環組合件包括邊緣環電極；外矽環，該外矽環定位在該邊緣環組合件的上方；內矽環，該內矽環定位在該外矽環內；以及絕緣環，該絕緣環定位在該外矽環與該內矽環之間。該方法進一步包括用該邊緣環電極來調整在該處理腔室內的該電漿鞘層；以及使用該經調整的電漿鞘層處理在該處理腔室內的第二基板。
在另一態樣中，本揭示內容涉及一種基板支撐件。該基板支撐件包括：靜電吸盤，該靜電吸盤包括吸附電極；邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括邊緣環電極；矽環，該矽環定位在該邊緣環組合件的上方；以及電力分配組合件，該電力分配組合件與該邊緣環電極直接電接觸。
在另一態樣中，本揭示內容涉及一種處理腔室。該處理腔室包括：腔室主體；以及基板支撐件，該基板支撐件定位在該腔室主體內。該基板支撐件包括：靜電吸盤，該靜電吸盤具有吸附電極；以及邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括邊緣環電極。該處理腔室進一步包括電力分配組合件，該電力分配組合件與該邊緣環電極直接電接觸。
在另一態樣中，本揭示內容涉及一種處理基板的方法。該方法包括使用電漿鞘層處理在包括基板支撐件的處理腔室內的第一基板，該基板支撐件包括：邊緣環組合件，該邊緣環組合件具有邊緣環電極；以及電力分配組合件，該電力分配組合件與該邊緣環電極直接電接觸。該方法進一步包括用該邊緣環電極來調整在該處理腔室內的該電漿鞘層；以及使用該經調整的電漿鞘層處理在該處理腔室內的第二基板。
在另一態樣中，本揭示內容涉及一種基板支撐件。該基板支撐件包括：靜電吸盤，該靜電吸盤具有吸附電極；邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括邊緣環電極；矽環，該矽環定位在該邊緣環組合件的上方；以及擋環，其中該邊緣環組合件定位在該擋環的上方並被夾緊到該擋環。
在另一態樣中，本揭示內容涉及一種處理腔室。該處理腔室包括：腔室主體；以及基板支撐件，該基板支撐件定位在該腔室主體內。該基板支撐件包括：靜電吸盤，該靜電吸盤包括吸附電極；邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括邊緣環電極；以及擋環，其中該邊緣環組合件定位在該擋環的上方並被夾緊到該擋環。
在另一態樣中，本揭示內容涉及一種處理基板的方法。該方法包括使用電漿鞘層處理在包括基板支撐件的處理腔室內的第一基板，其中該基板支撐件包括：邊緣環組合件，該邊緣環組合件包括邊緣環電極；以及擋環，其中該邊緣環組合件定位在該擋環的上方，並且該邊緣環組合件被夾緊到該擋環。該方法進一步包括：用該邊緣環電極來調整在該處理腔室內的該電漿鞘層；以及使用該經調整的電漿鞘層處理在該處理腔室內的第二基板。
在另一態樣中，本揭示內容涉及一種基板支撐件。該基板支撐件包括：靜電吸盤，該靜電吸盤具有吸附電極；邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部；矽環，該矽環定位在該邊緣環組合件的上方；以及擋環，其中該邊緣環組合件定位在該擋環的上方。該邊緣環組合件包括：基部，該基部具有形成在該基部的內表面內的內凹槽和在該基部的外表面內的外凹槽；帽，該帽定位在該基部的上方，具有定位在該基部的該內凹槽內的內唇緣和定位在該基部的該外凹槽內的外唇緣；以及邊緣環電極，該邊緣環電極定位在該帽與該基部之間。
在另一態樣中，本揭示內容涉及一種處理腔室。該處理腔室包括：腔室主體；以及基板支撐件，該基板支撐件定位在該腔室主體內。該基板支撐件包括：靜電吸盤，該靜電吸盤包括吸附電極；以及邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部。該邊緣環組合件包括：基部，該基部包括形成在該基部的內表面內的內凹槽和在該基部的外表面內的外凹槽；帽，該帽定位在該基部的上方並包括定位在該基部的該內凹槽內的內唇緣和定位在該基部的該外凹槽內的外唇緣；以及邊緣環電極，該邊緣環電極定位在該帽與該基部之間。
在另一態樣中，本揭示內容涉及一種邊緣環組合件。該邊緣環組合件包括：基部，該基部包括形成在該基部的內表面內的內凹槽和在該基部的外表面內的外凹槽；帽，該帽定位在該基部的上方並包括定位在該基部的該內凹槽內的內唇緣和定位在該基部的該外凹槽內的外唇緣；以及邊緣環電極，該邊緣環電極定位在該帽與該基部之間。
在另一態樣中，本揭示內容涉及一種處理腔室。該處理腔室包括：腔室主體；基板支撐件，該基板支撐件定位在該腔室主體內；上電漿篩（plasma screen），該上電漿篩在該腔室主體內圍繞該基板支撐件定位並包括形成為穿過該上電漿篩的開口；以及下電漿篩，該下電漿篩在該腔室主體內圍繞該基板支撐件定位在該上電漿篩的下方並包括形成為穿過該下電漿篩的開口。該上電漿篩的該開口從該下電漿篩的該開口旋轉地偏移，諸如相對於該基板支撐件的軸線。此外，通過該上電漿篩的該開口和該下電漿篩的該開口阻擋或阻止來自該基板支撐件上方的視線。
本揭示內容總體涉及用於控制在基板邊緣附近的電漿鞘層的設備和方法。所述設備涉及處理腔室和/或基板支撐件，該處理腔室和/或該基板支撐件包括具有邊緣環電極的邊緣環組合件和具有夾持電極的靜電吸盤。該邊緣環組合件定位為與該靜電吸盤相鄰，諸如邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部或周圍。該邊緣環組合件包括基部和定位在該基部上方的帽，其中該邊緣環電極定位在該帽與該基部之間。該邊緣環電極的該基部可以包括內凹槽和/或外凹槽，其中該帽包括延伸到該內凹槽和/或該外凹槽中的一個或多個唇緣。一個或多個矽環和/或絕緣環定位為與該邊緣環組合件相鄰。此外，電力分配組合件用於將電力提供給該邊緣環組合件，諸如通過與該邊緣環電極和/或該矽環的直接電接觸將電力提供給該邊緣環組合件。還提供了使用此設備的方法。
圖1是根據本揭示內容的一個態樣的處理腔室100的橫截面圖。如所示，處理腔室100是適於對基板（諸如基板101）進行蝕刻的蝕刻腔室。受益於本文所述的各態樣的處理腔室的示例可由位於加利福利亞州聖克拉拉（Santa Clara, California）的應用材料公司（Applied Materials, Inc.）提供。設想的是，其它處理腔室（包括來自其它製造商的那些處理腔室）可以適於從本揭示內容的各態樣受益。
在一個示例中，處理腔室100包括腔室主體102、氣體分配板組合件104和基板支撐件106。例如，處理腔室100的腔室主體102包括一種或多種製程相容材料（諸如鋁、陽極化鋁、鍍鎳鋁、鍍鎳鋁6061-T6、不銹鋼、以及它們的組合和合金）或可由一種或多種製程相容材料形成。基板支撐件106結合氣體分配板組合件104起電極的作用。因此，電漿可以形成在限定在氣體分配板組合件104與基板支撐件106的上表面之間的處理容積108中。如下面更多地討論的，基板支撐件106包括導電材料(諸如鋁、陶瓷材料或這兩者的組合)或由導電材料形成。腔室主體102還耦接到真空系統110，真空系統110包括泵和閥，並且襯裡112可以在處理容積108中設置在腔室主體102的表面上。
腔室主體102包括形成在腔室主體102的側壁中的埠114。埠114選擇性地打開和關閉以允許基板傳送機械手(未示出)進入腔室主體102的內部。在這樣的示例中，基板101通過埠114傳送進出處理腔室100。基板101定位在基板支撐件106的上表面116上以進行處理。升降桿(未示出)可以用於將基板101與基板支撐件106的上表面間隔開，諸如以能夠在基板傳送期間與基板傳送機械手進行交換。
氣體分配板組合件104定位在腔室主體102上。電源111(諸如射頻(RF)電源)耦接到氣體分配板組合件104以相對於基板支撐件106將氣體分配板組合件104電偏置以促進在處理腔室100內產生電漿。基板支撐件106包括靜電吸盤118，其中靜電吸盤118可以連接到電源109a以促進對基板101的吸附和/或影響位於處理容積108內的電漿。電源109a包括供電電源(諸如DC或RF供電電源)並且連接到靜電吸盤118的一個或多個電極。偏置源109b可以另外地或替代地與基板支撐件 106耦接以幫助產生和/或控制電漿，諸如耦接到下面更多地討論的邊緣環組合件。
偏置源109b可以說明性地為頻率為例如約13.56MHz的、RF能量為多達約1000W(但不限於約1000W)的源，但可以按需要針對特定應用來提供其它頻率和功率。偏置源109b能夠產生連續功率或脈衝功率中的任一種或兩種。在一些態樣中，偏置源可能能夠提供多個頻率，諸如13.56MHz和2MHz。
處理腔室100還可以包括控制器195。控制器195包括可程式設計中央處理單元(CPU)196，CPU 196可與記憶體197以及耦接到處理系統的各種部件的大型存放區裝置、輸入控制單元和顯示單元(未示出)(諸如電源、時鐘、快取記憶體、輸入/輸出(I/O)電路和襯裡)一起操作以促進對基板處理的控制。
為了促進對上文所述的處理腔室100的控制，CPU 196可以是可在工業環境使用以用於控制各種腔室和子處理器的任何形式的通用電腦處理器中的一種，諸如可程式設計邏輯控制器(PLC)。記憶體197耦接到CPU 196，並且記憶體197是非瞬態的，並且可以是隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、軟碟機、硬碟或任何其它形式的數位儲存裝置(無論本地還是遠端)中的一種或多種。支援電路198耦接到CPU 196以支援處理器。用於帶電荷的物質的產生、加熱和其它製程的應用程式或程式一般儲存在記憶體197中，典型地是作為軟體常式儲存在記憶體197中。軟體常式還可以由遠離受CPU 196控制的處理腔室100的第二CPU（未示出）儲存和/或執行。
記憶體197呈電腦可讀儲存媒體的形式，其含有指令，所述指令在由CPU 196執行時促進對處理腔室100的操作。記憶體197中的指令呈程式產品的形式，諸如實現本揭示內容的方法的程式。程式碼可以符合數種不同程式設計語言中的任一種。在一個示例中，本揭示內容可以被實現為儲存在用於與電腦系統一起使用的電腦可讀儲存媒體上的程式產品。程式產品的（一個或多個）程式限定各個態樣的功能（包括本文所述的方法）。說明性電腦可讀儲存媒體包括但不限於：（i） 在其上永久儲存資訊的不可寫入儲存媒體（例如，電腦內的唯讀記憶體裝置，諸如可由CD-ROM驅動器讀出的CD-ROM盤、快閃記憶體、ROM晶圓或任何類型的固態非揮發性半導體記憶體）；以及（ii）在其上儲存可更改的資訊的可寫入儲存媒體（例如，磁碟機或硬碟驅動器內的軟碟或任何類型的固態隨機存取半導體記憶體）。在進行引導本文所述的方法的功能的電腦可讀指令時，此類電腦可讀儲存媒體是本揭示內容的各個態樣。
圖2是根據本揭示內容的一個態樣的基板支撐件206的示意性截面圖。基板支撐件206類似於基板支撐件106，並且可以用於代替基板支撐件106。基板支撐件206包括靜電吸盤218、介電板220和佈置在豎直堆疊中的設施板222，其中介電板220定位在設施板222的上方，並且靜電吸盤218定位在介電板220的上方。靜電吸盤218包括導電板224，其中陶瓷板226定位在導電板224的頂部上。陶瓷板226可以包括陶瓷（諸如碳化矽或氧化鋁）或由陶瓷形成。一個或多個電極228（諸如由導電材料的薄部段形成）嵌入導電板224的陶瓷或介電材料中。高電壓DC源可以耦接到電極228以促進對基板的吸附，並且偏置RF源可以通過匹配網路耦接到導電板224，以向陰極供電。設施板222可以包括導電材料或由導電材料形成，並且可以具有一個或多個延伸穿過設施板222的通道，以用於流體流動來促進對基板支撐件206的溫度控制。此外，介電板220可以包括石英或由石英形成。
基板支撐件206可以進一步包括管環230、擋環232和/或網狀流量等化器236。管環230可以包括石英或由石英形成，並且圍繞靜電吸盤218並圍繞介電板或在介電板內定位。管環230促進靜電吸盤218的絕緣。擋環232圍繞管環230定位。擋環232可以包括金屬（諸如鋁）或可以由金屬形成，並且可以電接地。網狀流量等化器236圍繞設施板222定位並定位在擋環232的下方，其中網狀流量等化器236徑向向外延伸，諸如相對於擋環232的外表面徑向向外延伸。網狀流量等化器236可以包括金屬（諸如鋁）或由金屬形成並且也可以接地。
在一個示例中，加熱器可以被包括在基板支撐件206的一個或多個部件內。例如，加熱器可以被包括在靜電吸盤218內，以促進對基板的溫度控制。加熱器可以定位在導電板224與陶瓷板226之間。擋環232可以另外地或替代地包括加熱器。加熱器可以是例如包括一個或多個電阻加熱元件的電阻加熱器。
仍然參考圖2，基板支撐件206包括邊緣環組合件240。邊緣環組合件240定位在靜電吸盤218的外部或周圍，並且包括基部270，基部270具有定位在基部270上方的帽271。邊緣環電極272定位在基部270與帽271之間。基部270和/或帽271包括陶瓷或由陶瓷形成，並且邊緣環電極272包括導電材料(諸如金屬)或由導電材料形成。例如，邊緣環電極272可以是導電線或扁平環，諸如箔。在一個示例中，邊緣環電極272可以包括鋁或銅或由鋁或銅形成。此外，邊緣環電極272可以是扁平環，其具有的厚度為約0.2英寸至約0.4英寸。
此外，基板支撐件206包括一個或多個矽環和一個或多個絕緣環，諸如以促進將在基板支撐件206上方的處理容積108中產生的電漿(未示出)耦接到邊緣環組合件240。如圖2所示，基板支撐件206包括外矽環242和內矽環244，每個矽環可以包括矽(諸如單晶矽或多晶矽)或由矽形成。外矽環242和內矽環244兩者都定位在邊緣環組合件240的上方，其中內矽環244定位在外矽環242內。此外，絕緣環246也定位在邊緣環組合件240的上方並在外矽環242與內矽環244之間。絕緣環246被示出為在外矽環242與內矽環244之間完全地延伸，以防止外矽環242與內矽環244之間的任何接觸。因此，外矽環242定位在絕緣環246的外部以包圍絕緣環246，並且絕緣環246定位在內矽環244的外部以包圍內矽環244。
基板支撐件206的一個或多個部件可以包括形成在基板支撐件206中的一個或多個凹槽，以促進在基板支撐件206內的部件間的佈置、絕緣和導電性。例如，絕緣環246可以包括一個或多個凹槽，以促進外矽環242與內矽環244之間的佈置和絕緣。如圖2所示，絕緣環246包括形成在絕緣環246的內表面248內的內凹槽247，並且包括形成在絕緣環246的外表面250內的外凹槽249。內矽環244定位在絕緣環246的內凹槽247內，並且外矽環242定位在絕緣環246的外凹槽249內。
此外，靜電吸盤218和/或內矽環244可以包括一個或多個凹槽，以促進內矽環244與靜電吸盤218之間的佈置和導電性。例如，在靜電吸盤218內定位在導電板224的上方的陶瓷板226包括形成在陶瓷板226的上表面252內的上凹槽251。內矽環244定位在陶瓷板226的上凹槽251內。此外，內矽環244包括形成在內矽環244的上表面254內的上凹槽253。陶瓷板226的上凹槽251和上表面252以及內矽環244的上凹槽253被形成為使得陶瓷板226的上表面252和內矽環244的上凹槽253彼此共面或齊平。這可以促進支撐定位在基板支撐件206上的基板，諸如用於靜電吸附。
如上所述，基板支撐件206可以包括一個或多個絕緣環。因此，除了（內）絕緣環246之外，外絕緣環256也被包括在基板支撐件206內。外絕緣環256定位在擋環232的上方並在邊緣環組合件240的外部以包圍邊緣環組合件240。外矽環242定位在外絕緣環256的上方，其中外絕緣環256可包括在外矽環242與外絕緣環256之間的一個或多個凹槽，以促進在基板支撐件206內的佈置和絕緣。例如，如所示，外絕緣環256包括在外絕緣環256的上表面258內形成的上凹槽257，其中外矽環242定位在外絕緣環256的上凹槽257內。絕緣環246和外絕緣環256可以包括相同的絕緣材料（諸如石英）或由相同的絕緣材料形成。
仍然參考圖2，除了上面討論的那些之外，一個或多個凹槽可以形成在基板支撐件206的一個或多個其它部件中。例如，介電板220包括形成在介電板220的上表面262內的上凹槽261，其中管環230定位在介電板220的上凹槽261內。因此，本揭示內容設想到除了上面揭示的那些之外或作為替代的基板支撐件的部件的其它實施方式和結構。
通過電力分配組合件266向邊緣環組合件240供電。電力分配組合件266在圖2中示出為定位在擋環232內並與邊緣環組合件240直接電接觸。具體地，電力分配組合件266包括一個或多個部件，諸如定位在外套管368內的銷367。然後，銷367與邊緣環組合件240或更具體地與邊緣環組合件240的邊緣環電極272直接電接觸。在一個示例中，電力分配組合件266可以耦接到可調整的RF源(例如，偏置源109b)以將功率傳輸到邊緣環組合件240。在一個示例中，電力分配組合件266可以耦接到外部RF阻抗調節單元或可調節的負載。在這樣的示例中，調諧單元可以1)用於調整在SRC RF頻率下的阻抗以改變電漿密度分佈，2)用於調整在偏置RF頻率下的阻抗以調節基板邊緣電漿鞘層，和/或3)耦接到接地並將接地定位得更靠近基板邊緣。
因此，共同地參考圖1和圖2，通過電源111在處理腔室100中產生電漿。電源109a可以耦接到靜電吸盤218以促進吸附基板和/或影響位於處理腔室100的處理容積108內的電漿。此外，偏置源109b可以通過電力分配組合件266耦接到邊緣環組合件240以促進處理腔室100內的電漿處理。一個或多個電路可以耦接到邊緣環組合件240以影響被包括在邊緣環組合件240內的邊緣環電極272的電性質，從而影響與基板相鄰的電漿或電漿鞘層。可以調整電漿以產生更均勻的基板處理，從而減輕基板邊緣不均勻性。
氣體分配板組合件104定位在腔室主體102上。電源111(諸如射頻(RF)電源)耦接到氣體分配板組合件104，以相對於基板支撐件106將氣體分配板組合件104電偏置來促進處理腔室100內的電漿產生。基板支撐件106包括靜電吸盤118，其中靜電吸盤118可以連 接到電源109a以促進吸附基板101和/或影響位於處理容積108內的電漿。電源109a包括供電電源(諸如DC或RF供電電源)，並且連接到靜電吸盤118的一個或多個電極。偏置源109b可以另外地或替代地與基板支撐件106耦接以幫助產生和/或控制電漿，諸如耦接到下面討論的邊緣環組合件。
在上面和下面的討論和示例中，處理腔室和基板支撐件的部件通常被限定並描述為具有圓形，並更具體地是柱形。然而，本揭示內容不限於此，因為在不脫離本揭示內容的範圍的情況下也可以設想處理腔室和基板支撐件的一個或多個部件的其它的形狀。例如，在處理腔室內形成矩形基板的示例中，基板支撐件可以相應地具有一個或多個矩形部件。
圖3A是根據本揭示內容的一個態樣的基板支撐件306的示意性截圖。基板支撐件306包括定位在擋環232中的電力分配組合件266。電力分配組合件266與邊緣環組合件240直接電接觸，並更具體地是與定位在邊緣環組合件240內的邊緣環電極272直接電接觸。此外，電力分配組合件266穿過邊緣環組合件240與外矽環242直接電接觸。因此，電力分配組合件266不與邊緣環組合件240和/或外矽環242電容耦接來提供電力，因為電力分配組合件266能夠通過與邊緣環組合件240和/或外矽環242的直接電接觸來提供電力。
如圖3A所示，邊緣環組合件240包括形成在邊緣環組合件240的下表面274內的凹槽375，其中凹槽375可延伸穿過邊緣環組合件240的上表面376。包括導電材料（例如金屬）或由導電材料形成的銷367定位在邊緣環組合件240的凹槽375內。在這樣的示例中，銷367可以直接電接觸邊緣環電極272以將電力從電力分配組合件266提供到邊緣環組合件240。
此外，銷367可以延伸穿過邊緣環組合件240的上表面376以直接電接觸外矽環242。在這樣的示例中，外矽環242可以包括形成在外矽環242的下表面379內的凹槽，其中銷367延伸進入以定位在外矽環242的凹槽內。諸如彈簧觸點380之類的電觸點可以定位在外矽環242的凹槽內以接納銷367來促進銷367與外矽環242之間的直接電接觸。彈簧觸點380可以例如是RF墊圈或由美國加利福尼亞州Foothill Ranch的Bal Seal®提供的電觸點。
諸如墊圈或O形環之類的一個或多個密封件定位為與邊緣環組合件240的凹槽375內的銷367相鄰。例如，O形環381在邊緣環組合件240的凹槽375內並圍繞電力分配組合件266的銷367。
如圖3A和3B所示，電力分配組合件266包括銷367和外套管368，其中銷367定位在外套管368內。在此示例中，當電力分配組合件266與邊緣環組合件240直接電接觸時，銷367直接地接觸邊緣環組合件240的一個或多個部件。然而，本揭示內容不限於此，因為電力分配組合件266可以包括與邊緣環組合件240直接電接觸的一個或多個其它部件。例如，插槽、電觸點和/或另一個部件可以電耦接到銷367並與邊緣環組合件240直接電接觸。
根據本揭示內容的基板支撐件可以具有彼此結合的一個或多個部件，以促進基板支撐件的組裝。此外，根據本揭示內容的基板支撐件可以具有夾緊到彼此的一個或多個部件，以促進部件的接合和/或基板支撐件的組裝。夾緊部件還可以促進拆卸和替換，諸如從而修理或替換在基板支撐件內的一個或多個部件，而不是修理或替換整個基板支撐件。
圖3B是根據本揭示內容的一個態樣的基板支撐件360的示意性截面圖。基板支撐件360類似於上述的基板支撐件306，並且包括上述的基板支撐件306的態樣、部件、特徵和/或性質中的一個或多個。如圖3B所示，基板支撐件360包括定位在內矽環244和絕緣環246的外部的外矽環342。外矽環342類似於上述的外矽環242，並且包括上述的外矽環242的態樣、部件、特徵和/或性質中的一個或多個。外矽環342包括一個或多個突起343，一個或多個突起343從外矽環342的下表面379突出並進入邊緣環組合件240的凹槽375。一個或多個突起343可以圍繞外矽環342周向地等距地設置。作為示例，突起343可以圍繞外矽環342每隔90度地定位（例如，圍繞外矽環342成0度、90度、180度和270度）。對應的開口凹槽375可以定位在邊緣環組合件240中，以用於將每個相應的突起343設置在所述對應的開口凹槽375內。在一個示例中，外矽環342包括從下表面379突出的四個突起343，並且邊緣環組合件240包括四個對應的凹槽375。四個突起343圍繞基板支撐件360每隔90度地設置，並且凹槽375圍繞邊緣環組合件240每隔90度地設置。
外矽環342的一個或多個突起343接觸電力分配組合件266的至少一部分，諸如銷367。一個或多個突起343中的每個包括接納電力分配組合件266的至少一部分（諸如銷367的一部分）和/或電觸點的至少一部分（下面描述）的空腔344。在一個示例中，銷367的上部部分369設置在突起343的空腔344內。銷367接觸突起343的一個或多個內面371（圖3B中示出了兩個）。一個或多個內面371由空腔344限定。
電觸點（諸如彈簧觸點380）可以定位在銷367與突起343之間和/或與銷367和突起343接觸，以促進銷367與外矽環342（諸如外矽環342的突起343）之間的直接電接觸。在一個示例中，電觸點（諸如彈簧觸點380）定位在突起343的空腔344內以接納銷367。彈簧觸點380可以例如是由美國加利福尼亞州Foothill Ranch的BalSeal®提供的RF墊片或電觸點。
每個突起343包括在突起343的下端中的肩部345。電力分配組合件266的外套管368包括在外套管368的上端中的肩部370。在一個示例中，每個突起343與對應的外套管368接觸。在一個示例中，外套管368的上端與突起343的肩部345對接和/或接觸；並且突起343的下端與外套管368的肩部370對接和/或接觸。在一個示例中，銷367的上端設置成與外矽環342的下表面379共面或在外矽環342的下表面379的下方。
電力分配組合件266與邊緣環組合件240直接電接觸，並更具體地是與定位在邊緣環組合件240內的邊緣環電極272直接電接觸。電力分配組合件266穿過邊緣環組合件240與外矽環342直接電接觸。因此，電力分配組合件266不與邊緣環組合件240和/或外矽環342電容耦接來提供電力，因為電力分配組合件266能夠通過與邊緣環組合件240和/或外矽環342的直接電接觸來提供電力。
基板支撐件360包括擋環332。擋環332類似於上文和下文所述的擋環232，並且包括上文和下文所述的擋環的態樣、部件、特徵和/或性質中的一個或多個。在一個示例中，擋環332包括金屬(諸如鋁)或由金屬形成，並且電接地。在一個示例中，擋環332包括陶瓷材料(諸如Al2O3)或由陶瓷材料形成，並且接地襯裡333圍繞擋環332設置以包圍擋環332。接地襯裡333電接地並包括金屬(諸如鋁)或由金屬形成。
基板支撐件360的態樣（諸如外矽環342的突起343）促進了調整和/或控制電漿鞘層並且減少或減弱基板支撐件360的部件的電弧放電。作為示例，基板支撐件360的態樣減少在朝向接地的方向上的電弧放電。例如，突起343、擋環332和/或接地襯裡333減少在朝向接地的方向上的電弧放電。擋環332和/或接地襯裡333的態樣也可以使接地移動得更遠離內矽環244以減少電容放電。
圖4和5是根據本揭示內容的一個態樣的基板支撐件406的示意性截面圖。如所示，基板支撐件406包括邊緣環組合件240和擋環232，其中邊緣環組合件240被夾緊到擋環232。邊緣環組合件240和擋環232夾緊到彼此以減弱邊緣環組合件240與擋環232之間的間隙，但是也可以使得邊緣環組合件240和擋環232能夠在基板支撐件406內相對於彼此可移除，諸如以修理或更換邊緣環組合件240和/或擋環232。
在此示例中，為了將邊緣環組合件240夾緊到擋環232，邊緣環組合件240包括形成在邊緣環組合件240的外表面484和/或下表面274內的緊固外掛程式凹槽483。包括聚合物（諸如塑膠）或可由聚合物形成的緊固外掛程式485定位在邊緣環組合件240的緊固外掛程式凹槽483內以接合邊緣環組合件240。具體地，緊固外掛程式485的肩部486在緊固外掛程式凹槽483中接合邊緣環組合件240的肩部487。此外，外絕緣環256定位在邊緣環組合件240的外部，其中緊固外掛程式485定位在絕緣環256與邊緣環組合件240之間。
緊固件488（諸如螺栓）用於與緊固外掛程式485耦接以將邊緣環組合件240夾緊到擋環232。例如，緊固件凹槽489形成在擋環232內，諸如形成在擋環232的下表面490內或穿過擋環232的下表面490。緊固件488定位在緊固件凹槽489內以耦接到緊固外掛程式485。在一個示例中，緊固件488可以與緊固外掛程式485螺紋地耦接或接合。此外，密封件491可以圍繞緊固件488定位，以促進相對於緊固件488的密封。
如圖5中最佳地所示，緊固外掛程式485的肩部486可以從緊固外掛程式485的側表面492延伸或形成在緊固外掛程式485的側表面492內，以接合邊緣環組合件240的對應的肩部487。在這樣的示例中，緊固外掛程式485可以具有與邊緣環組合件240的t形槽、溝槽接合。然而，根據本揭示內容，可以設想與如所示的邊緣環組合件240相反地包括不同的肩部接合或將緊固外掛程式485定位在擋環232內的一種或多種用於將邊緣環組合件240夾緊到擋環232的佈置，而不是上面具體地公開的那些。
在一個示例中，擋環232可以被夾緊到網狀流量等化器236。例如，如圖6所示，緊固件凹槽494形成在擋環232的上表面495中。緊固件496定位在擋環232的緊固件凹槽494內，以然後將擋環232夾緊到網狀流量等化器236。在這樣的示例中，緊固件496可以與網狀流量等化器236螺紋地接合。
圖7是根據本揭示內容的一個方面的邊緣環組合件240的示意性截面圖。如上面所討論，邊緣環組合件240包括基部270、定位在基部270上方的帽271、以及定位在基部270與帽271之間的邊緣環電極272。此外，邊緣環組合件240包括一個或多個凹槽375（諸如插槽凹槽）以用於接納插槽377。在此示例中，插槽377與邊緣環電極272直接電接觸，但是插槽377沒有延伸穿過邊緣環組合件240，諸如穿過邊緣環組合件240的帽271。此外，銷367被接納在插槽377內，使得邊緣環電極272通過插槽377電耦接到銷367。
根據本揭示內容的邊緣環組合件240可以包括一個或多個凹槽375，諸如一個或多個插槽凹槽和一個或多個緊固外掛程式凹槽483，每種都在上面有所討論。在這樣的示例中，插槽凹槽375和緊固外掛程式凹槽483可以圍繞邊緣環組合件240交替地分佈。例如，在邊緣環組合件240內形成四個插槽凹槽375和四個緊固外掛程式凹槽483的示例中，插槽凹槽375可以在邊緣環組合件240內每隔90度地定位（例如，圍繞邊緣環組合件240成0度、90度、180度和270度），並且緊固外掛程式凹槽483可以在邊緣環組合件240內每隔90度定位。此外，每個緊固外掛程式凹槽483然後定位在一對插槽凹槽375之間（例如，圍繞邊緣環組合件240成45度、135度、225度和315度），使得插槽凹槽375和緊固外掛程式凹槽483圍繞邊緣環組合件240交替地分佈。
圖8是根據本揭示內容的一個態樣的邊緣環組合件940的示意性截面圖。在此示例中，邊緣環組合件940包括基部970、定位在基部970的上方的帽971以及定位在基部970與帽971之間的邊緣環電極972。此外，基部970包括形成在基部970的內表面974和/或上表面975內的內凹槽973和/或包括形成在基部970的外表面977和/或上表面975內的外凹槽976。在基部970包括內凹槽973的示例中，帽971可以包括對應的內唇緣978，其定位在基部970的內凹槽973內。在基部970包括外凹槽976的示例中，帽971可以包括對應的外唇緣979，其定位在基部970的外凹槽976內。帽971與邊緣環組合件940的基部970之間的這種接合可以增加絕緣和/或減少相對於邊緣環組合件940的放電。
圖9是根據本揭示內容的一個態樣的邊緣環組合件1040的示意性截面圖。在此示例中，邊緣環組合件1040包括基部970、帽971和邊緣環電極972。此外，帽971包括一個或多個突起，諸如作為延伸到基部970中的內唇緣978和外唇緣979的附加或替代。例如，帽971包括形成在帽971的下側981上或從帽971的下側981延伸的突起980，其延伸到形成在基部970的上側975內的凹槽982中。此外，在一個示例中，帽971的內唇緣978包括延伸到形成在基部970的凹槽973內的槽984中的突起983。因此，除了上面明確地示出和討論的那些以外，本揭示內容設想了根據本揭示內容的邊緣環組合件的多個實施方式。
圖10、圖11和圖12是根據本揭示內容的一個態樣的電漿篩1210A和1210B的多個視圖。特別地，圖10是處理腔室1200的示意性截面圖，處理腔室1200包括具有電漿篩1210A和1210B的基板支撐件1206。圖11是處理腔室1200的自頂向下視圖，處理腔室1200包括具有電漿篩1210A和1210B的基板支撐件1206。此外，圖12是電漿篩1210A和1210B的示意性截面圖。處理腔室1200包括腔室主體1202，其中基板支撐件1206定位在腔室主體1202內。此外，電漿篩1210A和1210B從基板支撐件1206徑向向外延伸，諸如通過圍繞在腔室主體1202內的基板支撐件1206定位並包圍在腔室主體1202內的基板支撐件1206。
電漿篩1210A和1210B包括上電漿篩1210A和定位在上電漿篩1210A的下方的下電漿篩1210B。上電漿篩1210A包括形成為穿過上電漿篩1210A的一個或多個開口1212A，並且下電漿篩1210B對應地包括形成為穿過下電漿篩1210B的一個或多個開口1212B。電漿篩1210A和1210B圍繞基板支撐件1206定位，使得上電漿篩1210A的開口1212A從下電漿篩1210B的開口1212B旋轉地偏移，諸如相對於基板支撐件1206的軸線。例如，如圖11中具體地示出，通過使上電漿篩1210A的開口1212A從下電漿篩1210B的開口1212B旋轉地偏移，從而通過上電漿篩1210A和下電漿篩1210B來阻擋或阻止視線。由於下電漿篩1210B的開口1212B不與上電漿篩1210A的開口1212A旋轉地重疊，因此由下電漿篩1210B阻擋或阻止通過上電漿篩1210A的開口1212A提供的視線。
在一個示例中，上電漿篩1210A的開口1212A可以與下電漿篩1210B的開口1212B的數量相同。此外，上電漿篩1210A的開口1212A可以與下電漿篩1210B的開口1212B具有相同的尺寸和/或形狀。因此，上電漿篩1210A可以與下電漿篩1210B相同。
在一個示例中，上電漿篩1210A還可以從下電漿篩1210B旋轉地偏移約一度、五度或更多。例如，在圖10、圖11和圖12中所示的示例中，上電漿篩1210A和下電漿篩1210B各自包括三十六個開口1212A和1212B。在這樣的示例中，上電漿篩1210A可以從下電漿篩1210B旋轉地偏移約五度。如果在上電漿篩1210A和下電漿篩1210B內包括更少的開口1212A和1212B，那麼上電漿篩1210A可以從下電漿篩1210B旋轉地偏移大於約五度。如果在上電漿篩1210A和下電漿篩1210B內包括更多/聚開口1212A和1212B，那麼上電漿篩1210A可以從下電漿篩1210B旋轉地偏移小於約五度。
此外，上電漿篩1210A和/或下電漿篩1210B可以與基板支撐件1206一體地形成，或可以與基板支撐件1206分開地形成並耦接到基板支撐件1206，如所示。在上電漿篩1210A和/或下電漿篩1210B中的一個或兩個與基板支撐件1206分開地形成的示例中，一個或多個間隔件1214可以定位在上電漿篩1210A與下電漿篩1210B之間。間隔件1214可以促進在上電漿篩1210A與下電漿篩1210B之間的間隔和定位。
本揭示內容的實施方式可以用以下示例中的一個或多個來表達：
示例1包括一種處理基板的方法，包括： 使用電漿鞘層處理在包括基板支撐件的處理腔室內的第一基板，所述基板支撐件包括： 邊緣環組合件，所述邊緣環組合件包括邊緣環電極； 外矽環，所述外矽環定位在所述邊緣環組合件的上方； 內矽環，所述內矽環定位在所述外矽環內；以及 絕緣環，所述絕緣環定位在所述外矽環與所述內矽環之間； 用所述邊緣環電極來調整在所述處理腔室內的所述電漿鞘層；以及 使用所述經調整的電漿鞘層處理在所述處理腔室內的第二基板。
示例2包括示例1的方法，其中所述調整所述電漿鞘層包括以下各項中的至少一個： 調整所述邊緣環電極的電性質；或者 調整提供給所述邊緣環電極的功率的性質。
示例3包括示例1的方法，其中所述基板支撐件進一步包括電力分配組合件，所述電力分配組合件耦接到所述邊緣環組合件，並且所述調整所述電漿鞘層包括調整由所述電力分配組合件提供的電力。
示例4包括示例1的方法，其中： 所述外矽環定位在所述絕緣環的外部以包圍所述絕緣環；並且 所述絕緣環定位在所述內矽環的外部以包圍所述內矽環。
示例5包括一種處理基板的方法，包括： 使用電漿鞘層處理在包括基板支撐件的處理腔室內的第一基板，所述基板支撐件包括： 邊緣環組合件，所述邊緣環組合件包括邊緣環電極；以及 電力分配組合件，所述電力分配組合件與所述邊緣環電極直接電接觸； 用所述邊緣環電極來調整在所述處理腔室內的所述電漿鞘層；以及 使用所述經調整的電漿鞘層處理在所述處理腔室內的第二基板。
示例6包括示例5的方法，其中所述調整所述電漿鞘層包括以下各項中的至少一個： 調整所述邊緣環電極的電性質；或者 調整提供給所述邊緣環電極的電力的性質。
示例7包括一種處理基板的方法，包括： 使用電漿鞘層處理在包括基板支撐件的處理腔室內的第一基板，所述基板支撐件包括： 邊緣環組合件，所述邊緣環組合件包括邊緣環電極；以及 擋環，其中所述邊緣環組合件定位在所述擋環的上方並被夾緊到所述擋環； 用所述邊緣環電極來調整在所述處理腔室內的所述電漿鞘層；以及 使用所述經調整的電漿鞘層處理在所述處理腔室內的第二基板。
示例8包括示例7的方法，其中所述調整所述電漿鞘層包括以下各項中的至少一個： 調整所述邊緣環電極的電性質；以及 調整提供給所述邊緣環電極的電力的性質。
本揭示內容的益處可以包括對與基板的邊緣相鄰的電漿的增加的控制。增加的電漿控制造成增加的處理均勻性，特別是在基板邊緣附近的處理均勻性。另外，根據本揭示內容的各態樣的電漿調整在基板邊緣處局部地進行，因此不會不利地影響到在基板表面上的電漿均勻性。本揭示內容可以進一步能夠促進在基板支撐件內的部件間的佈置、絕緣和導電性，這可以減少放電並增加絕緣。這繼而又可以增加在基板支撐件內的一個或多個部件的使用壽命。此外，本揭示內容可以具有夾緊到彼此以促進基板支撐件的一個或多個部件的組裝、拆卸和/或替換的一個或多個部件。
雖然前述內容針對的是本揭示內容的各態樣，但是在不脫離本揭示內容的基本範圍的情況下，可以設想本揭示內容的其它和進一步態樣，並且本揭示內容的範圍由所附申請專利範圍確定。
100:處理腔室 101:基板 102:腔室主體 104:氣體分配板組合件 106:基板支撐件 108:處理容積 109a:電源 109b:偏置源 110:真空系統 111:電源 112:襯裡 114:埠 116:上表面 118:靜電吸盤 195:控制器 196:CPU 197:記憶體 198:支援電路 206:基板支撐件 218:靜電吸盤 220:介電板 222:設施板 224:導電板 226:陶瓷板 228:電極 230:管環 232:擋環 236:網狀流量等化器 240:邊緣環組合件 242:外矽環 244:內矽環 246:絕緣環 247:內凹槽 248:內表面 249:外凹槽 250:外表面
251:上凹槽
252:上表面
253:上凹槽
254:上表面
256:外絕緣環
257:上凹槽
258:上表面
261:上凹槽
262:上表面
266:電力分配組合件
270:基部
271:帽
272:邊緣環電極
274:下表面
306:基板支撐件
332:擋環
333:接地襯裡
342:外矽環
343:突起
344:空腔
345:肩部
360:基板支撐件
367:銷
368:外套管
369:上部部分
370:肩部
371:內面
375:凹槽
376:上表面
377:插槽
379:下表面
380:彈簧觸點
381:O形環
406:基板支撐件
483:緊固外掛程式凹槽
484:外表面
485:緊固外掛程式
486:肩部
487:肩部
488:緊固件
489:緊固件凹槽
490:下表面
491:密封件
492:側表面
494:緊固件凹槽
495:上表面
496:緊固件
940:邊緣環組合件
970:基部
971:帽
972:邊緣環電極
973:凹槽
974:內表面
975:上表面
976:外凹槽
977:外表面
978:內唇緣
979:外唇緣
980:突起
981:下側
982:凹槽
983:突起
984:槽
1040:邊緣環組合件
1200:處理腔室
1202:腔室主體
1206:基板支撐件
1210A:電漿篩
1210B:電漿篩
1212A:開口
1212B:開口
1214:間隔件
為了能夠詳細地理解本揭示內容的上述特徵結構所用方式，上面簡要地概述的本揭示內容的更具體的描述可以參考各態樣來進行，一些態樣示出在附圖中。然而，應當注意，附圖僅示出了示例性態樣，並且因此不應當被視為對範圍的限制，因為本揭示內容可以允許其它等效態樣。
圖1是根據本揭示內容的一個態樣的處理腔室的橫截面圖。
圖2是根據本揭示內容的一個態樣的基板支撐件的示意性截面圖。
圖3A是根據本揭示內容的一個態樣的基板支撐件的示意性截面圖。
圖3B是根據本揭示內容的一個態樣的基板支撐件的示意性截面圖。
圖4是根據本揭示內容的一個態樣的基板支撐件的示意性截面圖。
圖5是根據本揭示內容的一個態樣的包括緊固外掛程式的邊緣環組合件的示意性截面圖。
圖6是根據本揭示內容的一個態樣的基板支撐件的示意性截面圖。
圖7是根據本揭示內容的一個態樣的邊緣環組合件的示意性截面圖。
圖8是根據本揭示內容的一個態樣的邊緣環組合件的示意性截面圖。
圖9是根據本揭示內容的一個態樣的基板支撐件的示意性截面圖。
圖10是根據本揭示內容的一個態樣的具有電漿篩的處理腔室的示意性截面圖。
圖11是根據本揭示內容的一個態樣的圖10中所示的具有電漿篩的處理腔室的自頂向下視圖。
圖12是根據本揭示內容的一個態樣的電漿篩的示意性截面圖。
為了便於理解，已經盡可能地使用相同的元件符號標示各圖共有的相同要素。設想的是，一個態樣的要素和特徵可以有利地併入其它態樣，而無需進一步敘述。
100:處理腔室
101:基板
102:腔室主體
104:氣體分配板組合件
106:基板支撐件
108:處理容積
109a:電源
109b:偏置源
110:真空系統
111:電源
112:襯裡
114:埠
116:上表面
118:靜電吸盤
195:控制器
196:CPU
197:記憶體
198:支援電路

Claims (64)

  1. 一種基板支撐件，包括： 一靜電吸盤，該靜電吸盤包括一吸附電極；一邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括一邊緣環電極；一外矽環，該外矽環定位在該邊緣環組合件的上方；一內矽環，該內矽環定位在該邊緣環組合件的上方、在該外矽環內；以及一絕緣環，該絕緣環定位在該邊緣環組合件的上方、在該外矽環與該內矽環之間。
  2. 如請求項1所述的基板支撐件，其中： 該外矽環定位在該絕緣環的外部以包圍該絕緣環；並且該絕緣環定位在該內矽環的外部以包圍該內矽環。
  3. 如請求項1所述的基板支撐件，其中： 該絕緣環包括形成在該絕緣環的一內表面內的一內凹槽和形成在該絕緣環的一外表面內的一外凹槽；該內矽環至少部分地定位在該內凹槽內；並且該外矽環至少部分地定位在該外凹槽內。
  4. 如請求項1所述的基板支撐件，進一步包括一外絕緣環，該外絕緣環定位在該邊緣環組合件的外部以包圍該邊緣環組合件。
  5. 如請求項4所述的基板支撐件，其中： 該外矽環定位在該外絕緣環的上方；並且該外絕緣環包括形成在該外絕緣環的一上表面內的上凹槽，其中該外矽環定位在該外絕緣環的該上凹槽內。
  6. 如請求項4所述的基板支撐件，其中該絕緣環和該外絕緣環包括石英。
  7. 如請求項1所述的基板支撐件，其中： 該靜電吸盤包括一導電板，其中一陶瓷板定位在該導電板的頂部上；該陶瓷板包括形成在該陶瓷板的一上表面內的一上凹槽，其中該內矽環定位在該陶瓷板的該上凹槽內；並且該內矽環包括形成在該內矽環的一上表面內的一上凹槽，使得該陶瓷板的該上表面和該內矽環的該上凹槽是共面。
  8. 如請求項1所述的基板支撐件，進一步包括一擋環，其中該邊緣環組合件定位在該擋環的上方。
  9. 如請求項8所述的基板支撐件，進一步包括一管環，其中該擋環定位在該管環的外部。
  10. 如請求項1所述的基板支撐件，其中該邊緣環組合件包括一帽，該帽定位在一基部的上方，其中該邊緣環電極定位在該帽與該基部之間。
  11. 如請求項1所述的基板支撐件，進一步包括一電力分配組合件，該電力分配組合件耦接到該邊緣環組合件。
  12. 一種處理腔室，包括： 一腔室主體；以及 一基板支撐件，該基板支撐件定位在該腔室主體內，該基板支撐件包括：一靜電吸盤，該靜電吸盤包括一吸附電極；一邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括一邊緣環電極；一外矽環，該外矽環定位在該邊緣環組合件的上方；一內矽環，該內矽環定位在該邊緣環組合件的上方、在該外矽環內；以及一絕緣環，該絕緣環定位在該邊緣環組合件的上方、在該外矽環與該內矽環之間。
  13. 如請求項12所述的處理腔室，進一步包括一外絕緣環，該外絕緣環定位在該邊緣環組合件的外部以包圍該邊緣環組合件，其中： 該絕緣環包括形成在該絕緣環的一內表面內的一內凹槽和形成在該絕緣環的一外表面內的一外凹槽；該內矽環至少部分地定位在該內凹槽內；並且該外矽環至少部分地定位在該外凹槽內。
  14. 如請求項13所述的處理腔室，其中： 該外矽環定位在該外絕緣環的上方，並且該外絕緣環包括形成在該外絕緣環的一上表面內的一上凹槽，其中該外矽環定位在該外絕緣環的該上凹槽內。
  15. 如請求項12所述的處理腔室，其中該邊緣環組合件包括一帽，該帽定位在一基部的上方，其中該邊緣環電極定位在該帽與該基部之間。
  16. 如請求項12所述的處理腔室，進一步包括一電力分配組合件，該電力分配組合件耦接到該邊緣環組合件。
  17. 一種基板支撐件，包括： 一靜電吸盤，該靜電吸盤包括一吸附電極；一邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括一邊緣環電極；一矽環，該矽環定位在該邊緣環組合件的上方；以及一電力分配組合件，該電力分配組合件與該邊緣環電極直接電接觸。
  18. 如請求項17所述的基板支撐件，其中該電力分配組合件通過該邊緣環組合件與該矽環直接電接觸。
  19. 如請求項17所述的基板支撐件，其中該邊緣環組合件包括插槽凹槽，該插槽凹槽形成在該邊緣環組合件的一下表面內，其中在該邊緣環組合件的該插槽凹槽內定位有一插槽。
  20. 如請求項17所述的基板支撐件，其中該電力分配組合件延伸穿過該邊緣環組合件的一上表面以直接地接觸該矽環。
  21. 如請求項20所述的基板支撐件，其中該矽環包括一凹槽，該凹槽形成在該矽環的一下表面內，其中該電力分配組合件定位在該矽環的該凹槽內。
  22. 如請求項21所述的基板支撐件，進一步包括一彈簧觸點，該彈簧觸點圍繞該電力分配組合件定位並與該電力分配組合件接觸。
  23. 如請求項21所述的基板支撐件，進一步包括一密封件，該密封件圍繞該電力分配組合件的銷定位並定位在該邊緣環組合件內。
  24. 如請求項17所述的基板支撐件，其中該電力分配組合件包括可定位在一插槽內的一銷。
  25. 如請求項17所述的基板支撐件，其中該電 力分配組合件包括一外套管，其中一銷定位在該外套管內。
  26. 如請求項17所述的基板支撐件，進一步包括一擋環，其中該邊緣環組合件定位在該擋環的上方，其中該電力分配組合件定位在該擋環內。
  27. 如請求項17所述的基板支撐件，其中該矽環包括一外矽環，該基板支撐件進一步包括：一內矽環，該內矽環定位在該邊緣環組合件的上方、在該外矽環內；以及一絕緣環，該絕緣環定位在該邊緣環組合件的上方、在該外矽環與該內矽環之間。
  28. 如請求項17所述的基板支撐件，其中該邊緣環組合件包括一帽，該帽定位在一基部的上方，其中該邊緣環電極定位在該帽與該基部之間。
  29. 如請求項17所述的基板支撐件，其中該矽環包括一突起，該突起從該矽環的一下表面突出並伸入該邊緣環組合件的凹槽中，該突起具有一空腔，該空腔接納該電力分配組合件的至少一部分。
  30. 一種處理腔室，包括：一腔室主體；一基板支撐件，該基板支撐件定位在該腔室主體內，該基板支撐件包括：一靜電吸盤，該靜電吸盤包括一吸附電極；以及一邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括一邊緣環電極；以及一電力分配組合件，該電力分配組合件與該邊緣環電極直接電接觸。
  31. 如請求項30所述的處理腔室，其中該邊緣環組合件包括一插槽凹槽，該插槽凹槽形成在該邊緣環組合件的一下表面內，其中一插槽定位在該邊緣環組合件的該插槽凹槽內。
  32. 如請求項30所述的處理腔室，其中該電力分配組合件與一矽環直接電接觸，該矽環定位在該邊緣環組合件的上方。
  33. 如請求項32所述的處理腔室，其中該矽環包括一凹槽，該凹槽形成在該矽環的一下表面內，其中該電力分配組合件定位在該矽環的該凹槽內。
  34. 如請求項32所述的處理腔室，其中該矽環包括一突起，該突起從該矽環的一下表面突出並伸入該邊緣環組合件的一凹槽中，該突起具有一空腔，該空腔接納該電力分配組合件的至少一部分。
  35. 一種基板支撐件，包括： 一靜電吸盤，該靜電吸盤包括一吸附電極；一邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括一邊緣環電極；一矽環，該矽環定位在該邊緣環組合件的上方；以及一擋環，其中該邊緣環組合件定位在該擋環的上方並被夾緊到該擋環。
  36. 如請求項35所述的基板支撐件，進一步包括一緊固外掛程式凹槽，該緊固外掛程式凹槽形成在該邊緣環組合件的一外表面內，其中一緊固外掛程式定位在該緊固外掛程式凹槽內，使得該緊固外掛程式的一肩部與該邊緣環組合件的一肩部在該緊固外掛程式凹槽中接合。
  37. 如請求項36所述的基板支撐件，進一步包括一緊固件凹槽，該緊固件凹槽形成在該擋環的一下表面內，其中一緊固件定位在該緊固件凹槽內，其中該緊固件與該緊固外掛程式耦接以將該邊緣環組合件夾緊到該擋環。
  38. 如請求項36所述的基板支撐件，其中該緊固外掛程式的該肩部形成在該緊固外掛程式的一側表面上。
  39. 如請求項36所述的基板支撐件，進一步包括一外絕緣環，該外絕緣環定位在該邊緣環組合件的外部，其中該所緊固外掛程式定位在該外絕緣環與該邊緣環組合件之間。
  40. 如請求項36所述的基板支撐件，進一步包括一電力分配組合件，該電力分配組合件定位在該擋環內並與該邊緣環電極直接電接觸。
  41. 如請求項40所述的基板支撐件，其中： 該邊緣環組合件進一步包括多個插槽凹槽，該多個插槽凹槽形成在該邊緣環組合件的一下表面內；該緊固外掛程式凹槽包括多個緊固外掛程式凹槽，並且該插槽凹槽和該緊固外掛程式凹槽圍繞該邊緣環組合件交替地分佈。
  42. 如請求項41所述的基板支撐件，進一步包括多個插槽，每個插槽定位在一對應的插槽凹槽內，其中該電力分配組合件包括多個銷，每個銷定位在一插槽內。
  43. 如請求項35所述的基板支撐件，進一步包括一網狀流量等化器，其中該擋環定位在該網狀流量等化器的上方並被夾緊到該網狀流量等化器。
  44. 如請求項43所述的基板支撐件，進一步包括一緊固件凹槽，該緊固件凹槽形成在該擋環的一上表面內，其中一緊固件定位在該緊固件凹槽內。
  45. 一種處理腔室，包括： 一腔室主體；以及一基板支撐件，該基板支撐件定位在該腔室主體內，該基板支撐件包括：一靜電吸盤，該靜電吸盤包括一吸附電極；一邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括一邊緣環電極；以及一擋環，其中該邊緣環組合件定位在該擋環的上方並被夾緊到該擋環。
  46. 如請求項45所述的處理腔室，進一步包括一電力分配組合件，該電力分配組合件定位在該擋環內並耦接到該邊緣環組合件。
  47. 如請求項45所述的處理腔室，其中該基板支撐件進一步包括一矽環，該矽環定位在該邊緣環組合件的上方。
  48. 如請求項45所述的處理腔室，其中該基板支撐件進一步包括一緊固外掛程式凹槽，該緊固外掛程式凹槽形成在該邊緣環組合件的一外表面內，其中一緊固外掛程式定位在該緊固外掛程式凹槽內，使得該緊固外掛程式的一肩部與該邊緣環組合件的一肩部在該緊固外掛程式凹槽中接合。
  49. 如請求項48所述的處理腔室，進一步包括一緊固件凹槽，該緊固件凹槽形成在該擋環的一下表面內，其中一緊固件定位在該緊固件凹槽內，其中該緊固件與該緊固外掛程式耦接以將該邊緣環組合件夾緊到該擋環。
  50. 如請求項48所述的處理腔室，進一步包括一外絕緣環，該外絕緣環定位在該邊緣環組合件的外部，其中該緊固外掛程式定位在該外絕緣環與該邊緣環組合件之間。
  51. 如請求項48所述的處理腔室，其中： 該邊緣環組合件進一步包括多個插槽凹槽，該多個插槽凹槽形成在該邊緣環組合件的一下表面內；該緊固外掛程式凹槽包括多個緊固外掛程式凹槽；並且該插槽凹槽和該緊固外掛程式凹槽圍繞該邊緣環組合件交替地分佈。
  52. 如請求項45所述的處理腔室，進一步包括一網狀流量等化器，其中該擋環定位在該網狀流量等化器的上方並被夾緊到該網狀流量等化器。
  53. 一種基板支撐件，包括： 一靜電吸盤，該靜電吸盤包括一吸附電極；一邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括：一基部，該基部包括：一內凹槽，該內凹槽形成在該基部的一內表面內；以及一外凹槽，該外凹槽在該基部的一外表面內；一帽，該帽定位在該基部的上方並包括：一內唇緣，該內唇緣定位在該基部的該內凹槽內；以及一外唇緣，該外唇緣定位在該基部的該外凹槽內；以及一邊緣環電極，該邊緣環電極定位在該帽與該基部之間；一矽環，該矽環定位在該邊緣環組合件的上方；以及一擋環，其中該邊緣環組合件定位在該擋環的上方。
  54. 如請求項53所述的基板支撐件，其中該基部包括一肩部，該肩部定位在該基部的該外表面上。
  55. 如請求項53所述的基板支撐件，進一步包括一管環，其中該擋環定位在該管環的外部，該邊緣環組合件定位在該管環的上方，並且該管環圍繞該靜電吸盤定位。
  56. 如請求項53所述的基板支撐件，其中該基部和該帽包括陶瓷。
  57. 如請求項53所述的基板支撐件，其中該邊緣環電極包括約0.2英寸至約0.4英寸的厚度。
  58. 如請求項53所述的基板支撐件，進一步包括一電力分配組合件，該電力分配組合件耦接到該邊緣環組合件。
  59. 如請求項53所述的基板支撐件，其中該帽進一步包括一突起，該突起定位在該基部的一上表面內。
  60. 如請求項53所述的基板支撐件，其中該內唇緣包括一突起，該突起定位在該基部的該內凹槽內。
  61. 一種處理腔室，包括： 一腔室主體；以及一基板支撐件，該基板支撐件定位在該腔室主體內，該基板支撐件包括：一靜電吸盤，該靜電吸盤包括一吸附電極；以及一邊緣環組合件，該邊緣環組合件定位在該靜電吸盤的外部，該邊緣環組合件包括：一基部，該基部包括形成在該基部的一內表面內的一內凹槽和形成在該基部的一外表面內的一外凹槽；一帽，該帽定位在該基部的上方並包括定位在該基部的該內凹槽內的一內唇緣和定位在該基部的該外凹槽內的一外唇緣；以及一邊緣環電極，該邊緣環電極定位在該帽與該基部之間。
  62. 如請求項61所述的處理腔室，其中該基板支撐件進一步包括： 一矽環，該矽環定位在該邊緣環組合件的上方；以及一擋環，其中該邊緣環組合件定位在該擋環的上方。
  63. 一種邊緣環組合件，包括： 一基部，該基部包括： 一內凹槽，該內凹槽形成在該基部的該內表面內；以及 一外凹槽，該外凹槽在該基部的一外表面內； 一帽，該帽定位在該基部的上方並包括： 一內唇緣，該內唇緣定位在該基部的該內凹槽內；以及 一外唇緣，該外唇緣定位在該基部的該外凹槽內；以及 一邊緣環電極，該邊緣環電極定位在該帽與該基部之間。
  64. 如請求項63所述的邊緣環組合件，其中該基部和該帽包括陶瓷。
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