KR20200023172A - 플라즈마 처리 챔버에서의 기판 지지부를 위한 에지 링 어셈블리 - Google Patents

플라즈마 처리 챔버에서의 기판 지지부를 위한 에지 링 어셈블리 Download PDF

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KR20200023172A
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edge
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하미드 노어바크쉬
안와르 후사인
레인 와카바야시
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 개시내용은 일반적으로 기판 에지 부근에서 플라즈마 시스를 제어하기 위한 장치들 및 방법들에 관한 것이다. 이 장치는 에지 링 전극을 갖는 에지 링 어셈블리 및 척킹 전극을 갖는 정전 척을 포함하는 기판 지지부 및/또는 처리 챔버에 관한 것이다. 에지 링 어셈블리는 정전 척에 인접하게 포지셔닝되는데, 이를테면 에지 링 어셈블리는 정전 척 외부에 또는 정전 척 주위에 포지셔닝된다. 에지 링 어셈블리는 베이스 및 베이스 위에 포지셔닝된 캡을 포함하며, 캡과 베이스 사이에는 에지 링 전극이 포지셔닝된다. 에지 링 전극의 베이스는 내측 리세스 및/또는 외측 리세스를 포함할 수 있으며, 캡은 내측 리세스 및/또는 외측 리세스로 연장하는 하나 이상의 립들을 포함한다. 하나 이상의 실리콘 링들 및/또는 절연 링들이 에지 링 어셈블리에 인접하게 포지셔닝된다.

Description

플라즈마 처리 챔버에서의 기판 지지부를 위한 에지 링 어셈블리{EDGE RING ASSEMBLY FOR A SUBSTRATE SUPPORT IN A PLASMA PROCESSING CHAMBER}
[0001] 본 개시내용의 양상들은 일반적으로 기판 에지 부근에서 플라즈마 시스(sheath)를 제어하는 방법들 및 이를 위한 장치들에 관한 것이다.
[0002] 현재의 반도체 제조 산업에서, 피처 크기는 계속해서 감소하고 트랜지스터 구조들은 점점 더 복잡해진다. 처리 요구들을 충족시키기 위해, 고급 처리 제어 기술들이 비용을 조절하고 기판 및 다이 수율을 극대화하는 데 유용하다. 통상적으로, 기판의 에지에서의 다이들은 오정렬을 통한 접촉 및 하드 마스크에 대한 열악한 선택성과 같은 수율 문제들을 겪는다. 이러한 문제들의 원인들 중 하나는 기판 에지 부근에서의 플라즈마 시스의 굽힘이다.
[0003] 따라서 기판의 에지에서 정밀하고 국소적인 프로세스 튜닝을 가능하게 할 방법들 및 장치가 필요하다.
[0004] 일 양상에서, 본 개시내용은 기판 지지부에 관한 것이다. 기판 지지부는 척킹(chucking) 전극을 갖는 정전 척; 정전 척 외부에 포지셔닝되며 에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리; 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 외부 실리콘 링; 외부 실리콘 링 내에서 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 내부 실리콘 링; 및 외부 실리콘 링과 내부 실리콘 링 사이에서 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 절연 링을 포함한다.
[0005] 다른 양상에서, 본 개시내용은 처리 챔버에 관한 것이다. 처리 챔버는 챔버 본체; 및 챔버 본체 내에 포지셔닝된 기판 지지부를 포함한다. 기판 지지부는 척킹 전극을 포함하는 정전 척; 정전 척 외부에 포지셔닝되며 에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리; 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 외부 실리콘 링; 외부 실리콘 링 내에서 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 내부 실리콘 링; 및 외부 실리콘 링과 내부 실리콘 링 사이에서 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 절연 링을 포함한다.
[0006] 다른 양상에서, 본 개시내용은 기판들을 처리하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 플라즈마 시스를 사용하여 기판 지지부를 포함하는 처리 챔버 내에서 제1 기판을 처리하는 단계를 포함하며, 기판 지지부는 에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리; 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 외부 실리콘 링; 외부 실리콘 링 내에 포지셔닝된 내부 실리콘 링; 및 외부 실리콘 링과 내부 실리콘 링 사이에 포지셔닝된 절연 링을 포함한다. 이 방법은 에지 링 전극으로 처리 챔버 내에서 플라즈마 시스를 조절하는 단계; 및 조절된 플라즈마 시스를 사용하여 처리 챔버 내에서 제2 기판을 처리하는 단계를 더 포함한다.
[0007] 다른 양상에서, 본 개시내용은 기판 지지부에 관한 것이다. 기판 지지부는 척킹 전극을 포함하는 정전 척; 정전 척 외부에 포지셔닝되며 에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리; 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 실리콘 링; 및 에지 링 전극과 직접 전기 접촉하는 전력 분배 어셈블리를 포함한다.
[0008] 다른 양상에서, 본 개시내용은 처리 챔버에 관한 것이다. 처리 챔버는 챔버 본체; 및 챔버 본체 내에 포지셔닝된 기판 지지부를 포함한다. 기판 지지부는 척킹 전극을 갖는 정전 척; 및 정전 척 외부에 포지셔닝된 에지 링 어셈블리를 포함하며, 에지 링 어셈블리는 에지 링 전극을 포함한다. 처리 챔버는 에지 링 전극과 직접 전기 접촉하는 전력 분배 어셈블리를 더 포함한다.
[0009] 다른 양상에서, 본 개시내용은 기판들을 처리하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 플라즈마 시스를 사용하여 기판 지지부를 포함하는 처리 챔버 내에서 제1 기판을 처리하는 단계를 포함하며, 기판 지지부는 에지 링 전극을 갖는 에지 링 어셈블리; 및 에지 링 전극과 직접 전기 접촉하는 전력 분배 어셈블리를 포함한다. 이 방법은 에지 링 전극으로 처리 챔버 내에서 플라즈마 시스를 조절하는 단계; 및 조절된 플라즈마 시스를 사용하여 처리 챔버 내에서 제2 기판을 처리하는 단계를 더 포함한다.
[0010] 다른 양상에서, 본 개시내용은 기판 지지부에 관한 것이다. 기판 지지부는 척킹 전극을 갖는 정전 척; 정전 척 외부에 포지셔닝되며 에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리; 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 실리콘 링; 및 배플(baffle) 링을 포함하며, 에지 링 어셈블리가 배플 링 위에 포지셔닝되고 에지 링 어셈블리가 배플 링에 클램핑된다.
[0011] 다른 양상에서, 본 개시내용은 처리 챔버에 관한 것이다. 처리 챔버는 챔버 본체; 및 챔버 본체 내에 포지셔닝된 기판 지지부를 포함한다. 기판 지지부는 척킹 전극을 포함하는 정전 척; 정전 척 외부에 포지셔닝되며 에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리; 및 배플 링을 포함하며, 에지 링 어셈블리가 배플 링 위에 포지셔닝되고 에지 링 어셈블리가 배플 링에 클램핑된다.
[0012] 다른 양상에서, 본 개시내용은 기판들을 처리하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 플라즈마 시스를 사용하여 기판 지지부를 포함하는 처리 챔버 내에서 제1 기판을 처리하는 단계를 포함하며, 기판 지지부는 에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리; 및 배플 링을 포함하고, 에지 링 어셈블리는 배플 링 위에 포지셔닝되고 에지 링 어셈블리가 배플 링에 클램핑된다. 이 방법은 에지 링 전극으로 처리 챔버 내에서 플라즈마 시스를 조절하는 단계; 및 조절된 플라즈마 시스를 사용하여 처리 챔버 내에서 제2 기판을 처리하는 단계를 더 포함한다.
[0013] 다른 양상에서, 본 개시내용은 기판 지지부에 관한 것이다. 기판 지지부는 척킹 전극을 갖는 정전 척; 정전 척 외부에 포지셔닝된 에지 링 어셈블리; 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 실리콘 링; 및 배플 링을 포함하며, 에지 링 어셈블리가 배플 링 위에 포지셔닝된다. 에지 링 어셈블리는 베이스 ― 베이스는 베이스의 내측 표면 내에 형성된 내측 리세스 및 베이스의 외측 표면 내의 외측 리세스를 가짐 ―; 베이스 위에 포지셔닝되며, 베이스의 내측 리세스 내에 포지셔닝된 내부 립(lip) 및 베이스의 외측 리세스 내에 포지셔닝된 외부 립을 갖는 캡(cap); 및 캡과 베이스 사이에 포지셔닝된 에지 링 전극을 포함한다.
[0014] 다른 양상에서, 본 개시내용은 처리 챔버에 관한 것이다. 처리 챔버는 챔버 본체; 및 챔버 본체 내에 포지셔닝된 기판 지지부를 포함한다. 기판 지지부는 척킹 전극을 포함하는 정전 척; 및 정전 척 외부에 포지셔닝된 에지 링 어셈블리를 포함한다. 에지 링 어셈블리는 베이스 ― 베이스는 베이스의 내측 표면 내에 형성된 내측 리세스 및 베이스의 외측 표면 내의 외측 리세스를 포함함 ―; 베이스 위에 포지셔닝되며, 베이스의 내측 리세스 내에 포지셔닝된 내부 립 및 베이스의 외측 리세스 내에 포지셔닝된 외부 립을 포함하는 캡; 및 캡과 베이스 사이에 포지셔닝된 에지 링 전극을 포함한다.
[0015] 다른 양상에서, 본 개시내용은 에지 링 어셈블리에 관한 것이다. 에지 링 어셈블리는 베이스 ― 베이스는 베이스의 내측 표면 내에 형성된 내측 리세스 및 베이스의 외측 표면 내의 외측 리세스를 포함함 ―; 베이스 위에 포지셔닝되며, 베이스의 내측 리세스 내에 포지셔닝된 내부 립 및 베이스의 외측 리세스 내에 포지셔닝된 외부 립을 포함하는 캡; 및 캡과 베이스 사이에 포지셔닝된 에지 링 전극을 포함한다.
[0016] 다른 양상에서, 본 개시내용은 처리 챔버에 관한 것이다. 처리 챔버는 챔버 본체; 챔버 본체 내에 포지셔닝된 기판 지지부; 챔버 본체 내에서 기판 지지부 주위에 포지셔닝되며 관통하여 형성된 개구를 포함하는 상부 플라즈마 스크린; 및 챔버 본체 내에서 상부 플라즈마 스크린 아래 기판 지지부 주위에 포지셔닝되며 관통하여 형성된 개구를 포함하는 하부 플라즈마 스크린을 포함한다. 상부 플라즈마 스크린의 개구는 이를테면, 기판 지지부의 축에 대해 하부 플라즈마 스크린의 개구로부터 회전 오프셋된다. 또한, 상부 플라즈마 스크린의 개구 및 하부 플라즈마 스크린의 개구를 통해 기판 지지부 위로부터의 시선이 차단되거나 막힌다.
[0017] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 양상들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 양상들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나 첨부된 도면들은 단지 예시적인 양상들만을 예시하는 것이며 따라서 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 동등하게 유효한 양상들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0018] 도 1은 본 개시내용의 일 양상에 따른 처리 챔버의 단면도이다.
[0019] 도 2는 본 개시내용의 일 양상에 따른 기판 지지부의 개략적인 단면도이다.
[0020] 도 3a는 본 개시내용의 일 양상에 따른 기판 지지부의 개략적인 단면도이다.
[0021] 도 3b는 본 개시내용의 일 양상에 따른 기판 지지부의 개략적인 단면도이다.
[0022] 도 4는 본 개시내용의 일 양상에 따른 기판 지지부의 개략적인 단면도이다.
[0023] 도 5는 본 개시내용의 일 양상에 따른 고정 인서트(fastening insert)를 포함하는 에지 링 어셈블리의 개략적인 단면도이다.
[0024] 도 6은 본 개시내용의 일 양상에 따른 기판 지지부의 개략적인 단면도이다.
[0025] 도 7은 본 개시내용의 일 양상에 따른 에지 링 어셈블리의 개략적인 단면도이다.
[0026] 도 8은 본 개시내용의 일 양상에 따른 에지 링 어셈블리의 개략적인 단면도이다.
[0027] 도 9는 본 개시내용의 일 양상에 따른 기판 지지부의 개략적인 단면도이다.
[0028] 도 10은 본 개시내용의 일 양상에 따른 플라즈마 스크린들을 구비한 처리 챔버의 개략적인 단면도이다.
[0029] 도 11은 본 개시내용의 일 양상에 따른, 도 10에 도시된 플라즈마 스크린들을 구비한 처리 챔버의 하향식 도면이다.
[0030] 도 12는 본 개시내용의 일 양상에 따른 플라즈마 스크린들의 개략적인 단면도이다.
[0031] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 가리키는 데, 가능한 경우, 동일한 참조 부호들이 사용되었다. 한 양상의 엘리먼트들 및 특징들은 추가 언급 없이 다른 양상들에 유리하게 포함될 수 있다는 것이 고려된다.
[0032] 본 개시내용은 일반적으로 기판 에지 부근에서 플라즈마 시스를 제어하기 위한 장치들 및 방법들에 관한 것이다. 이 장치는 에지 링 전극을 갖는 에지 링 어셈블리 및 척킹 전극을 갖는 정전 척을 포함하는 기판 지지부 및/또는 처리 챔버에 관한 것이다. 에지 링 어셈블리는 정전 척에 인접하게 포지셔닝되는데, 이를테면 에지 링 어셈블리는 정전 척 외부에 또는 정전 척 주위에 포지셔닝된다. 에지 링 어셈블리는 베이스 및 베이스 위에 포지셔닝된 캡을 포함하며, 캡과 베이스 사이에는 에지 링 전극이 포지셔닝된다. 에지 링 전극의 베이스는 내측 리세스 및/또는 외측 리세스를 포함할 수 있으며, 캡은 내측 리세스 및/또는 외측 리세스로 연장하는 하나 이상의 립들을 포함한다. 하나 이상의 실리콘 링들 및/또는 절연 링들이 에지 링 어셈블리에 인접하게 포지셔닝된다. 또한, 전력 분배 어셈블리가 이를테면, 에지 링 전극 및/또는 실리콘 링과 직접 전기 접촉함으로써 에지 링 어셈블리에 전력을 제공하는 데 사용된다. 이를 사용하는 방법들도 또한 제공된다.
[0033] 도 1은 본 개시내용의 일 양상에 따른 처리 챔버(100)의 단면도이다. 도시된 바와 같이, 처리 챔버(100)는 기판(101)과 같은 기판을 에칭하기에 적합한 에칭 챔버이다. 본 명세서에서 기술되는 양상들로부터 이익을 얻는 처리 챔버들의 예들은 California, Santa Clara 소재의 Applied Materials, Inc.로부터 입수할 수 있다. 다른 제조업체들로부터의 처리 챔버들을 포함하는 다른 처리 챔버들이 본 개시내용의 양상들로부터 이익을 얻도록 적응될 수 있다는 점이 고려된다.
[0034] 일례로, 처리 챔버(100)는 챔버 본체(102), 가스 분배 플레이트 어셈블리(104) 및 기판 지지부(106)를 포함한다. 처리 챔버(100)의 챔버 본체(102)는 예를 들어, 알루미늄, 양극 산화 알루미늄, 니켈 도금 알루미늄, 니켈 도금 알루미늄 6061-T6, 스테인리스 강뿐만 아니라, 이들의 조합들 및 합금들과 같은 하나 이상의 프로세스 호환 가능한 재료들을 포함하거나 이들로부터 형성될 수 있다. 기판 지지부(106)는 가스 분배 플레이트 어셈블리(104)와 함께 전극으로서 기능한다. 이에 따라, 가스 분배 플레이트 어셈블리(104)와 기판 지지부(106)의 상부 표면 사이에 한정된 처리 용적(108) 내에 플라즈마가 형성될 수 있다. 아래에서 더 논의되는 바와 같이, 기판 지지부(106)는 알루미늄, 세라믹 재료 또는 이 둘의 조합과 같은 전도성 재료를 포함하거나 이러한 재료로 형성된다. 챔버 본체(102)는 또한 펌프 및 밸브를 포함하는 진공 시스템(110)에 결합되고, 라이너(liner)(112)가 처리 용적(108)에서 챔버 본체(102)의 표면들 상에 배치될 수 있다.
[0035] 챔버 본체(102)는 챔버 본체(102)의 측벽에 형성된 포트(114)를 포함한다. 포트(114)는 (도시되지 않은) 기판 취급 로봇에 의해 챔버 본체(102)의 내부로의 액세스를 허용하도록 선택적으로 개방 및 폐쇄된다. 이러한 예에서, 기판(101)은 포트(114)를 통해 처리 챔버(100) 안팎으로 이송된다. 기판(101)은 처리를 위해 기판 지지부(106)의 상부 표면(116) 상에 포지셔닝된다. 이를테면, 기판 이송 중에 기판 취급 로봇과의 교환을 가능하게 하도록 기판(101)을 기판 지지부(106)의 상부 표면으로부터 이격시키는 데 (도시되지 않은) 리프트 핀들이 사용될 수 있다.
[0036] 가스 분배 플레이트 어셈블리(104)는 챔버 본체(102) 상에 포지셔닝된다. 무선 주파수(RF: radio frequency) 전원과 같은 전원(111)이 분배 플레이트 어셈블리(104)에 결합되어, 처리 챔버(100) 내에서의 플라즈마 생성을 가능하게 하도록 가스 분배 플레이트 어셈블리(104)를 기판 지지부(106)에 대해 전기적으로 바이어싱한다. 기판 지지부(106)는 정전 척(118)을 포함하며, 정전 척(118)은 전원(109a)에 접속되어 기판(101)의 척킹을 가능하게 할 수 있고 그리고/또는 처리 영역(108) 내에 위치된 플라즈마에 영향을 줄 수 있다. 전원(109a)은 DC 또는 RF 전원 공급 장치와 같은 전원 공급 장치를 포함하고, 정전 척(118)의 하나 이상의 전극들에 접속된다. 바이어스 소스(109b)는 추가로 또는 대안으로 기판 지지부(106)와 결합되어 이를테면, 아래에서 더 논의되는 에지 링 어셈블리에 대한 플라즈마 생성 및/또는 제어를 보조할 수 있다.
[0037] 바이어스 소스(109b)는 예시적으로는, 예를 들어 대략 13.56㎒의 주파수에서 약 1000W(그러나 약 1000W로 제한되지는 않음)까지의 RF 에너지의 소스일 수 있지만, 특정 애플리케이션들에 대해 원하는 대로 다른 주파수들 및 전력들이 제공될 수 있다. 바이어스 소스(109b)는 연속 또는 펄스 전력 중 어느 하나 또는 둘 다를 생산할 수 있다. 일부 양상들에서, 바이어스 소스는 13.56㎒ 및 2㎒와 같은 다수의 주파수들을 제공하는 것이 가능할 수 있다.
[0038] 처리 챔버(100)는 또한 제어기(195)를 포함할 수 있다. 제어기(195)는 메모리(197) 그리고 기판 처리의 제어를 가능하게 하도록 처리 시스템의 다양한 컴포넌트들에 결합되는 대용량 저장 디바이스, 입력 제어 유닛 및 디스플레이 유닛(도시되지 않음), 이를테면 전원 공급 장치들, 클록들, 캐시, 입력/출력(I/O: input/output) 회로들 및 라이너와 동작 가능한 프로그래밍 가능 중앙 처리 유닛(CPU: central processing unit)(196)을 포함한다.
[0039] 앞서 설명한 처리 챔버(100)의 제어를 가능하게 하기 위해, CPU(196)는 다양한 챔버들 및 서브-프로세서들을 제어하기 위해 산업 환경에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중 하나, 이를테면 프로그래밍 가능 로직 제어기(PLC: programmable logic controller)일 수 있다. 메모리(197)는 CPU(196)에 결합되고 메모리(197)는 비-일시적이며, 랜덤 액세스 메모리(RAM: random access memory), 판독 전용 메모리(ROM: read only memory), 플로피 디스크 드라이브, 하드 디스크, 또는 로컬 또는 원격인 임의의 다른 형태의 디지털 저장소 중 하나 이상일 수 있다. 지원 회로들(198)이 CPU(196)에 결합되어 프로세서를 지원한다. 대전된 종(charged species) 생성, 가열 및 다른 프로세스들을 위한 애플리케이션들 또는 프로그램들은 일반적으로 메모리(197)에, 통상적으로는 소프트웨어 루틴으로서 저장된다. 소프트웨어 루틴은 또한, CPU(196)에 의해 제어되고 있는 처리 챔버(100)로부터 원격 위치된 (도시되지 않은) 제2 CPU에 의해 저장 및/또는 실행될 수 있다.
[0040] 메모리(197)는 CPU(196)에 의해 실행될 때, 처리 챔버(100)의 동작을 가능하게 할 명령들을 포함하는 컴퓨터 판독 가능 저장 매체의 형태이다. 메모리(197) 내의 명령들은 본 개시내용의 방법을 구현하는 프로그램과 같은 프로그램 제품의 형태이다. 프로그램 코드는 다수의 상이한 프로그래밍 언어들 중 임의의 언어에 부합할 수 있다. 일례로, 본 개시내용은 컴퓨터 시스템과 함께 사용할 컴퓨터 판독 가능 저장 매체 상에 저장된 프로그램 제품으로서 구현될 수 있다. 프로그램 제품의 프로그램(들)은 (본 명세서에서 설명되는 방법들을 포함하는) 양상들의 기능들을 정의한다. 예시적인 컴퓨터 판독 가능 저장 매체들은: (ⅰ) 정보가 영구적으로 저장되는 기록이 불가능한 저장 매체(예컨대, 컴퓨터 내의 읽기 전용 메모리 디바이스들, 이를테면 CD-ROM 드라이브에 의해 판독 가능한 CD-ROM 디스크들, 플래시 메모리, ROM 칩들 또는 임의의 타입의 고체 상태 비휘발성 반도체 메모리); 및 (ⅱ) 변경 가능한 정보가 저장되는 기록 가능한 저장 매체(예컨대, 디스켓 드라이브 또는 하드 디스크 드라이브 내의 플로피 디스크들 또는 임의의 타입의 고체 상태 랜덤 액세스 반도체 메모리)를 포함한다(그러나 이에 한정되는 것은 아님). 이러한 컴퓨터 판독 가능 저장 매체들은 본 명세서에서 설명되는 방법들의 기능들을 지시하는 컴퓨터 판독 가능 명령들을 전달할 때, 본 개시내용의 양상들이다.
[0041] 도 2는 본 개시내용의 일 양상에 따른 기판 지지부(206)의 개략적인 단면도이다. 기판 지지부(206)는 기판 지지부(106)와 유사하고 기판 지지부(106) 대신에 사용될 수 있다. 기판 지지부(206)는 수직 스택으로 배열된 정전 척(218), 유전체 플레이트(220) 및 설비 플레이트(222)를 포함하며, 유전체 플레이트(220)가 설비 플레이트(222) 위에 포지셔닝되고 정전 척(218)이 유전체 플레이트(220) 위에 포지셔닝된다. 정전 척(218)은 전도성 플레이트(224)를 포함하며, 전도성 플레이트(224)의 상부에 세라믹 플레이트(226)가 포지셔닝된다. 세라믹 플레이트(226)는 실리콘 탄화물 또는 알루미나와 같은 세라믹을 포함하거나 그러한 세라믹으로 형성될 수 있다. 이를테면, 전도성 재료의 얇은 부분으로 형성된 하나 이상의 전극들(228)이 전도성 플레이트(224)의 세라믹 또는 유전체 재료에 매립된다. 고전압 DC 소스가 전극들(228)에 결합되어 기판의 척킹을 가능하게 할 수 있고, 바이어스 RF 소스가 정합 네트워크를 통해 전도성 플레이트(224)에 결합되어 캐소드에 전력을 공급할 수 있다. 설비 플레이트(222)는 전기 전도성 재료를 포함하거나 그러한 재료로부터 형성될 수 있으며, 기판 지지부(206)의 온도 제어를 가능하게 하도록 유체 유동을 위해 설비 플레이트(222)를 통해 연장하는 하나 이상의 채널들을 가질 수 있다. 또한, 유전체 플레이트(220)는 석영을 포함하거나 석영으로 형성될 수 있다.
[0042] 기판 지지부(206)는 파이프 링(230), 배플 링(232) 및/또는 메시 유동 등화기(mesh flow equalizer)(236)를 더 포함할 수 있다. 파이프 링(230)은 석영을 포함하거나 또는 석영으로 형성될 수 있으며, 정전 척(218) 주위 그리고 유전체 플레이트(220) 주위 또는 유전체 플레이트(220) 내에 포지셔닝된다. 파이프 링(230)은 정전 척(218)의 절연을 가능하게 한다. 배플 링(232)은 파이프 링(230) 주위에 포지셔닝된다. 배플 링(232)은 알루미늄과 같은 금속을 포함하거나 그러한 금속으로 형성될 수 있으며, 전기적으로 접지될 수 있다. 메시 유동 등화기(236)는 설비 플레이트(222) 주위에 그리고 배플 링(232) 아래에 포지셔닝되며, 메시 유동 등화기(236)는 반경 방향 외측으로, 이를테면 배플 링(232)의 외측 표면에 대해 반경 방향 외측으로 연장한다. 메시 유동 등화기(236)는 알루미늄과 같은 금속을 포함하거나 그러한 금속으로 형성될 수 있으며, 또한 접지될 수 있다.
[0043] 일례로, 히터가 기판 지지부(206)의 하나 이상의 컴포넌트들 내에 포함될 수 있다. 예를 들어, 기판의 온도 제어를 가능하게 하기 위해 히터가 정전 척(218) 내에 포함될 수 있다. 히터는 세라믹 플레이트(226)와 전도성 플레이트(224) 사이에 포지셔닝될 수 있다. 배플 링(232)은 추가로 또는 대안으로 히터를 포함할 수 있다. 히터는 예를 들어, 하나 이상의 저항성 가열 엘리먼트들을 포함하는 저항성 히터일 수 있다.
[0044] 계속해서 도 2를 참조하면, 기판 지지부(206)는 에지 링 어셈블리(240)를 포함한다. 에지 링 어셈블리(240)는 정전 척(218) 외부에 또는 정전 척(218) 주위에 포지셔닝되고 베이스(270)를 포함하며, 베이스(270) 위에는 캡(271)이 포지셔닝된다. 전극(272)이 베이스(270)와 캡(271) 사이에 포지셔닝된다. 베이스(270) 및/또는 캡(271)은 세라믹을 포함하거나 세라믹으로 형성되고, 전극(272)은 금속과 같은 전기 전도성 재료를 포함하거나 그러한 전기 전도성 재료로 형성된다. 예를 들어, 전극(272)은 포일(foil)과 같은 전기 전도성 와이어 또는 편평한 링일 수 있다. 일례로, 전극(272)은 알루미늄 또는 구리를 포함하거나 알루미늄 또는 구리로 형성될 수 있다. 또한, 전극(272)은 약 0.2인치 내지 약 0.4인치의 두께를 갖는 편평한 링일 수 있다.
[0045] 또한, 기판 지지부(206)는 이를테면, 내부 용적(108)에서 기판 지지부(206) 위에 생성되는 (도시되지 않은) 플라즈마를 에지 링 어셈블리(240)에 결합하는 것을 가능하게 하기 위해 하나 이상의 실리콘 링들 및 하나 이상의 절연 링들을 포함한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 지지부(206)는 외부 실리콘 링(242) 및 내부 실리콘 링(244)을 포함하며, 이들은 각각 단결정 실리콘 또는 폴리실리콘과 같은 실리콘을 포함하거나 그러한 실리콘으로 형성될 수 있다. 외부 실리콘 링(242) 및 내부 실리콘 링(244)은 둘 다 에지 링 어셈블리(240) 위에 포지셔닝되며, 내부 실리콘 링(244)은 외부 실리콘 링(242) 내에 포지셔닝된다. 추가로, 절연 링(246)이 또한 에지 링 어셈블리(240) 위에 그리고 외부 실리콘 링(242)과 내부 실리콘 링(244) 사이에 포지셔닝된다. 절연 링(246)은 외부 실리콘 링(242)과 내부 실리콘 링(244) 사이에서 완전히 연장하여 외부 실리콘 링(242)과 내부 실리콘 링(244) 사이의 어떠한 접촉도 막는 것으로 도시된다. 따라서 외부 실리콘 링(242)은 절연 링(246)을 둘러싸도록 절연 링(246) 외부에 포지셔닝되고, 절연 링(246)은 내부 실리콘 링(244)을 둘러싸도록 내부 실리콘 링(244) 외부에 포지셔닝된다.
[0046] 기판 지지부(206)의 하나 이상의 컴포넌트들은 기판 지지부(206) 내의 컴포넌트들 사이의 배치(arrangement), 절연 및 전도를 가능하게 하기 위해 그 내부에 형성된 하나 이상의 리세스들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 절연 링(246)은 외부 실리콘 링(242)과 내부 실리콘 링(244) 사이의 배치 및 절연을 가능하게 하기 위해 하나 이상의 리세스들을 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 절연 링(246)은 절연 링(246)의 내측 표면(248) 내에 형성된 내측 리세스(247)를 포함하고 절연 링(246)의 외측 표면(250) 내에 형성된 외측 리세스(249)를 포함한다. 내부 실리콘 링(244)은 절연 링(246)의 내측 리세스(247) 내에 포지셔닝되고, 외부 실리콘 링(242)은 절연 링(246)의 외측 리세스(249) 내에 포지셔닝된다.
[0047] 또한, 정전 척(218) 및/또는 내부 실리콘 링(244)은 내부 실리콘 링(244)과 정전 척(218) 사이의 배치 및 전도를 가능하게 하기 위해 하나 이상의 리세스들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 정전 척(218) 내에서 전도성 플레이트(224) 위에 포지셔닝된 세라믹 플레이트(226)는 세라믹 플레이트(226)의 상부 표면(252) 내에 형성된 상부 리세스(251)를 포함한다. 내부 실리콘 링(244)은 세라믹 플레이트(226)의 상부 리세스(251) 내에 포지셔닝된다. 또한, 내부 실리콘 링(244)은 내부 실리콘 링(244)의 상부 표면(254) 내에 형성된 상부 리세스(253)를 포함한다. 내부 실리콘 링(244)의 상부 리세스(253)와 함께 세라믹 플레이트(226)의 상부 리세스(251) 및 상부 표면(252)은 세라믹 플레이트(226)의 상부 표면(252)과 내부 실리콘 링(244)의 상부 리세스(253)가 서로 동일 평면이거나 대등하도록 형성된다. 이는 이를테면, 정전 척킹을 위해 기판 지지부(206) 상에 포지셔닝된 기판에 대한 지지를 가능하게 할 수 있다.
[0048] 앞서 언급한 바와 같이, 기판 지지부(206)는 하나 이상의 절연 링들을 포함할 수 있다. 따라서 (내부) 절연 링(246)뿐만 아니라 외부 절연 링(256)이 기판 지지부(206) 내에 포함된다. 외부 절연 링(256)은 배플 링(232) 위에 그리고 에지 링 어셈블리(240) 외부에 포지셔닝되어 에지 링 어셈블리(240)를 둘러싼다. 외부 실리콘 링(242)은 외부 절연 링(256) 위에 포지셔닝되며, 외부 절연 링(256)은 기판 지지부(206) 내에서의 배치 및 절연을 가능하게 하기 위해 외부 실리콘 링(242)과 외부 절연 링(256) 사이에 하나 이상의 리세스들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도시된 바와 같이, 외부 절연 링(256)은 외부 절연 링(256)의 상부 표면(258) 내에 형성된 상부 리세스(257)를 포함하며, 외부 실리콘 링(242)은 외부 절연 링(256)의 상부 리세스(257) 내에 포지셔닝된다. 절연 링(246)과 외부 절연 링(256)은 석영과 같은 동일한 절연 재료를 포함하거나 이러한 절연 재료로 형성될 수 있다.
[0049] 계속해서 도 2를 참조하면, 위에서 논의한 것들에 추가하여, 하나 이상의 리세스들이 기판 지지부(206)의 하나 이상의 다른 컴포넌트들에 형성될 수 있다. 예를 들어, 유전체 플레이트(220)는 유전체 플레이트(220)의 상부 표면(262) 내에 형성된 상부 리세스(261)를 포함하며, 유전체 플레이트(220)의 상부 리세스(261) 내에는 파이프 링(230)이 포지셔닝된다. 이에 따라, 본 개시내용은 위에 개시한 것들에 추가로 또는 대안으로 기판 지지부의 컴포넌트들에 대한 다른 실시예들 및 구조들을 고려한다.
[0050] 전력 분배 어셈블리(266)를 통해 에지 링 어셈블리(240)에 전력이 공급된다. 전력 분배 어셈블리(266)는 배플 링(232) 내에 포지셔닝되는 것으로 도 2에 도시되어 있으며 에지 링 어셈블리(240)와 직접 전기 접촉한다. 특히, 전력 분배 어셈블리(266)는 외부 슬리브(368) 내에 포지셔닝된 핀(367)과 같은 하나 이상의 컴포넌트들을 포함한다. 핀(367)은 다음에, 에지 링 어셈블리(240), 또는 보다 구체적으로 에지 링 어셈블리(240)의 에지 링 전극(272)과 직접 전기 접촉한다. 일례로, 전력 분배 어셈블리(266)는 조절 가능한 RF 소스(예를 들어, 바이어스 소스(109b))에 결합되어 에지 링 어셈블리(240)로 전력을 전달할 수 있다. 일례로, 전력 분배 어셈블리(266)는 외부 RF 임피던스 튜닝 유닛 또는 튜닝 가능한 부하에 결합될 수 있다. 이러한 예에서, 튜닝 유닛은 1) 플라즈마 밀도 분포를 변화시키도록 SRC RF 주파수에서 임피던스를 조절하는 데 사용되고, 2) 기판 에지 플라즈마 시스를 튜닝하도록 바이어스 RF 주파수에서 임피던스를 조절하는 데 사용되며, 그리고/또는 3) 접지에 결합되어 접지를 기판 에지에 더 가깝게 위치시키는 데 사용될 수 있다.
[0051] 따라서 도 1 및 도 2를 총괄적으로 참조하면, 전원(111)에 의해 처리 챔버(100)에서 플라즈마가 생성된다. 전원(109a)은 정전 척(218)에 결합되어 기판의 척킹을 가능하게 하고 그리고/또는 처리 챔버(100)의 처리 영역(108) 내에 위치된 플라즈마에 영향을 줄 수 있다. 또한, 바이어스 소스(109b)는 전력 분배 어셈블리(266)를 통해 에지 링 어셈블리(240)에 결합되어 처리 챔버(100) 내에서의 플라즈마 처리를 가능하게 할 수 있다. 하나 이상의 회로들이 에지 링 어셈블리(240)에 결합되어 에지 링 어셈블리(240) 내에 포함된 에지 링 전극(272)의 전기적 특성들에 영향을 줌으로써, 기판에 인접한 플라즈마 또는 플라즈마의 시스에 영향을 줄 수 있다. 플라즈마는 기판의 보다 균일한 처리를 야기함으로써 기판 에지 불균일성들을 완화하도록 조절될 수 있다.
[0052] 가스 분배 플레이트 어셈블리(104)는 챔버 본체(102) 상에 포지셔닝된다. 무선 주파수(RF) 전원과 같은 전원(111)이 분배 플레이트 어셈블리(104)에 결합되어, 처리 챔버(100) 내에서의 플라즈마 생성을 가능하게 하도록 가스 분배 플레이트 어셈블리(104)를 기판 지지부(106)에 대해 전기적으로 바이어싱한다. 기판 지지부(106)는 정전 척(118)을 포함하며, 정전 척(118)은 전원(109a)에 접속되어 기판(101)의 척킹을 가능하게 할 수 있고 그리고/또는 처리 영역(108) 내에 위치된 플라즈마에 영향을 줄 수 있다. 전원(109a)은 DC 또는 RF 전원 공급 장치와 같은 전원 공급 장치를 포함하고, 정전 척(118)의 하나 이상의 전극들에 접속된다. 바이어스 소스(109b)는 추가로 또는 대안으로 기판 지지부(106)와 결합되어 이를테면, 아래에서 더 논의되는 에지 링 어셈블리에 대한 플라즈마 생성 및/또는 제어를 보조할 수 있다.
[0053] 상기 및 하기의 논의 및 예에서, 처리 챔버 및 기판 지지부의 컴포넌트들은 일반적으로 원형, 그리고 보다 구체적으로는 원통형 형상을 갖는 것으로 정의되고 기술된다. 그러나 본 개시내용의 범위를 벗어나지 않으면서 처리 챔버 및 기판 지지부의 하나 이상의 컴포넌트들에 대해 다른 형상들이 또한 고려되기 때문에, 본 개시내용은 그렇게 제한되지는 않는다. 예를 들어, 직사각형 기판들이 처리 챔버 내에 형성되는 예에서, 기판 지지부는 대응하게 하나 이상의 직사각형 컴포넌트들을 가질 수 있다.
[0054] 도 3a는 본 개시내용의 일 양상에 따른 기판 지지부(306)의 개략적인 단면도이다. 기판 지지부(306)는 배플 링(232) 내에 포지셔닝된 전력 분배 어셈블리(266)를 포함한다. 전력 분배 어셈블리(266)는 에지 링 어셈블리(240)와 직접 전기 접촉하며, 보다 구체적으로는 에지 링 어셈블리(240) 내에 포지셔닝된 에지 링 전극(272)과 직접 전기 접촉한다. 또한, 전력 분배 어셈블리(266)는 에지 링 어셈블리(240)를 통해 외부 실리콘 링(242)과 직접 전기 접촉한다. 따라서 전력 분배 어셈블리(266)는 에지 링 어셈블리(240) 및/또는 외부 실리콘 링(242)과의 직접적인 전기 접촉을 통해 전력을 제공할 수 있기 때문에, 전력 분배 어셈블리(266)는 전력을 제공하도록 에지 링 어셈블리(240) 및/또는 외부 실리콘 링(242)과 용량 결합하지 않는다.
[0055] 도 3a에 도시된 바와 같이, 에지 링 어셈블리(240)는 에지 링 어셈블리(240)의 하부 표면(274) 내에 형성된 리세스(375)를 포함하며, 리세스(375)는 에지 링 어셈블리(240)의 상부 표면(376)을 통해 연장할 수 있다. 금속과 같은 전기 전도성 재료를 포함하거나 그러한 재료로 형성되는 핀(367)은 에지 링 어셈블리(240)의 리세스(375) 내에 포지셔닝된다. 이러한 예에서, 핀(367)은 에지 링 전극(272)에 직접 전기적으로 접촉하여 전력 분배 어셈블리(266)로부터 에지 링 어셈블리(240)로 전력을 제공할 수 있다.
[0056] 또한, 핀(367)은 에지 링 어셈블리(240)의 상부 표면(376)을 통해 연장하여 외부 실리콘 링(242)과 직접 전기적으로 접촉할 수 있다. 그러한 예에서, 외부 실리콘 링(242)은 외부 실리콘 링(242)의 하부 표면(379) 내에 형성된 리세스를 포함할 수 있으며, 핀(367)이 외부 실리콘 링(242)의 리세스 내에 포지셔닝되도록 연장한다. 스프링 접촉부(380)와 같은 전기 접촉부는 핀(367)을 수용하고 핀(367)과 외부 실리콘 링(242) 사이의 직접적인 전기 접촉을 가능하게 하도록 외부 실리콘 링(242)의 리세스 내에 포지셔닝될 수 있다. 스프링 접촉부(380)는 예를 들어, 미국 California, Foothill Ranch의 Bal Seal®에 의해 제공되는 RF 개스킷 또는 전기 접촉부일 수 있다.
[0057] 개스킷 또는 o-링과 같은 하나 이상의 밀폐부들이 에지 링 어셈블리(240)의 리세스(375) 내에서 핀(367)에 인접하게 포지셔닝된다. 예를 들어, o-링(381)은 에지 링 어셈블리(240)의 리세스(375) 내에 그리고 전력 분배 어셈블리(266)의 핀(367) 주위에 있다.
[0058] 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 전력 분배 어셈블리(266)는 핀(367) 및 외부 슬리브(368)를 포함하며, 핀(367)은 외부 슬리브(368) 내에 포지셔닝된다. 이 예에서, 전력 분배 어셈블리(266)가 에지 링 어셈블리(240)와 직접 전기 접촉하고 있을 때, 핀(367)은 에지 링 어셈블리(240)의 하나 이상의 컴포넌트들과 직접 접촉하고 있다. 그러나 전력 분배 어셈블리(266)가 에지 링 어셈블리(240)와 직접 전기 접촉하는 하나 이상의 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있기 때문에 본 개시내용은 그렇게 제한되지 않는다. 예를 들어, 소켓, 전기 접촉부 및/또는 다른 컴포넌트가 핀(367)에 전기적으로 결합될 수 있고 에지 링 어셈블리(240)와 직접 전기 접촉할 수 있다.
[0059] 본 개시내용에 따른 기판 지지부는 기판 지지부의 조립을 가능하게 하도록 서로 접합된 하나 이상의 컴포넌트들을 가질 수 있다. 또한, 본 개시내용에 따른 기판 지지부는 컴포넌트들의 맞물림 및/또는 기판 지지부의 조립을 가능하게 하도록 서로 클램핑된 하나 이상의 컴포넌트들을 가질 수 있다. 컴포넌트들의 클램핑은 또한 이를테면, 기판 지지부 전체가 아닌 기판 지지부 내의 하나 이상의 컴포넌트들을 수리 또는 교체하도록 분해 및 교체를 가능하게 할 수 있다.
[0060] 도 3b는 본 개시내용의 일 양상에 따른 기판 지지부(360)의 개략적인 단면도이다. 기판 지지부(360)는 앞서 설명한 기판 지지부(306)와 유사하며, 양상들, 컴포넌트들, 피처들 및/또는 이들의 특성들 중 하나 이상을 포함한다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 기판 지지부(360)는 내부 실리콘 링(244) 및 절연 링(246) 외부에 포지셔닝된 외부 실리콘 링(342)을 포함한다. 외부 실리콘 링(342)은 앞서 설명한 외부 실리콘 링(242)과 유사하며, 양상들, 컴포넌트들, 피처들 및/또는 이들의 특성들 중 하나 이상을 포함한다. 외부 실리콘 링(342)은 외부 실리콘 링(342)의 하부 표면(379)으로부터 에지 링 어셈블리(240)의 리세스(375)로 돌출하는 하나 이상의 돌출부들(343)을 포함한다. 하나 이상의 돌출부들(343)은 외부 실리콘 링(342)을 중심으로 등거리로 원주 방향으로 배치될 수 있다. 일례로, 돌출부들(343)은 외부 실리콘 링(342)을 중심으로 90도마다(예컨대, 외부 실리콘 링(342)을 중심으로 0도, 90도, 180도 및 270도로) 포지셔닝될 수 있다. 각각의 개별 돌출부(343)가 내부에 배치되도록 에지 링 어셈블리(240)에 대응하는 개구 리세스(375)가 포지셔닝될 수 있다. 일례로, 외부 실리콘 링(342)은 하부 표면(379)으로부터 돌출하는 4개의 돌출부들(343)을 포함하고, 에지 링 어셈블리(240)는 4개의 대응하는 리세스들(375)을 포함한다. 4개의 돌출부들(343)은 기판 지지부(360)를 중심으로 90도마다 배치되고, 리세스들(375)은 에지 링 어셈블리(240)를 중심으로 90도마다 배치된다.
[0061] 외부 실리콘 링(342)의 하나 이상의 돌출부들(343)은 핀(367)과 같은 전력 분배 어셈블리(266)의 적어도 일부와 접촉한다. 하나 이상의 돌출부들(343) 각각은 전력 분배 어셈블리(266)의 적어도 일부, 이를테면 핀(367)의 일부 및/또는 (아래에서 설명되는) 전기 접촉부의 적어도 일부를 수용하는 공동(344)을 포함한다. 일례로, 핀(367)의 상부 부분(369)은 돌출부(343)의 공동(344) 내에 배치된다. 핀(367)은 돌출부(343)의 하나 이상의 내측면들(371)(도 3b에는 2개가 예시됨)과 접촉한다. 하나 이상의 내측면들(371)은 공동(344)에 의해 한정된다.
[0062] 핀(367)과 돌출부(343) 사이에 그리고/또는 이들과 접촉하여 스프링 접촉부(380)와 같은 전기 접촉부가 포지셔닝되어 핀(367)과 외부 실리콘 링(342), 이를테면 외부 실리콘 링(342)의 돌출부(343) 사이의 직접적인 전기 접촉을 가능하게 할 수 있다. 일례로, 스프링 접촉부(380)와 같은 전기 접촉부는 핀(367)을 수용하도록 돌출부(343)의 공동(344) 내에 포지셔닝된다. 스프링 접촉부(380)는 예를 들어, 미국 California, Foothill Ranch의 Bal Seal®에 의해 제공되는 RF 개스킷 또는 전기 접촉부일 수 있다.
[0063] 각각의 돌출부(343)는 돌출부(343)의 하단부에 숄더(345)를 포함한다. 전력 분배 어셈블리(266)의 외부 슬리브(368)는 외부 슬리브(368)의 상단부에 숄더(370)를 포함한다. 일례로, 각각의 돌출부(343)는 각각의 외부 슬리브(368)와 접촉한다. 일례로, 외부 슬리브(368)의 상단부는 돌출부(343)의 숄더(345)와 인터페이스하고 그리고/또는 접촉하며; 돌출부(343)의 하단부는 외부 슬리브(368)의 숄더(370)와 인터페이스하고 그리고/또는 접촉한다. 일례로, 핀(367)의 상단부는 외부 실리콘 링(342)의 하부 표면(379)과 동일 평면이 되도록 또는 그 아래에 배치된다.
[0064] 전력 분배 어셈블리(266)는 에지 링 어셈블리(240)와 직접 전기 접촉하며, 보다 구체적으로는 에지 링 어셈블리(240) 내에 포지셔닝된 에지 링 전극(272)과 직접 전기 접촉한다. 전력 분배 어셈블리(266)는 에지 링 어셈블리(240)를 통해 외부 실리콘 링(342)과 직접 전기 접촉한다. 따라서 전력 분배 어셈블리(266)는 에지 링 어셈블리(240) 및/또는 외부 실리콘 링(342)과의 직접적인 전기 접촉을 통해 전력을 제공할 수 있기 때문에, 전력 분배 어셈블리(266)는 전력을 제공하도록 에지 링 어셈블리(240) 및/또는 외부 실리콘 링(342)과 용량 결합하지 않는다.
[0065] 기판 지지부(360)는 배플 링(332)을 포함한다. 배플 링(332)은 앞서 그리고 아래에서 설명되는 배플 링(232)과 유사하며, 양상들, 컴포넌트들, 피처들 및/또는 이들의 특성들 중 하나 이상을 포함한다. 일례로, 배플 링(332)은 알루미늄과 같은 금속을 포함하거나 그러한 금속으로 형성되며, 전기적으로 접지된다. 일례로, 배플 링(332)은 Al2O3와 같은 세라믹 재료로 형성되거나 그러한 재료를 포함하고, 접지 라이너(333)가 배플 링(332)을 둘러싸도록 배플 링(332) 주위에 배치된다. 접지 라이너(333)는 전기적으로 접지되고, 알루미늄과 같은 금속을 포함하거나 그러한 금속으로 형성된다.
[0066] 외부 실리콘 링(342)의 돌출부들(343)과 같은 기판 지지부(360)의 양상들은 플라즈마 시스의 조절 및/또는 제어 그리고 기판 지지부(360)의 컴포넌트들의 아크 감소 또는 제거를 가능하게 한다. 일례로, 기판 지지부(360)의 양상들은 접지를 향하는 방향으로의 아크를 감소시킨다. 예를 들어, 돌출부들(343), 배플 링(332) 및/또는 접지 라이너(333)는 접지를 향하는 방향으로의 아크를 감소시킨다. 배플 링(332) 및/또는 접지 라이너(333)의 양상들은 또한 내부 실리콘 링(244)으로부터 더 멀리 접지로 이동하여 용량성 방전을 감소시킬 수 있다.
[0067] 도 4 및 도 5는 본 개시내용의 일 양상에 따른 기판 지지부(406)의 개략적인 단면도들이다. 도시된 바와 같이, 기판 지지부(406)는 에지 링 어셈블리(240) 및 배플 링(232)을 포함하며, 에지 링 어셈블리(240)가 배플 링(232)에 클램핑된다. 에지 링 어셈블리(240) 및 배플 링(232)은 서로 클램핑되어 그 사이의 갭들을 제거하지만, 또한 에지 링 어셈블리(240) 및 배플 링(232)이 이를테면, 에지 링 어셈블리(240) 및/또는 배플 링(232)을 수리 또는 교체하도록 기판 지지부(406) 내에서 서로에 대해 제거 가능하게 할 수 있다.
[0068] 이 예에서, 에지 링 어셈블리(240)를 배플 링(232)에 클램핑하기 위해, 에지 링 어셈블리(240)는 에지 링 어셈블리(240)의 외측 표면(484) 및/또는 하부 표면(274) 내에 형성된 고정 인서트 리세스(483)를 포함한다. 플라스틱과 같은 폴리머를 포함하거나 또는 그러한 폴리머로 형성될 수 있는 고정 인서트(485)는 에지 링 어셈블리(240)와 맞물리도록 에지 링 어셈블리(240)의 고정 인서트 리세스(483) 내에 포지셔닝된다. 특히, 고정 인서트(485)의 숄더(486)는 고정 인서트 리세스(483) 내의 에지 링 어셈블리(240)의 숄더(487)와 맞물린다. 또한, 외부 절연 링(256)은 에지 링 어셈블리(240) 외부에 포지셔닝되며, 절연 링(256)과 에지 링 어셈블리(240) 사이에 고정 인서트(485)가 포지셔닝된다.
[0069] 볼트와 같은 패스너(488)가 고정 인서트(485)와 결합되어 에지 링 어셈블리(240)를 배플 링(232)에 클램핑하는 데 사용된다. 예를 들어, 패스너 리세스(489)가 배플 링(232) 내에, 이를테면 배플 링(232)의 하부 표면(490) 내에 또는 하부 표면(490)을 통과하여 형성된다. 패스너(488)는 패스너 리세스(489) 내에 포지셔닝되어 고정 인서트(485)에 결합된다. 일례로, 패스너(488)는 고정 인서트(485)와 나사 결합되거나 맞물릴 수 있다. 또한, 밀폐부(491)가 패스너(488) 주위에 포지셔닝되어 패스너(488)에 대한 밀폐를 가능하게 할 수 있다.
[0070] 도 5에 가장 잘 도시된 바와 같이, 고정 인서트(485)의 숄더(486)는 고정 인서트(485)의 측 표면(492)으로부터 연장하거나 그 안에 형성되어 에지 링 어셈블리(240)의 대응 숄더(487)와 맞물릴 수 있다. 이러한 예에서, 고정 인서트(485)는 에지 링 어셈블리(240)와의 t-슬롯 맞물림을 가질 수 있다. 그러나 도시된 바와 같이, 에지 링 어셈블리(240)와는 달리, 배플 링(232) 내에 고정 인서트(485)를 포지셔닝하는 것 또는 다른 숄더 맞물림들을 포함하여, 앞서 구체적으로 개시한 것들보다 본 개시내용에 따라 에지 링 어셈블리(240)를 배플 링(232)에 클램핑하기 위한 하나 이상의 배치들이 고려된다.
[0071] 일례로, 배플 링(232)은 메시 유동 등화기(236)에 클램핑될 수 있다. 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 패스너 리세스(494)가 배플 링(232)의 상부 표면(495)에 형성된다. 패스너(496)는 배플 링(232)의 패스너 리세스(494) 내에 포지셔닝되어 다음에 배플 링(232)을 메시 유동 등화기(236)에 클램핑한다. 이러한 예에서, 패스너(496)는 메시 유동 등화기(236)와 나사로 맞물릴 수 있다.
[0072] 도 7은 본 개시내용의 일 양상에 따른 에지 링 어셈블리(240)의 개략적인 단면도이다. 앞서 논의한 바와 같이, 에지 링 어셈블리(240)는 베이스(270), 베이스(270) 위에 포지셔닝된 캡(271), 및 베이스(270)와 캡(271) 사이에 포지셔닝된 에지 링 전극(272)을 포함한다. 또한, 에지 링 어셈블리(240)는 소켓(377)을 수용하기 위한 소켓 리세스와 같은 하나 이상의 리세스들(375)을 포함한다. 이 예에서, 소켓(377)은 에지 링 전극(272)과 직접 전기적으로 접촉하지만, 소켓(377)은 에지 링 어셈블리(240)를 통해, 이를테면 에지 링 어셈블리(240)의 캡(271)을 통해 연장하지 않는다. 또한, 핀(367)은 소켓(377) 내에 수용되어 에지 링 전극(272)이 소켓(377)을 통해 핀(367)에 전기적으로 결합된다.
[0073] 본 개시내용에 따른 에지 링 어셈블리(240)는 위에서 각각 논의한 하나 이상의 소켓 리세스들 및 하나 이상의 고정 인서트 리세스들(483)과 같은 하나 이상의 리세스들(375)을 포함할 수 있다. 이러한 예에서, 소켓 리세스들(375) 및 고정 인서트 리세스들(483)은 에지 링 어셈블리(240) 주위에 교대로 분포될 수 있다. 예를 들어, 4개의 소켓 리세스들(375) 및 4개의 고정 인서트 리세스들(483)이 에지 링 어셈블리(240) 내에 형성되는 예에서, 소켓 리세스들(375)은 에지 링 어셈블리(240) 내에서 90도마다(예컨대, 에지 링 어셈블리(240)를 중심으로 0도, 90도, 180도 및 270도로) 포지셔닝될 수 있고, 고정 인서트 리세스들(483)은 에지 링 어셈블리(240) 내에서 90도마다 포지셔닝될 수 있다. 또한, 소켓 리세스들(375) 및 고정 인서트 리세스들(483)이 에지 링 어셈블리(240) 주위에 교대로 분포되도록 각각의 고정 인서트 리세스(483)가 다음에 한 쌍의 소켓 리세스들(375) 사이에(예컨대, 에지 링 어셈블리(240)를 중심으로 45도, 135도, 225도 및 315도로) 포지셔닝된다.
[0074] 도 8은 본 개시내용의 일 양상에 따른 에지 링 어셈블리(940)의 개략적인 단면도이다. 이 예에서, 에지 링 어셈블리(940)는 베이스(970), 베이스(970) 위에 포지셔닝된 캡(971), 및 베이스(970)와 캡(971) 사이에 포지셔닝된 에지 링 전극(972)을 포함한다. 또한, 베이스(970)는 베이스(970)의 내측 표면(974) 및/또는 상부 표면(975) 내에 형성된 내측 리세스(973)를 포함하고, 그리고/또는 베이스(970)의 외측 표면(977) 및/또는 상부 표면(975) 내에 형성된 외측 리세스(976)를 포함한다. 베이스(970)가 내측 리세스(973)를 포함하는 예에서, 캡(971)은 베이스(970)의 내측 리세스(973) 내에 포지셔닝될 대응하는 내부 립(978)을 포함할 수 있다. 베이스(970)가 외측 리세스(976)를 포함하는 예에서, 캡(971)은 베이스(970)의 외측 리세스(976) 내에 포지셔닝될 대응하는 외부 립(979)을 포함할 수 있다. 에지 링 어셈블리(940)의 캡(971)과 베이스(970) 사이의 이러한 맞물림은 에지 링 어셈블리(940)에 대한 절연을 증가시키고 그리고/또는 방전을 감소시킬 수 있다.
[0075] 도 9는 본 개시내용의 일 양상에 따른 에지 링 어셈블리(1040)의 개략적인 단면도이다. 이 예에서, 에지 링 어셈블리(1040)는 베이스(970), 캡(971) 및 에지 링 전극(972)을 포함한다. 또한, 캡(971)은 이를테면, 베이스(970) 내로 연장하는 내부 립(978) 및 외부 립(979)에 추가로 또는 대안으로 하나 이상의 돌출부들을 포함한다. 예를 들어, 캡(971)은 베이스(970)의 상부 측면(975) 내에 형성된 홈(982)으로 연장하는 캡(971)의 하부 측면(981) 상에 형성되거나 그로부터 연장하는 돌출부(980)를 포함한다. 또한, 일례로, 캡(971)의 내부 립(978)은 베이스(970)의 리세스(973) 내에 형성된 홈(984)으로 연장하는 돌출부(983)를 포함한다. 이에 따라, 본 개시내용은 위에서 명시적으로 도시되고 논의한 것들 외에도, 본 개시내용에 따른 에지 링 어셈블리를 위한 다수의 실시예들을 고려한다.
[0076] 도 10, 도 11 및 도 12는 본 개시내용의 일 양상에 따른 플라즈마 스크린들(1210A, 1210B)의 다수의 도면들이다. 특히, 도 10은 플라즈마 스크린들(1210A, 1210B)을 갖는 기판 지지부(1206)를 포함하는 처리 챔버(1200)의 개략적인 단면도이다. 도 11은 플라즈마 스크린들(1210A, 1210B)을 갖는 기판 지지부(1206)를 포함하는 처리 챔버(1200)의 하향식 도면이다. 또한, 도 12는 플라즈마 스크린들(1210A, 1210B)의 개략적인 단면도이다. 처리 챔버(1200)는 챔버 본체(1202)를 포함하며, 챔버 본체(1202) 내에 기판 지지부(1206)가 포지셔닝된다. 또한, 플라즈마 스크린들(1210A, 1210B)은 이를테면, 챔버 본체(1202) 내에서 기판 지지부(1206) 주위에 포지셔닝되어 이를 둘러쌈으로써 기판 지지부(1206)로부터 반경 방향 외측으로 연장한다.
[0077] 플라즈마 스크린들(1210A, 1210B)은 상부 플라즈마 스크린(1210A) 및 상부 플라즈마 스크린(1210A) 아래에 포지셔닝된 하부 플라즈마 스크린(1210B)을 포함한다. 상부 플라즈마 스크린(1210A)은 이를 관통하여 형성된 하나 이상의 개구들(1212A)을 포함하고, 하부 플라즈마 스크린(1210B)은 대응하게 이를 관통하여 형성된 하나 이상의 개구들(1212B)을 포함한다. 플라즈마 스크린들(1210A, 1210B)은 상부 플라즈마 스크린(1210A)의 개구들(1212A)이 이를테면, 기판 지지부(1206)의 축에 대해 하부 플라즈마 스크린(1210B)의 개구들(1212B)로부터 회전 오프셋되도록 기판 지지부(1206) 주위에 포지셔닝된다. 예를 들어, 도 11에 구체적으로 도시된 바와 같이, 상부 플라즈마 스크린(1210A)의 개구들(1212A)을 하부 플라즈마 스크린(1210B)의 개구들(1212B)로부터 회전 오프셋되게 함으로써 상부 플라즈마 스크린(1210A) 및 하부 플라즈마 스크린(1210B)을 통해 시선이 차단되거나 막힌다. 하부 플라즈마 스크린(1210B)의 개구들(1212B)이 상부 플라즈마 스크린(1210A)의 개구들(1212A)과 회전 중첩하지 않기 때문에, 상부 플라즈마 스크린(1210A)의 개구들(1212A)을 통해 제공된 시선은 하부 플라즈마 스크린(1210B)에 의해 차단되거나 막힌다.
[0078] 일례로, 상부 플라즈마 스크린(1210A)의 개구들(1212A)은 하부 플라즈마 스크린(1210B)의 개구들(1212B)과 동일한 수일 수 있다. 또한, 상부 플라즈마 스크린(1210A)의 개구들(1212A)은 하부 플라즈마 스크린(1210B)의 개구들(1212B)과 동일한 크기 및/또는 형상일 수 있다. 따라서 상부 플라즈마 스크린(1210A)은 하부 플라즈마 스크린(1210B)과 동일할 수 있다.
[0079] 일례로, 상부 플라즈마 스크린(1210A)은 또한 하부 플라즈마 스크린(1210B)으로부터 약 1도, 5도 또는 그 이상만큼 회전 오프셋될 수 있다. 예를 들어, 도 10, 도 11 및 도 12에 도시된 예에서, 상부 플라즈마 스크린(1210A) 및 하부 플라즈마 스크린(1210B)은 각각 36개의 개구들(1212A, 1212B)을 포함한다. 이러한 예에서, 상부 플라즈마 스크린(1210A)은 하부 플라즈마 스크린(1210B)으로부터 약 5도만큼 회전 오프셋될 수 있다. 상부 플라즈마 스크린(1210A) 및 하부 플라즈마 스크린(1210B) 내에 더 적은 개구들(1212A, 1212B)이 포함된다면, 상부 플라즈마 스크린(1210A)은 하부 플라즈마 스크린(1210B)으로부터 약 5도 이상 회전 오프셋될 수 있다. 상부 플라즈마 스크린(1210A) 및 하부 플라즈마 스크린(1210B) 내에 더 많은 개구들(1212A, 1212B)이 포함된다면, 상부 플라즈마 스크린(1210A)은 하부 플라즈마 스크린(1210B)으로부터 약 5도 미만만큼 회전 오프셋될 수 있다.
[0080] 또한, 도시된 바와 같이, 상부 플라즈마 스크린(1210A) 및/또는 하부 플라즈마 스크린(1210B)은 기판 지지부(1206)와 일체로 형성될 수 있거나, 기판 지지부(1206)와 별도로 형성되어 그에 결합될 수 있다. 상부 플라즈마 스크린(1210A) 및/또는 하부 플라즈마 스크린(1210B) 중 하나 또는 둘 다가 기판 지지부(1206)와 별도로 형성되는 예에서, 상부 플라즈마 스크린(1210A)과 하부 플라즈마 스크린(1210B) 사이에 하나 이상의 스페이서들(1214)이 포지셔닝된다. 스페이서들(1214)은 상부 플라즈마 스크린(1210A)과 하부 플라즈마 스크린(1210B) 사이의 간격 및 포지셔닝을 가능하게 할 수 있다.
[0081] 본 개시내용의 실시예들은 다음의 예들 중 하나 이상으로 표현될 수 있다.
[0082] 예 1은 기판들을 처리하는 방법을 포함하며, 이 방법은:
플라즈마 시스를 사용하여 기판 지지부를 포함하는 처리 챔버 내에서 제1 기판을 처리하는 단계 ― 기판 지지부는:
에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리;
에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 외부 실리콘 링;
외부 실리콘 링 내에 포지셔닝된 내부 실리콘 링; 및
외부 실리콘 링과 내부 실리콘 링 사이에 포지셔닝된 절연 링을 포함함 ―;
에지 링 전극으로 처리 챔버 내에서 플라즈마 시스를 조절하는 단계; 및
조절된 플라즈마 시스를 사용하여 처리 챔버 내에서 제2 기판을 처리하는 단계를 포함한다.
[0083] 예 2는 예 1의 방법을 포함하며, 플라즈마 시스를 조절하는 단계는:
에지 링 전극의 전기적 특성을 조절하는 단계; 또는
에지 링 전극에 제공되는 전력의 특성을 조절하는 단계 중 적어도 하나를 포함한다.
[0084] 예 3은 예 1의 방법을 포함하며, 기판 지지부는 에지 링 어셈블리에 결합된 전력 분배 어셈블리를 더 포함하고, 플라즈마 시스를 조절하는 단계는 전력 분배 어셈블리에 의해 제공되는 전력을 조절하는 단계를 포함한다.
[0085] 예 4는 예 1의 방법을 포함하며,
외부 실리콘 링은 절연 링을 둘러싸도록 절연 링 외부에 포지셔닝되고; 그리고
절연 링은 내부 실리콘 링을 둘러싸도록 내부 실리콘 링 외부에 포지셔닝된다.
[0086] 예 5는 기판들을 처리하는 방법을 포함하며, 이 방법은:
플라즈마 시스를 사용하여 기판 지지부를 포함하는 처리 챔버 내에서 제1 기판을 처리하는 단계 ― 기판 지지부는:
에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리; 및
에지 링 전극과 직접 전기 접촉하는 전력 분배 어셈블리를 포함함 ―;
에지 링 전극으로 처리 챔버 내에서 플라즈마 시스를 조절하는 단계; 및
조절된 플라즈마 시스를 사용하여 처리 챔버 내에서 제2 기판을 처리하는 단계를 포함한다.
[0087] 예 6은 예 5의 방법을 포함하며, 플라즈마 시스를 조절하는 단계는:
에지 링 전극의 전기적 특성을 조절하는 단계; 또는
에지 링 전극에 제공되는 전력의 특성을 조절하는 단계 중 적어도 하나를 포함한다.
[0088] 예 7은 기판들을 처리하는 방법을 포함하며, 이 방법은:
플라즈마 시스를 사용하여 기판 지지부를 포함하는 처리 챔버 내에서 제1 기판을 처리하는 단계 ― 기판 지지부는:
에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리; 및
배플 링을 포함하며, 에지 링 어셈블리가 배플 링 위에 포지셔닝되고 배플 링에 클램핑됨 ―;
에지 링 전극으로 처리 챔버 내에서 플라즈마 시스를 조절하는 단계; 및
조절된 플라즈마 시스를 사용하여 처리 챔버 내에서 제2 기판을 처리하는 단계를 포함한다.
[0089] 예 8은 예 7의 방법을 포함하며, 플라즈마 시스를 조절하는 단계는:
에지 링 전극의 전기적 특성을 조절하는 단계; 및
에지 링 전극에 제공되는 전력의 특성을 조절하는 단계 중 적어도 하나를 포함한다.
[0090] 본 개시내용의 이점들은 기판의 에지들 근처에서의 플라즈마의 향상된 제어를 포함할 수 있다. 향상된 플라즈마 제어는 특히 기판의 에지들 근처에서 처리 균일성이 향상되게 한다. 추가로, 본 개시내용의 양상들에 따른 플라즈마 조절은 기판 에지에서 국소적으로 발생하여, 기판 표면에 걸친 플라즈마 균일성에 악영향을 주지 않는다. 본 개시내용은 추가로, 기판 지지부 내의 컴포넌트들 사이의 배치, 절연 및 전도를 가능하게 할 수 있으며, 이는 전기 방전을 감소시키고 절연을 증가시킬 수 있다. 이는 결국, 기판 지지부 내의 하나 이상의 컴포넌트들의 유효 수명을 증가시킬 수 있다. 또한, 본 개시내용은 기판 지지부의 하나 이상의 컴포넌트들의 조립, 분해 및/또는 교체를 가능하게 하기 위해 하나 이상의 컴포넌트들이 서로 클램핑되게 할 수 있다.
[0091] 전술한 내용은 본 개시내용의 양상들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 기본 범위를 벗어나지 않으면서 본 개시내용의 다른 양상들 및 추가 양상들이 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (64)

  1. 기판 지지부로서,
    척킹(chucking) 전극을 포함하는 정전 척;
    상기 정전 척 외부에 포지셔닝되며 에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리;
    상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 외부 실리콘 링;
    상기 외부 실리콘 링 내에서 상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 내부 실리콘 링; 및
    상기 외부 실리콘 링과 상기 내부 실리콘 링 사이에서 상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 절연 링을 포함하는,
    기판 지지부.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 외부 실리콘 링은 상기 절연 링을 둘러싸도록 상기 절연 링 외부에 포지셔닝되고; 그리고
    상기 절연 링은 상기 내부 실리콘 링을 둘러싸도록 상기 내부 실리콘 링 외부에 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 절연 링은 상기 절연 링의 내측 표면 내에 형성된 내측 리세스 및 상기 절연 링의 외측 표면 내에 형성된 외측 리세스를 포함하며;
    상기 내부 실리콘 링은 상기 내측 리세스 내에 적어도 부분적으로 포지셔닝되고; 그리고
    상기 외부 실리콘 링은 상기 외측 리세스 내에 적어도 부분적으로 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리를 둘러싸도록 상기 에지 링 어셈블리 외부에 포지셔닝된 외부 절연 링을 더 포함하는,
    기판 지지부.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 외부 실리콘 링은 상기 외부 절연 링 위에 포지셔닝되고; 그리고
    상기 외부 절연 링은 상기 외부 절연 링의 상부 표면 내에 형성된 상부 리세스를 포함하며, 상기 외부 실리콘 링은 상기 외부 절연 링의 상부 리세스 내에 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 절연 링 및 상기 외부 절연 링은 석영을 포함하는,
    기판 지지부.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 정전 척은 전도성 플레이트를 포함하며, 상기 전도성 플레이트의 상부에 세라믹 플레이트가 포지셔닝되고;
    상기 세라믹 플레이트는 상기 세라믹 플레이트의 상부 표면 내에 형성된 상부 리세스를 포함하며, 상기 세라믹 플레이트의 상부 리세스 내에 상기 내부 실리콘 링이 포지셔닝되고; 그리고
    상기 내부 실리콘 링은 상기 세라믹 플레이트의 상부 표면과 상기 내부 실리콘 링의 상부 리세스가 동일 평면을 이루도록 상기 내부 실리콘 링의 상부 표면 내에 형성된 상부 리세스를 포함하는,
    기판 지지부.
  8. 제1 항에 있어서,
    배플(baffle) 링을 더 포함하며,
    상기 에지 링 어셈블리가 상기 배플 링 위에 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  9. 제8 항에 있어서,
    파이프 링을 더 포함하며,
    상기 배플 링이 상기 파이프 링 외부에 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리는 베이스 위에 포지셔닝되는 캡(cap)을 포함하며, 상기 캡과 상기 베이스 사이에 상기 에지 링 전극이 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리에 결합된 전력 분배 어셈블리를 더 포함하는,
    기판 지지부.
  12. 처리 챔버로서,
    챔버 본체; 및
    상기 챔버 본체 내에 포지셔닝된 기판 지지부를 포함하며,
    상기 기판 지지부는,
    척킹 전극을 포함하는 정전 척;
    상기 정전 척 외부에 포지셔닝되며 에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리;
    상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 외부 실리콘 링;
    상기 외부 실리콘 링 내에서 상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 내부 실리콘 링; 및
    상기 외부 실리콘 링과 상기 내부 실리콘 링 사이에서 상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 절연 링을 포함하는,
    처리 챔버.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리를 둘러싸도록 상기 에지 링 어셈블리 외부에 포지셔닝된 외부 절연 링을 더 포함하며,
    상기 절연 링은 상기 절연 링의 내측 표면 내에 형성된 내측 리세스 및 상기 절연 링의 외측 표면 내에 형성된 외측 리세스를 포함하고;
    상기 내부 실리콘 링은 상기 내측 리세스 내에 적어도 부분적으로 포지셔닝되고; 그리고
    상기 외부 실리콘 링은 상기 외측 리세스 내에 적어도 부분적으로 포지셔닝되는,
    처리 챔버.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 외부 실리콘 링은 상기 외부 절연 링 위에 포지셔닝되고; 그리고
    상기 외부 절연 링은 상기 외부 절연 링의 상부 표면 내에 형성된 상부 리세스를 포함하며, 상기 외부 실리콘 링은 상기 외부 절연 링의 상부 리세스 내에 포지셔닝되는,
    처리 챔버.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리는 베이스 위에 포지셔닝되는 캡을 포함하며, 상기 캡과 상기 베이스 사이에 상기 에지 링 전극이 포지셔닝되는,
    처리 챔버.
  16. 제12 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리에 결합된 전력 분배 어셈블리를 더 포함하는,
    처리 챔버.
  17. 기판 지지부로서,
    척킹 전극을 포함하는 정전 척;
    상기 정전 척 외부에 포지셔닝되며 에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리;
    상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 실리콘 링; 및
    상기 에지 링 전극과 직접 전기 접촉하는 전력 분배 어셈블리를 포함하는,
    기판 지지부.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 전력 분배 어셈블리는 상기 에지 링 어셈블리를 통해 상기 실리콘 링과 직접 전기 접촉하는,
    기판 지지부.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리는 상기 에지 링 어셈블리의 하부 표면 내에 형성된 소켓 리세스를 포함하며, 상기 에지 링 어셈블리의 소켓 리세스 내에 소켓이 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 전력 분배 어셈블리는 상기 실리콘 링에 직접 접촉하도록 상기 에지 링 어셈블리의 상부 표면을 통해 연장하는,
    기판 지지부.
  21. 제20 항에 있어서,
    상기 실리콘 링은 상기 실리콘 링의 하부 표면 내에 형성된 리세스를 포함하며, 상기 실리콘 링의 리세스 내에 상기 전력 분배 어셈블리가 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 전력 분배 어셈블리 주위에 상기 전력 분배 어셈블리와 접촉하여 포지셔닝된 스프링 접촉부를 더 포함하는,
    기판 지지부.
  23. 제21 항에 있어서,
    상기 전력 분배 어셈블리의 핀 주위에 그리고 상기 에지 링 어셈블리 내에 포지셔닝된 밀폐부를 더 포함하는,
    기판 지지부.
  24. 제17 항에 있어서,
    상기 전력 분배 어셈블리는 소켓 내에 포지셔닝 가능한 핀을 포함하는,
    기판 지지부.
  25. 제17 항에 있어서,
    상기 전력 분배 어셈블리는 외부 슬리브를 포함하며, 상기 외부 슬리브 내에 핀이 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  26. 제17 항에 있어서,
    배플 링을 더 포함하며,
    상기 에지 링 어셈블리가 상기 배플 링 위에 포지셔닝되고, 상기 전력 분배 어셈블리는 상기 배플 링 내에 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  27. 제17 항에 있어서,
    상기 실리콘 링은 외부 실리콘 링을 포함하고,
    상기 기판 지지부는,
    상기 외부 실리콘 링 내에서 상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 내부 실리콘 링; 및
    상기 외부 실리콘 링과 상기 내부 실리콘 링 사이에서 상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 절연 링을 더 포함하는,
    기판 지지부.
  28. 제17 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리는 베이스 위에 포지셔닝되는 캡을 포함하며, 상기 캡과 상기 베이스 사이에 상기 에지 링 전극이 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  29. 처리 챔버로서,
    챔버 본체;
    상기 챔버 본체 내에 포지셔닝된 기판 지지부를 포함하며,
    상기 기판 지지부는,
    척킹 전극을 포함하는 정전 척;
    상기 정전 척 외부에 포지셔닝되며 에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리; 및
    상기 에지 링 전극과 직접 전기 접촉하는 전력 분배 어셈블리를 포함하는,
    처리 챔버.
  30. 제29 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리는 상기 에지 링 어셈블리의 하부 표면 내에 형성된 소켓 리세스를 포함하며, 상기 에지 링 어셈블리의 소켓 리세스 내에 소켓이 포지셔닝되는,
    처리 챔버.
  31. 제29 항에 있어서,
    상기 전력 분배 어셈블리는 상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 실리콘 링과 직접 전기 접촉하는,
    처리 챔버.
  32. 제31 항에 있어서,
    상기 실리콘 링은 상기 실리콘 링의 하부 표면 내에 형성된 리세스를 포함하며, 상기 실리콘 링의 리세스 내에 상기 전력 분배 어셈블리가 포지셔닝되는,
    처리 챔버.
  33. 제17 항에 있어서,
    상기 실리콘 링은 상기 실리콘 링의 하부 표면으로부터 상기 에지 링 어셈블리의 리세스 내로 돌출하는 돌출부를 포함하며,
    상기 돌출부는 상기 전력 분배 어셈블리의 적어도 일부를 수용하는 공동을 갖는,
    기판 지지부.
  34. 제31 항에 있어서,
    상기 실리콘 링은 상기 실리콘 링의 하부 표면으로부터 상기 에지 링 어셈블리의 리세스 내로 돌출하는 돌출부를 포함하며,
    상기 돌출부는 상기 전력 분배 어셈블리의 적어도 일부를 수용하는 공동을 갖는,
    처리 챔버.
  35. 기판 지지부로서,
    척킹 전극을 포함하는 정전 척;
    상기 정전 척 외부에 포지셔닝되며 에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리;
    상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 실리콘 링; 및
    배플 링을 포함하며,
    상기 에지 링 어셈블리가 상기 배플 링 위에 포지셔닝되고 상기 배플 링에 클램핑되는,
    기판 지지부.
  36. 제35 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리의 외측 표면 내에 형성된 고정 인서트 리세스(fastening insert recess)를 더 포함하며,
    고정 인서트의 숄더가 상기 고정 인서트 리세스에서 상기 에지 링 어셈블리의 숄더와 맞물리도록 상기 고정 인서트 리세스 내에 상기 고정 인서트가 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  37. 제36 항에 있어서,
    상기 배플 링의 하부 표면 내에 형성된 패스너 리세스를 더 포함하며,
    상기 패스너 리세스 내에 패스너가 포지셔닝되고, 상기 패스너는 상기 고정 인서트와 결합되어 상기 에지 링 어셈블리를 상기 배플 링에 클램핑하는,
    기판 지지부.
  38. 제36 항에 있어서,
    상기 고정 인서트의 숄더는 상기 고정 인서트의 측 표면 상에 형성되는,
    기판 지지부.
  39. 제36 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리 외부에 포지셔닝된 외부 절연 링을 더 포함하며,
    상기 외부 절연 링과 상기 에지 링 어셈블리 사이에 상기 고정 인서트가 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  40. 제36 항에 있어서,
    상기 배플 링 내에 포지셔닝되며 상기 에지 링 전극과 직접 전기 접촉하는 전력 분배 어셈블리를 더 포함하는,
    기판 지지부.
  41. 제40 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리는 상기 에지 링 어셈블리의 하부 표면 내에 형성된 복수의 소켓 리세스들을 더 포함하며;
    상기 고정 인서트 리세스는 복수의 고정 인서트 리세스들을 포함하고; 그리고
    상기 소켓 리세스들 및 상기 고정 인서트 리세스들은 상기 에지 링 어셈블리 주위에 교대로 분포되는,
    기판 지지부.
  42. 제41 항에 있어서,
    각각의 소켓 리세스 내에 각각 포지셔닝된 복수의 소켓들을 더 포함하며,
    상기 전력 분배 어셈블리는 소켓 내에 각각 포지셔닝된 복수의 핀들을 포함하는,
    기판 지지부.
  43. 제35 항에 있어서,
    메시 유동 등화기(mesh flow equalizer)를 더 포함하며,
    상기 배플 링이 상기 메시 유동 등화기 위에 포지셔닝되고 상기 메시 유동 등화기에 클램핑되는,
    기판 지지부.
  44. 제43 항에 있어서,
    상기 배플 링의 상부 표면 내에 형성된 패스너 리세스를 더 포함하며,
    상기 패스너 리세스 내에 패스너가 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  45. 처리 챔버로서,
    챔버 본체; 및
    상기 챔버 본체 내에 포지셔닝된 기판 지지부를 포함하며,
    상기 기판 지지부는,
    척킹 전극을 포함하는 정전 척;
    상기 정전 척 외부에 포지셔닝되며 에지 링 전극을 포함하는 에지 링 어셈블리; 및
    배플 링을 포함하며,
    상기 에지 링 어셈블리가 상기 배플 링 위에 포지셔닝되고 상기 배플 링에 클램핑되는,
    처리 챔버.
  46. 제45 항에 있어서,
    상기 배플 링 내에 포지셔닝되며 상기 에지 링 어셈블리에 결합된 전력 분배 어셈블리를 더 포함하는,
    처리 챔버.
  47. 제45 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 실리콘 링을 더 포함하는,
    처리 챔버.
  48. 제45 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는 상기 에지 링 어셈블리의 외측 표면 내에 형성된 고정 인서트 리세스를 더 포함하며,
    고정 인서트의 숄더가 상기 고정 인서트 리세스에서 상기 에지 링 어셈블리의 숄더와 맞물리도록 상기 고정 인서트 리세스 내에 상기 고정 인서트가 포지셔닝되는,
    처리 챔버.
  49. 제48 항에 있어서,
    상기 배플 링의 하부 표면 내에 형성된 패스너 리세스를 더 포함하며,
    상기 패스너 리세스 내에 패스너가 포지셔닝되고, 상기 패스너는 상기 고정 인서트와 결합되어 상기 에지 링 어셈블리를 상기 배플 링에 클램핑하는,
    처리 챔버.
  50. 제48 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리 외부에 포지셔닝된 외부 절연 링을 더 포함하며,
    상기 외부 절연 링과 상기 에지 링 어셈블리 사이에 상기 고정 인서트가 포지셔닝되는,
    처리 챔버.
  51. 제48 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리는 상기 에지 링 어셈블리의 하부 표면 내에 형성된 복수의 소켓 리세스들을 더 포함하며;
    상기 고정 인서트 리세스는 복수의 고정 인서트 리세스들을 포함하고; 그리고
    상기 소켓 리세스들 및 상기 고정 인서트 리세스들은 상기 에지 링 어셈블리 주위에 교대로 분포되는,
    처리 챔버.
  52. 제45 항에 있어서,
    메시 유동 등화기를 더 포함하며,
    상기 배플 링이 상기 메시 유동 등화기 위에 포지셔닝되고 상기 메시 유동 등화기에 클램핑되는,
    처리 챔버.
  53. 기판 지지부로서,
    척킹 전극을 포함하는 정전 척;
    상기 정전 척 외부에 포지셔닝된 에지 링 어셈블리 ― 상기 에지 링 어셈블리는,
    베이스;
    상기 베이스 위에 포지셔닝된 캡; 및
    상기 캡과 상기 베이스 사이에 포지셔닝된 에지 링 전극을 포함하며,
    상기 베이스는,
    상기 베이스의 내측 표면 내에 형성된 내측 리세스; 및
    상기 베이스의 외측 표면 내의 외측 리세스를 포함하고,
    상기 캡은,
    상기 베이스의 내측 리세스 내에 포지셔닝된 내부 립(lip); 및
    상기 베이스의 외측 리세스 내에 포지셔닝된 외부 립을 포함함 ―;
    상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 실리콘 링; 및
    배플 링을 포함하며,
    상기 에지 링 어셈블리가 상기 배플 링 위에 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  54. 제53 항에 있어서,
    상기 베이스는 상기 베이스의 외측 표면 상에 포지셔닝된 숄더를 포함하는,
    기판 지지부.
  55. 제53 항에 있어서,
    파이프 링을 더 포함하며,
    상기 배플 링이 상기 파이프 링 외부에 포지셔닝되고, 상기 에지 링 어셈블리가 상기 파이프 링 위에 포지셔닝되며, 상기 파이프 링은 상기 정전 척 주위에 포지셔닝되는,
    기판 지지부.
  56. 제53 항에 있어서,
    상기 베이스 및 상기 캡은 세라믹을 포함하는,
    기판 지지부.
  57. 제53 항에 있어서,
    상기 에지 링 전극은 약 0.2 인치 내지 약 0.4 인치의 두께를 포함하는,
    기판 지지부.
  58. 제53 항에 있어서,
    상기 에지 링 어셈블리에 결합된 전력 분배 어셈블리를 더 포함하는,
    기판 지지부.
  59. 제53 항에 있어서,
    상기 캡은 상기 베이스의 상부 표면 내에 포지셔닝된 돌출부를 더 포함하는,
    기판 지지부.
  60. 제53 항에 있어서,
    상기 내부 립은 상기 베이스의 내측 리세스 내에 포지셔닝된 돌출부를 포함하는,
    기판 지지부.
  61. 처리 챔버로서,
    챔버 본체; 및
    상기 챔버 본체 내에 포지셔닝된 기판 지지부를 포함하며,
    상기 기판 지지부는,
    척킹 전극을 포함하는 정전 척; 및
    상기 정전 척 외부에 포지셔닝된 에지 링 어셈블리를 포함하고,
    상기 에지 링 어셈블리는,
    베이스 ― 상기 베이스는 상기 베이스의 내측 표면 내에 형성된 내측 리세스 및 베이스의 외측 표면 내의 외측 리세스를 포함함 ―;
    상기 베이스 위에 포지셔닝되며, 상기 베이스의 내측 리세스 내에 포지셔닝된 내부 립 및 상기 베이스의 외측 리세스 내에 포지셔닝된 외부 립을 포함하는 캡; 및
    상기 캡과 상기 베이스 사이에 포지셔닝된 에지 링 전극을 포함하는,
    처리 챔버.
  62. 제61 항에 있어서,
    상기 기판 지지부는,
    상기 에지 링 어셈블리 위에 포지셔닝된 실리콘 링; 및
    배플 링을 더 포함하며,
    상기 에지 링 어셈블리가 상기 배플 링 위에 포지셔닝되는,
    처리 챔버.
  63. 에지 링 어셈블리로서,
    베이스 ― 상기 베이스는,
    상기 베이스의 내측 표면 내에 형성된 내측 리세스; 및
    상기 베이스의 외측 표면 내의 외측 리세스를 포함함 ―;
    상기 베이스 위에 포지셔닝된 캡 ― 상기 캡은,
    상기 베이스의 내측 리세스 내에 포지셔닝된 내부 립; 및
    상기 베이스의 외측 리세스 내에 포지셔닝된 외부 립을 포함함 ―; 및
    상기 캡과 상기 베이스 사이에 포지셔닝된 에지 링 전극을 포함하는,
    에지 링 어셈블리.
  64. 제63 항에 있어서,
    상기 베이스 및 상기 캡은 세라믹을 포함하는,
    에지 링 어셈블리.
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