TWM587593U - 電磁防護構件 - Google Patents

Abstract

本創作提出一種電磁防護構件，包含一絕緣軟磁膜披覆於一本體的表面，該本體係為一基板、一車廂或一機殼。該絕緣軟磁膜係為電氣絕緣的吸波層，於高頻段有大的吸波效果，使得覆蓋有吸波層的該本體在高頻段能有效地消除所受的電磁干擾。

Description

電磁防護構件

本創作係有關於一種具有電磁干擾(Electromagnetic Interference，EMI)防制的電磁防護構件。

目前車輛的內部都設有主機裝置，尤其是由高壓電供給能源的電車的主機裝置，其容易受到高壓電的電磁干擾而導致主機裝置誤判或容易受損。類似地，設在醫療儀器的機殼之內部的主機裝置，也會受到其他儀器的電磁干擾而導致主機裝置誤判。

另外，目前常用的主機裝置所安裝的主機板(一般為電路板)上，多具有例如中央處理器等容易發出高頻雜訊的電子元件，以及眾多易受外界干擾的其它元件(例如晶片)與電路。為了使電子元件避免干擾其他元件及電路的運作，以及避免電子元件與其他元件及電路的彼此干擾，因此需要電磁干擾防制，以保護電子元件與其他元件及電路。

主機板通常佈設有眾多電路形成電路圖案，電磁干擾防制的方式之一則是將屏蔽層直接覆蓋於主機板的電路且設置於高頻的電子元件與其它元件之間。目前已知的電磁干擾防制的屏蔽層的設置方式之一，係以通常由導電顆粒、樹脂及溶劑所組成的導電油墨，整個覆蓋於電子元件或晶片形成導電層以做為電磁干擾屏蔽層。然而在高頻段(不小於1GHz)被電磁干擾屏蔽層所屏蔽的電磁波，由於並未被吸收消除，因此高頻的電子元件與其它元件之間彼此會互相干擾，這反而形成了新的電磁干擾。更何況很難避免的是，導電油墨很容易同時覆蓋電子元件或晶片周圍的兩條相鄰的電路，這造成了電路的短路而導致主機板報廢。同樣的原因，導電油墨無法大面積的覆蓋在電路圖案上，因此導電油墨有其使用上的限制，其實並不完全適用對電路圖案的電磁干擾防制。

再者，依據國際標準IEC62333的測試，S21參數為透射係數而S11參數為反射係數，由導電油墨所形成的電磁干擾屏蔽層的測試結果，雖然於高頻段(不小於1.0GHz)有大的S21屏蔽效果，但S11趨近於零，這表示電磁波不但完全沒有被電磁干擾屏蔽層衰減，反而因為接近於全反射而可能形成了新的電磁干擾。因此，覆蓋有前述電磁干擾屏蔽層的主機板在高頻段無法有效地消除所受的電磁干擾。

本創作係考量上述情況，目的在於提供一種具有電磁干擾防制的電磁防護構件。

本創作提出一種電磁防護構件，包含一絕緣軟磁膜披覆於一本體的表面，該本體係為一基板、一車廂或一機殼。

前述之該電磁防護構件，其中該絕緣軟磁膜披覆於該本體的外表面或內表面。

前述之該電磁防護構件，其中絕緣軟磁膜，係包含一樹脂層及分散於該樹脂層中的複數個絕緣軟磁顆粒；該絕緣軟磁顆粒具有一芯部和包圍該芯部的周圍的一殼部，該絕緣軟磁顆粒的形狀為球狀，粒徑係介於1μm~50μm，該芯部為鐵矽鉻合金球，該殼部為磷酸鹽皮膜、矽酸鹽皮膜或二氧化矽皮膜，該殼部的絕緣電阻值為大於5x10 ⁹Ω；該殼部及該樹脂層係不同的材料所構成。

前述之該電磁防護構件，其中以鐵矽鉻合金球為100wt%為計量，該芯部包含85wt%~95wt%的鐵、1wt%~10wt%的矽及1wt%~5wt%的鉻。

前述之該電磁防護構件，其中該殼部的重量為該芯部的重量的1%~10%。

前述之該電磁防護構件，其中以複數個該絕緣軟磁顆粒及該樹脂層為100wt%為計量，該絕緣軟磁膜係包含有55.56~95.74wt%的複數個該絕緣軟磁顆粒。

前述之該電磁防護構件，其中該樹脂層係由一第一樹脂及一第二樹脂所構成，該殼部的材料、該第一樹脂及該第二樹脂係彼此不相同；且以複數個該絕緣軟磁顆粒、該第一樹脂及該第二樹脂為100wt%為計量，該絕緣軟磁膜包含有3.06~33.33wt%的該第一樹脂及1.01~11.11wt%的該第二樹脂。

前述之該電磁防護構件，其中該第一樹脂係為酚醛環氧樹脂，該第二樹脂係為苯酚與甲醛縮水甘油醚的聚合物。

前述之該電磁防護構件，其中該本體係為該基板，該絕緣軟磁膜係直接覆蓋在一設置於該基板表面的電路圖案上並與該電路圖案接觸。

前述之該電磁防護構件，其中該電磁防護構件更包含覆蓋於該絕緣軟磁膜的一防焊膜，該防焊膜係覆蓋於該絕緣軟磁膜相反於該基板的一側。

前述之該電磁防護構件，其中該電磁防護構件更包含兩個電子元件設置於與該電路圖案同一側的該基板表面，該絕緣軟磁膜係設置於兩個該電子元件之間。

前述之該電磁防護構件，其中該絕緣軟磁膜係設置於兩個該電子元件之間且不覆蓋任一個該電子元件，該絕緣軟磁膜也不與任一個該電子元件接觸。

該絕緣軟磁膜係為電氣絕緣(表面電阻值不小於1.0x10 ⁹歐姆/平方(Ω/□))的電磁波的吸波層，尤其是大面積地覆蓋在電路板的電路圖案上時，不會造成電路的短路，且於高頻段(不小於1.0GHz)有大的衰減信號，使得覆蓋有該絕緣軟磁膜(吸波層)的電路板在高頻段能有效地消除所受的電磁干擾。本創作所提供的該絕緣軟磁膜，其對於在高頻段(不小於1GHz)幅射的電磁波，電磁波會被該絕緣軟磁膜中所含的磁性材料吸收而衰減，所以在高頻段(不小於1GHz)顯示極佳的S21(透射係數)屏蔽效果，當該絕緣軟磁膜的厚度為1mm時，S21有約1~15dB的屏蔽衰減效果；當該絕緣軟磁膜的厚度為2.6mm時，S11(反射係數)呈現出在2.64GHz可達超過20dB的反射衰減效果。因此，覆蓋有本創作所提供的該絕緣軟磁膜的的本體(主機板)，在高頻段能夠有效地消除所受的電磁干擾。然而習知電磁干擾屏蔽層在高頻段(不小於1GHz)下電磁干擾屏蔽層顯示S11幾乎為零，表示其為將電磁波全反射而不具吸波(不具吸收電磁波)的效果。雖然電磁干擾屏蔽層於高頻段(不小於1.0GHz)有大的S21屏蔽效果，但因為S11趨近於零，這表示電磁波不但完全沒有被電磁干擾屏蔽層衰減，反而因為接近於將電磁波全反射而可能形成了新的電磁干擾。因此，覆蓋有前述電磁干擾屏蔽層的主機板在高頻段並無法有效地消除所受的電磁干擾。

為使審查人員更容易明瞭本創作之技術內容、特點與功效，配合實施例與比較例的呈現，將可更清楚的說明，但本創作不受該些實施例所限定。此外，本說明書及申請專利範圍中使用「~」表示數值範圍是指涵蓋「~」前後所記載數值做為下限值及上限值的範圍；本說明書及申請專利範圍中使用「wt%」，係指重量百分比；本說明書及申請專利範圍中使用「粒徑」，係指利用雷射粒徑分析儀所測定之粒徑。

請同時參閱第1圖至第5圖，本創作之一種電磁防護構件200，包含一絕緣軟磁膜100披覆於一本體4的表面，該本體係為一基板31(第3圖)、一車廂6(第4圖)或一機殼7(第5圖)，該絕緣軟磁膜100係由一種絕緣軟磁油墨所製備，該絕緣軟磁油墨包含：50wt%~90wt%的複數個絕緣軟磁顆粒、3wt%~30wt%的一第一樹脂、1wt%~10wt%的一第二樹脂及1wt%~10wt%的一溶劑。

請參閱第1圖，前述之該絕緣軟磁顆粒1具有一芯部11和包圍該芯部的周圍的一殼部12。其中，該芯部11為軟磁性材料(鐵磁性合金材料)所構成之軟磁性芯部，該芯部11可以為：磁性不鏽鋼(Fe-Cr-Al-Si合金)、鐵矽鋁合金(Fe-Si-Al合金)、鎳鐵合金(Fe-Ni合金)、鐵矽銅合金(Fe-Cu-Si合金)、鐵矽合金Fe-Si合金、鐵矽鉻鎳合金(Fe-Si-Cr-Ni合金)、鐵矽鉻合金(Fe-Si-Cr合金)或鐵氧體等，而就本創作的磁特性方面而言，較佳為鐵矽鉻合金(Fe-Si-Cr合金)。該殼部12係為絕緣材料所構成，該殼部12可以為：磷酸鹽皮膜、矽酸鹽皮膜或二氧化矽皮膜，該殼部12係藉由將該芯部11的重量的1%~10%進行一表面絕緣處理而形成，所述該表面絕緣處理例如為該殼部12係藉由磷化處理該芯部11或矽酸鈉鹽披覆該芯部11來完成。也就是說，該殼部12的重量為該芯部的重量的1%~10%。前述磷化處理係利用磷酸或磷酸鹽溶液與前述該芯部11所列舉的合金的表面之鐵原子進行置換反應(Conversion Reaction)反應，以形成磷酸鹽皮膜。另外也可以利用矽酸鈉鹽所形成之水玻璃絕緣材料，直接加成披覆(Overlay Coating)於該芯部11之表面，經乾燥除水後以形成矽酸鹽皮膜。再者，也可以矽烷單體聚合形成聚矽氧烷(polysiloxane)分子，然後直接加成披覆於該芯部11之表面，經乾燥除水後以形成二氧化矽皮膜。特別說明的是，前述該殼部12的絕緣電阻值為大於5GΩ(5x10 ⁹Ω)。前述之該絕緣軟磁顆粒1的形狀可以為球狀、扁平狀或纖維狀，於本創作中較佳為球狀，粒徑係介於1μm~50μm，也就是說該芯部11可以為鐵矽鉻合金球；且，以鐵矽鉻合金為100wt%為計量，該芯部包含85wt%~95wt%的鐵、1wt%~10wt%的矽及1wt%~5wt%的鉻。

前述之該第一樹脂可以為酚醛環氧樹脂(phenolic epoxy resin)或鄰甲酚醛環氧樹脂(O-Methyl phenolic epoxy resin)。較佳地，該第一樹脂為酚醛環氧樹脂。

前述之該第二樹脂可以為苯酚與甲醛縮水甘油醚的聚合物(CAS Number： 28064-14-4)( Phenol polymer with formaldehyde glycidyl ether)、雙酚F型環氧樹脂或線型醛環氧樹脂。

該第一樹脂與該第二樹脂係不相同，且該殼部的材料、該第一樹脂及該第二樹脂係彼此不相同。

前述之該溶劑可以為乙二醇丁醚醋酸酯、乙二醇乙醚醋酸酯 、雙乙二醇丁醚醋酸酯 、雙乙二醇乙醚醋酸或1,1,3-三甲基環己烯酮。

為了提升複數個該絕緣軟磁顆粒在該絕緣軟磁油墨中的分散性，該絕緣軟磁油墨係可以包含一分散劑。以複數個該絕緣軟磁顆粒、該第一樹脂、該第二樹脂及該溶劑為100wt%為計量，該分散劑係為0.001wt%~0.01wt%。該分散劑係可以為乙烯基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷、p-苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷或3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷。

為了降低攪拌過程中，該絕緣軟磁油墨所產生氣泡的量，該絕緣軟磁油墨係可以包含一消泡劑。以複數個該絕緣軟磁顆粒、該第一樹脂、該第二樹脂及該溶劑為100wt%為計量，該消泡劑係為0.1wt~0.2wt%。該消泡劑係可以為有機矽類消泡劑或聚合物類消泡劑。

本創作之該絕緣軟磁油墨之製備：

本創作之該絕緣軟磁油墨可以藉由包含以下步驟之一種絕緣軟磁油墨的製造方法所製造：(1)依據設定的各別複數個該絕緣軟磁顆粒、該第一樹脂、該第二樹脂及該溶劑的重量百分比準備材料；(2)混合複數個該絕緣軟磁顆粒、該第一樹脂、該第二樹脂及該溶劑於室溫下以行星式攪拌機攪拌混合均勻，並選擇性地可加入適當的分散劑及/或消泡劑添加劑以完成該絕緣軟磁油墨。

本創作之該絕緣軟磁膜之製備：

係藉由下述之一種絕緣軟磁膜的製備方法以製備該絕緣軟磁膜：於未組裝晶片及元件且具有電路圖案的一主機電路板上利用網版印刷方式或不鏽鋼板的刮刀塗佈方式，將該絕緣軟磁油墨塗佈於該主機電路板的電路圖案上以形成一預定大小及形狀的塗層，再利用烘箱以一預定的溫度(例如150 ^oC)乾燥一預定的時間(例如30分鐘)以將該溶劑揮發並形成片狀的該絕緣軟磁膜，該絕緣軟磁膜之厚度為100μm ~2.6mm；較佳地該絕緣軟磁膜之厚度為100μm ~300μm。請一併參閱第2圖，特別說明的是，該絕緣軟磁膜100係包含一樹脂層2及分散於該樹脂層中的複數個該絕緣軟磁顆粒1；其中，該樹脂層2係由該第一樹脂及該第二樹脂所構成，該殼部12的材料、該第一樹脂及該第二樹脂係彼此不相同。請一併參閱第6圖，換言之，一絕緣軟磁膜積層電路板3包含：該基板31、一設置於該基板31表面的電路圖案32及直接覆蓋在該電路圖案32上並與該電路圖案32接觸的該絕緣軟磁膜100。特別說明的是，於後述的實施例中，本創作之該電磁防護構件200可以視為該絕緣軟磁膜積層電路板3。

本創作之使用該絕緣軟磁油墨所製作的該絕緣軟磁膜的效果評估與測試：

該絕緣軟磁膜係藉由成膜性測試以評估成膜性；該絕緣軟磁膜係藉由表面電阻量測以評估該絕緣軟磁膜係是否為電氣絕緣；該絕緣軟磁膜係藉由吸波特性量測S11參數及S21參數以評估電磁波被該絕緣軟磁膜吸收的量。

成膜性測試：

以目測法觀察該絕緣軟磁膜的表面：如果發現有龜裂現象，則判定為成膜性失敗並標示為「X」；如果沒有龜裂現象，但是表面有翹曲，則判定為成膜性可接受並標示為「△」；如果沒有龜裂現象及沒有翹曲，呈現平坦且附著良好，則判定為成膜性良好並標示為「○」。

表面電阻量測：

針對上述該絕緣軟磁膜施以四點探針測量方式進行測量該絕緣軟磁膜的表面電阻值，於該絕緣軟磁膜共測量5個點後取平均值為記錄的表面電阻值。當表面電阻值不小於1.0x10 ⁹歐姆/平方(Ω/□)時，則判定為電氣絕緣並標示為「○」；當表面電阻值不小於1.0歐姆/平方(Ω/□)時，則判定為非電氣絕緣並標示為「X」，代表不符合該絕緣軟磁膜的電氣絕緣條件。

吸波特性量測：

採用Keysight E-5071C網路分析儀用傳輸線連接2個角錐天線以頻率2~18GHz的電磁波頻段執行S21參數(或稱為透射係數)及S11參數(或稱為反射係數)的量測。其中，S11參數的量測是將2個角錐天線放置在該絕緣軟磁膜的同一側，以測得電磁波反射衰減值即為S11參數，該絕緣軟磁膜的厚度為2.6mm；後述表一中的實施例及比較例中所測得的S11參數為負數，負數代表電磁波被吸收，將該S11參數達到最大值的頻率值(GHz)及此時的S11參數值(dB)的絕對值紀錄於後述表一中。S21參數的量測是將2個角錐天線分別放置在該絕緣軟磁膜的相反側，以測得電磁波各頻率透射衰減值即為S21參數，該絕緣軟磁膜的厚度為1.0mm；同樣地，後述表一中的實施例及比較例中所測得的S21參數為負數，負數代表電磁波被吸收，將該頻段的S21參數的絕對值的最大值與最小值紀錄於後述表一中。S11參數為負數，負數代表電磁波被吸收，因此S11參數絕對值的數值愈大，表示電磁波被該絕緣軟磁膜吸收的量愈大，也表示電磁波被該絕緣軟磁膜反射衰減的程度愈大，該絕緣軟磁膜愈有效地吸收電磁波，消除所受的電磁干擾；同樣地，S21參數為負數，負數代表電磁波被吸收，因此S21參數絕對值中的最大值的數值愈大，也表示該頻段電磁波被該絕緣軟磁膜屏蔽衰減的程度愈大，該絕緣軟磁膜越有效地屏蔽所受的電磁干擾。當S21參數中的絕對值中的最大值小於8dB時，則判定該絕緣軟磁膜屏蔽電磁波的能力差並標示為「X」；當S21參數中的絕對值的最大值大於或等於8dB並小於13.5dB時，則判定該絕緣軟磁膜屏蔽電磁波的能力為可接受並標示為「△」；當S21參數中的絕對值的最大值大於或等於13.5dB時，則判定該絕緣軟磁膜屏蔽電磁波的能力為良好並標示為「○」。

總體評估結果：

在同一實施例或比較例中，成膜性測試、表面電阻量測及吸波特性量測中的任一者如果出現「X」，則總體評估結果為不良，並記錄為「X」；成膜性測試、表面電阻量測及吸波特性量測中的任一者如果出現「△」，則總體評估結果為可接受，並記錄為「△」；成膜性測試、表面電阻量測及吸波特性量測中，如果皆出現「○」，則總體評估結果為良好，並記錄為「○」。

依據前述本創作之該絕緣軟磁油墨的製造方法，先調製成如下述表1中所記載之各實施例(實施例1~實施例9)所分別對應組成的該絕緣軟磁油墨，再藉由該絕緣軟磁膜的製備方法製備該絕緣軟磁膜，接著再進行該絕緣軟磁膜的效果評估與測試，並將結果紀錄於表一。其中，表一中的該絕緣軟磁顆粒其芯部為鐵矽鉻合金，而殼部為磷酸鹽皮膜；該第一樹脂為酚醛環氧樹脂；該第二樹脂為苯酚與甲醛縮水甘油醚的聚合物；該溶劑為乙二醇丁醚醋酸酯。表一中另外記載了比較例1及比較例2，比較例1及比較例2係仿造該絕緣軟磁油墨的製造方法、該絕緣軟磁膜的製備方法及該絕緣軟磁膜的效果評估與測試，其中除了比較例2係以導電顆粒取代各實施例的絕緣軟磁顆粒之外，其餘相同之處就不再重複說明。

表一

項目	絕緣軟磁油墨的組成(wt%)	絕緣軟磁膜的特性(比較例1及實施例1~9) 電磁干擾屏蔽層的特性(比較例2)
導電顆粒	絕緣軟磁顆粒	第一樹脂	第二樹脂	溶劑	加總	成膜性	表面電阻Ω/□	吸波特性@2~18GHz	總體評估結果
S11的絕對值 頻率值(GHz) 參數值(dB)	S21的絕對值 最小值(dB)~最大值(dB)
實施例1	0	50	30	10	10	100	△	○ 大於10 10	5.60GHz 8.39dB	△ 1.17~8.23	△
實施例2	0	60	20	10	10	100	△	○ 大於10 10	4.30GHz 10.16dB	△ 1.41~9.88	△
實施例3	0	70	10	10	10	100	△	○ 大於10 10	3.20GHz 12.56dB	△ 1.64~11.5	△
實施例4	0	80	3	10	7	100	△	○ 大於10 10	2.50GHz 16.33dB	△ 1.88~13.1	△
實施例5	0	84	9	4	3	100	△	○ 大於10 10	2.75GHz 18.12dB	○ 1.95~13.7	△
實施例6	0	85	9	3	3	100	○	○ 1x10 10	2.64GHz 20.69dB	○ 2.0~14.0	○
實施例7	0	90	3	1	6	100	○	○ 5x10 9	2.0GHz 18.1dB	○ 2.1~14.7	○
實施例8	0	90	3	5	2	100	○	○ 5x10 9	2.0GHz 18.3dB	○ 2.1~14.7	○
實施例9	0	90	8	1	1	100	○	○ 5x10 9	2.0GHz 18.2dB	○ 2.1~14.7	○
比較例1	0	95	3	1	1	100	X	○ 5x10 9	1.56GHz 12.6dB	△ 2.4~12.5	X
比較例2	90	0	8	1	1	100	X	X 1x10 0	5.60GHz 0.56dB	X 2.15~7.30	X

由表一顯示，總體評估結果為：比較例1及2總體評估結果為不良；實施例1~5總體評估結果為可接受；實施例6~9總體評估結果為良好。

比較例2為習知電磁干擾屏蔽層，在高頻段的電磁波下，電磁干擾屏蔽層顯示S11參數的絕對值幾乎為零(0.56dB)，這表示其為將電磁波全反射而不具吸收電磁波的效果，也表示電磁波不但完全沒有被電磁干擾屏蔽層衰減，反而因為接近於將電磁波全反射而可能形成了新的電磁干擾。實施例1~9的該絕緣軟磁膜的S11參數的絕對值則至少為8.39dB(實施例1)以上，甚至高達20.69dB(實施例6)，表示電磁波被實施例1~9的該絕緣軟磁膜反射衰減的程度大，實施例1~9的該絕緣軟磁膜能有效地消除所受的電磁干擾，因此也不會產生新的電磁干擾。

再者，比較例2的電磁干擾屏蔽層及比較例1的絕緣軟磁膜的表面有龜裂現象，龜裂之處容易造成電磁波洩漏，有可能導致電磁干擾防制的失敗風險。實施例1~9的該絕緣軟磁膜則都沒有龜裂，因此減少了電磁波洩漏的風險。

另外，比較例2的表面電阻值為1x10 ⁰Ω/□，其具有導電的性質，因此當直接覆蓋在主機電路板上的電路圖案上時，會造成電路的短路而導致主機電路板報廢。實施例1~9的該絕緣軟磁膜的表面電阻值至少為5x10 ⁹Ω/□，因此可以直接覆蓋在主機電路板上的電路圖案而不會造成電路的短路。

當然，由表一的實施例1~9的S11參數可以得知，該絕緣軟磁膜依複數個該絕緣軟磁顆粒的含量不同，可在不同頻率(實施例7~9的2.0GHz至實施例1的5.60GHz)顯現反射衰減效果，因此不同複數個該絕緣軟磁顆粒含量的該絕緣軟磁油墨及使用該絕緣軟磁油墨所製作的該絕緣軟磁膜，具有吸收電磁波的功效。

特別說明的是，前述之該絕緣軟磁膜的製備方法係將塗層中的該絕緣軟磁油墨之該溶劑揮發以形成該絕緣軟磁膜，因此係將表一中各實施例移除該溶劑後，計算出該絕緣軟磁膜中複數個該絕緣軟磁顆粒、該第一樹脂及該第二樹脂的占比並列於下述表二。

表二

項目	絕緣軟磁膜的組成(wt%)
絕緣軟磁顆粒	第一樹脂	第二樹脂
實施例1	55.56	33.33	11.11
實施例2	66.67	22.22	11.11
實施例3	77.78	11.11	11.11
實施例4	86.02	3.23	10.75
實施例5	86.60	9.28	4.12
實施例6	87.63	9.28	3.09
實施例7	95.75	3.19	1.06
實施例8	91.84	3.06	5.10
實施例9	90.91	8.08	1.01

基於表二，以複數個該絕緣軟磁顆粒、該第一樹脂及該第二樹脂為100wt%為計量，該絕緣軟磁膜中係包含：55.56~95.74wt%的複數個該絕緣軟磁顆粒、3.06~33.33wt%的該第一樹脂及1.01~11.11wt%的該第二樹脂。換言之，以複數個該絕緣軟磁顆粒及該樹脂層為100wt%為計量，該絕緣軟磁膜中係包含：55.56~95.74wt%的複數個該絕緣軟磁顆粒及4.07~44.44wt%的該樹脂層。

另外，請一併參閱第7圖，前述該絕緣軟磁膜積層電路板3更可包含一覆蓋於該絕緣軟磁膜100的防焊膜33，該防焊膜33係覆蓋於該絕緣軟磁膜100相反於該基板的一側。基於如前所述，由於該電磁防護構件200可以視為該絕緣軟磁膜積層電路板3，因此換言之，該電磁防護構件200更可包含覆蓋於該絕緣軟磁膜100的該防焊膜33，該防焊膜33係覆蓋於該絕緣軟磁膜100相反於該基板的一側。因此，基於第7圖的實施例，本創作之該絕緣軟磁膜積層電路板(即為該電磁防護構件)，包含：該基板31、該絕緣軟磁膜100及該防焊膜33，其中該絕緣軟磁膜100係直接覆蓋在設置於該基板31表面的該電路圖案32上並與該電路圖案32接觸，該防焊膜33係覆蓋於該絕緣軟磁膜100相反於該基板31的一側；該絕緣軟磁膜100，係包含該樹脂層2及分散於該樹脂層2中的複數個該絕緣軟磁顆粒1；該絕緣軟磁顆粒1具有該芯部11和包圍該芯部11的周圍的該殼部12，該絕緣軟磁顆粒1的形狀為球狀，粒徑係介於1μm~50μm，該芯部11為鐵矽鉻合金球，以鐵矽鉻合金球為100wt%為計量，該芯部11包含85wt%~95wt%的鐵、1wt%~10wt%的矽及1wt%~5wt%的鉻，該殼部12為磷酸鹽皮膜、矽酸鹽皮膜或二氧化矽皮膜，該殼部12的絕緣電阻值為大於5x10 ⁹Ω；該殼部12及該樹脂層2係不同的材料所構成；該殼部12的重量為該芯部11的重量的1%~10%；且，以複數個該絕緣軟磁顆粒1及該樹脂層2為100wt%為計量，該絕緣軟磁膜100係包含有55.56~95.74wt%的複數個該絕緣軟磁顆粒1；該樹脂層2係由一第一樹脂及一第二樹脂所構成，該殼部12的材料、該第一樹脂及該第二樹脂係彼此不相同；且，以複數個該絕緣軟磁顆粒1、該第一樹脂及該第二樹脂為100wt%為計量，該絕緣軟磁膜包含有3.06~33.33wt%的該第一樹脂及1.01~11.11wt%的該第二樹脂；該第一樹脂係為酚醛環氧樹脂，該第二樹脂係為苯酚與甲醛縮水甘油醚的聚合物。

請一併參閱第8圖，前述第7圖中的該絕緣軟磁膜積層電路板3(即為該電磁防護構件)更包含兩個電子元件5設置於與該電路圖案32同一側的該基板31表面，且該絕緣軟磁膜100係設置於兩個該電子元件5之間。較佳地，該絕緣軟磁膜100係設置於兩個該電子元件5之間且不覆蓋任一個該電子元件5，該絕緣軟磁膜100也不與任一個該電子元件5接觸。

請一併參閱第9圖，例如，該本體4可以是醫療器材的該機殼7，該電子元件5可以是醫療器材的外殼內側的計算器，該絕緣軟磁膜100可披覆於醫療器材的該機殼7的外表面以構成該電磁防護構件200，以避免前述計算器受到其他機器的電磁波所干擾而產生誤判。請一併參閱第10圖，又例如，該本體4可以是電車的該車廂6，該電子元件5可以是該車廂6的外殼內側的行車電腦，絕緣軟磁膜100可披覆於該車廂6的外殼的外表面以構成該電磁防護構件200，以避免前述行車電腦受到高壓電線的電磁波所干擾而產生誤判。

以上所述，僅為本創作較佳的實施例，當不能以此限定本創作之實施範圍。凡依本創作申請專利範圍及新型說明書內容所做之簡單等效的修飾與變化，仍應屬本創作專利涵蓋之範圍。

1‧‧‧絕緣軟磁顆粒

11‧‧‧芯部

12‧‧‧殼部

100‧‧‧絕緣軟磁膜

2‧‧‧樹脂層

200‧‧‧電磁防護構件

3‧‧‧絕緣軟磁膜積層電路板

31‧‧‧基板

32‧‧‧電路圖案

33‧‧‧防焊膜

4‧‧‧本體

5‧‧‧電子元件

6‧‧‧車廂

7‧‧‧機殼

第1圖為本創作中絕緣軟磁顆粒的結構示意圖。
第2圖為本創作中絕緣軟磁膜的結構示意圖。
第3圖為本創作中電磁防護構件的本體為基板的結構示意圖。
第4圖為本創作中電磁防護構件的本體為車廂的結構示意圖。
第5圖為本創作中電磁防護構件的本體為機殼的結構示意圖。
第6圖為本創作之電磁防護構件為絕緣軟磁膜積層電路板的結構示意圖(一)。
第7圖為本創作之電磁防護構件為絕緣軟磁膜積層電路板的結構示意圖(二)。
第8圖為本創作之電磁防護構件為絕緣軟磁膜積層電路板的結構示意圖(三 )。
第9圖為本創作之電磁防護構件的本體為機殼對電子元件的防護示意圖。
第10圖為本創作之電磁防護構件的本體為車廂對電子元件的防護示意圖。

Claims (12)

1. 一種電磁防護構件，包含一絕緣軟磁膜披覆於一本體的表面，該本體係為一基板、一車廂或一機殼。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電磁防護構件，其中該絕緣軟磁膜披覆於該本體的外表面或內表面。
3. 如申請專利範圍第2項所述之電磁防護構件，其中絕緣軟磁膜，係包含一樹脂層及分散於該樹脂層中的複數個絕緣軟磁顆粒；該絕緣軟磁顆粒具有一芯部和包圍該芯部的周圍的一殼部，該絕緣軟磁顆粒的形狀為球狀，粒徑係介於1μm~50μm，該芯部為鐵矽鉻合金球，該殼部為磷酸鹽皮膜、矽酸鹽皮膜或二氧化矽皮膜，該殼部的絕緣電阻值為大於5x10 ⁹Ω；該殼部及該樹脂層係不同的材料所構成。
4. 如申請專利範圍第3項所述之電磁防護構件，其中以鐵矽鉻合金球為100wt%為計量，該芯部包含85wt%~95wt%的鐵、1wt%~10wt%的矽及1wt%~5wt%的鉻。
5. 如申請專利範圍第4項所述之電磁防護構件，其中該殼部的重量為該芯部的重量的1%~10%。
6. 如申請專利範圍第5項所述之電磁防護構件，其中以複數個該絕緣軟磁顆粒及該樹脂層為100wt%為計量，該絕緣軟磁膜係包含有55.56~95.74wt%的複數個該絕緣軟磁顆粒。
7. 如申請專利範圍第6項所述之電磁防護構件，其中該樹脂層係由一第一樹脂及一第二樹脂所構成，該殼部的材料、該第一樹脂及該第二樹脂係彼此不相同；且以複數個該絕緣軟磁顆粒、該第一樹脂及該第二樹脂為100wt%為計量，該絕緣軟磁膜包含有3.06~33.33wt%的該第一樹脂及1.01~11.11wt%的該第二樹脂。
8. 如申請專利範圍第7項所述之電磁防護構件，其中該第一樹脂係為酚醛環氧樹脂，該第二樹脂係為苯酚與甲醛縮水甘油醚的聚合物。
9. 如申請專利範圍第1項所述之電磁防護構件，其中該本體係為該基板，該絕緣軟磁膜係直接覆蓋在一設置於該基板表面的電路圖案上並與該電路圖案接觸。
10. 如申請專利範圍第9項所述之電磁防護構件，其中該電磁防護構件更包含覆蓋於該絕緣軟磁膜的一防焊膜，該防焊膜係覆蓋於該絕緣軟磁膜相反於該基板的一側。
11. 如申請專利範圍第10項所述之電磁防護構件，其中該電磁防護構件更包含兩個電子元件設置於與該電路圖案同一側的該基板表面，該絕緣軟磁膜係設置於兩個該電子元件之間。
12. 如申請專利範圍第11項所述之電磁防護構件，其中該絕緣軟磁膜係設置於兩個該電子元件之間且不覆蓋任一個該電子元件，該絕緣軟磁膜也不與任一個該電子元件接觸。