KR20180134034A - 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체의 제조방법 - Google Patents

스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체의 제조방법 Download PDF

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김성수
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충북대학교 산학협력단
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Abstract

스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체가 개시되어 있다. 본 발명은, 박형 필름(thin film)과, 그 위에 그리드 형태로 스크린 인쇄된 전도막을 포함하며, 상기 전도막에 사용되는 페이스트는 표면저항 10∼50 Ω/sq 범위의 도전성 카본 페이스트인 것을 특징으로 한다.

Description

스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체 및 그 제조방법{Electromagnetic Noise Absorbers of Conductive Grid Films Prepared by Screen Printing Process and Method of Producing the Same}
본 발명은 전자기 노이즈 흡수체에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 스크린 인쇄공정을 통해 그리드 전도막 형태로 제조됨으로써, 대면적 시료 제작이 용이하고 패턴과 두께 조절이 간편한 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
스마트 폰, 태블릿 PC 등 최근의 소형 디지털 전자기기의 진보의 배경에는 고속화, 소형화는 물론, 삼차원 고밀도 구조설계, 고속 인터페이스의 복합화 등, 첨단적인 기술이 포함되어 있다. 디지털 기기의 소형화, 다기능화에 수반하여 인쇄회로기판(PCB), 집적회로(IC)에서의 실장 밀도는 비약적으로 증가하고 있으며, 이에 따라 유닛(unit) 간의 전자기적인 간섭, 결합에 의한 기기 성능의 저하와 각종 기능의 장애 발생의 양태도 더욱 복잡해지고 있다. 이 같은 고도의 전자기술 발전에 따라, 노이즈 대책 부품과 실드(shield), 그라운딩(grounding) 수법과 같은 지금까지의 전자파 장해 대책 방안으로는 충분한 전자파 장해 해결이 이루어지지 못하게 되었다. 일례로 데스크탑 PC에서 방사되는 노이즈는 CPU 근방과 그래픽 IC 상에서 발생하며, 100∼1000 MHz 범위에서 내부간섭을 일으킨다. 회로 유닛(unit) 사이를 연결하는 flat panel cable (FPC)은 RF unit 등의 근접회로에서 결합한 고주파 성분을 방사하는 위험이 있고, 이 불요 전자파가 송수신 안테나에 결합한 경우, 통신의 품질 (수신감도)에 영향을 준다.
이러한 문제의 해결 방안으로 GHz 대역에서 자기손실이 매우 큰 자성 후막 및 자성 박막이 근역장 노이즈 흡수소재로 제안되었다. 고투자율 자성체인 Fe-Si-Al 합금 분말을 압분화하여 고무와 혼합한 복합체는 GHz 대역에서 높은 투자율과 자기손실을 보이며, IC에서 발생하는 방사노이즈, FPC에서의 common mode 전류성분 억제에 효과적으로 사용된다. 보다 박형의 전도노이즈 흡수 소재로 고투자율 특성의 Fe-계, Co-계 자성박막, 산화물계 페라이트 박막 등이 제안되었다. 그러나 이들 자성 후막이나 박막은 GHz 대역에서 90% 이상의 전력흡수율을 보이지만, 1 GHz 이하의 저주파 대역에서 감쇠능이 현저히 떨어지는 문제점이 있다.
이러한 문제의 해결방안으로 전도막의 오옴(ohm) 손실을 이용한 노이즈 흡수체를 구상할 수 있다. 전송선로 주위의 전기장에 대응하여 오옴 손실에 의한 전력흡수율은 전기전도도에 비례한다. 반사계수가 -10 dB를 넘지 않는 전기전도도 조절에 의해 저주파 대역에서도 높은 노이즈 감쇠특성을 구현할 수 있다. 반도체 특성의 ITO 박막, Fe3O4 박막 등이 제안되었고, 1 GHz 이하의 주파수 대역에서 높은 흡수율을 시연하였다.
그러나 이들 재료는 진공증착에 의한 박막공정을 요하기 때문에, 대면적 시료 제작이 어렵고, 생산성이 떨어지는 문제점을 가진다.
1. 대한민국 등록특허 제10-1449286호(2014.10.01) 2. 대한민국 등록특허 제10-1587251호(2016.01.14)
본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 대면적 시료 제작이 용이하고, 패턴과 두께 조절이 간편한 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체 및 그 제조방법를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 1GHz 이하의 저주파 대역에서도 높은 전도 노이즈 흡수율을 얻을 수 있도록 한 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체 및 그 제조방법를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체는,
박형 필름(thin film)과, 그 위에 그리드 형태로 스크린 인쇄된 전도막을 포함하며, 상기 전도막에 사용되는 페이스트는 표면저항 10∼50 Ω/sq 범위의 도전성 카본 페이스트인 것을 특징으로 한다.
상기 카본 페이스트는, 점도 200 Ps, 고형 분 25∼30%, 120 ℃에서 10 분 경화 조건을 갖는 열건조형 폴리에스테르 바인더 수지인 것을 특징으로 한다.
상기 그리드 형태로 스크린 인쇄된 전도막은 그 막의 폭(w)이 0.5∼1.5 mm 범위인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체의 제조방법은,
스크린 마스크 패턴을 제조하는 단계; 도전성 페이스트를 준비하는 단계; 폴리이미드 필름 기판 상에 상기 스크린 마스크 패턴을 배치시키는 단계; 상기 도전성 페이스트를 상기 스크린 마스크 패턴에 인쇄하는 단계; 및 인쇄된 패턴은 열풍 건조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 도전성 페이스트는 표면저항 10∼50 Ω/sq 범위의 도전성 카본 페이스트인 것을 특징으로 한다.
상기 도전성 페이스트는 점도 200 Ps, 고형 분 25∼30%, 120 ℃에서 10 분 경화 조건을 갖는 열건조형 폴리에스테르 바인더 수지인 것을 특징으로 한다.
상기 스크린 마스크 패턴은 폴리우레탄 재질인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 자기 손실이 없음에도 불구하고 높은 전력흡수율을 얻을 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 그리드 전도막 형태로 전자기 노이즈 흡수체를 제조함으로써, 패턴 선폭이 작을수록 카본 페이스트의 소용량이 감소하기 때문에 전체 제조 단가를 크게 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 그리드 전자기 전도막 노이즈 흡수체의 다양한 패턴과 치수를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 스크린 인쇄에 의한 그리드 전도막 제조 공정을 나타낸 블록도이다.
도 3은 본 발명에서 마이크로 스트립 라인을 이용한 전도 노이즈 흡수특성을 측정하기 위한 측정장치를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명에서 폴리이미드 필름 위에 스크린 인쇄한 그리드 전도막의 노이즈 흡수 특성을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다. (a) S11, (b) S21, (c) 전력흡수율이다.
도 5는 본 발명에서 센더스트(Sendust) 자성 시트의 복소투자율 및 복소유전율을 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명에서 그리드 전도막과 센더스트 자성 시트의 전도노이즈 흡수특성을 비교한 그래프이다. (a) S11, (b) S21, (c) 전력흡수율이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 발명에서는 상기에 언급한 문제의 해결방안으로 전도성 페이스트를 스크린 인쇄한 그리드 전도막을 제안하고, 이들 소재의 전도노이즈 흡수특성을 시연하였다. 전도성 페이스트 (전자 잉크)는 유동성 수지에 전도성 분말이 섞여 있는 복합재료로서 기존의 전도성 박막에 비해 대면적 시료 제작이 용이하고, 패턴과 두께 조절이 간편하다는 장점을 가진다. 카본계 페이스트를 가지고 스크린 인쇄공정에 의해 그리드 형태의 전도막을 제작하고, sub-GHz 주파수 대역에 초점을 맞추어 전도노이즈 흡수특성을 분석하였다. 기존의 자성 후막 흡수재의 특성과 비교 검토하여, 제안한 인쇄 전도막 흡수체의 장점을 확인하였다.
도 1은 본 발명에 따른 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체의 다양한 패턴과 치수를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체는 박형 필름(thin film)과, 그 위에 그리드 형태로 스크린 인쇄된 전도막을 포함한다.
상기 전도막에 사용되는 페이스트는 표면저항 10∼50 Ω/sq 범위의 도전성 카본 페이스트를 사용하였다. 페이스트는 점도 200 Ps, 고형 분 25∼30%, 120 ℃에서 10 분 경화 조건을 갖는 열건조형 폴리에스테르 바인더 수지인 것이 바람직하다.
또한, 상기 그리드 형상의 전도막은 그 막의 폭(w)이 0.5∼1.5 mm 범위인 것이 바람직하다.
그리드 형상의 전도막 폭이 0.5 mm 이하일 경우에는 전력흡수율이 감소하여 효율이 떨어지고, 폭이 1.5 mm 이상일 경우에는 전력흡수율의 증가폭이 작아서 경제성이 떨어지는 문제점이 있다.
또한, 본 발명에서 박막형 전도 노이즈 흡수체는 고주파용 회로 기판 상에 부착되어 사용된다.
본 발명에서 고주파용 회로 기판은 마이크로스트립 선로(microstrip line)일 수 있다.
박막형 전도 노이즈 흡수체는 마이크로스트립 선로가 형성된 회로 기판 상에 부착되어 사용된다.
본 발명의 일 실시예에서 박형 필름은 폴리이미드 필름으로 구현될 수 있다. 참고로, 폴리이미드 필름(polyimide film)은 영상 400도 이상의 고온이나 영하 269도의 저온을 견디는 필름으로 얇고 굴곡성이 뛰어난 첨단 고기능성 산업용 소재로서, 내화학성, 내마모성도 강해 열악한 환경에서 안정적인 성능 유지가 필요한 분야에 널리 쓰인다. 초기에는 항공우주 분야 재료로 개발되어 사용됐으나, 현재는 산업용 기기와 연성회로기판(FPCB), 전기 전자부품 등 광범위한 분야에 사용되고 있다. 최근 전세계적으로 정보기술(IT) 기기의 성능이 다양해지고 두께가 얇아지면서 발열 문제를 해결하기 위해 방열 시트용 폴리이미드 필름의 수요가 늘어나고 있는 추세이다.
도 2는 본 발명에 따른 스크린 인쇄에 의한 그리드 전도막 제조 공정을 나타낸 블록도이다.
도 2을 참조하면, 본 발명에 따른 그리드 전도막 제조방법은 다음과 같다.
1. 스크린 마스크 패턴을 제조한다.
프레임에 SUS 200 메쉬 망사를 이용하여 유제막을 입힌 후 마스크 패턴을 제작한다.
2. 도전성 페이스트를 준비한다.
상기 도전성 페이스트는 표면저항 10∼50 Ω/sq 범위의 도전성 카본 페이스트를 사용하였다. 페이스트는 점도 200 Ps, 고형 분 25∼30%, 120 ℃에서 10 분 경화 조건을 갖는 열건조형 폴리에스테르 바인더 수지인 것이 바람직하다.
3. 폴리이미드 필름 기판 상에 상기 스크린 마스크 패턴을 배치시킨다.
상기 스크린 마스크 패턴은 폴리우레탄 재질을 사용하여 스퀴즈로 제작할 수 있다.
4. 상기 도전성 페이스트를 상기 스크린 마스크 패턴에 인쇄한다.
그리드 전도막 인쇄는 반자동 스크린 프린트를 이용하여 소정의 두께로 인쇄할 수 있다.
5. 인쇄된 패턴은 열풍 건조한다.
<실시예>
본 발명의 전도성 노이즈 흡수체는 도 1과 같은 그리드 형태의 전도막이다. 주기는 5 mm로 동일하게 하고, 도체의 폭을 w = 0.5∼1.5 mm 범위에서 변화시켰다. 그리드 형상의 전도막을 스크린 인쇄 방법을 이용하여 도 2의 순서로 제조하였다. 우선, 패턴을 스크린 인쇄하기 위하여 750 mm × 750 mm 프레임에 SUS 200 메쉬 망사를 이용하여 유제막 30μm를 입힌 후 마스크 패턴을 제작하였다. 인쇄 페이스트는 설계치에 맞는 표면저항 10∼50 Ω/sq 범위의 도전성 카본 페이스트를 사용하였다. 페이스트는 점도 200 Ps, 고형 분 25∼30%, 120 ℃에서 10 분 경화 조건을 갖는 열건조형 폴리에스테르 바인더 수지를 사용하였다. 그리드 전도막 인쇄는 반자동 스크린 프린트를 이용하여 두께 0.05 mm, 넓이 300 mm × 300 mm 폴리이미드 필름 기판 위에 폴리우레탄 재질의 스퀴즈로 제작된 마스크 패턴을 약 20 μm 두께로 인쇄하였다. 인쇄된 패턴은 열풍 건조하였다. Height gage를 이용하여 인쇄된 도체 막의 두께를 측정하고, 4단자법을 이용하여 면저항을 측정하였다.
상기 실시예에 따라 제조된 전도 노이즈 흡수체의 흡수율을 측정하는 방안으로 제작된 특성임피던스 50 Ω의 마이크로스트립 라인을 사용하였다(도 3 참조). 측정 시편의 크기를 5 cm x 5 cm로 하고, 이를 마이크로스트립 라인의 중앙에 부착한 다음, 회로망 분석기를 이용하여 반사계수 (S11) 및 투과계수 (S21)를 측정하였다. 노이즈 흡수체 의 전력흡수율 (Power Absorption : PA)은 식 (1)을 이용하여 계산하였다.
PA = 1 - (S11 2 + S21 2) -------------- (1)
본 발명에서 사용된 전도성 페이스트는 구상의 카본 블랙을 주원료로 사용했다. 이 페이스트를 기판 위에 인쇄했을 때 최종 저항이 R = 70 Ω에 근접하도록 전도막의 면저항을 RS = 14∼40 Ω/sq 범위에서 조절하였다. 전도막의 두께 (21∼26 μm)가 거의 일정한 상태에서 비저항이 3,64×10-4 ∼ 8.40×10-4 Ωm 범위에 있는 카본 블랙 페이스트를 사용하여 면저항을 조절하였다. 그리드 전도막의 회로저항(R)과 면저항(Rs) 사이의 관계식은 R = Rs(S/A) (여기에서 S: 전체 면적, A: 도체 면적)으로 주어진다. 표 1은 그리드 전도막의 폭에 따른 면저항, 회로저항을 보여준다.
카본블랙 전도성 그리드 필름의 폭에 따른 비저항, 면저항, 회로저항
Width
(mm)		 Thichness
(μm)		 Resistivity
(Ωm)		 Surface resistance
(Ω/sq)		 Resistance
(Ω)
0.5 26 3,64×10-4 14 70
1.0 25 7.25×10-4 29 72
1.5 21 8.40×10-4 40 60
도 4는 그리드 전도막의 폭의 변화에 따른 S11, S21, 전력흡수율을 보여준다. S11은 전도막을 부착하지 않았을 때는 평균 35 dB의 낮은 수치로부터 부착 후 평균 10 dB의 수준으로 증가하였다 (도 4(a)). 인쇄 그리드의 폭(w)이 증가할수록 S11은 증가하는 경향을 보인다. 반면 S21은 전도막을 부착하지 않았을 때 거의 0에 가까운 수치로부터 부착 후 현저히 감소하고, 주파수 증가에 따라 그 감소율이 증가함을 볼 수 있다 (도 4(b)). 특히 인쇄 그리드의 폭이 넓을수록 S21의 감소기울기가 크다.
따라서 전력흡수율 (PA)은 주파수 증가에 따라 증가하고, 1,5 GHz 이상에서 거의 100%에 수렴한다 (그림 5(c)). 0.05∼1.5 GHz 구간에서 전력흡수율은 전도막 그리드의 폭 (w)의 증가에 따라 증가함을 볼 수 있다. 0.5 GHz에서 전력흡수율을 비교해 보면, w = 0.5∼1.0 mm의 경우 PA = 70%인 반면, w = 1.5 mm인 경우 PA = 85% 수준으로 증가한다. w = 1.5 mm인 경우 전면을 코팅한 시편의 흡수율과 동일하였다. 일부를 코팅하는 그리드 패턴의 전도막으로도 전면 코팅 필름과 동일한 효과를 얻을 수 있음을 보여준다. 패턴 선폭이 작을수록 카본 페이스트의 소요량이 감소함으로, 제작 코스트 관점에서 전면 코팅에 비해 패터닝의 장점이 크다, 전도성 그리드의 폭이 증가할 때, S11의 증가보다는 오옴 손실에 의한 S21의 감소 효과가 더 크기 때문에 전력흡수율은 증가한다.
기존에 발표된 ITO 박막, Fe3O4 박막의 전력흡수율은 0.5 GHz에서 약 30∼40% 수준이다. 이에 비해 카본 페이스트 전도막의 흡수율은 85% 수준으로 월등히 향상되었음을 볼 수 있다.
전도성 그리드의 전도노이즈 흡수특성을 기존의 자성 손실재인 센더스트 시트(Sendust sheet)와 비교하였다. 센더스트는 편상의 Fe-Si-Al 입자를 고무와 혼합하여 압연한 복합재로서 전기저항은 매우 높아 오옴 손실은 무시할 수 있으나, 자기손실이 커 전도노이즈 흡수체로 널리 상용되는 재료이다. 본 발명의 실험에서는 두께 0.5 mm의 복합재 시편을 사용하였다. 도 5는 센더스트 시트(Sendust sheet)의 복소투자율(μr = μr'-jμr") 및 복소유전율(εr = εr'-jεr")의 주파수 분산 특성이다. 복소투자율의 경우에는, 0.5∼6 GHz 대역에 걸쳐 μr" 3∼15 정도의 높은 자기손실 특성을 보인다. 또한 εr' = 150, εr" = 15 정도의 높은 유전상수와 유전손실을 보이고 있다.
도 6은 센더스트 시트와 그리드 전도막 (w = 1.5 mm)의 S11, S21, 전력흡수율을 비교한 것이다. S11은 평균 -10 dB로 큰 차이를 보이지 않는다. 반면 S21은 주파수에 따라 큰 차이를 보인다. 1.25 GHz를 기준으로 저주파 대역에서는 전도막 그리드의 S21이 더 작고 (감쇄율이 큼), 고주파 대역에서는 센더스트 시트(Sendust sheet)의 S21이 더 작음을 볼 수 있다. 이는 저주파 대역에서 전도막 그리드의 오옴손실에 의한 전파 감쇄효과가 더 크다는 것을 의미한다. 따라서 도 6(c)에서와 같이, 1 GHz 이하의 주파수 대역에서 전도막 그리드의 전력흡수율이 더 큰 값을 보인다. 0.5 GHz에서의 흡수율을 비교해보면 센더스트 시트(Sendust sheet)일 때 PA = 60%이나, 전도막 그리드의 PA = 85%로 증가한다.
저주파 대역에서 우수한 노이즈 흡수특성을 보이는 도전손실 재료로 카본 계 전도성 페이스트를 선정하고, 스크린 인쇄공정에 의해 폭 = 0.5∼1.5 mm의 그리드 전도막을 제작하였다. 마이크로스트립 선로를 이용하여 그리드 전도막의 노이즈 흡수특성을 분석한 결과, 0.5 GHz에서 85%의 전력흡수율을 얻었다. 이와 같이 자기손실이 없음에도 불구하고 높은 전력흡수율을 보이는 것은 그리드 전도막의 오옴 손실에 기인한다. 그리드 전도막과 자성 센더스트 시트(Sendust sheet)의 측정치 그래프를 비교하였을 때 1 GHz 이하의 저주파에서 그리드 전도막이 자성 시트(sheet) 보다 전력 흡수율이 좋게 나오는 것을 볼 수 있었다. 0.5 GHz에서의 흡수율을 비교해보면 센더스트 시트(Sendust sheet)일 때 흡수율 = 60%이나, 전도막 그리드의 흡수율은 85%로 증가한다.
이상 본 발명을 몇 가지 바람직한 실시예를 사용하여 설명하였으나, 이들 실시예는 예시적인 것이며 한정적인 것이 아니다. 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 지닌 자라면 본 발명의 사상과 첨부된 특허청구범위에 제시된 권리범위에서 벗어나지 않으면서 다양한 변화와 수정을 가할 수 있음을 이해할 것이다.

Claims (7)

  1. 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체로서,
    박형 필름(thin film)과, 그 위에 그리드 형태로 스크린 인쇄된 전도막을 포함하며,
    상기 전도막에 사용되는 페이스트는 표면저항 10∼50 Ω/sq 범위의 도전성 카본 페이스트인 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 카본 페이스트는, 점도 200 Ps, 고형 분 25∼30%, 120 ℃에서 10 분 경화 조건을 갖는 열건조형 폴리에스테르 바인더 수지인 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 그리드 형태로 스크린 인쇄된 전도막은 그 막의 폭(w)이 0.5∼1.5 mm 범위인 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체.
  4. 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체의 제조방법으로서,
    스크린 마스크 패턴을 제조하는 단계;
    도전성 페이스트를 준비하는 단계;
    폴리이미드 필름 기판 상에 상기 스크린 마스크 패턴을 배치시키는 단계;
    상기 도전성 페이스트를 상기 스크린 마스크 패턴에 인쇄하는 단계; 및
    인쇄된 패턴은 열풍 건조하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 도전성 페이스트는 표면저항 10∼50 Ω/sq 범위의 도전성 카본 페이스트인 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 도전성 페이스트는 점도 200 Ps, 고형 분 25∼30%, 120 ℃에서 10 분 경화 조건을 갖는 열건조형 폴리에스테르 바인더 수지인 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체의 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 스크린 마스크 패턴은 폴리우레탄 재질인 것을 특징으로 하는 스크린 인쇄공정으로 제조된 그리드 전도막 전자기 노이즈 흡수체의 제조방법.

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