TWM580811U - Dual antenna system - Google Patents

Abstract

本案提供一種雙天線系統，包含介質基板、第一金屬段、第二金屬段、接地面、第一天線單元、第二天線單元、第一切換單元及第二切換單元。第一金屬段位於介質基板之第一側邊與第二側邊之間。第二金屬段垂直連接第一金屬段。接地面連接第二金屬段。第一天線單元位於第一金屬段與第一側邊之間，第一天線單元之一端連接第二金屬段。第二天線單元位於第一金屬段與第二側邊之間，第二天線單元之一端連接第二金屬段。第一切換單元及第二切換單元分別連接第一天線單元及第二天線單元，以產生雙天線系統的不同輻射場型。

Description

雙天線系統

本案是關於一種雙天線系統。

應用在筆記型電腦、平板電腦或是手機等行動裝置，多為內藏式天線，並且在裝置內部空間中，皆需要預留特定的天線空間。然而，隨著行動裝置的輕、薄及易方便攜帶等特性需求，同時為講求產品在工業設計上的美觀與質感，其外觀設計經常會使用金屬或具導電能力之材質，常因空間或者是淨空區不足而導致天線的輻射特性明顯下降，足夠之淨空區又造成裝置的厚度增加，天線設計將隨著前述需求而面臨嚴苛環境的挑戰。

本案提供一種雙天線系統包含介質基板、第一金屬段、第二金屬段、接地面、第一天線單元、第二天線單元、第一切換單元及第二切換單元。介質基板包含相對之一第一側邊及一第二側邊。第一金屬段位於介質基板之第一側邊與第二側邊之間。第二金屬段位於介質基板，第二金屬段垂直連接第一金屬段。接地面連接第二金屬段。第一天線單元位於介質基板，且位於第一金屬段與第一側邊之間，第一天線單元之其中一端連接第二金屬段。第二天線單元位於介質基板，且位於第一金屬段與第二側邊之間，第二天線單元之其中一端連接第二金屬段。第一切換單元連接第一天線單元。第二切換單元連接第二天線單元。其中，當第一切換單元電性連接第一天線單元且第二切換單元未電性連接第二天線單元時，雙天線系統產生一第一輻射場型；當第一切換單元未電性連接第一天線單元且第二切換單元電性連接第二天線單元時，雙天線系統產生一第二輻射場型；當第一切換單元電性連接第一天線單元且第二切換單元電性連接第二天線單元時，雙天線系統產生一第三輻射場型。

請參照圖1，圖1係為根據本案之雙天線系統之第一實施例之示意圖，雙天線系統1包含介質基板11、兩金屬段（為方便描述，以下分別稱為第一金屬段12及第二金屬段13）、接地面14及兩天線單元（以下分別稱為第一天線單元15及第二天線單元16）。接著請合併參照圖2，圖2係為根據本案之雙天線系統之一實施態樣之功能示意圖。雙天線系統1更包含兩切換單元（以下分別稱為第一切換單元17及第二切換單元18）。其中，圖2僅係用以示意，圖2並未繪製出介質基板11、金屬段12、13及接地面14。

介質基板11包含相對之兩側邊（以下分別稱為第一側邊111及第二側邊112），第一側邊111及第二側邊112之間係互為平行。第一金屬段12與第二金屬段13位於介質基板11。第一金屬段12平行於第一側邊111及第二側邊112。第二金屬段13連接第一金屬段12及接地面14，且第二金屬段13垂直於第一金屬段12，第二金屬段13與第一金屬段12之間係呈現一倒「T」字型。

第一金屬段12與第二金屬段13係用以形成第一天線單元15及第二天線單元16之隔離與反射結構。詳細而言，第一天線單元15及第二天線單元16分別位於第一金屬段12之兩側。第一天線單元15係位於第一金屬段12與介質基板11之第一側邊111之間，也就是第一天線單元15位於第一金屬段12鄰近於第一側邊111之一側，且第一天線單元15之其中一端連接第二金屬段13；第二天線單元16位於第一金屬段12與介質基板11之第二側邊112之間，也就是第二天線單元16係位於第一金屬段12鄰近於第二側邊112之一側（即，第二天線單元16係位於第一金屬段12遠離於第一側邊111之一側），且第二天線單元16之其中一端連接第二金屬段13。

第一天線單元15及第二天線單元16分別接收一饋入訊號，第一天線單元15及第二天線單元16能單獨運作或能同時運作。當射頻訊號饋入第一天線單元15且射頻訊號未饋入第二天線單元16時，第一天線單元15單獨運作，雙天線系統1藉由第一天線單元15收發射頻訊號；當射頻訊號饋入第二天線單元16且射頻訊號未饋入第一天線單元15時，第二天線單元16單獨運作，雙天線系統1藉由第二天線單元16收發射頻訊號；當射頻訊號同時饋入第一天線單元15及第二天線單元16時，第一天線單元15及第二天線單元16同時運作，雙天線系統1藉由第一天線單元15及第二天線單元16收發射頻訊號。

如圖2所示，第一切換單元17及第二切換單元18係分別連接第一天線單元15及第二天線單元16。第一切換單元17及第二切換單元18可分別為導通或不導通。根據導通或不導通之第一切換單元17及第二切換單元18，形成不同的三種導通組合。三種導通組合分別為第一導通狀態、第二導通狀態以及第三導通狀態，詳細而言，第一導通狀態為第一切換單元17導通但第二切換單元18不導通；第二導通狀態為第一切換單元17不導通但第二切換單元18導通；第三導通狀態為第一切換單元17及第二切換單元18均導通。

請同時參考圖1及圖2，當射頻訊號饋入雙天線系統1時，根據第一切換單元17及第二切換單元18的三種導通組合，雙天線系統1能產生三種不同的輻射場型。當第一切換單元17及第二切換單元18處於第一導通狀態時，第一切換單元17電性連接第一天線單元15且第二切換單元18不電性連接第二天線單元16，第一天線單元15受激發而產生能量輻射，第一金屬段12與第二金屬段13共同形成之隔離與反射結構，反射第一天線單元15產生的能量輻射，使第一天線單元15產生的能量輻射集中於朝向介質基板11之第一側邊111之方向，也就是第一天線單元15產生朝向介質基板11之第一側邊111之方向（以下稱為第一方向）之輻射場型。

同樣地，當第一切換單元17及第二切換單元18處於第二導通狀態時，第二切換單元18電性連接第二天線單元16且第一切換單元17不電性連接第一天線單元15，第二天線單元16受激發而產生能量輻射，第一金屬段12與第二金屬段13共同形成之隔離與反射結構反射第二天線單元16產生的能量輻射，使第二天線單元16產生的能量集中於朝向介質基板11之第二側邊112之方向，也就是第二天線單元16產生朝向介質基板11之第二側邊112之方向（以下稱為第二方向）之輻射場型。

同樣地，當第一切換單元17及第二切換單元18處於第三導通狀態時，第一切換單元17電性連接第一天線單元15且第二切換單元18電性連接第二天線單元16，第一天線單元15及第二天線單元16受激發而產生能量，也就是當第一切換單元17及第二切換單元18皆被導通時，第一天線單元15及第二天線單元16同時受激發所產生之能量會以陣列天線之型式合成輻射場型，此合成輻射場型之方向位於前述之第一方向與第二方向之間。

請參照圖6，圖6分別示例出第一導通狀態、第二導通狀態及第三導通狀態個別對應的輻射場型61、62、63。輻射場型61係對應於第一切換單元17電性連接第一天線單元15且第二切換單元18不電性連接第二天線單元16；輻射場型62係對應於第二切換單元18電性連接第二天線單元16且第一切換單元17不電性連接第一天線單元15；輻射場型63係對應於第一切換單元17電性連接第一天線單元15且第二切換單元18電性連接第二天線單元16。

於是，雙天線系統1能提供不同的輻射場型切換，有效提升無線訊號之涵蓋率而提升通訊品質；再者，藉由第一金屬段12及第二金屬段13形成之隔離與反射結構，大幅提升第一天線單元15與第二天線單元16之間之訊號隔離度而降低兩天線單元15、16之間所需之淨空距離，如此能縮減雙天線系統之尺寸，雙天線系統1能應用在現今具輕、薄及窄邊框需求之電子裝置並兼具通訊品質。

在一實施例中，雙天線系統1支援雙頻之操作，雙天線系統1具有位於2.4 GHz至2.5 GHz之間之低頻操作頻率以及位於5.15 GHz至5.85 GHz之間之高頻操作頻率。再者，第一金屬段12、第二金屬段13、第一天線單元15及第二天線單元16係為介質基板11上之走線（trace），且第一金屬段12、第二金屬段13、第一天線單元15及第二天線單元16可以導電性材料（銀、銅、鋁、鐵或是其合金）製成。

請合併參照圖3A、圖3B及圖4，圖3A、圖3B係為根據本案之雙天線系統之第二實施例之示意圖，圖4係為圖3B之雙天線系統之一俯視示意圖。雙天線系統1更包含一金屬導電面19，介質基板11具有立體之結構，且介質基板11與金屬導電面19係分別位在不同平面。詳細而言，介質基板11包含第一表面113及第二表面114。第一表面113連接金屬導電面19，且第一表面113與金屬導電面19係位在不同平面，第一表面113係垂直連接於金屬導電面19。再者，第二表面114連接第一表面113，且第二表面114與第一表面113位在不同平面，第二表面114係垂直連接於第一表面113，且第二表面114係平行於金屬導電面19且第二表面114與金屬導電面19係位在不同平面。

根據具第一表面113及第二表面114之介質基板11，如圖4所示，第一金屬段12、第二金屬段13、第一天線單元15及第二天線單元16係位於介質基板11之第二表面114，第一金屬段12、第二金屬段13、第一天線單元15及第二天線單元16與金屬導電面19位在不同之平面；如圖3A及圖3B所示，接地面14係位於介質基板11之第一表面113而垂直連接金屬導電面19與第二金屬段13。進一步，金屬導電面19具有一缺口191，缺口191係對應第一天線單元15及第二天線單元16於介質基板11之位置而開設在金屬導電面19之邊緣，至少一部分之第一天線單元15及至少一部分之第二天線單元16於金屬導電面19的垂直投影與缺口191重疊。基此，缺口191係作為雙天線系統1之天線窗（window），也就是開設有缺口191之金屬導電面19能使第一天線單元15及第二天線單元16正常地收發射頻訊號。在一實施例中，金屬導電面19可為應用雙天線系統1之電子裝置的金屬機殼接地部或電子裝置的塑膠機殼內部的金屬濺鍍部，但不限於此。再者，在第二實施例中，接地面14可為金屬導電面19之一部分，也就是接地面14係為金屬導電面19之延伸而連接第二金屬段13。

在一實施例中，第一切換單元17及第二切換單元18係設置在介質基板11之第一表面113而分別連接第一天線單元15及第二天線單元16。再者，如圖2所示，雙天線系統1更可包含一功率分配器（power divider）20連接第一切換單元17及第二切換單元18。功率分配器20亦可設置在介質基板11之第一表面113。基此，切換單元17、18及功率分配器20能與介質基板11之整體以及雙天線系統1之其他構件例如兩天線單元15、16及兩金屬段12、13整合為單一模組，如此能進一步節省雙天線系統1在電子裝置中所佔據之空間，且有助於雙天線系統1之模組化生產。

在一實施例中，請合併參照圖1、圖4及圖5，第一天線單元15包含輻射部、饋入部及接地部（以下分別稱為第一輻射部151、第一饋入部152及第一接地部153）。第一接地部153之兩端分別連接第一饋入部152及第二金屬段13。第一接地部153係藉由第二金屬段13連接接地面14而提供訊號接地。第一饋入部152連接第一輻射部151而將第一輻射部151區分為第一輻射段1511及第二輻射段1512。第一輻射段1511位於介質基板11之第一側邊111與第一金屬段12之間，且第一輻射段1511包含鄰近於第二金屬段13之第一端15111及遠離於第二金屬段13之第二端15112。第二輻射段1512連接於第一輻射段1511之第一端15111，第二輻射段1512自第一輻射段1511朝第一金屬段12之方向延伸，第二輻射段1512與第一輻射段1511之第二端15112之間具有一間距G1（以下稱為第一間距G1）。

詳細而言，第一輻射段1511包含支路1511a、1511b、1511c。第一輻射段1511之第一支路1511a沿著介質基板11之第一側邊111延伸且平行於第一側邊111。第一輻射段1511之第三支路1511c及第二支路1511b則分別垂直連接第一支路1511a，且第二支路1511b與第三支路1511c之間具有第一間距G1。第二輻射段1512係連接第一輻射段1511之第二支路1511b，朝第一金屬段12之方向延伸，且第二輻射段1512與第一輻射段1511之第三支路1511c之間亦具有第一間距G1。基此，當射頻訊號自第一饋入部152饋入第一天線單元15時，第一輻射段1511受激發而產生低頻頻段之共振，第二輻射段1512受激發而產生高頻頻段之共振。

再者，第二天線單元16包含輻射部、饋入部及接地部（以下分別稱為第二輻射部161、第二饋入部162及第二接地部163）。第二接地部163之兩端分別連接第二饋入部162及第二金屬段13。第二接地部163係藉由第二金屬段13連接接地面14而提供訊號接地。第二饋入部162連接第二輻射部161而將第二輻射部161區分為第三輻射段1611及第四輻射段1612。第三輻射段1611在介質基板11之第二側邊112與第一金屬段12之間，且第三輻射段1611包含鄰近於第二金屬段13之第一端16111及遠離於第二金屬段13之第二端16112。第四輻射段1612連接於第三輻射段1611之第一端16111，第四輻射段1612自第三輻射段1611之第一端16111朝第一金屬段12之方向延伸，第四輻射段1612與第三輻射段1611之第二端16112之間具有一間距G2（以下稱為第二間距G2）。

詳細而言，第三輻射段1611包含支路1611a、1611b、1611c。第三輻射段1611之第四支路1611a沿著介質基板11之第二側邊112延伸且平行於第二側邊112。第三輻射段1611之第六支路1611c及第五支路1611b則分別垂直連接第四支路1611a，且第六支路1611c與第五支路1611b之間具有第二間距G2。第四輻射段1612係連接第三輻射段1611之第五支路1611b朝第一金屬段12之方向延伸，且第四輻射段1612與第三輻射段1611之第六支路1611c之間亦具有第二間距G2。基此，當射頻訊號自第二饋入部162饋入第二天線單元16時，第三輻射段1611受激發而產生低頻頻段之共振，第四輻射段1612受激發而產生高頻頻段之共振。

在一實施例中，如圖1與圖4所示，第一天線單元15之第一饋入部152係自第一輻射部151朝第二金屬段13之方向延伸並朝遠離第一金屬段12之方向彎折。第一饋入部152呈現一倒「L」字型。

再者，第一天線單元15之第一接地部153包含相互連接之接地段1531-1534。第一接地段1531連接第一饋入部152，且第一接地段1531平行於第一輻射部151之第二支路1511b而與第一輻射部151之間具有一間距G7。第三接地段1532連接第一接地段1531，第三接地段1532係平行於介質基板11的第一側邊111。第四接地段1533連接第三接地段1532，且第四接地段1533自第三接地段1532朝第一饋入部152的方向延伸而平行於第一接地段1531。第五接地段1534連接第四接地段1533，第五接地段1534自第四接地段1533朝第二金屬段13之方向延伸而連接第二金屬段13。基此，接地段1531-1534之間形成複數彎折，具複數彎折之第一接地部153使第一天線單元15具有較小之尺寸。在一實施例中，間距G7可為0.1 mm 至1 mm。

另一方面，第二天線單元16之第二饋入部162係自第二輻射部161朝第二金屬段13之方向延伸並朝遠離第一金屬段12之方向彎折。第二饋入部162呈現一「L」字型。

再者，第二天線單元16之第二接地部163包含相互連接之接地段1631-1634。第二接地段1631連接第二饋入部162，且第二接地段1631平行於第二輻射部161之第五支路1611b而與第二輻射部161之間具有一間距G8。第六接地段1632連接第二接地段1631，第六接地段1632係平行於介質基板11的第二側邊112。第七接地段1633連接第六接地段1632，且第七接地段1633自第六接地段1632朝第二饋入部162的方向延伸而平行於第二接地段1631。第八接地段1634連接第七接地段1633，第八接地段1634自第七接地段1633朝第二金屬段13之方向延伸而連接第二金屬段13。基此，接地段1631-1634之間形成複數彎折，具複數彎折之第二接地部163使第二天線單元16具有較小之尺寸。在一實施例中，間距G8與間距G7相等而可為0.1mm至1mm。

於是，基於前述之第一天線單元15與第二天線單元16，如圖1及圖4所示，第一天線單元15與第二天線單元16之間係相對於第一金屬段12具有鏡射對稱性。具有鏡射對稱性之第一天線單元15與第二天線單元16有助於雙天線系統1之設計。

在一實施例中，如圖3B所示，雙天線系統1具有一長度方向D1及一寬度方向D2，介質基板11之第二表面114於長度方向D1上之長度係為25mm至40mm，且介質基板11之第二表面114於寬度方向D2上之寬度係為4mm至10 mm，第一天線單元15及第二天線單元16係分別佔據介質基板11之第二表面114約1/3面積。再者，如圖3A所示例之雙天線系統1更具有一高度方向D3，介質基板11之第一表面113於高度方向上之高度係為0.1mm至6 mm。進一步，如圖5所示例之雙天線系統1中，金屬導電面19之缺口191於長度方向D1上之長度L1以及於寬度方向D2上之寬度W1係分別為25mm至55mm及4mm至10 mm，且缺口191之相對兩邊緣分別與介質基板11之第二表面114於缺口191之垂直投影之間的間距G5、G6均為0mm至10mm，也就是第一天線單元15之第一支路1511a於缺口191之垂直投影以及第二天線單元16之第四支路1611a於缺口191之垂直投影分別與缺口191之相對兩邊緣之間的距離約為0mm至10mm。

再者，請參照圖4、圖5，第一天線單元15與第一金屬段12之間具有一間距G3（以下稱為第三間距G3），第二天線單元16與第一金屬段12之間具有一間距G4（以下稱為第四間距G4）。其中，圖5係以第一輻射段1511之第三支路1511c鄰近於第一金屬段12之一端以及第二輻射段1512鄰近於第一金屬段12之一端分別與第一金屬段12之間具有相等之間距表示第一天線單元15與第一金屬段12之間之第三間距G3為例，且以第三輻射段1611之第六支路1611c鄰近於第一金屬段12之一端以及第四輻射段1612鄰近於第一金屬段12之一端分別與第一金屬段12之間具有相等之間距表示第二天線單元16與第一金屬段12之間之第四間距G4為例，然本案不限於此）。第三間距G3與第四間距G4能避免第一天線單元15與第二天線單元16之間相互干擾。在一實施例中，第一金屬段12於長度方向上D1之寬度W2係位在2 mm至3 mm之間，且第三間距G3與第四間距G4可為前述高頻操作頻率之0.08至0.25倍波長距離。

綜上所述，根據本案之雙天線系統之一實施例，雙天線系統包含一隔離與反射結構，隔離與反射結構提升兩天線單元之間之訊號隔離度而降低兩天線單元之間所需之淨空距離，進而減縮雙天線系統之整體尺寸；並且，隔離與反射結構分別反射兩天線單元產生之輻射能量再搭配切換單元，使兩天線單元可分別產生不同方向之輻射場型，或將雙天線系統以陣列天線之形式將天線場型合成集中於同一方向，以提升通訊品質，使雙天線系能應用在現今具輕、薄及窄邊框需求之電子裝置並兼具通訊品質。

雖然本案已以實施例揭露如上然其並非用以限定本案，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本案之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本案之保護範圍當視後附之專利申請範圍所界定者為準。

1‧‧‧雙天線系統 11‧‧‧介質基板 111‧‧‧第一側邊 112‧‧‧第二側邊 113‧‧‧第一表面 114‧‧‧第二表面 12‧‧‧第一金屬段 13‧‧‧第二金屬段 14‧‧‧接地面 15‧‧‧第一天線單元 151‧‧‧第一輻射部 1511‧‧‧第一輻射段 1511a‧‧‧第一支路 1511b‧‧‧第二支路 1511c‧‧‧第三支路 15111‧‧‧第一輻射段之第一端 15112‧‧‧第一輻射段之第二端 1512‧‧‧第二輻射段 152‧‧‧第一饋入部 153‧‧‧第一接地部 1531‧‧‧第一接地段 1532‧‧‧第三接地段 1533‧‧‧第四接地段 1534‧‧‧第五接地段 16‧‧‧第二天線單元 161‧‧‧第二輻射部 1611‧‧‧第三輻射段 16111‧‧‧第三輻射段之第一端 16112‧‧‧第三輻射段之第二端 1611a‧‧‧第四支路 1611b‧‧‧第五支路 1611c‧‧‧第六支路 1612‧‧‧第四輻射段 162‧‧‧第二饋入部 163‧‧‧第二接地部 1631‧‧‧第二接地段 1632‧‧‧第六接地段 1633‧‧‧第七接地段 1634‧‧‧第八接地段 17‧‧‧第一切換單元 18‧‧‧第二切換單元 19‧‧‧金屬導電面 191‧‧‧缺口 20‧‧‧功率分配器 61-63‧‧‧輻射場型 L1‧‧‧長度 W1‧‧‧寬度 W2‧‧‧寬度 D1‧‧‧長度方向 D2‧‧‧寬度方向 D3‧‧‧高度方向 G1-G8‧‧‧間距

[圖1] 為根據本案之雙天線系統之第一實施例之示意圖。 [圖2] 為根據本案之雙天線系統之一實施態樣之功能示意圖。 [圖3A] 為根據本案之雙天線系統之第二實施例之介質基板之不同表面之示意圖。 [圖3B] 為根據本案之雙天線系統之第二實施例之示意圖。 [圖4] 為圖3B之雙天線系統之一俯視示意圖。 [圖5] 為圖3B之雙天線系統之一實施態樣之俯視示意圖。 [圖6] 為根據本案之雙天線系統之一實施例所產生之輻射場形圖。

Claims (10)

1. 一種雙天線系統，該雙天線系統包含： 一介質基板，包含相對之一第一側邊及一第二側邊； 一第一金屬段，位於該介質基板之該第一側邊與該第二側邊之間； 一第二金屬段，位於該介質基板，該第二金屬段垂直連接該第一金屬段； 一接地面，連接該第二金屬段； 一第一天線單元，位於該介質基板，且位於該第一金屬段與該第一側邊之間，該第一天線單元之其中一端連接該第二金屬段； 一第二天線單元，位於該介質基板，且位於該第一金屬段與該第二側邊之間，該第二天線單元之其中一端連接該第二金屬段； 一第一切換單元，連接該第一天線單元；及 一第二切換單元，連接該第二天線單元； 其中，當該第一切換單元電性連接該第一天線單元且該第二切換單元未電性連接該第二天線單元時，該雙天線系統產生一第一輻射場型；當該第一切換單元未電性連接該第一天線單元且該第二切換單元電性連接該第二天線單元時，該雙天線系統產生一第二輻射場型；當該第一切換單元電性連接該第一天線單元且該第二切換單元電性連接該第二天線單元時，該雙天線系統產生一第三輻射場型。
2. 如請求項1所述之雙天線系統，更包含一金屬導電面，該金屬導電面包含一缺口，其中該介質基板包含： 一第一表面，垂直連接該金屬導電面，該接地面設置於該第一表面；及 一第二表面，垂直連接該第一表面，該第一天線單元、該第二天線單元、該第一金屬段及該第二金屬段皆設置於該第二表面； 其中，至少一部分之該第一天線單元於該金屬導電面之垂直投影以及至少一部分之該第二天線單元於該金屬導電面之垂直投影係重疊於該缺口，且至少一部份之該第一金屬段於該金屬導電面之垂直投影係重疊於該缺口。
3. 如請求項2所述之雙天線系統，其中該第一表面更設置該第一切換單元及該第二切換單元。
4. 如請求項3所述之雙天線系統，其中該雙天線系統具有一長度方向及一寬度方向，該介質基板之該第二表面於該長度方向上的長度為25 mm至40mm，且該介質基板之該第二表面於該寬度方向上的寬度為4mm至10 mm。
5. 如請求項4所述之雙天線系統，其中該第一天線單元及該第二天線單元係分別佔據該介質基板之第二表面約1/3面積。
6. 如請求項1所述之雙天線系統，其中該第一天線單元包含： 一第一輻射部，包含： 一第一輻射段，在該第一側邊與該第一金屬段之間且包含鄰近於該第二金屬段之一第一端及遠離於該第二金屬段之一第二端；及 一第二輻射段，連接於該第一輻射段之該第一端，該第二輻射段自該第一輻射段朝該第一金屬段之方向延伸，該第二輻射段與該第一輻射段之該第二端之間具有一第一間距； 一第一饋入部，連接於該第一輻射部而將該第一輻射部區分為該第一輻射段及該第二輻射段，該第一饋入部自該第一輻射段與該第二輻射段之間之連接處朝該第二金屬段之方向延伸；及 一第一接地部，該第一接地部之兩端分別連接該第一饋入部及該第二金屬段。
7. 如請求項6所述之雙天線系統，其中該第二天線單元包含： 一第二輻射部，包含： 一第三輻射段，在該第二側邊與該第一金屬段之間，且包含鄰近於該第二金屬段之一第一端及遠離於該第二金屬段之一第二端；及 一第四輻射段，連接於該第三輻射段之該第一端，該第四輻射段自該第三輻射段朝該第一金屬段之方向延伸，該第四輻射段與該第三輻射段之該第二端之間具有一第二間距； 一第二饋入部，連接於該第二輻射部而將該第二輻射部區分為該第三輻射段及該第四輻射段，該第二饋入部自該第三輻射段與該第四輻射段之間之連接處朝該第二金屬段之方向延伸；及 一第二接地部，該第二接地部之兩端分別連接該第二饋入部及該第二金屬段。
8. 如請求項7所述之雙天線系統，其中該第一輻射段包含： 一第一支路，沿著該第一側邊延伸； 一第二支路，垂直連接該第一支路，該第二支路自該第一支路朝向該第一金屬段之方向延伸而連接該第二輻射段；及 一第三支路，垂直連接該第一支路，該第三支路自該第一支路朝向該第一金屬段之方向延伸且該第三支路與該第二輻射段之間具有該第一間距； 其中，該第三輻射段包含： 一第四支路，沿著該第二側邊延伸； 一第五支路，垂直連接該第四支路，該第五支路自該第四支路朝向該第一金屬段之方向延伸而連接該第四輻射段；及 一第六支路，垂直連接該第四支路，該第六支路自該第四支路朝向該第一金屬段之方向延伸且該第六支路與該第四輻射段之間具有該第二間距。
9. 如請求項8所述之雙天線系統，其中該第一接地部包含連接該第一饋入部之一第一接地段，該第一接地段平行於該第二支路；其中該第二接地部包含連接該第二饋入部之一第二接地段，該第二接地段平行於該第五支路。
10. 如請求項7所述之雙天線系統，其中該第一天線單元及該第二天線單分別元具有一低頻操作頻率及一高頻操作頻率，該第一天線單元與該第一金屬段之間具有一第三間距，且該第二天線單元與該第一金屬段之間具有一第四間距，該第三間距及該第四間距為該高頻操作頻率之0.08至0.25波長距離。