TWM557450U - 離子植入機之電弧室 - Google Patents

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TWM557450U
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Taiwan
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chamber
arc chamber
ion implanter
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TW106213190U
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English (en)
Inventor
jun-bin Pan
Qing-Zhang Yu
Original Assignee
K Max Technology Co Ltd
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Abstract

本創作係有關於一種離子植入機之電弧室，電弧室包含腔室與電子產生器，其中，腔室具有電漿產生空間及底板，底板設於腔室面對離子植入機之一端，底板上具有複數進氣孔，係引導化合物氣體由此進入電弧室中；電子產生器係設置於該腔室之兩相對側面，用以提供電子與化合物氣體撞擊以產生電漿，其中，底板上的複數進氣孔可均勻的讓化合物氣體進入電漿產生空間，以提高化合物氣體與電子的有效反應效率。

Description

離子植入機之電弧室
本創作係關於一離子植入機之電弧室，尤指一種利用具有複數進氣孔的底板以提高其氣體使用率之電弧室。
離子佈植(Ion implantation)係利用電場將半導體晶圓所需要加入的元素形成帶正電的氣體離子(即電漿)，並施加高偏壓使被氣化離子獲得一定的動能，而得以直接佈植於晶圓的技術。
詳細來說，離子佈植機係將化合物氣體(如：三氟化硼)注入到電弧室(Arc Chamber)中，藉由電弧室中的放電電路將化合物氣體生成電漿，此電漿中具有高速衝撞的電子及帶正電荷的離子，即離子源。再將由離子萃取過程將正離子通過狹縫形成一離子束，此離子束再經過分析磁鐵將所要佈植得離子篩選出來，再製造一個平行電子運動方向的電場，來增加或減少離子的行進速度，最後再將離子束對晶圓進行掃描，使得離子撞進晶圓內部即完成離子佈植。
其中，電弧室中利用電子撞擊化合物氣體讓電弧室中得以形成大量的電漿，然，目前現有之離子植入機之電弧室內所使用的底板設計皆為側邊總共四孔的設計，易導致化合物氣體無法均勻擴散並即時產生電漿反應，進而無法有效率地將化合物氣體轉換。因此，如何提高化合物氣 體的轉換效率是一件亟待解決的問題。
有鑑於先前技術所提及的問題，本創作的主要目的係在電弧室的底板結構提供高效率的進氣結構，解決化合物氣體無法有效利用的問題。
根據本創作之目的，係提供一種離子植入機之電弧室，該電弧室包含腔室與電子產生器，其中，該腔室為該電弧室之外殼，具有電漿產生空間及底板，底板設於腔室面對離子植入機之一端，底板上具有複數進氣孔，係引導化合物氣體由此進入電弧室中；電子產生器係設置於該腔室之兩相對側面，用以提供電子與化合物氣體撞擊以產生電漿。
本案相較於現有技術而言，主要的差異在於離子植入機的底板，從原先側邊總共四個進氣孔的設計改良成中心均勻分布的複數個進氣孔，此改良可使氣體化合物均勻進入，使化合物氣體均勻反應，降低化合物氣體進入電弧室中卻無效反應的成本損失，在保持一致的製程特性下，此電弧室可節省15%以上的化合物氣體耗用量。
綜上所述，本創作在底板上之設計確屬創新，並能較習用設備增進上述功效，應已充分符合新穎性及進步性之法定發明專利要件，爰依法提出申請，懇請 貴局核准本件新型專利申請案，以勵創作。
10‧‧‧腔室
102‧‧‧底板
1020‧‧‧進氣孔
12‧‧‧電子產生器
2‧‧‧離子植入機
圖1係為本創作之離子植入機之電弧室之先前技術立體示意圖。
圖2係為本創作之離子植入機之電弧室之立體示意圖。
為了使本創作的目的、技術方案及優點更加清楚明白，下面結合附圖及實施例，對本創作進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本創作，但並不用於限定本創作。
請參閱圖1所示，本創作係提供一種離子植入機之電弧室，包含腔室10與電子產生器12，其中，該腔室10為該電弧室之外殼，具有電漿產生空間(圖中未示)及底板102，底板102設於腔室10面對離子植入機2之一端，底板102上具有複數進氣孔1020，係引導化合物氣體由此進入電弧室中；電子產生器12係設置於該腔室之兩相對側面，用以提供電子與化合物氣體撞擊以產生電漿。
本案相較於現有技術而言，主要的差異在於離子植入機2的底板102，從原先側邊總共四個進氣孔1020的設計改良成中心均勻分布的複數個進氣孔1020，由於先前技術所使用的四個進氣孔1020的底板102，會使化合物氣體進入腔室10時，未能均勻分布，以至於無法被電子有效撞擊，而成無效反應，因此，本創作將底板102改良成複數均勻分布的進氣孔1020，如矩陣的方式排列設置在底板102上，如此一來，化合物氣體即可在最短的時間內均勻分布於電漿產生空間中，使化合物氣體均勻受到電子撞擊反應，提高化合物氣體進入電弧室中的有效反應，減少成本的損失，在保持一致的製程特性下，此電弧室可節省15%以上的化合物氣體耗用量。
上列詳細說明係針對本創作之一可行實施例之具體說明，為該實施例並非用以限制本創作之專利範圍，凡未脫離本創作技藝精神所為之等效實施或變更，均應包含於本案之專利範圍中。

Claims (2)

  1. 一種離子植入機之電弧室，設於一離子植入機中，該電弧室係與該離子植入機之一端連接，其中該電弧室包含：一腔室，係為該電弧室之外殼，該腔室具有一電漿產生空間，該腔室之一端於面對該離子植入機的一端設有一底板，該底板上具有複數進氣孔，係引導化合物氣體由此進入該電弧室中；一電子產生器，係設置於該腔室之兩相對側面，用以提供電子與化合物氣體撞擊以產生電漿。
  2. 如請求項1所述的離子植入機之電弧室，其中該些進氣孔為矩陣的方式排列設置於該底板上。
TW106213190U 2017-09-06 2017-09-06 離子植入機之電弧室 TWM557450U (zh)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWD194248S (zh) 2017-11-06 2018-11-21 日商日立全球先端科技股份有限公司 Air jet board for plasma processing equipment

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