TWM553100U - 電磁屏蔽膜 - Google Patents

Description

電磁屏蔽膜

本創作係有關一種電磁屏蔽膜，尤指一種能反射電磁波或具有電磁波吸收效果之電磁屏蔽膜。

目前商業上小型電子產品不僅要向微型、輕量化發展，具自由度的設計性也是一大要素。因此，配線材料大多採用輕薄、設計自由度高、彎曲性良好的軟性印刷電路板(Flexible Printed Circuit,FPC)，在FPC領域，不僅是對主流的智慧型手機，對觸控面板設計的新需求也在不斷擴大，並且在FPC不斷向高速度化、高撓曲發展之同時，亦希望能於各種厚度、作業性有所突破。

然而，為負荷強大且高速訊號傳輸，勢必提高佈線的密集度，載板線路之間的彼此間距離越來越近，以及工作頻率朝向高寬頻化，再加上線路佈線不合理造成電磁干擾(Electromagnetic Interference,EMI)之情形越來越嚴重。因此，必須有效管理電磁相容性(Electromagnetic Compatibility,EMC)，從而來維持電子產品的正常訊號傳遞及提高可靠度。

此外，為了避免來自外部電磁輻射或是內部雜訊(noise) 相互之間的電磁干擾(Electromagnetic Interference；EMI)，許多電路板於貼附覆蓋膜或阻焊油墨形成阻焊層後，再於阻焊層的局部表面貼一層防電磁干擾薄膜。

然而，此法不僅製程工藝繁雜，時效性差，製造成本高，該防電磁干擾薄膜僅能局限於遮蔽電磁輻射，僅能被動地阻擋電磁波，其電磁屏蔽之效果十分有限。

因此，亟需開發一種能夠具有電磁屏蔽效果，同時又能吸收或削弱電磁波之電磁屏蔽膜。

鑑於上述習知技術之缺失，本創作提供一種電磁屏蔽膜，係包括：電磁吸收層，係包括第一聚合物及分散於該第一聚合物中的電磁波吸收粉體，且以該電磁吸收層之總重計，該電磁波吸收粉體之含量係為50至80%；以及金屬層，係形成於該電磁吸收層上。

於本創作之一具體實施例中，該電磁吸收層之厚度係為8至80微米。

於本創作之一具體實施例中，該金屬層具有相對之第一表面與第二表面，且該電磁屏蔽膜復包括另一電磁吸收層，使該二電磁吸收層分別形成於該第一表面與第二表面上。於前述電磁屏蔽膜中，各該電磁吸收層之厚度係為8至40微米。

於本創作之一具體實施例中，該電磁屏蔽膜復包括厚度為3至25微米之絕緣保護層，係形成於該金屬層上，使該金屬層夾置於該電磁吸收層與絕緣保護層之間。

於本創作之一具體實施例中，該電磁屏蔽膜復包括形成於該電磁吸收層上之第一離型層，使該電磁吸收層夾置於該第一離型層與金屬層之間。

本創作復提供另一種電磁屏蔽膜，係包括：基底層；形成於該基底層上之電磁吸收層，包括第一聚合物及分散於該第一聚合物中的電磁波吸收粉體，且以該電磁吸收層之總重計，該電磁波吸收粉體之含量係為50至80%；以及絕緣保護層，係形成於該電磁吸收層上，使該電磁吸收層夾置於該基底層與絕緣保護層之間。

於本創作之一具體實施例中，該電磁屏蔽膜復包括形成於該絕緣保護層與電磁吸收層之間的金屬層。

於本創作之又一具體實施例中，該電磁屏蔽膜復包括形成於該基底層上之第一離型層，使該基底層夾置於該電磁吸收層與第一離型層之間。

於前述兩種本創作之電磁屏蔽膜中，該電磁波吸收粉體係為磁性材料、電阻為0.12至2.0歐姆之電阻材料或非極性介電材料所製成者。

於一具體實施例中，該電磁波吸收粉體係為磁性材料所製成者。該磁性材料係選自氧化鐵、鐵矽鋁合金、坡莫合金及鐵矽鉻鎳合金所組成群組中之至少一者。

於一具體實施例中，該電磁波吸收粉體係為電阻為0.12至2.0歐姆之電阻材料所製成者，具體而言，該電阻係為0.3至1.5歐姆或0.5至1.5歐姆。該電阻材料係選自碳化矽及石墨所組成群組中之至少一者。

於又一具體實施例中，該電磁波吸收粉體係為非極性介電材料所製成者。該非極性介電材料係選自鈦酸鋇及陶瓷所組成群組中之至少一者。

於一具體實施例中，該第一聚合物之材質係選自環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對環二甲苯系樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂、聚醯亞胺樹脂及環氧樹脂-丙烯酸系樹脂混合樹脂所組成群組的至少一者。

本創作之電磁屏蔽膜藉由包括第一聚合物及分散於該第一聚合物中的電磁波吸收粉體所構成之電磁吸收層達到吸收及/或抵消電磁波的功效，具有良好之電磁屏蔽效果，且以該電磁吸收層之總重計，含量係為50至60%或70至75%之電磁波吸收粉體所構成之電磁吸收層具有更佳之電磁屏蔽效果。

此外，本創作更透過於該電磁吸收層上形成金屬層，除可吸收或抵消電磁波外，還能具有遮蔽的效果，還能防止電磁波外溢，達到防止電磁波干擾內部的訊號傳遞的效果，提升整該電磁屏蔽膜之電磁屏蔽性能。

1、2、3、4、5、6、7‧‧‧電磁屏蔽膜

10、10’‧‧‧第一離型層

11‧‧‧基底層

12、12’‧‧‧電磁吸收層

120、120’‧‧‧第一聚合物

121、121’‧‧‧電磁波吸收粉體

13‧‧‧金屬層

13a‧‧‧第一表面

13b‧‧‧第二表面

14‧‧‧接著層

15‧‧‧絕緣保護層

16‧‧‧第二離型層

第1圖係顯示本創作電磁屏蔽膜之第一實施態樣的剖面示意圖；第2圖係顯示本創作電磁屏蔽膜之第一實施態樣的另一實施方式的剖面示意圖；第3圖係顯示本創作電磁屏蔽膜之第一實施態樣的又 一實施方式的剖面示意圖；第4圖係顯示本創作電磁屏蔽膜之第一實施態樣的再一實施方式的剖面示意圖；第5圖係顯示本創作電磁屏蔽膜之第二實施態樣的一實施方式的剖面示意圖；第6圖係顯示本創作電磁屏蔽膜之第三實施態樣的剖面示意圖；以及第7圖係顯示本創作電磁屏蔽膜之第四實施態樣的另一實施方式的剖面示意圖。

以下藉由特定的具體實施例說明本創作之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本創作之其他優點及功效。

須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本創作可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本創作所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本創作所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。本說明書中之術語「電阻材料」係意指電阻型吸波材料，是藉由於電磁波磁場中的導電或漏電損耗能電磁能量達到吸收電磁波之效果。同時，本說明書中所引用之如「上」、「第一」、「第二」及「一」等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本創作可實 施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本創作可實施之範疇。

第一實施態樣

請參照第1圖，本創作之電磁屏蔽膜1，係包括電磁吸收層12與形成於該電磁吸收層上金屬層13。該電磁吸收層12包括第一聚合物120及分散於該第一聚合物120中的電磁波吸收粉體121，且以該電磁吸收層12之總重計，該電磁波吸收粉體121之含量係為50至80%。

於本實施態樣中，該金屬層13之厚度係為0.1至40微米，該電磁吸收層12之厚度係為8至80微米，更佳係為8至40微米。

於本實施態樣中，該電磁吸收層12中的電磁波吸收粉體121係可為磁性材料所製成者，於較佳實施態樣中，該磁性材料係選自氧化鐵、鐵矽鋁合金、坡莫合金及鐵矽鉻鎳合金所組成群組中之至少一者。

於本實施態樣中，該電磁波吸收粉體121還可為電阻為0.12至2.0歐姆之電阻材料或非極性介電材料所製成者。例如，該電阻材料係選自碳化矽及石墨所組成群組中之至少一者，該非極性介電材料係選自鈦酸鋇及陶瓷所組成群組中之至少一者。

於本實施態樣中，該第一聚合物之材質係選自環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對環二甲苯系樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂、聚醯亞胺樹脂及環氧樹脂-丙烯酸系樹脂混合樹脂所組成群組的至少 一者。

通常，形成該金屬層13之材質係為金屬。本實施態樣中，該金屬層13係以蒸鍍、磁控濺鍍方式形成於該電磁吸收層12上，但不以此為限。該金屬係選自銀、銅、鋁、金、銅鎳合金、銀銅合金及銅銀合金所組成群組的至少一者。具體而言，該金屬層13之厚度為0.1至40微米，更佳係0.1至20微米。

第2圖係為本創作第一實施態樣的另一實施方式，於本創作之電磁屏蔽膜2中，該金屬層13具有相對之第一表面13a與第二表面13b，且該電磁屏蔽膜2復包括另一電磁吸收層12’，使該二電磁吸收層12,12’分別形成於該第一表面13a與第二表面13b上。

於本實施態樣中，該金屬層13之厚度係為0.1至40微米，較佳係為0.1至20微米。各該電磁吸收層12,12’之厚度係為8至80微米，較佳係為8至40微米。

於本實施態樣中，各該電磁吸收層12,12’皆包括第一聚合物120,120’及分散於該第一聚合物120,120’中的電磁波吸收粉體121,121’，該電磁波吸收粉體121,121’之含量可為相同或不同，獨立以各該電磁吸收層12,12’之總重計，各該電磁波吸收粉體121,121’之含量係為50至80%，更佳為55至65%。形成各該電磁波吸收粉體121,121’之材料亦可為相同或不同。

此外，於第3圖所示之態樣中，該電磁屏蔽膜3復包括兩層第一離型層10,10’，係分別形成於二該電磁吸收 層12,12’上，並藉由該二第一離型層10,10’使該電磁吸收層12、金屬層13與電磁吸收層12’夾置於二該第一離型層10,10’之間，用以保護各該電磁吸收層12,12’的黏性，以供後續黏合於電路板或其他壓合製程。

於本實施態樣中，各該第一離型層10,10’之厚度係為25至100微米，且各該第一離型層10,10’係為聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)氟素離型膜、PET矽油離型膜、PET亞光離型膜或聚乙烯(polyethylene)離型膜。

第4圖係為本創作第一實施態樣之電磁屏蔽膜4之示意圖，其與電磁屏蔽膜1之差別在於該電磁屏蔽膜4復包括形成於金屬層13上的絕緣保護層15，使該金屬層13夾置於該電磁吸收層12與絕緣保護層15之間，該絕緣保護層15之厚度係為3至25微米，更佳係為3至15微米。

於本實施態樣中，該電磁屏蔽膜4中復可包括供該電磁吸收層12形成之基底層11。於本實施態樣中，該電磁吸收層12係形成於該基底層11上，再於該電磁吸收層12上形成該金屬層13，該基底層11之厚度係為5至35微米，其中，形成該基底層11之材料係為預浸材料、玻璃纖維、碳纖維、芳綸編織布或碳纖維預浸布。

於本實施態樣中，該絕緣保護層15係包括第二聚合物及添加物，且以該絕緣保護層15之總重計，該添加物之含量係為3至15%，該第二聚合物之材質係選自環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對 環二甲苯系樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂、聚醯亞胺樹脂、及環氧樹脂-丙烯酸系樹脂混合樹脂所組成群組的至少一者，該添加物之實例包括碳粉、二氧化鈦、顏料或染料。

另外，於本實施態樣中，該絕緣保護層15上復形成有第二離型層16，可藉由調整該第二離型層16的粗糙度，改變該絕緣保護層之反光的程度，以應用於對於光澤度有不同需求之產品。通常，該第二離型層16之厚度係為25至100微米，且該第二離型層16係為聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)氟素離型膜、PET矽油離型膜、PET亞光離型膜或聚乙烯(polyethylene)離型膜。

第二實施態樣

請參照第5圖，本創作之電磁屏蔽膜5係包括：基底層11；形成於該基底層11上之電磁吸收層12，該電磁吸收層12係包括第一聚合物120及分散於該第一聚合物120中的電磁波吸收粉體121，且以該電磁吸收層12之總重計，該電磁波吸收粉體121之含量係為50至80%，更佳為55至65%；以及絕緣保護層15，係形成於該電磁吸收層12上，使該電磁吸收層12夾置於該基底層11與絕緣保護層15之間。

於本實施態樣中，該基底層11之厚度係為5至35微米，該電磁吸收層12之厚度係為8至80微米，更佳係為8至40微米，該絕緣保護層15之厚度係為3至25微米，更佳係為3至15微米。

於本實施態樣中，形成該基底層11之材料係為預浸材 料、玻璃纖維或碳纖維，該電磁吸收層12中的電磁波吸收粉體121係為磁性材料所製成者，較佳該磁性材料係選自氧化鐵、鐵矽鋁合金、坡莫合金及鐵矽鉻鎳合金所組成群組中之至少一者。

於本實施態樣中，該電磁波吸收粉體121還可為電阻為0.12至2.0歐姆(例如，0.5至1.5歐姆)之電阻材料或非極性介電材料所製成者。該電阻材料係選自碳化矽及石墨所組成群組中之至少一者，該非極性介電材料係選自鈦酸鋇及陶瓷所組成群組中之至少一者，該第一聚合物之材質係選自環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對環二甲苯系樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂、聚醯亞胺樹脂及環氧樹脂-丙烯酸系樹脂混合樹脂所組成群組的至少一者，且該絕緣保護層15係包括第二聚合物及添加物，以該絕緣保護層15之總重計，該添加物之含量係為3至15%，該第二聚合物之材質係選自環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對環二甲苯系樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂、聚醯亞胺樹脂及環氧樹脂-丙烯酸系樹脂混合樹脂所組成群組的至少一者，該添加物之實例包括碳粉、二氧化鈦、顏料或染料。

第三實施態樣

如第6圖所示，該電磁屏蔽膜6與第二實施態樣之電磁屏蔽膜相似，差別僅在於電磁屏蔽膜6中，該絕緣保護層15與電磁吸收層12之間復包括接著層14，係直接形成於該電磁吸收層12上，使該絕緣保護層15接著至該電磁 吸收層12上。

於本實施態樣中，該接著層14之厚度係為5至50微米，形成該接著層14之材料係為壓敏黏著劑，該壓敏黏著劑係為丙烯酸樹脂。

第四實施態樣

如第7圖所示，電磁屏蔽膜7與第三實施態樣之電磁屏蔽膜相似，差別僅在於電磁屏蔽膜7中，具有形成於該電磁吸收層12上之金屬層13，該金屬層13係位於該電磁吸收層12與絕緣保護層15之間。

於本實施態樣中，該電磁屏蔽膜7復包括形成於該金屬層13與絕緣保護層15間之接著層14。當然，於本創作之電磁屏蔽膜7中，該絕緣保護層15亦可直接形成於該金屬層13，如第一實施態樣之第4圖所示。

實施例1 本創作第一實施態樣之電磁屏蔽膜

首先，以由化學蒸鍍方式形成厚度為0.1微米之鋁層做為金屬層，並於該金屬層上塗佈吸波塗料，該吸波塗料係由含有鐵矽鋁合金粉體之環氧樹脂(昆山雅森電子材料，APLUS)，經烘烤後形成厚度為8微米之電磁吸收層，以該電磁吸收層之總重計，該鐵矽鋁合金粉體之含量為65%，以得到實施例1之電磁屏蔽膜。

實施例2 本創作第一實施態樣之電磁屏蔽膜

以由化學蒸鍍方式形成厚度為0.1微米之鋁層做為金屬層，並於該金屬層之相對兩表面上塗佈吸波塗料，該吸波塗料係由含有鐵矽鋁合金粉體之環氧樹脂(昆山雅森電 子材料，APLUS)，經烘烤後形成厚度皆為20微米之電磁吸收層，以各該電磁吸收層之總重計，各該電磁吸收層中的鐵矽鋁合金粉體之含量分別為50與60%，以得到實施例2之電磁屏蔽膜。

另外，亦可於各該電磁吸收層上貼合第一離型層(三菱公司，型號F38)，後於欲使用時移除該第一離型層。

實施例3 本創作第一實施態樣之電磁屏蔽膜

提供三菱公司生產型號為F38之離型膜做為第二離型層，於該第二離型層上，以碳黑(CABOT；型號：REGAL^® 400R)與環氧樹脂(杜邦；型號：APLUS-1)均勻混合而成，厚度為15微米之絕緣保護層，以該絕緣保護層之總重計，該碳黑之含量為10%，於該絕緣保護層上，以化學蒸鍍方式形成厚度為0.1微米之鋁層做為金屬層，並於該金屬層上塗佈吸波塗料，該吸波塗料係由含有鐵矽鋁合金粉體之環氧樹脂(昆山雅森電子材料，APLUS)，經烘烤後形成厚度為8微米之電磁吸收層，以該電磁吸收層之總重計，該鐵矽鋁合金粉體之含量為65%，再於該電磁吸收層上壓合厚度為50微米之碳纖預浸布(KANOTY公司，型號WD-270)做為基底層，於該基底層上貼合第一離型層，該第一離型層為三菱公司生產型號為F38之離型膜。

實施例4 本創作第二實施態樣之電磁屏蔽膜

提供以碳黑(CABOT；型號：REGAL^® 400R)與環氧樹脂(杜邦；型號：APLUS-1)均勻混合而成且厚度為15微米之絕緣保護層，以該絕緣保護層之總重計，該碳黑之含量係為 10%。於該絕緣保護層上塗佈吸波塗料，該吸波塗料係由含有鐵矽鋁合金粉體之環氧樹脂(昆山雅森電子材料，APLUS)，經烘烤後形成電磁吸收層，以該電磁吸收層之總重計，該鐵矽鋁合金粉體之含量為65%，再於該電磁吸收層上壓合一厚度為50微米之碳纖預浸布(KANOTY公司，型號WD-270)做為基底層，以得到實施例4之電磁屏蔽膜。

另外，亦可於該基底層上貼合第一離型層(三菱公司，型號F38)，後於欲使用時移除該第一離型層。

實施例5 本創作第二實施態樣之電磁屏蔽膜

提供一厚度為50微米之碳纖預浸布(KANOTY公司，型號WD-270)做為基底層，該基底層上貼附有第一離型層(三菱公司，型號F38)，於該基底層未貼附有該第一離型層之另一表面上塗佈吸波塗料，該吸波塗料係由含有鐵矽鋁合金粉體之環氧樹脂(昆山雅森電子材料，APLUS)，經烘烤後形成電磁吸收層，以該電磁吸收層之總重計，該鐵矽鋁合金粉體之含量為65%，再於該電磁吸收層上，並藉由厚度為50微米，由丙烯酸樹脂所組成之壓敏膠(VK塗膜材料公司，型號VK-G-102)做為接著層，將厚度15微米之絕緣保護層形成於該金屬層上，該絕緣保護層係由含該絕緣保護層之總重10%之碳黑(CABOT；型號：REGAL^® 400R)與環氧樹脂(杜邦；型號：APLUS-1)均勻混合而成，以得到實施例5之電磁屏蔽膜。

實施例6 本創作第二實施態樣之電磁屏蔽膜

與實施例5相似，差別僅在於實施例6中，該電磁吸 收層與接著層間復包括金屬層，詳言之，實施例7係於形成該電磁吸收層後，於該電磁吸收層上以化學蒸鍍方式形成厚度為0.1微米之鋁層做為金屬層，再於該金屬層上形成厚度為50微米之壓敏膠(V1公司，型號H17)，以將厚度為15微米之絕緣保護層接著於該金屬層上，該絕緣保護層係由佔該絕緣保護層之總重10%之碳黑(CABOT；型號：REGAL^® 400R)與環氧樹脂(杜邦；型號：APLUS-1)均勻混合而成，以得到實施例6之電磁屏蔽膜。

另外，亦可於該基底層上貼合第一離型層(三菱公司，型號F38)，後於欲使用時，移除該第一離型層。

比較例1

本案之比較例1係為CHENGBANG公司生產之型號FGPBF16電磁屏蔽膜，其係於厚度為25微米之聚醯亞胺膜上塗佈導電膠，乾燥後得到於聚醯亞胺層上具有厚度為15微米之電磁屏蔽層的習知電磁屏蔽膜。

測試例：本創作電磁屏蔽膜之電氣特性測試

根據如實施例1至6與比較例1所示之電磁屏蔽膜樣品進行電氣特性測試，測試項目包括介電常數和介電損耗量測，其中，介電常數和介電損耗量測係依據ASTM 2520波導諧振腔(Waveguide Resonators)進行量測，並將結果記錄於表1。

綜上所述，本創作之電磁屏蔽膜，藉由包括第一聚合物及分散於該第一聚合物中之電磁波吸收粉體所構成之電磁吸收層達到吸收及/或抵消電磁波的功效，具有良好之電磁屏蔽效果，且以該電磁吸收層之總重計，含量係為50至80%之電磁波吸收粉體所構成之電磁吸收層具有更佳之電磁屏蔽效果。

再者，本創作更透過於該電磁吸收層上形成金屬層，除可吸收或抵消電磁波外，還能具有遮蔽的效果，還能防止電磁波外溢，達到防止電磁波干擾內部的訊號傳遞的效果，提升整該電磁屏蔽膜之電磁屏蔽性能。

此外，本創作之電磁屏蔽膜中，藉由以蒸鍍、濺鍍方式於電磁吸收層上形成厚度較薄之金屬層，故相較於習知技術，不僅能阻擋外部電磁波干擾內部的訊號傳遞，更能降低整體電磁屏蔽膜的厚度。

另外，本創作之電磁屏蔽膜，更藉由該電磁吸收層避免運作時所產生的電磁波外溢之功效，使整體電磁屏蔽膜電磁屏蔽效果更加顯著，且該電磁吸收層的厚度僅為8至80微米亦不會導致整體覆蓋膜的厚度大幅增加，又能提升整體電磁屏蔽膜之電磁屏蔽效果。

上述實施例係用以例示性說明本創作之原理及其功效，而非用於限制本創作。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本創作之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本創作之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。

1‧‧‧電磁屏蔽膜

12‧‧‧電磁吸收層

120‧‧‧第一聚合物

121‧‧‧電磁波吸收粉體

13‧‧‧金屬層

Claims (20)

1. 一種電磁屏蔽膜，係包括：電磁吸收層，係包括第一聚合物及分散於該第一聚合物中的電磁波吸收粉體，且以該電磁吸收層之總重計，該電磁波吸收粉體之含量係為50至80%；以及金屬層，係形成於該電磁吸收層上。
2. 一種電磁屏蔽膜，係包括：基底層；形成於該基底層上之電磁吸收層，係包括第一聚合物及分散於該第一聚合物中的電磁波吸收粉體，且以該電磁吸收層之總重計，該電磁波吸收粉體之含量係為50至80%；以及絕緣保護層，係形成於該電磁吸收層上，使該電磁吸收層夾置於該基底層與絕緣保護層之間。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之電磁屏蔽膜，其中，該電磁吸收層之厚度係為8至80微米。
4. 如申請專利範圍第1項所述之電磁屏蔽膜，其中，該電磁屏蔽膜復包括另一電磁吸收層，使該金屬層夾置於該二電磁吸收層之間。
5. 如申請專利範圍第4項所述之電磁屏蔽膜，其中，各該電磁吸收層之厚度係為8至40微米。
6. 如申請專利範圍第2項所述之電磁屏蔽膜，復包括形成於該絕緣保護層與電磁吸收層之間的接著層。
7. 如申請專利範圍第2項所述之電磁屏蔽膜，復包括形 成於該絕緣保護層與電磁吸收層之間的金屬層。
8. 如申請專利範圍第1或2項所述之電磁屏蔽膜，其中，該電磁波吸收粉體係為磁性材料或電阻為0.12至2.0歐姆之電阻材料所製成者。
9. 如申請專利範圍第8項所述之電磁屏蔽膜，其中，該磁性材料係選自氧化鐵、鐵矽鋁合金、坡莫合金及鐵矽鉻鎳合金所組成群組中之至少一者。
10. 如申請專利範圍第8項所述之電磁屏蔽膜，其中，該電阻材料係選自碳化矽及石墨所組成群組中之至少一者。
11. 如申請專利範圍第1或2項所述之電磁屏蔽膜，其中，形成該電磁波吸收粉體之材質係選自鈦酸鋇及陶瓷所組成群組中之至少一者。
12. 如申請專利範圍第1或2項所述之電磁屏蔽膜，其中，該第一聚合物之材質係選自環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對環二甲苯系樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂、聚醯亞胺樹脂、及環氧樹脂-丙烯酸系樹脂混合樹脂所組成群組的至少一者。
13. 如申請專利範圍第1項所述之電磁屏蔽膜，復包括厚度為3至25微米之絕緣保護層，係形成於該金屬層上，使該金屬層夾置於該電磁吸收層與絕緣保護層之間。
14. 如申請專利範圍第2或13項所述之電磁屏蔽膜，其 中，該絕緣保護層係包括第二聚合物及分散於該第二聚合物中的添加物，且以該絕緣保護層之總重計，該添加物之含量係為3至15%。
15. 如申請專利範圍第14項所述之電磁屏蔽膜，其中，該第二聚合物之材質係選自環氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、矽橡膠系樹脂、聚對環二甲苯系樹脂、雙馬來醯亞胺系樹脂、聚醯亞胺樹脂、及環氧樹脂-丙烯酸系樹脂混合樹脂所組成群組的至少一者。
16. 如申請專利範圍第14項所述之電磁屏蔽膜，其中，該添加物係為碳粉、二氧化鈦、顏料或染料。
17. 如申請專利範圍第2項所述之電磁屏蔽膜，其中，形成該基底層之材料係為預浸材料、玻璃纖維或碳纖維。
18. 如申請專利範圍第1項所述之電磁屏蔽膜，復包括第一離型層，係形成於該電磁吸收層上，使該電磁吸收層夾置於該第一離型層與金屬層之間。
19. 如申請專利範圍第2項所述之電磁屏蔽膜，復包括第一離型層，係形成於該基底層上，使該基底層夾置於該電磁吸收層與第一離型層之間。
20. 如申請專利範圍第1或7項所述之電磁屏蔽膜，其中，該金屬層之厚度係為0.1至40微米。