TWM537316U

TWM537316U - 天線結構

Info

Publication number: TWM537316U
Application number: TW105215027U
Authority: TW
Inventors: 曾世賢; 張家豪; 范裕昇
Original assignee: 啓碁科技股份有限公司
Priority date: 2016-01-14
Filing date: 2016-10-04
Publication date: 2017-02-21
Also published as: US10056696B2; US20170207542A1; CN206076499U

Description

天線結構

本創作係關於一種天線結構，特別係關於一種寬頻天線結構。

隨著行動通訊技術的發達，行動裝置在近年日益普遍，常見的例如：手提式電腦、行動電話、多媒體播放器以及其他混合功能的攜帶型電子裝置。為了滿足人們的需求，行動裝置通常具有無線通訊的功能。有些涵蓋長距離的無線通訊範圍，例如：行動電話使用2G、3G、LTE(Long Term Evolution)系統及其所使用700MHz、850MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的頻帶進行通訊，而有些則涵蓋短距離的無線通訊範圍，例如：Wi-Fi、Bluetooth系統使用2.4GHz、5.2GHz和5.8GHz的頻帶進行通訊。

天線為無線通訊領域中不可缺少之元件。倘若用於接收或發射信號之天線其頻寬(Bandwidth)不足，則很容易造成行動裝置之通訊品質下降。因此，如何設計出小尺寸、寬頻帶之天線元件，對天線設計者而言是一項重要課題。

在較佳實施例中，本創作提供一種天線結構，包括：一金屬機構件，具有一槽孔；一介質基板，具有一上表面和一下表面，其中該介質基板之該下表面係鄰近於該金屬機構件之該槽孔；一饋入輻射部，設置於該介質基板之該上表面，並耦接至一信號源之一正極；一接地輻射部，設置於該介質基板之該上表面，並耦接至該信號源之一負極；以及一接地金屬部，其中該接地輻射部係經由該接地金屬部耦接至該金屬機構件；其中該饋入輻射部和該接地輻射部之至少一者之垂直投影係與該金屬機構件之該槽孔至少部份重疊。

在一些實施例中，該天線結構係操作於一低頻頻帶和一高頻頻帶，該低頻頻帶約介於2400MHz至2484MHz之間而該高頻頻帶約介於5150MHz至5850MHz之間。

在一些實施例中，該金屬機構件之該槽孔係激發產生一基頻共振模態，以形成該低頻頻帶。

在一些實施例中，該金屬機構件之該槽孔之長度約為該低頻頻帶之0.5倍波長。

在一些實施例中，該饋入輻射部係激發產生一共振模態，以形成該高頻頻帶，而該金屬機構件之該槽孔更激發產生一高階共振模態，以增寬該高頻頻帶。

在一些實施例中，該饋入輻射部之長度約為該高頻頻帶之0.25倍波長。

在一些實施例中，該金屬機構件為一行動裝置之一金屬外殼。

在一些實施例中，該介質基板為一FR4(Flame Retardant 4)基板或是一軟性電路板。

在一些實施例中，該金屬機構件之該槽孔大致為一直條形。

在一些實施例中，該饋入輻射部大致為一L字形或一T字形。

在一些實施例中，該饋入輻射部更包括一末端矩形加寬部份，而該饋入輻射部之該末端矩形加寬部份之垂直投影係與該金屬機構件之該槽孔至少部份重疊。

在一些實施例中，該接地輻射部大致為一直條形。

在一些實施例中，該接地輻射部更包括一突出部份，而該接地輻射部之該突出部份之垂直投影係與該金屬機構件之該槽孔至少部份重疊。

在一些實施例中，該天線結構更包括：一耦合輻射部，設置於該介質基板之該下表面，並耦接至該接地輻射部。

在一些實施例中，該耦合輻射部係經由一或複數穿透元件耦接至該接地輻射部，而該等穿透元件係形成於該介質基板中。

在一些實施例中，該耦合輻射部大致為一矩形。

在一些實施例中，該耦合輻射部之垂直投影係與該金屬機構件之該槽孔至少部份重疊。

在一些實施例中，該耦合輻射部係與該饋入輻射部完全分離。

100、300、500、600‧‧‧天線結構

110‧‧‧金屬機構件

115‧‧‧金屬機構件之槽孔

120‧‧‧介質基板

130、330、530‧‧‧饋入輻射部

132、532‧‧‧饋入輻射部之末端矩形加寬部份

134、334、534‧‧‧饋入輻射部之調整支路

140、340、540‧‧‧接地輻射部

150‧‧‧接地金屬部

190‧‧‧信號源

342、542‧‧‧接地輻射部之突出部份

660‧‧‧耦合輻射部

670‧‧‧穿透元件

E1‧‧‧介質基板之上表面

E2‧‧‧介質基板之下表面

FB1、FB3、FB5‧‧‧低頻頻帶

FB2、FB4、FB6‧‧‧高頻頻帶

G1、G2、G3‧‧‧間隙

L1、L2、L3、L4‧‧‧長度

LC1、LC3、LC5、LC6‧‧‧剖面線

W1、W2、W3、W4、W5、W6、W7、W8‧‧‧寬度

第1A圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構之俯視圖；第1B圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構之剖面圖；第2圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構之電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio，VSWR)圖；第3A圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構之俯視圖；第3B圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構之剖面圖；第4圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構之電壓駐波比圖；第5A圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構之俯視圖；第5B圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構之剖面圖；第6A圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構之俯視圖；第6B圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構之剖面圖；以及第7圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構之電壓駐波比圖。

為讓本創作之目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出本創作之具體實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

在說明書及申請專利範圍當中使用了某些詞彙來指稱特定的元件。本領域技術人員應可理解，硬體製造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書及申請專利範圍並不以名稱的差異來作為區分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區分的準則。在通篇說明書及申請專利範圍當中所提及的「包含」及「包括」一詞為開放式的用語，故應解釋成「包含但不僅限定於」。「大致」一詞則是指在可接受的誤差範圍內，本領域技術人員能夠在一定誤差範圍內解決所述技術問題，達到所述基本之技術效果。此外，「耦接」一詞在本說明書中包含任何直接及間接的電性連接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接至一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電性連接至該第二裝置，或經由其它裝置或連接手段而間接地電性連接至該第二裝置。

第1A圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構100之俯視圖。第1B圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構100之剖面圖(沿第1A圖中之一剖面線LC1)。請一併參考第1A、1B圖。天線結構100可應用於一行動裝置，例如：一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)，或是一筆記型電腦(Notebook Computer)。如第1A、1B圖所示，天線結構100包括：一金屬機構件110、一介質基板(Dielectric Substrate)120、一饋入輻射部130、一接地輻射部140，以及一接地金屬部150。饋入輻射部130和接地輻射部140可以用金屬材料製成，例如：銅、銀、鋁、鐵，或是其合金。

金屬機構件110可以是一行動裝置之一金屬外殼，例如：一全金屬背蓋。在一些實施例中，金屬機構件110為一筆記型電腦之一金屬上蓋。金屬機構件110具有一槽孔115，其中金屬機構件110之槽孔115可大致為一直條形。介質基板120可以是一FR4(Flame Retardant 4)基板或是一軟性電路板(Flexible Printed Circuit Board，FPCB)。介質基板120具有一上表面E1和一下表面E2，其中介質基板120之下表面E2係鄰近於金屬機構件110之槽孔115。詳細而言，介質基板120之下表面E2可與金屬機構件110互相貼合，且介質基板120可延伸跨越金屬機構件110之槽孔115。饋入輻射部130係設置於介質基板120之上表面E1，並耦接至一信號源190之一正極。信號源190可以是一射頻(Radio Frequency，RF)模組，其可用於激發天線結構100。接地輻射部140亦設置於介質基板120之上表面E1，並耦接至信號源190之一負極。饋入輻射部130和接地輻射部140可以彼此完全分離。接地金屬部150可以是一接地銅箔，其可呈現一階梯狀，使得接地輻射部140可經由接地金屬部150耦接至金屬機構件110。例如，接地輻射部140和金屬機構件110可分別位於不同之二平行面上，其中接地金屬部150可將此二者互相電性連接。

饋入輻射部130和接地輻射部140之至少一者之垂直投影(Vertical Projection)係與金屬機構件110之槽孔115至少部份重疊。這裡所謂的垂直投影，係指饋入輻射部130於金屬機構件110上之投影，或是接地輻射部140於金屬機構件110上之投影。在第1A、1B圖之實施例中，饋入輻射部130大致為一T字形，而接地輻射部140大致為一直條形。饋入輻射部130更包括一末端矩形加寬部份132，其中末端矩形加寬部份132之寬度W2係較饋入輻射部130之其餘部份之寬度W1更大。饋入輻射部130之末端矩形加寬部份132之垂直投影係與金屬機構件110之槽孔115至少部份重疊。舉例而言，饋入輻射部130之末端矩形加寬部份132可延伸至金屬機構件110之槽孔115之一半寬度處。饋入輻射部130更可包括一調整支路134，其中饋入輻射部130之末端矩形加寬部份132和調整支路134係大致朝相反方向作延伸。調整支路134為一選用元件(Optional Element)，其可大致為一直條形，並可用於調整天線結構100之阻抗匹配(Matching Impedance)。在另一些實施例中，調整支路134亦可省略，使得饋入輻射部130大致呈現一L字形。饋入輻射部130之末端矩形加寬部份132和接地輻射部140之間存在一間隙G1，其中此間隙G1之寬度係大於0mm。天線結構100主要係使用饋入輻射部130來耦合激發金屬機構件110之槽孔115。

第2圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構100之電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio，VSWR)圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，而縱軸代表電壓駐波比。根據第2圖之量測結果，天線結構100可涵蓋一低頻頻帶FB1和一高頻頻帶FB2，其中前述低頻頻帶FB1約介於2400MHz至2484MHz之間，而前述高頻頻帶FB2約介於5150MHz至5850MHz之間。因此，天線結構100可支援WLAN(Wireless Local Area Network)2.4GHz/5GHz之雙頻操作。根據實際量測結果，天線結構100於低頻頻帶FB1內之平均天線增益(Average Antenna Gain)約可達-3.6dBi，而於高頻頻帶FB2內之平均天線增益約可達-4.6dBi，其已可符合一般行動通訊裝置之應用需求。

請一併參考第1A、1B、2圖以了解天線結構100之操作原理和元件尺寸。金屬機構件110之槽孔115係激發產生一基頻共振模態(Fundamental Resonant Mode)，以形成前述低頻頻帶FB1。金屬機構件110之槽孔115之長度L1可約為低頻頻帶FB1之0.5倍波長(λ/2)。饋入輻射部130係激發產生一共振模態，以形成前述高頻頻帶FB2。饋入輻射部130之長度L2(由信號源190之正極至末端矩形加寬部份132之開路端，但不包括調整支路134)可約為高頻頻帶FB2之0.25倍波長(λ/4)。金屬機構件110之槽孔115更可激發產生一高階共振模態(Higher-Order Resonant Mode)，以增寬前述高頻頻帶FB2。在此設計下，金屬機構件110可視為天線結構100之一延伸部份，故其不會對於天線結構100之輻射性能造成負面影響。另外，饋入輻射部130之垂直投影與金屬機構件110之槽孔115至少部份重疊，此有助於微縮天線結構100之整體尺寸及增加天線結構100之操作頻寬。因此，天線結構100具有小尺寸、寬頻帶之優勢，故其很適合應用於各種具有全金屬背蓋之行動通訊裝置當中。

第3A圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構300之俯視圖。第3B圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構300之剖面圖(沿第3A圖中之一剖面線LC3)。請一併參考第3A、3B圖。第3A、3B圖係與第1A、1B圖相似，但在第3A、3B圖之實施例中，天線結構300之一饋入輻射部330和一接地輻射部340具有不同結構及形狀。饋入輻射部330大致為一T字形，而接地輻射部340大致為一倒T字形。饋入輻射部330不包括任何末端矩形加寬部份。接地輻射部340更包括一突出部份342，其中突出部份342之寬度W4係較接地輻射部340之其餘部份之寬度W3更大。接地輻射部340之突出部份342之垂直投影係與金屬機構件110之槽孔115至少部份重疊。舉例而言，接地輻射部340之突出部份342可延伸至金屬機構件110之槽孔115之一半寬度處。饋入輻射部330更可包括一調整支路334。調整支路334為一選用元件，其可大致為一直條形，並可用於調整天線結構300之阻抗匹配。在另一些實施例中，調整支路334亦可省略，使得饋入輻射部330大致呈現一L字形。饋入輻射部330和接地輻射部340之突出部份342之間存在一間隙G2，其中此間隙G2之寬度係大於0mm。天線結構300主要係使用接地輻射部340來耦合激發金屬機構件110之槽孔115。第3A、3B圖之天線結構300之其餘特徵皆與第1A、1B圖之天線結構近似，故此二實施例均可達成相近之操作效果。

第4圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構300之電壓駐波比圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，而縱軸代表電壓駐波比。根據第4圖之量測結果，天線結構300可涵蓋一低頻頻帶FB3和一高頻頻帶FB4，其中前述低頻頻帶FB3約介於2400MHz至2484MHz之間，而前述高頻頻帶FB4約介於5150MHz至5850MHz之間。因此，天線結構300可支援WLAN 2.4GHz/5GHz之雙頻操作。根據實際量測結果，天線結構300於低頻頻帶FB3內之平均天線增益約可達-3.6dBi，而於高頻頻帶FB2內之平均天線增益約可達-4.6dBi，其已可符合一般行動通訊裝置之應用需求。

請一併參考第3A、3B、4圖以了解天線結構300之操作原理和元件尺寸。金屬機構件110之槽孔115係激發產生一基頻共振模態，以形成前述低頻頻帶FB3。金屬機構件110之槽孔115之長度L1可約為低頻頻帶FB3之0.5倍波長(λ/2)。饋入輻射部330係激發產生一共振模態，以形成前述高頻頻帶FB4。饋入輻射部330之長度L3(由信號源190之正極至饋入輻射部330左方之開路端，但不包括調整支路334)可約為高頻頻帶FB4之0.25倍波長(λ/4)。金屬機構件110之槽孔115更可激發產生一高階共振模態，以增寬前述高頻頻帶FB4。

第5A圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構500之俯視圖。第5B圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構500之剖面圖(沿第5A圖中之一剖面線LC5)。請一併參考第5A、5B圖。第5A、5B圖係與第1A、1B圖相似，但在第5A、5B圖之實施例中，天線結構500之一饋入輻射部530和一接地輻射部540具有不同結構及形狀。饋入輻射部530大致為一T字形，而接地輻射部540大致為一倒T字形。饋入輻射部530更包括一末端矩形加寬部份532，其中末端矩形加寬部份532之寬度W6係較饋入輻射部530之其餘部份之寬度W5更大。饋入輻射部530之末端矩形加寬部份532之垂直投影係與金屬機構件110之槽孔115至少部份重疊。舉例而言，饋入輻射部530之末端矩形加寬部份532可延伸至金屬機構件110之槽孔115之三分之一寬度處。饋入輻射部530更可包括一調整支路534，其中饋入輻射部530之末端矩形加寬部份532和調整支路534係大致朝相反方向作延伸。調整支路534為一選用元件，其可大致為一直條形，並可用於調整天線結構500之阻抗匹配。在另一些實施例中，調整支路534亦可省略，使得饋入輻射部530大致為一L字形。接地輻射部540更包括一突出部份542，其中突出部份542之寬度W8係較接地輻射部540之其餘部份之寬度W7更大。接地輻射部540之突出部份542之垂直投影係與金屬機構件110之槽孔115至少部份重疊。舉例而言，接地輻射部540之突出部份542可延伸至金屬機構件110之槽孔115之三分之一寬度處。饋入輻射部530之末端矩形加寬部份532和接地輻射部540之突出部份542之間存在一間隙G3，其中此間隙G3之寬度係大於0mm。天線結構500主要係使用饋入輻射部530接地輻射部540來共同耦合激發金屬機構件110之槽孔115。第5A、5B圖之天線結構500之其餘特徵皆與第1A、1B圖之天線結構近似，故此二實施例均可達成相近之操作效果。

天線結構500可涵蓋一低頻頻帶和一高頻頻帶，其中前述低頻頻帶約介於2400MHz至2484MHz之間，而前述高頻頻帶約介於5150MHz至5850MHz之間。因此，天線結構500可支援WLAN 2.4GHz/5GHz之雙頻操作。請一併參考第5A、5B圖以了解天線結構500之操作原理和元件尺寸。金屬機構件110之槽孔115係激發產生一基頻共振模態，以形成前述低頻頻帶。金屬機構件110之槽孔115之長度L1可約為前述低頻頻帶之0.5倍波長(λ/2)。饋入輻射部530係激發產生一共振模態，以形成前述高頻頻帶。饋入輻射部530之長度L4(由信號源190之正極至饋入輻射部530之末端矩形加寬部份532之開路端，但不包括調整支路534)可約為前述高頻頻帶之0.25倍波長(λ/4)。金屬機構件110之槽孔115更可激發產生一高階共振模態，以增寬前述高頻頻帶。

第6A圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構600之俯視圖。第6B圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構600之剖面圖(沿第6A圖中之一剖面線LC6)。請一併參考第6A、6B圖。第6A、6B圖係與第1A、1B圖相似，但在第6A、6B圖之實施例中，天線結構600更包括一耦合輻射部660和一或複數個穿透元件(Via Element)670。耦合輻射部660和該等穿透元件670可以用金屬材料製成，例如：銅、銀、鋁、鐵，或是其合金。耦合輻射部660大致為一矩形。該等穿透元件670大致為柱體，並形成於介質基板120中。耦合輻射部660係設置於介質基板120之下表面E2，並經由該等穿透元件670耦接至接地輻射部140。耦合輻射部660係與饋入輻射部130完全分離。耦合輻射部660之垂直投影係與金屬機構件110之槽孔115至少部份重疊。在一些實施例中，耦合輻射部660之垂直投影亦可與饋入輻射部130之末端矩形加寬部份132至少部份重疊。在另一些實施例中，耦合輻射部660之形狀和尺寸係大致與饋入輻射部130之末端矩形加寬部份132之形狀和尺寸兩者相同。耦合輻射部660之存在有助於增強饋入輻射部130和金屬機構件110之槽孔115之間之交互耦合效應(Mutual Coupling)。第6A、6B圖之天線結構600之其餘特徵皆與第1A、1B圖之天線結構近似，故此二實施例均可達成相近之操作效果。

第7圖係顯示根據本創作一實施例所述之天線結構600之電壓駐波比圖，其中橫軸代表操作頻率(MHz)，而縱軸代表電壓駐波比。根據第7圖之量測結果，天線結構600可涵蓋一低頻頻帶FB5和一高頻頻帶FB6，其中前述低頻頻帶FB5約介於2400MHz至2484MHz之間，而前述高頻頻帶FB6約介於5150MHz至5850MHz之間。因此，天線結構600可支援WLAN2.4GHz/5GHz之雙頻操作。

請一併參考第6A、6B、7圖以了解天線結構600之操作原理和元件尺寸。金屬機構件110之槽孔115激發產生一基頻共振模態，以形成前述低頻頻帶FB5。金屬機構件110之槽孔115之長度L1可約為低頻頻帶FB5之0.5倍波長(λ/2)。饋入輻射部130和耦合輻射部660係激發產生一共振模態，以形成前述高頻頻帶FB6。饋入輻射部130之長度L2(由信號源190之正極至末端矩形加寬部份132之開路端，但不包括調整支路134)可約為高頻頻帶FB6之0.25倍波長(λ/4)。金屬機構件110之槽孔115更可激發產生一高階共振模態，以增寬前述高頻頻帶FB6。

本創作提供一種新穎之天線結構，相較於傳統天線設計，其至少具有下列優勢：(1)平面化式設計；(2)易於大量生產製造；(3)足以涵蓋WLAN全頻帶；(4)小型化之整體尺寸；(5)可增加天線穩定度；以及(6)製造成本低廉。因此，本創作之天線結構很適合應用於現今各種小型化之行動通訊裝置當中。

值得注意的是，以上所述之元件尺寸、元件參數、元件形狀，以及頻率範圍皆非為本創作之限制條件。天線設計者可以根據不同需要調整這些設定值。另外，本創作之天線結構並不僅限於第1-7圖所圖示之狀態。本創作可以僅包括第1-7圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本創作之天線結構中。

在本說明書以及申請專利範圍中的序數，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之間並沒有順序上的先後關係，其僅用於標示區分兩個具有相同名字之不同元件。

本創作雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本創作的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本創作之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本創作之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧天線結構

110‧‧‧金屬機構件

115‧‧‧金屬機構件之槽孔

120‧‧‧介質基板

130‧‧‧饋入輻射部

132‧‧‧饋入輻射部之末端矩形加寬部份

134‧‧‧饋入輻射部之調整支路

140‧‧‧接地輻射部

150‧‧‧接地金屬部

190‧‧‧信號源

E1‧‧‧介質基板之上表面

G1‧‧‧間隙

L1、L2‧‧‧長度

LC1‧‧‧剖面線

W1、W2‧‧‧寬度

Claims

一種天線結構，包括：一金屬機構件，具有一槽孔；一介質基板，具有一上表面和一下表面，其中該介質基板之該下表面係鄰近於該金屬機構件之該槽孔；一饋入輻射部，設置於該介質基板之該上表面，並耦接至一信號源之一正極；一接地輻射部，設置於該介質基板之該上表面，並耦接至該信號源之一負極；以及一接地金屬部，其中該接地輻射部係經由該接地金屬部耦接至該金屬機構件；其中該饋入輻射部和該接地輻射部之至少一者之垂直投影係與該金屬機構件之該槽孔至少部份重疊。
如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該天線結構係操作於一低頻頻帶和一高頻頻帶，該低頻頻帶約介於2400MHz至2484MHz之間，而該高頻頻帶約介於5150MHz至5850MHz之間。
如申請專利範圍第2項所述之天線結構，其中該金屬機構件之該槽孔係激發產生一基頻共振模態，以形成該低頻頻帶。
如申請專利範圍第2項所述之天線結構，其中該金屬機構件之該槽孔之長度約為該低頻頻帶之0.5倍波長。
如申請專利範圍第2項所述之天線結構，其中該饋入輻射部係激發產生一共振模態，以形成該高頻頻帶，而該金屬機構件之該槽孔更激發產生一高階共振模態，以增寬該高頻頻帶。
如申請專利範圍第2項所述之天線結構，其中該饋入輻射部之長度約為該高頻頻帶之0.25倍波長。
如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該金屬機構件為一行動裝置之一金屬外殼。
如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該介質基板為一FR4(Flame Retardant 4)基板或是一軟性電路板。
如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該金屬機構件之該槽孔大致為一直條形。
如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該饋入輻射部大致為一L字形或一T字形。
如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該饋入輻射部更包括一末端矩形加寬部份，而該饋入輻射部之該末端矩形加寬部份之垂直投影係與該金屬機構件之該槽孔至少部份重疊。
如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該接地輻射部大致為一直條形。
如申請專利範圍第1項所述之天線結構，其中該接地輻射部更包括一突出部份，而該接地輻射部之該突出部份之垂直投影係與該金屬機構件之該槽孔至少部份重疊。
如申請專利範圍第1項所述之天線結構，更包括：一耦合輻射部，設置於該介質基板之該下表面，並耦接至該接地輻射部。
如申請專利範圍第14項所述之天線結構，其中該耦合輻射部係經由一或複數穿透元件耦接至該接地輻射部，而該等穿透元件係形成於該介質基板中。
如申請專利範圍第14項所述之天線結構，其中該耦合輻射部大致為一矩形。
如申請專利範圍第14項所述之天線結構，其中該耦合輻射部之垂直投影係與該金屬機構件之該槽孔至少部份重疊。
如申請專利範圍第14項所述之天線結構，其中該耦合輻射部係與該饋入輻射部完全分離。