TWM527441U - 複合研磨工具 - Google Patents

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TWM527441U
TWM527441U TW105206386U TW105206386U TWM527441U TW M527441 U TWM527441 U TW M527441U TW 105206386 U TW105206386 U TW 105206386U TW 105206386 U TW105206386 U TW 105206386U TW M527441 U TWM527441 U TW M527441U
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Shao-Zhong Hu
Yu-Shu Chen
Jia-Wen You
Xing Hong
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Kinik Co
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複合研磨工具
本新型係關於一種複合研磨工具,尤指一種在同一研磨工具上達成粗、精加工的作業製程,以提升研磨效率之研磨工具。
在手機玻璃面板加工程序中,玻璃面板經切割、分片進行磨邊步驟以完成手機面板之加工程序,以往在磨邊步驟上常使用電鍍磨棒進行粗加工,待尺寸精度符合規格後使用燒結磨棒進行精加工,用以去除電鍍磨棒在加工後所產生的研磨痕跡,以回復玻璃面板原始的抗折強度。
先前技術主要為多種磨棒對玻璃面板加工,主要問題在於單一設備使用多種磨棒,則需要自動換刀設備以及刀具庫,同時也因為需要進行更換磨棒,因此設備精度就相當重要。在此條件下設備的購入費用會大量增加,或是將不同的磨棒分別給不同的機台進行作業,則會造成機台數大量增多。
已知技術中,如中華人民共和國公告專利第202388375號,係揭示一種用於手機多功能玻璃的電鍍磨頭,包括:刀柄和刀頭元件,所述刀頭組件包括多段刀頭,所述多段刀頭按順序依次連接並安裝在刀柄上,所述多段刀頭分別包括至少一個加工部,所述加工部鍍有金剛砂。本實用新型的用於手機多功能玻璃的電鍍磨頭,無需多次換刀就能夠完成多種類型的加工,有效提高加工效率,降低生產成本。
此外,另一中華民國專利申請案第98202910號,係揭示一種鏨刀結構,其係包括:一第一本體及砂輪體,其中;該第一本體係為鑒刀本體,該第一本體設有磨擦段,該磨擦段表面係設有砂輪體,該磨擦段表面上即佈滿砂輪顆粒,該佈滿之砂輪顆粒而形成摩擦面,該作用端係設於第一本體前端處,該作用端係作用於工件上。
再者,另一中華民國專利申請案第103213588號,係揭示一種面板之曲面研磨砂輪,具有相疊置結合的兩個研磨砂輪單元,各研磨砂輪單元各具有一基座環與設於該基座環之外周的一研磨件,且各研磨件各具有一曲面研磨部。可以將面板的表面研磨出曲面的邊緣,且可以對面板的邊緣分別進行粗磨及細磨的研磨加工。
然而,上述之研磨砂輪中,其係以電鍍砂輪或燒結法砂輪並添加不同粒徑之研磨顆粒而形成,用於玻璃面板加工上,但在目前技術中,需要進行換刀及更換研磨棒以達到粗、精加工作業,仍無法達到在單一研磨工具上完成粗、精加工的作業程序。此外,以電鍍法所製成的研磨工具,並不能鍍覆粒徑較小的研磨顆粒,因而無法回復玻璃面板原始的抗折強度。因此,目前急需發展出一種複合研磨功具,以單一磨棒達到粗、精加工作業製程,以避免重複定位誤差問題,進而提升產品良率。再者,由於不須進行更換磨棒的動作,可以降低設備作業時間,增進製程的產生率。
本創作之主要目的係在提供一種複合研磨工具,用以玻璃面板加工,以單一研磨棒達到粗、細加工的作業製程,進而提升產品良率,增進製程的產出率。
為達成上述目的,本創作係提供一種複合研磨工具,包括:一基座,可具有一組設部及一工作端,該組設部可位於該基座及一鎖固端之一端,該工作端可位於遠離該組設部之另一端;一第一研磨層,可具有一平面的外緣表面,且該第一研磨層可含有粒徑為20微米至150微米的複數個研磨顆粒;一第二研磨層,可具有一單凹槽的外緣表面,且該第二研磨層可含有粒徑為10微米至80微米的複數個研磨顆粒;以及一第三研磨層,可具有一雙凹槽的外緣表面,且該第三研磨層可含有粒徑為1微米至30微米的複數個研磨顆粒;其中,該第一研磨層、該第二研磨層及該第三研磨層可依序設置於該基座上,且該第一研磨層可位於該工作端。
於本創作之複合研磨工具中,該基座之組成分可依據研磨加工的條件及使用者需求而任意變化,該基座可由鎳金屬、鐵金屬、鈷金屬或其合金金屬所構成,本創作並未侷限於此。在本創作之一態樣中,該基座可由鎳金屬所構成。
於本創作之複合研磨工具中,該第一研磨層具有一平面的外緣表面,用以研磨玻璃面板的切割面。其次,該第二研磨層具有一單凹槽的外緣表面,用以研磨玻璃面板的邊緣處,以增加玻璃面板邊緣強度。再者,該第三研磨層第具有一雙凹槽的外緣表面,用以拋光玻璃面板進行精加工,該雙凹槽可交替使用以避免該第三研磨層的研磨性能降低。
於本創作之複合研磨工具中,第一研磨層的該些研磨顆粒之粒徑可依據研磨加工的條件及需求而任意變化;於本創作之一態樣中,該第一研磨層的該些研磨顆粒之粒徑可為30微米至80微米,在另一態樣中,可為40微米至60微米。其次,於本創作之複合研磨工具中,第二研磨層的該些研磨顆粒之粒徑可依據研磨加工的條件及需求而任意變化;於本創作之一態樣中,該些研磨顆粒之粒徑可為10微米至54微米,在另一態樣中,可為10微米至30微米。再者,於本創作之複合研磨工具中,該第三研磨層的該些研磨顆粒之粒徑可依據研磨加工的條件及需求而任意變化;於本創作之一態樣中,該第三研磨層的該些研磨顆粒之粒徑可為1微米至20微米,在另一態樣中,可為2微米至10微米。
於本創作之複合研磨工具中,該些研磨顆粒可為鑽石研磨顆粒或立方氮化硼研磨顆粒;其中該些鑽石研磨顆粒可為人造鑽石、天然鑽石、或多晶鑽石;在本創作之一較佳態樣中,該些研磨顆粒可為人造鑽石研磨顆粒,在本創作之另一較佳態樣中,該些研磨顆粒可為立方氮化硼研磨顆粒。
於本創作之複合研磨工具中,該第一研磨層可為一金屬電鍍層,該金屬電鍍層可為鎳電鍍層、銅電鍍層、鐵電鍍層、或其合金電鍍層;在本創作之一較佳態樣中,該金屬電鍍層可為鎳電鍍層。該金屬電鍍層耐磨耗且研磨效率高,對任何複雜形狀均可進行研磨。
於本創作之複合研磨工具中,該第二研磨層可為一金屬電鍍層或一金屬燒結層,該金屬電鍍層可為鎳電鍍層、銅電鍍層、鐵電鍍層、或其合金電鍍層;在本創作之一較佳態樣中,該金屬電鍍層可為鎳電鍍層。其次,該金屬燒結層可為銅錫合金燒結層,該金屬燒結層更可含有鐵、鎳、銅、錫、鈦或其組合所形成之添加物。
於本創作之複合研磨工具中,該第三研磨層可為一金屬燒結層、一樹脂燒結層、或一樹脂拋光層,其中該金屬燒結層可為銅錫合金燒結層,該金屬燒結層更可含有鐵、鎳、銅、錫、鈦或其組合所形成之添加物。其次,該樹脂燒結層可為酚醛樹脂層;該樹脂燒結層更可含有鐵、鎳、銅、錫、鈦或其組合所形成之添加物。再者,該樹脂拋光層可為環氧樹脂層,且該樹脂拋光層更可含有六方氮化硼添加物。
於本創作之複合研磨工具中,該基座的形狀可依據研磨加工的條件及使用者需求而任意變化,其中該基座可為一柄軸圓棒,使該複合研磨工具形成一磨棒;此外,該基座可為一環形圓盤,使該複合研磨工具形成一磨輪,本創作並未侷限於此。
綜上所述,根據本創作之複合研磨工具中,可藉由單一研磨工具以達到粗、經加工的作業程序,同時避免重複定位誤差的問題,並有效降低設備費用,進而提升產品良率。此外,由於不須進行更換磨棒的動作,可以降低設備作業的時間,以增進製程得產出率。
以下係藉由具體實施例說明本創作之實施方式,熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本創作之其他優點與功效。此外,本創作亦可藉由其他不同具體實施例加以施行或應用,在不悖離本創作之精神下進行各種修飾與變更。
實施例1
請參考圖1,圖1係為本創作實施例1之磨棒結構之示意圖,相較於一般多種磨棒對玻璃面板加工,本創作之複合研磨工具係將粗、精加工製程製作於單一研磨工具上,用以對玻璃面板進行加工。請參照圖1及2,圖2係本創作實施例1之磨棒結構之製作流程示意圖,首先,請參照圖2a,係以鎳金屬形成一柄軸圓棒之基座10,該基座10具有一組設部101及一工作端102,該組設部101係位於該基座10及一鎖固端103之一端,該工作端102係位於遠離該組設部101之另一端。其次,請參照圖2b,在該基座10的工作端102上設置一第一研磨層20,該第一研磨層20係為一鎳金屬電鍍層,並具有一平面的外緣表面;此外,該第一研磨層20含有粒徑為30微米至80微米的複數個鑽石研磨顆粒,該第一研磨層20係用以研磨切割後玻璃面板的切割面。接著,請參照圖2c,在該第一研磨層20上設置一第二研磨層30,該第二研磨層30係為一鎳金屬電鍍層及一銅錫合金燒結層,並具有一單凹槽的外緣表面;此外,該第二研磨層30含有粒徑為10微米至54微米的複數個鑽石研磨顆粒,該第二研磨層30係用以研磨玻璃面板的邊緣處,以增加玻璃面板邊緣強度。再者,請參照圖4d,在該第二研磨層30上設置一第三研磨層40,該第三研磨層40係為一銅錫合金燒結層、一酚醛樹脂層以及一環氧樹脂拋光層,並具有一雙凹槽的外緣表面;此外,該第三研磨層40含有粒徑為1微米至20微米的複數個鑽石研磨顆粒,該第三研磨層40用以拋光玻璃面板進行精加工。綜上所述,依序設置第一研磨層20、第二研磨層30及第三研磨層40於該基座10之該工作端102以形成一磨棒1之複合研磨工具。
實施例2
請參考圖3及4,圖3係為本創作實施例2之磨輪研磨層之示意圖,圖4係為本創作實施例2之磨輪結構之示意圖。實施例2與前述實施例1所述之複合研磨工具之結構大致相同,其不同之處在於,實施例1之基座10係為鎳金屬所形成的柄軸圓棒基座,實施例2之基座為鎳金屬所形成的環形圓盤基座,該環形圓盤基座的直徑係為4吋到8吋,用以研磨大型玻璃面板,例如電視。如圖3所示,以鎳金屬形成環形圓盤基座,在圓盤基座上設置第一研磨層20,該第一研磨層20係為一鎳金屬電鍍層,並含有粒徑為30微米至80微米的複數個鑽石研磨顆粒。接著,在該第一研磨層20上設置一第二研磨層30,該第二研磨層30係為一鎳金屬電鍍層及一銅錫合金燒結層;此外,該第二研磨層30含有粒徑為10微米至54微米的複數個鑽石研磨顆粒。再者,在該第二研磨層30上設置一第三研磨層40,該第三研磨層40係為一銅錫合金燒結層、一酚醛樹脂層以及一環氧樹脂拋光層;此外,該第三研磨層40含有粒徑為1微米至20微米的複數個鑽石研磨顆粒。綜上所述,依序設置第一研磨層20、第二研磨層30及第三研磨層40於該環形圓盤基座上以形成一磨輪2之複合研磨工具。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已,本創作所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準,而非僅限於上述實施例。
1‧‧‧磨棒
10‧‧‧基座
101‧‧‧組設部
102‧‧‧工作端
103‧‧‧鎖固端
2‧‧‧磨輪
20‧‧‧第一研磨層
30‧‧‧第二研磨層
40‧‧‧第三研磨層
圖1係本創作實施例1之磨棒結構之示意圖。 圖2係本創作實施例1之磨棒結構之製作流程示意圖。 圖3係本創作實施例2之磨輪研磨層之示意圖。 圖4係本創作實施例2之磨輪結構之示意圖。
1‧‧‧磨棒
10‧‧‧基座
101‧‧‧組設部
102‧‧‧工作端
103‧‧‧鎖固端
20‧‧‧第一研磨層
30‧‧‧第二研磨層
40‧‧‧第三研磨層

Claims (17)

  1. 一種複合研磨工具,包括: 一基座,係具有一組設部及一工作端,該組設部係位於該基座及一鎖固端之一端,該工作端係位於遠離該組設部之另一端; 一第一研磨層,係具有一平面的外緣表面,且該第一研磨層含有粒徑為20微米至150微米的複數個研磨顆粒; 一第二研磨層,係具有一單凹槽的外緣表面,且該第二研磨層含有粒徑為10微米至80微米的複數個研磨顆粒;以及 一第三研磨層,係具有一雙凹槽的外緣表面,且該第三研磨層含有粒徑為1微米至30微米的複數個研磨顆粒; 其中,該第一研磨層、該第二研磨層及該第三研磨層係依序設置於該基座上,且該第一研磨層係位於該工作端。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之複合研磨工具,其中該第一研磨層含有粒徑為30微米至80微米的複數個研磨顆粒。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之複合研磨工具,其中該第二研磨層含有粒徑為10微米至54微米的複數個研磨顆粒。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之複合研磨工具,其中該第三研磨層含有粒徑為1微米至20微米的複數個研磨顆粒。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之複合研磨工具,其中該些研磨顆粒係為鑽石研磨顆粒或立方氮化硼研磨顆粒。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之複合研磨工具,其中該第一研磨層係為一金屬電鍍層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之複合研磨工具,其中該第二研磨層係為一金屬電鍍層或一金屬燒結層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之複合研磨工具,其中該第三研磨層係為一金屬燒結層、一樹脂燒結層、或一樹脂拋光層。
  9. 如申請專利範圍第3或4項所述之複合研磨工具,其中該金屬電鍍層係為鎳電鍍層、銅電鍍層、鐵電鍍層、或其合金電鍍層。
  10. 如申請專利範圍第4或5項所述之複合研磨工具,其中該金屬燒結層係為銅錫合金燒結層。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之複合研磨工具,且該金屬燒結層更含有鐵、鎳、銅、錫、鈦或其組合所形成之添加物。
  12. 如申請專利範圍第5項所述之複合研磨工具,其中該樹脂燒結層係為酚醛樹脂層或尿素甲醛樹脂。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之複合研磨工具,其中該樹脂燒結層更含有鐵、鎳、銅、錫、鈦或其組合所形成之添加物。
  14. 如申請專利範圍第5項所述之複合研磨工具,其中該樹脂拋光層係為環氧樹脂層或不飽和聚脂。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之複合研磨工具,且該樹脂拋光層更含有六方氮化硼添加物。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之複合研磨工具,其中該基座係為一柄軸圓棒,使該複合研磨工具形成一磨棒。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之複合研磨工具,其中該基座係為一環形圓盤,使該複合研磨工具形成一磨輪。
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