TWM522413U - 觸控模組 - Google Patents

Description

觸控模組

本案是有關於一種電子裝置。特別是有關於一種觸控模組。

隨著電子科技的快速進展，觸控模組已被廣泛地應用在各式電子裝置中，如行動電話、平板電腦等。

典型的觸控模組例如可設置於顯示螢幕上，包括複數個觸控電極。在物體(手指或觸碰筆等)接近或觸碰顯示螢幕時，相應的觸控電極產生電訊號，並傳送電訊號至控制電路，藉以達成觸控感測。

在製造過程中，一般係利用蝕刻方式將觸控電極之間的導電物質移除，以圖案化觸控電極，並使觸控電極間彼此絕緣。然而，將部份導電物質移除的做法，將導致觸控模組的光折射率不均勻，而影響觸控模組外觀的光學一致性。

是以，為避免觸控模組的光折射率不均勻，本案 的一態樣提供一種觸控模組。根據本案一實施例，該觸控模組包括一基板、至少一第一觸控電極、一活化層、以及至少一第二觸控電極。該第一觸控電極設置於該基板上。該活化層覆蓋於該第一觸控電極與該基板上。一導電殘料嵌入於該活化層中。該第二觸控電極設置於該活化層上。

根據本案一實施例，該觸控模組更包括一絕緣層。該絕緣層設置於該第二觸控電極上。

根據本案一實施例，該絕緣層於該基板上的正投影小於該第二觸控電極於該基板上的正投影。

根據本案一實施例，該絕緣層與該導電殘料於該基板上的正投影彼此不重疊。

根據本案一實施例，該觸控模組更包括至少一第一導線。該第一導線設置於該基板上，並電性接觸該第一觸控電極。

根據本案一實施例，該觸控模組更包括至少一第二導線。該第二導線設置於該第二觸控電極上，並電性接觸該第二觸控電極。

根據本案一實施例，該第二導線於該基板上的正投影小於該第二觸控電極於該基板上的正投影。

根據本案一實施例，該第二導線與該導電殘料於該基板上的正投影彼此不重疊。

根據本案一實施例，該第二觸控電極相對於該基板的高度不同於該導電殘料相對於該基板的高度。

根據本案一實施例，該第二觸控電極相對於該基 板的高度以及該導電殘料相對於該基板的高度之高度差大於50奈米。

根據本案一實施例，該第二觸控電極與該導電殘料在該基板上的正投影彼此不重疊。

根據本案一實施例，該第一觸控電極與該第二觸控電極為長條形。

根據本案一實施例，該第一觸控電極與該第二觸控電極在該基板上的正投影彼此垂直。

根據本案一實施例，該第一觸控電極由金屬網格所實現。

綜上所述，透過應用上述一實施例，可實現一種觸控模組。藉由嵌入觸控電極於基板中，即可使觸控電極間彼此絕緣，以圖案化觸控電極。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極，並避免造成觸控模組的光折射率不均勻，而影響觸控模組外觀的光學一致性。

100‧‧‧觸控模組

ACT‧‧‧活化層

SBT‧‧‧基板

CDT‧‧‧導電材料層

RTP‧‧‧保留部份

EBP‧‧‧嵌入部份

ETD1‧‧‧第一觸控電極

ETD2‧‧‧第二觸控電極

RMN‧‧‧導電殘料

INS‧‧‧絕緣層

TRC1‧‧‧第一導線

TRC2‧‧‧第二導線

H1‧‧‧高度

H2‧‧‧高度

A-A‧‧‧線段

B-B‧‧‧線段

C-C‧‧‧線段

200‧‧‧製造方法

S1-S3‧‧‧步驟

圖1A-4A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的示意圖；圖1B-4B為圖1A-4A中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；圖1C-4C為圖1A-4A中的觸控模組沿線段B-B方向所繪示的剖面圖； 圖4D為圖4A中的觸控模組沿線段C-C方向所繪示的剖面圖；以及圖5為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的流程圖。

以下將以圖式及詳細敘述清楚說明本揭示內容之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本揭示內容之較佳實施例後，當可由本揭示內容所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本揭示內容之精神與範圍。

關於本文中所使用之『第一』、『第二』、...等，並非特別指稱次序或順位的意思，亦非用以限定本案，其僅為了區別以相同技術用語描述的元件或操作。

關於本文中所使用之方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本創作。

關於本文中所使用之『包含』、『包括』、『具有』、『含有』等等，均為開放性的用語，即意指包含但不限於。

關於本文中所使用之『及/或』，係包括所述事物的任一或全部組合。

關於本文中所使用之用詞(terms)，除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本揭露之用詞將於下或在此說明書的別處討論，以提供本領域技術人員 在有關本揭露之描述上額外的引導。

圖1A-4A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組100的製造方法的示意圖。圖1B-4B為圖1A-4A中的觸控模組100沿線段A-A方向所繪示的剖面圖。圖1C-4C為圖1A-4A中的觸控模組100沿線段B-B方向所繪示的剖面圖。圖4D為圖4A中的觸控模組100沿線段C-C方向所繪示的剖面圖。

特別參照圖1A、圖1B及圖1C。首先，在第一步驟中，形成至少一第一觸控電極ETD1以及至少一第一導線TRC1於基板SBT上，其中第一導線TRC1電性接觸第一觸控電極ETD1。在本實施例中，第一觸控電極ETD1可用金屬、金屬網格(metal mesh)、金屬氧化物、導電高分子、奈米碳管、奈米金屬線、導電膠、導電高分子、石墨稀、奈米金屬等適當導電材料實現，然本案不以此為限。第一導線TRC1可用金屬、金屬氧化物、導電高分子等適當導電材料實現，然本案不以此為限。基板SBT可用玻璃、塑膠等適當材料實現，然本案不以此為限。

接著，在第二步驟中，形成活化層ACT，覆蓋於第一觸控電極ETD1與基板SBT上。在一實施例中，活化層ACT的厚度大致介於50微米至550微米，然而本案不以此為限。在一實施例中，活化層ACT可用聚酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、環狀烯烴單體共聚合物(cyclo olefin polymer，COP)等適當高分子材料實現，然而本案不以此為限。應注意到，在第一觸控電極ETD1用金屬網格實現的情況下，可使活化層ACT更穩固地附著在基板SBT及第一觸控電極ETD1上。

接著，在第三步驟中，形成導電材料層CDT於活化層ACT上。在本實施例中，導電材料層CDT包括嵌入部份EBP以及保留部份RTP。導電材料層CDT的保留部份RTP是用以在後續的步驟中形成第二觸控電極ETD2。導電材料層CDT的嵌入部份EBP是用以在後續的步驟中形成導電殘料RMN(如圖4C)。導電材料層CDT可用奈米碳管、奈米金屬線、導電膠、導電高分子、石墨稀、奈米金屬等適當導電材料實現，然而本案不以此為限。

所謂導電殘料RMN係指在導電材料層CDT中，並未用以製作第二觸控電極ETD2(如圖4C)的部份。在本實施例中，導電殘料RMN與第二觸控電極ETD2在基板SBT上的正投影彼此不重疊。在本實施例中，導電殘料RMN與第二觸控電極ETD2在基板SBT上的正投影可形成一完整的平面，以保持觸控模組100外觀的光學一致性。

接著，特別參照圖2A、圖2B及圖2C。在第四步驟中，形成至少一第二導線TRC2於導電材料層CDT的保留部份RTP上，並電性接觸導電材料層CDT的保留部份RTP。在本實施例中，第二導線TRC2可用金屬、金屬氧化物、導電高分子等適當導電材料實現，然本案不以此為限。

接著，特別參照圖3A、圖3B及圖3C。在第五步 驟中，形成絕緣層INS於導電材料層CDT的保留部份RTP上。在本實施例中，絕緣層INS的一部份是覆蓋於第二導線TRC2上。在本實施例中，絕緣層INS與第二導線TRC2共同地完整覆蓋導電材料層CDT的保留部份RTP。

接著，特別參照圖4A、圖4B及圖4C。在第六步驟中，嵌入導電材料層CDT的嵌入部份EBP於活化層ACT中，並使保留部份RTP保持在活化層ACT的表面上，以令嵌入部份EBP與保留部份RTP彼此分隔並絕緣。此時，嵌入於活化層ACT中的嵌入部份EBP成為導電殘料RMN，保持在活化層ACT的表面上的保留部份RTP成為第二觸控電極ETD2。在本實施例中，導電殘料RMN並未電性接觸第一觸控電極ETD1或第一導線TRC1。

在本實施例中，導電殘料RMN具有相對於基板SBT的高度H1(亦即與基板SBT的間距為H1)，第二觸控電極ETD2具有相對於基板SBT的高度H2(亦即與基板SBT的間距為H2)。高度H1不同於高度H2，且高度H1與H2的差值大於導電殘料RMN的厚度或大於第二觸控電極ETD2的厚度，以使導電殘料RMN絕緣於第二觸控電極ETD2。在一實施例中，導電殘料RMN相對於基板SBT的高度H1與第二觸控電極ETD2相對於基板SBT的高度H2之間的高度差大致大於50奈米。

在一實施例中，於上述的第六步驟中，是藉由提供一種特定溶劑(下稱嵌入液(embedded ink))於導電材料層CDT中的嵌入部份EBP上，以令導電材料層CDT中的嵌入 部份EBP從活化層ACT的表面嵌入於活化層ACT中。換言之，藉由提供嵌入液於導電材料層CDT的嵌入部份EBP上，可令活化層ACT中的對應部份膨脹(swell)，以使導電材料層CDT中的導電材料滲透到活化層ACT之中，以嵌入嵌入部份EBP於活化層ACT中。應注意到，嵌入液的態樣是對應於活化層ACT的材料，凡足以使活化層ACT膨脹，以使導電材料滲透到活化層ACT之中的溶液皆可做為嵌入液。在一實施例中，嵌入液的溶解參數(solubility parameter)接近於活化層ACT之材料的溶解參數。

應注意到，在本案實施例中，可透過塗佈(spray)或印刷(print)的方式提供嵌入液，但本案不以此為限。

再者，應注意到，於上述的第六步驟中，由於絕緣層INS與第二導線TRC2已共同地完整覆蓋於導電材料層CDT的保留部份RTP上，故在提供嵌入液時，可將嵌入液全面性地提供於絕緣層INS、第二導線TRC2與導電材料層CDT的嵌入部份EBP上，而不會使導電材料層CDT的保留部份RTP被嵌入於活化層ACT中，以簡化提供嵌入液的製程。

透過上述的製造方法，即可實現觸控模組100。藉由嵌入的方式圖案化觸控模組100中第二觸控電極ETD2，而非透過蝕刻方式，即可避免造成觸控模組100的光折射率不均勻，而影響觸控模組100外觀的光學一致性。

換言之，藉由嵌入的方式圖案化觸控模組100第二觸控電極ETD2可使第二觸控電極ETD2及導電殘料 RMN在基板SBT上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模組100外觀的光學一致性。

當注意到，在本案中的用語「大致」，係用以修飾可些微變化的數量以及因製造過程所造成的些微誤差，但這種些微變化及些微誤差並不會改變其本質。舉例而言，藉由嵌入的方式圖案化觸控模組100中第二觸控電極ETD2可能因擠壓而造成誤差，使得第二觸控電極ETD2及導電殘料RMN在基板SBT上的正投影之間存在些微間隙或彼此些微重疊。然而，此些因製造過程所造成的些微誤差，亦在本案範圍之中。

在本實施例中，第一觸控電極ETD1與第二觸控電極ETD2大致為長條形，然本案不以此為限。在本實施例中，第一觸控電極ETD1是向圖4A中的y軸方向延伸，且第二觸控電極ETD2是向圖4A中的x軸方向延伸。第一觸控電極ETD1與第二觸控電極ETD2在基板SBT上的正投影彼此垂直。

在一實施例中，導電殘料RMN於基板SBT上的正投影不重疊於第二導線TRC2或絕緣層INS於基板SBT上的正投影。此外，第二導線TRC2以及絕緣層INS於基板SBT上的正投影小於第二觸控電極ETD2於基板SBT上的正投影。

圖5為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法200的流程圖。製造方法200可用以製作上述的 觸控模組100，然不以此為限。在以下段落，將用第一實施例中的觸控模組100為例進行製造方法200的說明，然本案不以此為限。製造方法200包括以下步驟。

在步驟S1中，形成至少一第一觸控電極ETD1於基板SBT上。

在步驟S2中，形成活化層ACT覆蓋於第一觸控電極ETD1與基板SBT上。

在步驟S3中，嵌入導電殘料RMN於活化層ACT中，以形成至少一第二觸控電極ETD2於活化層ACT上。

透過上述的製造方法200，即可實現觸控模組100。藉由嵌入的方式圖案化觸控模組100、第二觸控電極ETD2，而非透過蝕刻方式，即可避免造成觸控模組100的光折射率不均勻，而影響觸控模組100外觀的光學一致性。

綜上所述，本案的一實施例揭露一種觸控模組。觸控模組包括基板、至少一第一觸控電極、活化層以及至少一第二觸控電極。第一觸控電極設置於基板上。活化層覆蓋於第一觸控電極與基板上。導電殘料嵌入於活化層中。第二觸控電極設置於活化層上。

本案的另一實施例揭露一種觸控模組的製造方法。製造方法包括：形成至少一第一觸控電極於基板上；形成活化層覆蓋於第一觸控電極與基板上；以及嵌入導電殘料於活化層中，以形成至少一第二觸控電極於活化層上。

雖然本案已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本案，任何熟習此技藝者，在不脫離本案之精神和範圍 內，當可作各種之更動與潤飾，因此本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧觸控模組

SBT‧‧‧基板

ACT‧‧‧活化層

ETD1‧‧‧第一觸控電極

ETD2‧‧‧第二觸控電極

RMN‧‧‧導電殘料

INS‧‧‧絕緣層

TRC1‧‧‧第一導線

H1‧‧‧高度

H2‧‧‧高度

B-B‧‧‧線段

Claims (10)

1. 一種觸控模組，包括：一基板；至少一第一觸控電極，設置於該基板上；一活化層，覆蓋於該第一觸控電極與該基板上，其中一導電殘料嵌入於該活化層中；以及至少一第二觸控電極，設置於該活化層上。
2. 如請求項1所述之觸控模組，更包括：一絕緣層，設置於該第二觸控電極上。
3. 如請求項2所述之觸控模組，其中該絕緣層於該基板上的正投影小於該第二觸控電極於該基板上的正投影。
4. 如請求項2所述之觸控模組，其中該絕緣層與該導電殘料於該基板上的正投影彼此不重疊。
5. 如請求項1所述之觸控模組，更包括：至少一第一導線，設置於該基板上，並電性接觸該第一觸控電極。
6. 如請求項1所述之觸控模組，更包括：至少一第二導線，設置於該第二觸控電極上，並電性接觸該第二觸控電極。
7. 如請求項6所述之觸控模組，其中該第二導線於該基板上的正投影小於該第二觸控電極於該基板上的正投影。
8. 如請求項6所述之觸控模組，其中該第二導線與該導電殘料於該基板上的正投影彼此不重疊。
9. 如請求項1所述之觸控模組，其中該第二觸控電極相對於該基板的高度不同於該導電殘料相對於該基板的高度。
10. 如請求項9所述之觸控模組，其中該第二觸控電極相對於該基板的高度以及該導電殘料相對於該基板的高度之高度差大於50奈米。