CN203882291U - 触控模块 - Google Patents

Abstract

一种触控模块在此揭露。触控模块包括基板、至少一架桥、活化层、至少二第一触控电极、至少二第二触控电极以及至少一电极通道。架桥设置于基板上。活化层覆盖于架桥与基板上。第一触控电极嵌入于活化层中并电性接触架桥，以通过架桥彼此电性连接。第二触控电极嵌入于活化层中。电极通道嵌入于活化层中，用以令第二触控电极彼此电性连接。第一触控电极电性绝缘于第二触控电极。

Description

触控模块

技术领域

本实用新型是有关于一种电子装置。特别是有关于一种触控模块。

背景技术

随着电子科技的快速进展，触控模块已被广泛地应用在各式电子装置中，如移动电话、平板电脑等。

典型的触控模块例如可设置于显示屏幕上，包括多个触控电极。在物体(手指或触碰笔等)接近或触碰显示屏幕时，相应的触控电极产生电信号，并传送电信号至控制电路，借以达成触控感测。

在制造过程中，一般是利用蚀刻方式将触控电极之间的导电物质移除，以图案化触控电极，并使触控电极间彼此绝缘。然而，将部分导电物质移除的做法，将导致触控模块的光折射率不均匀，而影响触控模块外观的光学一致性。

实用新型内容

是以，为避免触控模块的光折射率不均匀，本实用新型的一方面提供一种触控模块。根据本实用新型一实施例，该触控模块包括一基板、至少一架桥、一活化层、至少二第一触控电极、至少二第二触控电极以及至少一电极通道。该架桥设置于该基板上。该活化层覆盖于该架桥与该基板上。所述第一触控电极嵌入于该活化层中并电性接触该架桥，以通过该架桥彼此电性连接。所述第二触控电极嵌入于该活化层中。该电极通道嵌入于该活化层中，用以令所述第二触控电极彼此电性连接。所述第一触控电极电性绝缘于所述第二触控电极。

根据本实用新型一实施例，所述第一触控电极相对于该基板的高度不同于所述第二触控电极相对于该基板的高度。

根据本实用新型一实施例，所述第一触控电极相对于该基板的高度以及所述第二触控电极相对于该基板的高度的高度差大于50纳米。

根据本实用新型一实施例，所述第一触控电极相对于该基板的高度相同于所述第二触控电极相对于该基板的高度。

根据本实用新型一实施例，该触控模块还包括一绝缘层。该绝缘层设置于该架桥上，用以阻隔该架桥与该电极通道。

根据本实用新型一实施例，该触控模块还包括一导电残料。该导电残料形成于该活化层的一表面上。该导电残料在该基板上的正投影是位于所述第一触控电极、所述第二触控电极以及所述电极通道在该基板上的正投影之间。

根据本实用新型一实施例，所述第一触控电极、所述第二触控电极、该电极通道以及该导电残料在该基板上的正投影之间不重叠。

根据本实用新型一实施例，该导电残料相对于该基板的高度以及所述第一触控电极、所述第二触控电极及该电极通道相对于该基板的高度不同，以令该导电残料绝缘于所述第一触控电极、所述第二触控电极以及该电极通道。

根据本实用新型一实施例，该导电残料相对于该基板的高度以及所述第一触控电极相对于该基板的高度的高度差大于50纳米，且该导电残料相对于该基板的高度以及所述第二触控电极相对于该基板的高度的高度差大于50纳米。

根据本实用新型一实施例，所述第一触控电极或所述第二触控电极相对于该活化层设置有该导电残料的该表面的嵌入深度介于10纳米至500纳米之间。

根据本实用新型一实施例，该电极通道相对于该基板的高度与所述第二触控电极相对于该基板的高度相同。

根据本实用新型一实施例，所述第一触控电极是沿一第一方向设置，所述第二触控电极是沿一第二方向设置，且该第一方向不同于该第二方向。

根据本实用新型一实施例，所述第一触控电极与所述第二触控电极皆为菱形。

综上所述，透过应用上述一实施例，可实现一种触控模块。通过嵌入触控电极于基板中，即可使触控电极间彼此绝缘，以图案化触控电极。如此一来，即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极，并避免造成触控模块的光折射率不均匀，而影响触控模块外观的光学一致性。

附图说明

图1A、图2A、图3A、图4A、图5A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图；

图1B、图2B、图3B、图4B、图5B分别为图1A、图2A、图3A、图4A、图5A中的触控模块沿线段A-A方向所绘示的剖面图；

图6A、图7A、图8A、图9A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图；

图6B、图7B、图8B、图9B分别为图6A、图7A、图8A、图9A中的触控模块沿线段A-A方向所绘示的剖面图；以及

图10为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的流程图。

具体实施方式

以下将以附图及详细叙述清楚说明本实用新型的精神，任何所属技术领域中具有通常知识者在了解本实用新型的较佳实施例后，当可由本实用新型所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本实用新型的精神与范围。

关于本文中所使用的“第一”、“第二”、…等，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本实用新型，其仅为了区别以相同技术用语描述的元件或操作。

关于本文中所使用的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本创作。

关于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等等，均为开放性的用语，即意指包含但不限于。

关于本文中所使用的“及/或”，是包括所述事物的任一或全部组合。

关于本文中所使用的用词(terms)，除有特别注明外，通常具有每个用词使用在此领域中、在此揭露的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本实用新型的用词将于下或在此说明书的别处讨论，以提供本领域技术人员在有关本实用新型的描述上额外的引导。

本实用新型的一实施方式为一种触控模块的制造方法。在以下段落中，本实用新型将用以下第一实施例与第二实施例为例说明本实用新型细节，然而本实用新型不以下述实施例中的细节为限，其它的实施方式亦在本实用新型范围之中。

第一实施例

图1A、图2A、图3A、图4A、图5A分别为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块100的制造方法的示意图。图1B、图2B、图3B、图4B、图5B分别为图1A、图2A、图3A、图4A、图5A中的触控模块100沿线段A-A方向所绘示的剖面图。

首先，特别参照图1A及图1B。在第一步骤中，形成至少一架桥BG于基板110上。架桥BG可用金属、金属氧化物、导电高分子等适当导电材料实现，然本实用新型不以此为限。基板110可用玻璃、塑胶等适当材料实现，然本实用新型不以此为限。

接着，特别参照图2A及图2B。在第二步骤中，形成活化层120，覆盖于架桥BG与基板110上。活化层120具有表面SF1与表面SF2。表面SF1接触基板110。在一实施例中，活化层120的厚度(即H0)大致介于50微米至550微米，然而本实用新型不以此为限。在一实施例中，活化层120可用聚酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、环状烯烃单体共聚合物(cycloolefin polymer，COP)等适当高分子材料实现，然而本实用新型不以此为限。

接着，特别参照图3A及图3B。在第三步骤中，提供第一导电材料层130于活化层120的表面SF2上。第一导电材料层130包括第一保留部分130a与第一嵌入部分130b。第一导电材料层130可用纳米碳管、纳米金属线、导电胶、导电高分子、石墨稀、纳米金属等适当导电材料实现，然而本实用新型不以此为限。

接着，特别参照图4A及图4B。在第四步骤中，嵌入第一导电材料层130中的第一嵌入部分130b于活化层120中相对于基板110的高度H1，以形成第二导电材料层140，并保留第一导电材料层130中的第一保留部分130a于活化层120的表面SF2上，以形成导电残料RM。

在本实施例中，导电残料RM具有相对于基板110的高度H0，其中高度H0不等于高度H1，以使导电残料RM绝缘于第二导电材料层140。在一实施例中，导电残料RM相对于基板110的高度H0与第二导电材料层140相对于基板110的高度H1之间的高度差大致大于50纳米。

在本实施例中，第二导电材料层140包括第二保留部分140a以及第二嵌入部分140b。第二保留部分140a是用以在后续的步骤中形成第二触控电极E2以及电极通道EC，第二嵌入部分140b是用以在后续的步骤中形成第一触控电极E1。第二导电材料层140并未电性接触架桥BG。

所谓导电残料RM是指在制程中，并未用以制作第一触控电极E1、第二触控电极E2与电极通道EC的导电材料。在一实施例中，导电残料RM在基板110上的正投影是位于第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC在基板110上的正投影之间。

在一实施例中，于上述的第四步骤中，是通过提供一种特定溶剂(下称嵌入液(embedded ink))于第一导电材料层130中的第一嵌入部分130b上，以令第一导电材料层130中的第一嵌入部分130b从活化层120的表面SF2嵌入于活化层120中。换言之，通过提供嵌入液于第一导电材料层130中的第一嵌入部分130b上，可令活化层120中的对应部分膨胀(swell)，以使第一导电材料层130中的导电材料渗透到活化层120之中，以嵌入第一嵌入部分130b于活化层120中。应注意到，嵌入液的态样是对应于活化层120的材料，凡足以使活化层120膨胀，以使导电材料渗透到活化层120之中的溶液皆可做为嵌入液。在一实施例中，嵌入液的溶解参数(solubility parameter)接近于活化层120的材料的溶解参数。

应注意到，在本实用新型实施例中，可透过涂布(spray)或印刷(print)的方式提供嵌入液，但本实用新型不以此为限。

接着，特别参照图5A及图5B。在第五步骤中，嵌入第二导电材料层140中的第二嵌入部分140b于活化层120中，以形成第一触控电极E1，且令第一触控电极E1电性接触架桥BG，使得第一触控电极E1透过架桥BG彼此电性连接。此外，在此一步骤中，将第二导电材料层140中的第二保留部分140a保留于活化层120中相对于基板110的高度H1。第二保留部分140a包括第二触控电极E2及电极通道EC。

在一实施例中，于上述的第五步骤中，是将第二导电材料层140中的第二嵌入部分140b嵌入于活化层120中，直到第二嵌入部分140b接触基板110。

在一实施例中，于上述的第五步骤中，可通过提供嵌入液于活化层120的表面SF2上对应于第二嵌入部分140b之处，令第二导电材料层140中的第二嵌入部分140b嵌入于活化层120中。换言之，通过提供嵌入液于活化层120的表面SF2上对应于第二嵌入部分140b之处，可令活化层120中的对应部分膨胀，以使第二导电材料层140中的第二嵌入部分140b进一步嵌入于活化层120中。应注意到，嵌入液的相关细节可参照前述段落，在此不赘述。

在一实施例中，第一触控电极E1相对于基板110的高度与第二触控电极E2及电极通道EC相对于基板110的高度H1彼此不同。在一实施例中，第一触控电极E1相对于基板110的高度与第二触控电极E2及电极通道EC相对于基板110的高度(即H1)之间的高度差大致大于50纳米，以使第一触控电极E1电性绝缘于第二触控电极E2及电极通道EC。

透过上述的制造方法，即可实现触控模块100。通过嵌入的方式图案化触控模块100中第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，而非透过蚀刻方式，即可避免造成触控模块100的光折射率不均匀，而影响触控模块100外观的光学一致性。

换言之，通过嵌入的方式图案化触控模块100中第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，可使第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC、以及导电残料RM在基板110上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。如此一来，即可避免因折射率不均，而影响触控模块100外观的光学一致性。

当注意到，在本实用新型中的用语“大致”，是用以修饰可些微变化的数量以及因制造过程所造成的些微误差，但这种些微变化及些微误差并不会改变其本质。举例而言，通过嵌入的方式图案化触控模块100中第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，可能因挤压而造成误差，使得第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC、以及导电残料RM在基板110上的正投影之间存在些微间隙或彼此些微重叠。然而，这些因制造过程所造成的些微误差，亦在本实用新型范围之中。

在本实施例中，第二触控电极E2例如是沿图5A中y轴方向设置。相邻的两个第二触控电极E2之间是透过电极通道EC彼此电性连接，且第二触控电极E2与电极通道EC相对于基板110的高度彼此相同。

此外，第一触控电极E1例如是沿图5A中x轴方向(垂直于y轴方向)设置。相邻的两个第一触控电极E1之间是透过架桥BG彼此电性连接。

在本实施例中，第一触控电极E1与第二触控电极E2相对于基板110的高度皆不同于导电残料RM相对于基板110的高度，故导电残料RM电性绝缘于第一触控电极E1与第二触控电极E2。

再者，于本实施例中，第一触控电极E1与第二触控电极E2皆大致为菱形。

再一方面，于本实施例中，第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC皆完全嵌入活化层120之中。即是，第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC皆未暴露于活化层120表面SF2。如此一来，则触控模块100不需额外的保护层(passive layer)以保护或阻隔暴露于活化层120上的第一触控电极E1、第二触控电极E2及/或电极通道EC，而可减少触控模块100的制造时间与成本。并且，由于第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC皆完全嵌入活化层120之中，故触控模块100可更便于进行后续加工或组装。

在一实施例中，为避免第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC中任一者暴露于活化层120的表面SF2，第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC中最接近活化层120的表面SF2者(例如第二触控电极E2)相对于活化层120的表面SF2的嵌入深度(例如是H0-H1)大致介于10纳米至500纳米之间。

第二实施例

以下将透过第二实施例，提供一种触控模块200的制造方法。触控模块200的制造方法与前述触控模块100的制造方法大致相同，差异之处仅在于触控模块200还包括绝缘层IN，且触控模块200中的第一触控电极E1与第二触控电极E2具有相同的相对于基板110的高度。是以，在以下说明中，重复的部分将不赘述。

首先，再次参照图1A、1B。在第一步骤中，形成至少一架桥BG于基板110上。当注意到，架桥BG与基板110的具体细节可参照前述对应段落，在此不赘述。

接着，特别参照图6A及图6B。在第二步骤中，提供至少一绝缘层IN于架桥BG上。在一实施例中，绝缘层IN仅覆盖架桥BG的一部分。

接着，特别参照图7A及图7B。在第三步骤中，形成活化层120，覆盖于架桥BG、基板110及绝缘层IN上。活化层120的相关细节可参照前述对应段落，在此不赘述。

接着，特别参照图8A及图8B。在第四步骤中，提供第一导电材料层130于活化层120的表面SF2上。第一导电材料层130的相关细节可参照前述对应段落，在此不赘述。

接着，特别参照图9A及图9B。在第五步骤中，嵌入第一导电材料层130中的第一嵌入部分130b于活化层120中，以分别形成第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC。第一触控电极E1电性接触架桥BG。电极通道EC接触绝缘层IN。

亦即，在此一步骤中，可直接将第一导电材料层130中的第一嵌入部分130b嵌入于活化层120中，直到第一嵌入部分130b中的第一触控电极E1以及第二触控电极E2接触基板110。此时，由于架桥BG上存在绝缘层IN，故第一嵌入部分130b中的电极通道EC可通过绝缘层IN以电性绝缘于架桥BG。

此外，在此一步骤中，可将第一导电材料层130中的第一保留部分130a保留于活化层120的表面SF2上，以形成导电残料RM。

在一实施例中，导电残料RM相对于基板110的高度(如高度H0)不同于第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC相对于基板110的高度，以使导电残料RM绝缘于第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC。在一实施例中，导电残料RM相对于基板110的高度与第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC相对于基板110的高度之间的高度差皆大致大于50纳米，以使导电残料RM绝缘于第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC。关于导电残料RM的相关细节可参照前述对应段落，在此不赘述。

在一实施例中，于第五步骤中，提供嵌入液于该第一导电材料层130中的该第一嵌入部分130b上(活化层120的表面SF2)，以令第一导电材料层130中的第一嵌入部分130b嵌入于活化层120中。此一嵌入步骤的具体细节可参照前述相对段落，在此不赘述。

透过上述的制造方法，即可实现触控模块200。通过嵌入的方式图案化触控模块200中第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，而非透过蚀刻方式，即可避免影响触控模块200外观的光学一致性。

类似地，在本实施例中，第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC、以及导电残料RM在基板110上的正投影之间大致不具间隙且不重叠，以避免影响触控模块200外观的光学一致性。

此外，在本实施例中，相邻的两个第二触控电极E2之间是透过电极通道EC彼此电性连接。相邻的两个第一触控电极E1之间是透过架桥BG彼此电性连接。关于第一、第二触控电极E1、E2的形状及设置走向可参照前述段落，在此不赘述。

另一方面，在本实施例中，第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC皆完全嵌入活化层120之中。即是，第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC皆未暴露于活化层120的表面SF2。如此一来，则触控模块200不需额外的保护层以保护或阻隔暴露于活化层120的表面SF2上的第一触控电极E1、第二触控电极E2及/或电极通道EC，而可减少触控模块200的制造时间与成本。并且，由于第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC皆完全嵌入活化层120之中，故触控模块200可更便于进行后续加工或组装。

在一实施例中，为避免第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC中任一者暴露于活化层120的表面SF2，第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC中最接近活化层120的表面SF2者(例如电极通道EC)相对于活化层120的表面SF2的嵌入深度(例如是H0-H1)大致介于10纳米至500纳米之间。

图10为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法300的流程图。制造方法300可用以制作上述第一实施例及第二实施例中的触控模块100、200，然不以此为限。在以下段落，将用第一实施例中的触控模块100为例进行制造方法300的说明，然本实用新型不以此为限。制造方法300包括以下步骤。

在步骤S1中，形成至少一架桥BG于基板110上。

在步骤S2中，形成活化层120，覆盖于架桥BG与基板110上。

在步骤S3中，嵌入至少二第一触控电极E1、至少二第二触控电极E2、以及至少一电极通道EC于活化层120中，以令第一触控电极E1电性接触架桥BG，并通过架桥BG彼此电性连接。电极通道EC用以令第二触控电极E2彼此电性连接。

透过上述的制造方法300，即可实现触控模块100。通过嵌入的方式图案化触控模块100中第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，而非透过蚀刻方式，即可避免造成触控模块100的光折射率不均匀，而影响触控模块100外观的光学一致性。

综上所述，本实用新型的一实施例揭露一种触控模块。触控模块包括基板、至少一架桥、活化层、至少二第一触控电极、至少二第二触控电极以及至少一电极通道。架桥设置于基板上。活化层覆盖于架桥与基板上。第一触控电极嵌入于活化层中并电性接触架桥，以通过架桥彼此电性连接。第二触控电极嵌入于活化层中。电极通道嵌入于活化层中，用以令第二触控电极彼此电性连接。第一触控电极电性绝缘于第二触控电极。

本实用新型的另一实施例揭露一种触控模块的制造方法。制造方法包括：形成至少一架桥于基板上；形成活化层，覆盖于架桥与基板上；以及嵌入至少二第一触控电极、至少二第二触控电极、以及至少一电极通道于活化层中，以令第一触控电极电性接触架桥，并通过架桥彼此电性连接。电极通道用以令第二触控电极彼此电性连接。

虽然本实用新型已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何熟悉此技艺者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (13)

1.一种触控模块，其特征在于，包括：

一基板；

至少一架桥，设置于该基板上；

一活化层，覆盖于该架桥与该基板上；

至少二第一触控电极，嵌入于该活化层中并电性接触该架桥，以通过该架桥彼此电性连接；

至少二第二触控电极，嵌入于该活化层中；以及

至少一电极通道，嵌入于该活化层中，用以令所述第二触控电极彼此电性连接；

其中所述第一触控电极电性绝缘于所述第二触控电极。

2.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极相对于该基板的高度不同于所述第二触控电极相对于该基板的高度。

3.根据权利要求2所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极相对于该基板的高度以及所述第二触控电极相对于该基板的高度的高度差大于50纳米。

4.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极相对于该基板的高度相同于所述第二触控电极相对于该基板的高度。

5.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，还包括：

一绝缘层，设置于该架桥上，用以阻隔该架桥与该电极通道。

6.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，还包括：

一导电残料，形成于该活化层的一表面上，其中该导电残料在该基板上的正投影是位于所述第一触控电极、所述第二触控电极以及所述电极通道在该基板上的正投影之间。

7.根据权利要求6所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极、所述第二触控电极、该电极通道以及该导电残料在该基板上的正投影之间不重叠。

8.根据权利要求6所述的触控模块，其特征在于，该导电残料相对于该基板的高度以及所述第一触控电极、所述第二触控电极及该电极通道相对于该基板的高度不同，以令该导电残料绝缘于所述第一触控电极、所述第二触控电极以及该电极通道。

9.根据权利要求8所述的触控模块，其特征在于，该导电残料相对于该基板的高度以及所述第一触控电极相对于该基板的高度的高度差大于50纳米，且该导电残料相对于该基板的高度以及所述第二触控电极相对于该基板的高度的高度差大于50纳米。

10.根据权利要求6所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极或所述第二触控电极相对于该活化层设置有该导电残料的该表面的嵌入深度介于10纳米至500纳米之间。

11.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，该电极通道相对于该基板的高度与所述第二触控电极相对于该基板的高度相同。

12.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极是沿一第一方向设置，所述第二触控电极是沿一第二方向设置，且该第一方向不同于该第二方向。

13.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极与所述第二触控电极皆为菱形。