CN203759665U - 触控模块 - Google Patents

Abstract

一种触控模块在此揭露。触控模块包括一基板、至少二第一触控电极、至少二第二触控电极、至少一电极通道以及至少一架桥。第一触控电极、第二触控电极以及电极通道皆嵌入于基板中。电极通道用以令第二触控电极彼此电性连接。架桥跨越电极通道，用以令第一触控电极彼此电性连接。第一触控电极与第二触控电极彼此电性绝缘。

Description

触控模块

技术领域

本实用新型是有关于一种电子装置。特别是有关于一种触控模块。

背景技术

随着电子科技的快速进展，触控模块已被广泛地应用在各式电子装置中，如移动电话、平板电脑等。

典型的触控模块例如可设置于显示屏幕上，包括多个触控电极。在物体(手指或触碰笔等)接近或触碰显示屏幕时，相应的触控电极产生电信号，借此达成触控感测。

在制造过程中，一般是利用蚀刻方式将触控电极之间的导电物质移除，以图案化触控电极，并使触控电极间彼此绝缘。然而，将部分导电物质移除的做法，以及仅移除部分导电物质所形成的结构，将导致触控模块的光折射率不均匀，而影响触控模块外观的光学一致性。

实用新型内容

是以，为避免触控模块的光折射率不均匀，本实用新型的一方面提供一种触控模块。根据本实用新型一实施例，该触控模块包括一基板、至少二第一触控电极、至少二第二触控电极、至少一电极通道、以及至少一架桥。该至少二第一触控电极嵌入于该基板中。该至少二第二触控电极嵌入于该基板中。该至少一电极通道嵌入于该基板中，用以令所述第二触控电极彼此电性连接。至少一架桥跨越该至少一电极通道，用以令所述第一触控电极彼此电性连接。所述第一触控电极与所述第二触控电极彼此电性绝缘。

在本实用新型一实施例中，该基板还包括一底层以及一活化层，该活化层设置于该底层上，且所述第一触控电极、所述第二触控电极以及该电极通道是嵌入于该活化层中。

在本实用新型一实施例中，所述第一触控电极相对于该基板的一第一表面的高度与所述第二触控电极相对于该基板的该第一表面的高度彼此不同。

在本实用新型一实施例中，所述第一触控电极相对于该基板的该第一表面的高度与所述第二触控电极相对于该基板的该第一表面的高度的高度差大于50纳米。

在本实用新型一实施例中，所述第一触控电极相对于该基板的一第一表面的高度与所述第二触控电极相对于该基板的该第一表面的高度彼此相同。

在本实用新型一实施例中，所述的触控模块还包括：

一导电残料，其中该导电残料在该基板的一第一表面所产生的正投影是位于所述第一触控电极、所述第二触控电极以及所述电极通道在该第一表面所产生的正投影之间；

其中该导电残料相对于该第一表面的高度与所述第一触控电极、所述第二触控电极以及该电极通道相对于该第一表面的高度不同，以令该导电残料绝缘于所述第一触控电极、所述第二触控电极以及该电极通道。

在本实用新型一实施例中，所述第一触控电极、所述第二触控电极、该电极通道以及该导电残料在该基板的该第一表面上的正投影之间不重叠。

在本实用新型一实施例中，所述的触控模块还包括：一绝缘层，设置于该导电残料与该架桥之间，用以阻隔该导电残料与该架桥。

在本实用新型一实施例中，该导电残料相对于该第一表面的高度与所述第一触控电极相对于该第一表面的高度的高度差大于50纳米，或该导电残料相对于该第一表面的高度与所述第二触控电极相对于该第一表面的高度的高度差大于50纳米。

在本实用新型一实施例中，该电极通道相对于该基板的一第一表面的高度与所述第二触控电极相对于该基板的该第一表面的高度相同。

在本实用新型一实施例中，该基板包括：至少二接触孔分别位于所述第一触控电极上，该架桥透过所述接触孔电性连接所述第一触控电极。

在本实用新型一实施例中，所述第一触控电极或所述第二触控电极相对于该基板的一第二表面的嵌入深度介于10纳米至500纳米之间，其中该第二表面相对于该第一表面。

在本实用新型一实施例中，所述第一触控电极是沿一第一方向设置，所述第二触控电极是沿一第二方向设置，且该第一方向不同于该第二方向。

在本实用新型一实施例中，所述第一触控电极与所述第二触控电极皆为菱形。

综上所述，透过应用上述一实施例，可实现一种触控模块。通过将触控电极嵌入于基板中的方式图案化触控电极，可使触控电极间彼此绝缘。如此一来，即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极，并避免造成触控模块的光折射率不均匀，而影响触控模块外观的光学一致性。

附图说明

图1A、图2A、图3A、图4A、图5A与图6A为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图；

图1B、图2B、图3B、图4B、图5B与图6B分别为图1A、图2A、图3A、图4A、图5A与图6A中的触控模块沿线段A-A方向所绘示的剖面图；

图7A为根据本实用新型另一实施例绘示的一种触控模块的制造方法中的一个步骤的示意图；

图7B为图7A中的触控模块沿线段A-A方向所绘示的剖面图；

图8A为根据本实用新型另一实施例绘示的一种触控模块的制造方法中的一个步骤的示意图；

图8B为图8A中的触控模块沿线段A-A方向所绘示的剖面图；

图9A、图10A、图11A、图12A、图13A与图14A为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图；

图9B、图10B、图11B、图12B、图13B与图14B分别为图9A、图10A、图11A、图12A、图13A与图14A中的触控模块沿线段A-A方向所绘示的剖面图；

图15A、图16A、图17A、图18A、图19A、图20A与图21A为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图；

图15B、图16B、图17B、图18B、图19B、图20B与图21B分别为图15A、图16A、图17A、图18A、图19A、图20A与图21A中的触控模块沿线段A-A方向所绘示的剖面图；

图22A与图23A分别为根据本实用新型一变化的实施例绘示的一种触控模块的制造方法中的两个步骤的示意图；

图22B与图23B分别为图22A与图23A中的触控模块沿线段A-A方向所绘示的剖面图；

图24A、图25A与图26A分别为根据本实用新型一变化的实施例绘示的一种触控模块的制造方法中的三个步骤的示意图；

图24B、图25B与图26B分别为图24A、图25A与图26A中的触控模块沿线段A-A方向所绘示的剖面图；

图27A、图28A、图29A、图30A、图31A与图32A为根据本实用新型一变化的实施例绘示的一种触控模块的制造方法的示意图；

图27B、图28B、图29B、图30B、图31B与图32B分别为图27A、图28A、图29A、图30A、图31A与图32A中的触控模块沿线段A-A方向所绘示的剖面图；

图33A与图34A分别为根据本实用新型一变化的实施例绘示的一种触控模块的制造方法中的两个步骤的示意图；

图33B与图34B分别为图33A与图34A中的触控模块沿线段A-A方向所绘示的剖面图；

图35A、图36A与图37A分别为根据本实用新型一变化的实施例绘示的一种触控模块的制造方法中的三个步骤的示意图；以及

图35B、图36B与图37B分别为图35A、图36A与图37A中的触控模块沿线段A-A方向所绘示的剖面图；

图38为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法的流程图。

具体实施方式

以下将以附图及详细叙述清楚说明本实用新型的精神，任何所属技术领域中具有通常知识者在了解本实用新型的较佳实施例后，当可由本实用新型所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本实用新型的精神与范围。

关于本文中所使用的“第一”、“第二”、…等，并非特别指称次序或顺位的意思，亦非用以限定本实用新型，其仅为了区别以相同技术用语描述的元件或操作。

关于本文中所使用的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本创作。

关于本文中所使用的“包含”、“包括”、“具有”、“含有”等等，均为开放性的用语，即意指包含但不限于。

关于本文中所使用的“及/或”，是包括所述事物的任一或全部组合。

关于本文中所使用的用词（terms），除有特别注明外，通常具有每个用词使用在此领域中、在此揭露的内容中与特殊内容中的平常意义。某些用以描述本揭露的用词将于下或在此说明书的别处讨论，以提供本领域技术人员在有关本揭露的描述上额外的引导。

本实用新型的一实施方式为一种触控模块的制造方法。在以下段落中，本实用新型将用以下第一实施例至第六实施例为例说明本实用新型细节，然而本实用新型不以下述实施例中的细节为限，其它的实施方式亦在本实用新型范围之中。

第一实施例

图1A、图2A、图3A、图4A、图5A与图6A为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块100的制造方法的示意图。图1B、图2B、图3B、图4B、图5B与图6B分别为图1A、图2A、图3A、图4A、图5A与图6A中的触控模块100沿线段A-A方向所绘示的剖面图。

首先，特别参照图1A及图1B，在一第一步骤中，嵌入第一导电材料层120于基板110中相对于基板110的第一表面SF1的高度H1。第一导电材料层120包括第一保留部分120a与第一嵌入部分120b。

在本实施例中，例如是通过提供含导电添加物(conducting additive)的嵌入液(embedded ink)于基板110上，以令导电添加物嵌入基板110中，形成第一导电材料层120。在一实施例中，基板110例如是由聚酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、环状烯烃单体共聚合物(cycloolefin polymer，COP)等适当高分子材料实现。在一实施例中，基板110的厚度(即H0)大致介于50微米至550微米。在一实施例中，含导电添加物的嵌入液例如是通过将导电添加物溶解于特定溶剂中实现，其中所述的特定溶剂的溶解参数(solubility parameter)接近于基板110的材料的溶解参数，以使溶解于所述的特定溶剂中的导电添加物渗透进入基板110之中，以达成嵌入的效果。在一实施例中，上述导电添加物例如是纳米碳管、纳米金属线、导电胶、导电高分子、石墨稀、纳米金属等适当导电材料。

即是，通过提供含导电添加物的嵌入液于以高分子材料形成的基板110的第二表面SF2上，可使基板110中邻近第二表面SF2的部分膨胀，以使导电添加物渗透到基板110之中，以达到内嵌的效果。

接着，特别参照图2A及图2B，在一第二步骤中，进一步嵌入第一导电材料层120中的第一嵌入部分120b(参图1B)于基板110中相对于基板110的第一表面SF1的高度H2，以形成第二导电材料层130，并使第一导电材料层120中的第一保留部分120a保留于高度H1。第二导电材料层130包括第二保留部分130a与第二嵌入部分130b。高度H2与高度H1彼此不同。在一实施例中，高度H2与高度H1的高度差大致大于50纳米，以使具有高度H1的第一保留部分120a与具有高度H2的第二导电材料层130彼此绝缘。

在本实施例中，例如是通过对应于第一导电材料层120中的第一嵌入部分120b，提供不含导电添加物的嵌入液于基板110的第二表面SF2上，以嵌入第一导电材料层120中的第一嵌入部分120b于基板110中相对于基板110的第一表面SF1的高度H2。此处所谓不含导电添加物的嵌入液例如是由前述的具有特定溶解参数的特定溶剂所实现。

另外，当注意到，在本实用新型中提供含导电添加物或不含导电添加物的嵌入液于基板110中的操作，是可透过涂布(spray)或印刷(print)的方式所实现，但不以此为限。

接着，特别参照图3A及图3B，在一第三步骤中，进一步嵌入第二导电材料层130中的第二嵌入部分130b于基板110中相对于基板110的第一表面SF1的高度H3，以形成第三导电材料层140，并使第二导电材料层130中的第二保留部分130a保留于第二高度H2。高度H3与高度H1及高度H2彼此不同。在一实施例中，高度H3与高度H2的高度差大致大于50纳米，以使具有高度H2的第二保留部分130a与具有高度H3的第三导电材料层140彼此绝缘。

在本实施例中，进一步嵌入第二导电材料层130中的第二嵌入部分130b于基板110中相对于基板110的第一表面SF1的高度H3的具体做法可参照前述第二步骤中的说明，在此不赘述。

在本实用新型一些实施例中，第一保留部分120a包括触控模块100中的第一触控电极E1、第二触控电极E2与电极通道EC的组合、以及导电残料RM中的一者。第二保留部分130a包括触控模块100中的第一触控电极E1、第二触控电极E2与电极通道EC的组合、以及导电残料RM中的另一者。第三导电材料层140包括触控模块100中的第一触控电极E1、第二触控电极E2与电极通道EC的组合、以及导电残料RM中的最后一者。举例而言，在本实施例中，第一保留部分120a包括触控模块100中的第一触控电极E1，第二保留部分130a包括触控模块100中的第二触控电极E2与电极通道EC的组合，且第三导电材料层140包括触控模块100中的导电残料RM。

此处所谓导电残料RM，是指在制程中，并未用以制作第一触控电极E1、第二触控电极E2与电极通道EC的导电材料。导电残料RM在基板110的第一表面SF1所产生的正投影是位于第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC在基板110的第一表面SF1所产生的正投影之间。在本实施例中，由于导电残料RM相对于基板110的第一表面SF1的高度(如高度H3)与第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC相对于基板110的第一表面SF1的高度(如高度H1、H2)不同，故导电残料RM绝缘于第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC。而通过令导电残料RM绝缘于第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，即可使第一触控电极E1与第二触控电极E2彼此绝缘。

接着，特别参照图4A及图4B，在一第四步骤中，提供一遮罩MSK于基板110的第一表面SF1或第二表面SF2上(在本实施例中以第二表面SF2为例)，并暴露基板110的至少二预开孔部分HLE。

接着，特别参照图5A及图5B，在一第五步骤中，移除(例如是透过蚀刻方式)基板110的预开孔部分HLE，以形成至少二接触孔CTH。这些接触孔CTH分别位于第一触控电极E1上，用以暴露出部分嵌入于基板110中的第一触控电极E1。此外，在移除基板110的预开孔部分HLE的步骤中，亦可一并移除(例如是透过蚀刻方式)基板110上的遮罩MSK。

接着，特别参照图6A及图6B，在一第六步骤中，提供至少一架桥BG，其中架桥BG是跨越电极通道EC设置，用以令相邻的第一触控电极E1彼此电性连接。在一实施例中，架桥BG是透过接触孔CTH电性连接相邻的第一触控电极E1。

透过上述的制造方法，即可实现触控模块100。通过嵌入的方式图案化触控模块100中第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，而非透过蚀刻方式，即可避免造成触控模块100的光折射率不均匀，而影响触控模块100外观的光学一致性。

换言之，通过嵌入的方式图案化触控模块100中第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，使得第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC、以及导电残料RM在基板110的第一表面SF1上的正投影之间大致不具间隙或大致不重叠。如此一来，即可避免因折射率不均，而影响触控模块100外观的光学一致性。

当注意到，在本实用新型中的用语“大致”，是用以修饰可些微变化的数量以及因制造过程所造成的些微误差，但这种些微变化及些微误差并不会改变其本质。举例而言，通过嵌入的方式图案化触控模块100中第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，可能因挤压而造成误差，使得第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC、以及导电残料RM在基板110的第一表面SF1上的正投影之间存在些微间隙或些微重叠。然而，这些因制造过程所造成的些微误差，亦在本实用新型范围之中。

在本实施例，第二触控电极E2例如是沿图6A中y轴方向设置。相邻的两个第二触控电极E2之间是透过电极通道EC彼此连接，故第二触控电极E2与电极通道EC具有相对于基板110的第一表面SF1的相同高度。

此外，第一触控电极E1例如是沿图6A中x轴方向(垂直于y轴方向)设置。相邻的两个第一触控电极E1之间是透过架桥BG彼此连接。由于第一触控电极E1与第二触控电极E2皆不同于导电残料RM相对于基板110的第一表面SF1的高度，故第一触控电极E1、第二触控电极E2与导电残料RM之间彼此绝缘。

再者，于本实施例中，第一触控电极E1与第二触控电极E2皆为菱形。

再一方面，于本实施例中，第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC以及导电残料RM皆完全嵌入基板110之中。即是，第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC以及导电残料RM皆未暴露于基板110的第一表面SF1或第二表面SF2。如此一来，则触控模块100不需额外的保护层(passive layer)以保护或阻隔暴露于基板110上的第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC及/或导电残料RM，而可减少触控模块100的制造时间与成本。并且，由于第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC以及导电残料RM皆完全嵌入基板110之中，使得触控模块100更具整体性，更便于后续加工或与其他设备组装，如显示模块。

在一实施例中，为避免第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC、以及导电残料RM中任一者暴露于基板110的第二表面SF2，第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC以及导电残料RM中最接近基板110的第二表面SF2者(例如第一触控电极E1)相对于基板110的第二表面SF2的嵌入深度(例如是H0-H1)大致介于10纳米至500纳米之间。

参照图7A以及图7B，在本实用新型的一变化的实施例中，前述对应于图1A、图1B的第一步骤，另可由以下步骤达成。首先，提供基础导电材料层150于基板110的第二表面SF2上，而后提供不含导电添加物的嵌入液于基板110的第二表面SF2上，以令基础导电材料层150嵌入于基板110中，形成第一导电材料层120。

基础导电材料层150例如可以是以与上述导电添加物相同的材料形成。另外，不含导电添加物的嵌入液的具体细节可参照前述段落，在此不赘述。

另一方面，参照图8A以及图8B，在本实用新型的一变化的实施例中，基板110可包括一活化层110a以及一底层110b。活化层110a设置于底层110b之上，且前述的第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC以及导电残料RM皆嵌入于基板110的活化层110a中。

在一实施例中，底层110b可以是刚性或软性材质，例如可用玻璃、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)及/或聚碳酸酯(polycarbonate，PC)所制作。在一实施例中，底层110b的厚度大致介于50微米至500微米之间。活化层110a例如可用聚酸甲酯、聚氯乙烯(polyvinyl chloride，PVC)及/或聚苯乙烯（polystyrene）等适当高分子材料实现。在一实施例中，活化层110a的厚度大致介于0.1微米至50微米之间。

第二实施例

以下将透过第二实施例，提供一种触控模块200的制造方法。触控模块200的制造方法与前述触控模块100的制造方法大致相同，差异之处仅在于第一触控电极E1、第二触控电极E2与电极通道EC的组合、以及导电残料RM的形成顺序。故在以下说明中，重复的部分将不赘述。

图9A、图10A、图11A、图12A、图13A与图14A为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块200的制造方法的示意图。图9B、图10B、图11B、图12B、图13B与图14B分别为图9A、图10A、图11A、图12A、图13A与图14A中的触控模块200沿线段A-A方向所绘示的剖面图。

首先，特别参照图9A及图9B，在一第一步骤中，嵌入第一导电材料层220于基板210中相对于基板210的第一表面SF1的高度H1。第一导电材料层220包括第一保留部分220a与第一嵌入部分220b。

接着，特别参照图10A及图10B，在一第二步骤中，进一步嵌入第一导电材料层220中的第一嵌入部分220b于基板210中相对于基板210的第一表面SF1的高度H2，以形成第二导电材料层230，并使第一导电材料层220中的第一保留部分220a保留于高度H1。第二导电材料层230包括第二保留部分230a与第二嵌入部分230b。

接着，特别参照图11A及图11B，在一第三步骤中，进一步嵌入第二导电材料层230中的第二嵌入部分230b于基板210中相对于基板210的第一表面SF1的高度H3，以形成第三导电材料层240，并使第二导电材料层230中的第二保留部分230a保留于第二高度H2。在本实施例中，第一保留部分220a包括触控模块200中的导电残料RM，第二保留部分230a包括触控模块200中的第二触控电极E2与电极通道EC，且第三导电材料层240包括触控模块200中的第一触控电极E1。

接着，特别参照图12A及图12B，在一第四步骤中，提供一遮罩MSK于基板210的第一表面SF1或第二表面SF2上(在本实施例中以第二表面SF2为例)，并暴露基板210的至少二预开孔部分HLE。

接着，特别参照图13A及图13B，在一第五步骤中，移除基板210的预开孔部分HLE，以形成至少二接触孔CTH。这些接触孔CTH分别位于第一触控电极E1上，用以暴露出部分嵌入于基板210中的第一触控电极E1。此外，在移除基板210的预开孔部分HLE的步骤中，亦可一并移除基板210上的遮罩MSK。

在本实施例中，相较于第一实施例中的触控模块100，由于第一触控电极E1在基板210中的嵌入深度较深，故本实施例中的接触孔CTH较第一实施例中的接触孔CTH深。

接着，特别参照图14A及图14B，在一第六步骤中，提供至少一架桥BG，其中架桥BG是跨越电极通道EC设置，用以令相邻的第一触控电极E1彼此电性连接。在一实施例中，架桥BG是透过接触孔CTH电性连接相邻的第一触控电极E1。

透过上述的制造方法，即可实现触控模块200。通过嵌入的方式图案化触控模块200中第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，而非透过蚀刻方式，即可避免影响触控模块200外观的光学一致性。

当注意到，在此一实施例的第一步骤中，亦可采用如图7A及图7B中所示的方式嵌入第一导电材料层220于基板210中。另外，在此一实施例，基板210亦可为如图8A及图8B中所示，包括底层及活化层。

另一方面，当注意到，形成第一触控电极E1、第二触控电极E2与电极通道EC的组合、以及导电残料RM的顺序可依实际需求进行变换，而不以上述实施例中所述为限。

第三实施例

以下将透过第三实施例，提供一种触控模块300的制造方法。触控模块300的制造方法与前述触控模块100的制造方法大致相似，故在以下说明中，重复的部分将不赘述。

图15A、图16A、图17A、图18A、图19A、图20A与图21A为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块300的制造方法的示意图。图15B、图16B、图17B、图18B、图19B、图20B与图21B分别为图15A、图16A、图17A、图18A、图19A、图20A与图21A中的触控模块300沿线段A-A方向所绘示的剖面图。

首先，特别参照图15A及图15B，在第一步骤中，提供基础导电材料层350于基板310的第二表面SF2上。基础导电材料层350包括基础保留部分350a与基础嵌入部分350b。

在一实施例中，基础导电材料层350例如可以是以与前述导电添加物相同的材料形成，在此不赘述。

接着，特别参照图16A及图16B，于第二步骤中，嵌入基础导电材料层350中的基础嵌入部分350b于基板310中相对于基板310的第一表面SF1的高度H1，以形成第一导电材料层320，并令位于基板310的第二表面SF2上的基础导电材料层350中的基础保留部分350a形成导电残料RM。第一导电材料层320包括第一保留部分320a以及第一嵌入部分320b。在一实施例中，高度H1与基板310的高度H0之间的高度差例如是大致大于50纳米，以使位于基板310的第二表面SF2上的基础保留部分350a与具有高度H1的第一导电材料层320彼此绝缘。

在本实施例中，例如是通过对应于基础导电材料层350中的基础嵌入部分350b，提供不含导电添加物的嵌入液于基板310的第二表面SF2上，以嵌入基础导电材料层350中的基础嵌入部分350b于基板310中相对于基板310的第一表面SF1的高度H1。

当注意到，上述导电残料RM以及不含导电添加物的嵌入液的相关细节可参照前述实施例，在此不赘述。

接着，特别参照图17A及图17B，于第三步骤中，进一步嵌入第一导电材料层320中的第一嵌入部分320b于基板310中相对于基板310的第一表面SF1的高度H2，以形成第二导电材料层330，并使第一导电材料层320中的第一保留部分320a保留于高度H1。高度H2与高度H1彼此不同。在一实施例中，高度H2与高度H1的高度差大致大于50纳米，以使具有高度H1的第一保留部分320a与具有高度H2的第二导电材料层330彼此绝缘。

在本实施例中，例如是通过对应于第一导电材料层320中的第一嵌入部分320b，提供不含导电添加物的嵌入液于基板310的第二表面SF2上，以嵌入第一导电材料层320中的第一嵌入部分320b于基板310中相对于基板310的第一表面SF1的高度H2。

在本实用新型一些实施例中，第一保留部分320a包括第一触控电极E1，且第二导电材料层330第二触控电极E2以及电极通道EC，或第一保留部分320a包括第二触控电极E2以及电极通道EC，且第二导电材料层330包括第一触控电极E1。在本实施例中，第一保留部分320a是包括第二触控电极E2以及电极通道EC，且第二导电材料层330是包括第一触控电极E1。

接着，特别参照图18A及图18B，在一第四步骤中，提供一遮罩MSK于基板310的第一表面SF1或第二表面SF2上(在本实施例中以第二表面SF2为例)，并暴露基板310的至少二预开孔部分HLE。

接着，特别参照图19A及图19B，在一第五步骤中，移除基板310的预开孔部分HLE，以形成至少二接触孔CTH。这些接触孔CTH分别位于第一触控电极E1上，用以暴露出部分嵌入于基板310中的第一触控电极E1。此外，在移除基板310的预开孔部分HLE的步骤中，亦可一并移除基板310上的遮罩MSK。

接着，特别参照图20A及图20B，在一第六步骤中，提供绝缘层INS覆盖于导电残料RM上。绝缘层INS是用以阻隔架桥BG与导电残料RM。

接着，特别参照图21A及图21B，在一第七步骤中，提供至少一架桥BG，其中架桥BG是跨越电极通道EC设置，用以令相邻的第一触控电极E1彼此电性连接。在一实施例中，架桥BG是透过接触孔CTH电性连接相邻的第一触控电极E1。

透过上述的制造方法，即可实现触控模块300。通过嵌入的方式图案化触控模块300中第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，而非透过蚀刻方式，即可避免影响触控模块300外观的光学一致性。

类似地，在本实施例中，第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC、以及导电残料RM在基板310的第一表面SF1上的正投影之间大致不具间隙且不重叠，以避免影响触控模块300外观的光学一致性。

此外，在本实施例中，第一触控电极E1、第二触控电极E2与导电残料RM相对于基板310的第一表面SF1的高度皆不相同，故第一触控电极E1、第二触控电极E2与导电残料RM之间彼此绝缘。

另一方面，在本实施例中，第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC皆完全嵌入基板310之中。即是，第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC皆未暴露于基板310的第一表面SF1或第二表面SF2。如此一来，则触控模块300不需额外的保护层以保护或阻隔暴露于基板310上的第一触控电极E1、第二触控电极E2及/或电极通道EC，而可减少触控模块300的制造时间与成本。

再者，当注意到，在本实施例中，基板310亦可为如图8A及图8B中所示，包括底层及活化层，但不以此为限。

另一方面，当注意到，形成第一触控电极E1、第二触控电极E2与电极通道EC的组合的顺序可依实际需求进行变换，而不以上述实施例中所述为限。

参照图22A与图23A以及图22B与图23B，在本实用新型的一变化的实施例中，可通过提供绝缘层INS’以阻隔多个架桥BG与导电残料RM，以简化触控模块300’制程。

特别参照图22A及图22B，在前述的第六步骤中，可提供沿y轴方向延伸的绝缘层INS’覆盖于同一行的导电残料RM上。

接着，特别参照图23A及图23B，在前述的第七步骤中，提供至少二架桥BG横跨绝缘层INS’，其中至少二架桥BG是跨越不同的电极通道EC设置。每一架桥BG是透过接触孔CTH电性连接相邻的两个第一触控电极E1，以令相邻的两个第一触控电极E1彼此电性连接。

在此变化的一实施例中，由于绝缘层INS’可用以阻隔导电残料RM与至少二个架桥BG，而非仅用以阻隔导电残料RM与单个架桥BG，故透过上述变化的制造方法，可简化触控模块300’制程。

参照图24A、图25A与图26A以及图24B、图25B与图26B，在本实用新型的另一变化的实施例中，可通过提供绝缘层INS’’取代前述第四步骤中的遮罩MSK，以简化触控模块300’’制程。

特别参照图24A及图24B，在前述的第四步骤中，可提供一相对较厚的绝缘层INS’’(例如是较绝缘层INS厚)于基板310上，覆盖基板310，并暴露基板310的至少二预开孔部分HLE。

接着，特别参照图25A及图25B，在一第五步骤中，蚀刻部分的绝缘层INS’’并移除基板310的预开孔部分HLE，以形成至少二接触孔CTH。这些接触孔CTH分别位于第一触控电极E1上，用以暴露出部分嵌入于基板310中的第一触控电极E1。当注意到，在此步骤中，基板310上的绝缘层INS’’因蚀刻而变薄，然仍覆盖于导电残料RM上，以阻隔导电残料RM与架桥BG。

接着，特别参照图26A及图26B，在一第六步骤中，提供至少一架桥BG，其中架桥BG是跨越电极通道EC设置，用以令相邻的第一触控电极E1彼此电性连接。

在此变化的一实施例中，由于不需使用遮罩MSK进行蚀刻，故更可减少触控模块300’’的制造时间与成本。

第四实施例

以下将透过第四实施例，提供一种触控模块400的制造方法。触控模块400的制造方法与前述触控模块400的制造方法大致相似，故在以下说明中，重复的部分将不赘述。

图27A、图28A、图29A、图30A、图31A与图32A为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块400的制造方法的示意图。图27B、图28B、图29B、图30B、图31B与图32B分别为图27A、图28A、图29A、图30A、图31A与图32A中的触控模块400沿线段A-A方向所绘示的剖面图。

首先，特别参照图27A及图27B，在第一步骤中，提供基础导电材料层450于基板410的第二表面SF2上。基础导电材料层450包括基础保留部分450a与基础嵌入部分450b。

接着，特别参照图28A及图28B，于第二步骤中，嵌入基础导电材料层450中的基础嵌入部分450b于基板410中相对于基板410的第一表面SF1的高度H1，以分别形成第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，并令位于基板410的第二表面SF2上的基础导电材料层450中的基础保留部分450a形成导电残料RM。在一实施例中，高度H1与基板410的高度H0之间的高度差例如是大致大于50纳米，以使位于基板410的第二表面SF2上的基础保留部分450a与具有高度H1的第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC彼此绝缘。

在一实施例中，例如是通过对应于基础导电材料层450中的基础嵌入部分450b，提供不含导电添加物的嵌入液于基板410的第二表面SF2上，以嵌入基础导电材料层450中的基础嵌入部分450b于基板410中相对于基板410的第一表面SF1的高度H1。

接着，特别参照图29A及图29B，于第三步骤中，提供一遮罩MSK于基板410的第一表面SF1或第二表面SF2上(在本实施例中以第二表面SF2为例)，并暴露基板410的至少二预开孔部分HLE。

接着，特别参照图30A及图30B，在一第四步骤中，移除基板410的预开孔部分HLE，以形成至少二接触孔CTH。这些接触孔CTH分别位于第一触控电极E1上，用以暴露出部分嵌入于基板410中的第一触控电极E1。此外，在移除基板410的预开孔部分HLE的步骤中，亦可一并移除基板410上的遮罩MSK。

接着，特别参照图31A及图31B，在一第五步骤中，提供绝缘层INS覆盖于导电残料RM上。绝缘层INS是用以阻隔架桥BG与导电残料RM。

接着，特别参照图32A及图32B，在一第六步骤中，提供至少一架桥BG，其中架桥BG是跨越电极通道EC设置，用以令相邻的第一触控电极E1彼此电性连接。在一实施例中，架桥BG是透过接触孔CTH电性连接相邻的第一触控电极E1。

透过上述的制造方法，即可实现触控模块400。通过嵌入的方式图案化触控模块400中第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，而非透过蚀刻方式，即可避免影响触控模块400外观的光学一致性。

类似地，在本实施例中，第一触控电极E1、第二触控电极E2、电极通道EC、以及导电残料RM在基板410的第一表面SF1上的正投影之间大致不具间隙且不重叠，以避免影响触控模块400外观的光学一致性。

此外，在本实施例中，第一触控电极E1与第二触控电极E2相对于基板410的第一表面SF1的高度(例如是高度H1)彼此相同，但不同于导电残料RM相对于基板410的第一表面SF1的高度，且第一触控电极E1、第二触控电极E2与导电残料RM之间彼此绝缘。

通过减少进一步嵌入第一触控电极E1或第二触控电极E2于基板410中的步骤，触控模块400的制程可较触控模块300的制程简化。

另一方面，在本实施例中，第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC皆完全嵌入基板410之中。即是，第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC皆未暴露于基板410的第一表面SF1或第二表面SF2。如此一来，则触控模块400不需额外的保护层以保护或阻隔暴露于基板410上的第一触控电极E1、第二触控电极E2及/或电极通道EC，而可减少触控模块400的制造时间与成本。

再者，当注意到，在本实施例中，基板410亦可为如图8A及图8B中所示，包括底层及活化层，但不以此为限。

参照图33A与图34A以及图33B与图34B，在本实用新型的一变化的实施例中，可通过提供绝缘层INS’以阻隔多个架桥BG与导电残料RM，以简化触控模块400’制程。

特别参照图33A及图33B，在前述的第五步骤中，可提供沿y轴方向延伸的绝缘层INS’覆盖于同一行的导电残料RM上。

接着，特别参照图34A及图34B，在前述的第六步骤中，提供至少二架桥BG横跨绝缘层INS’，其中至少二架桥BG是跨越不同的电极通道EC设置。每一架桥BG是透过接触孔CTH电性连接相邻的两个第一触控电极E1，以令相邻的两个第一触控电极E1彼此电性连接。

在此变化的一实施例中，由于绝缘层INS’可用以阻隔导电残料RM与至少二个架桥BG，而非仅用以阻隔导电残料RM与单个架桥BG，故透过上述变化的制造方法，可简化触控模块400’制程。

参照图35A、图36A与图37A以及图35B、图36B与图37B，在本实用新型的另一变化的实施例中，可通过提供绝缘层INS’’取代前述第三步骤中的遮罩MSK，以简化触控模块400’’制程。

特别参照图35A及图35B，在前述的第三步骤中，可提供一相对较厚的绝缘层INS’’(例如是较绝缘层INS厚)于基板410上，覆盖基板410，并暴露基板410的至少二预开孔部分HLE。当注意到，在此步骤中，基板410上的绝缘层INS’’因蚀刻而变薄，然仍覆盖于导电残料RM上，以阻隔导电残料RM与架桥BG。

接着，特别参照图36A及图36B，在一第四步骤中，蚀刻部分的绝缘层INS’’并移除基板410的预开孔部分HLE，以形成至少二接触孔CTH。这些接触孔CTH分别位于第一触控电极E1上，用以暴露出部分嵌入于基板410中的第一触控电极E1。

接着，特别参照图37A及图37B，在一第五步骤中，提供至少一架桥BG，其中架桥BG是跨越电极通道EC设置，用以令相邻的第一触控电极E1彼此电性连接。

在此变化的一实施例中，由于不需使用遮罩MSK进行蚀刻，故更可减少触控模块400’’的制造时间与成本。

图38为根据本实用新型一实施例绘示的一种触控模块的制造方法500的流程图。制造方法500可用以制作上述第一实施例至第六实施例中的触控模块100、200、300、400、400’、400’’，然不以此为限。在以下段落，将用第一实施例中的触控模块100为例进行制造方法500的说明，然本实用新型不以此为限。制造方法500包括以下步骤。

在步骤S1中，提供基板110。

在步骤S2中，嵌入至少两个第一触控电极E1、至少两个第二触控电极E2、以及至少一个电极通道EC于基板110中。电极通道EC用以令第二触控电极E2彼此电性连接。

在步骤S3中，提供至少一个架桥BG。架桥BG用以令第一触控电极E1彼此电性连接。其中，第一触控电极E1与第二触控电极E2彼此电性绝缘。

透过上述的制造方法，即可实现触控模块100。通过嵌入的方式图案化触控模块100中第一触控电极E1、第二触控电极E2以及电极通道EC，而非透过蚀刻方式，即可避免造成触控模块100的光折射率不均匀，而影响触控模块100外观的光学一致性。

综上所述，本实用新型的一实施例揭露一种触控模块。触控模块包括一基板、至少二个第一触控电极、至少二个第二触控电极、至少一电极通道以及至少一架桥。第一触控电极、第二触控电极以及电极通道皆嵌入于基板中。电极通道用以令第二触控电极彼此电性连接。架桥跨越电极通道，用以令第一触控电极彼此电性连接。第一触控电极与第二触控电极彼此电性绝缘。

本实用新型的另一实施例揭露一种触控模块的制造方法。制造方法包括：提供基板；嵌入至少二个第一触控电极、至少二个第二触控电极、以及至少一电极通道于基板中，其中电极通道用以令第二触控电极彼此电性连接；以及，提供至少一架桥，以令第一触控电极彼此电性连接；其中第一触控电极与第二触控电极彼此电性绝缘。

透过应用上述的实施例，即可避免透过蚀刻方式图案化触控电极，并避免造成触控模块的光折射率不均匀，而影响触控模块外观的光学一致性。

虽然本实用新型已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何熟悉此技艺者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种触控模块，其特征在于，包括：

一基板；

至少二第一触控电极，嵌入于该基板中；

至少二第二触控电极，嵌入于该基板中；

至少一电极通道，嵌入于该基板中，用以令所述第二触控电极彼此电性连接；以及

至少一架桥，跨越该至少一电极通道，用以令所述第一触控电极彼此电性连接；

其中所述第一触控电极与所述第二触控电极彼此电性绝缘。

2.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，该基板还包括一底层以及一活化层，该活化层设置于该底层上，且所述第一触控电极、所述第二触控电极以及该电极通道是嵌入于该活化层中。

3.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极相对于该基板的一第一表面的高度与所述第二触控电极相对于该基板的该第一表面的高度彼此不同。

4.根据权利要求3所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极相对于该基板的该第一表面的高度与所述第二触控电极相对于该基板的该第一表面的高度的高度差大于50纳米。

5.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极相对于该基板的一第一表面的高度与所述第二触控电极相对于该基板的该第一表面的高度彼此相同。

6.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，还包括：

一导电残料，其中该导电残料在该基板的一第一表面所产生的正投影是位于所述第一触控电极、所述第二触控电极以及所述电极通道在该第一表面所产生的正投影之间；

其中该导电残料相对于该第一表面的高度与所述第一触控电极、所述第二触控电极以及该电极通道相对于该第一表面的高度不同，以令该导电残料绝缘于所述第一触控电极、所述第二触控电极以及该电极通道。

7.根据权利要求6所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极、所述第二触控电极、该电极通道以及该导电残料在该基板的该第一表面上的正投影之间不重叠。

8.根据权利要求6所述的触控模块，其特征在于，还包括：

一绝缘层，设置于该导电残料与该架桥之间，用以阻隔该导电残料与该架桥。

9.根据权利要求6所述的触控模块，其特征在于，该导电残料相对于该第一表面的高度与所述第一触控电极相对于该第一表面的高度的高度差大于50纳米，或该导电残料相对于该第一表面的高度与所述第二触控电极相对于该第一表面的高度的高度差大于50纳米。

10.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，该电极通道相对于该基板的一第一表面的高度与所述第二触控电极相对于该基板的该第一表面的高度相同。

11.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，该基板包括：

至少二接触孔分别位于所述第一触控电极上，该架桥透过所述接触孔电性连接所述第一触控电极。

12.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极或所述第二触控电极相对于该基板的一第二表面的嵌入深度介于10纳米至500纳米之间，其中该第二表面相对于该第一表面。

13.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极是沿一第一方向设置，所述第二触控电极是沿一第二方向设置，且该第一方向不同于该第二方向。

14.根据权利要求1所述的触控模块，其特征在于，所述第一触控电极与所述第二触控电极皆为菱形。