TWI552060B - 觸控模組及其製造方法 - Google Patents

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TWI552060B TW103139172A TW103139172A TWI552060B TW I552060 B TWI552060 B TW I552060B TW 103139172 A TW103139172 A TW 103139172A TW 103139172 A TW103139172 A TW 103139172A TW I552060 B TWI552060 B TW I552060B
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李祿興
張振杰
顧懷三
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宸鴻光電科技股份有限公司
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Description

觸控模組及其製造方法
本案是有關於一種電子裝置及其製造方法。特別是有關於一種觸控模組及其製造方法。
隨著電子科技的快速進展，觸控模組已被廣泛地應用在各式電子裝置中，如行動電話、平板電腦等。
典型的觸控模組例如可設置於顯示螢幕上，包括複數個觸控電極。在物體(手指或觸碰筆等)接近或觸碰顯示螢幕時，相應的觸控電極產生電訊號，藉此達成觸控感測。
在製造過程中，一般係利用蝕刻方式將觸控電極之間的導電物質移除，以圖案化觸控電極，並使觸控電極間彼此絕緣。然而，將部份導電物質移除的做法，以及僅移除部分導電物質所形成的結構，將導致觸控模組的光折射率不均勻，而影響觸控模組外觀的光學一致性。
是以，為避免觸控模組的光折射率不均勻，本 案的一態樣提供一種觸控模組。根據本案一實施例，該觸控模組包括一基板、至少二第一觸控電極、至少二第二觸控電極、至少一電極通道、以及至少一架橋。該至少二第一觸控電極嵌入於該基板中。該至少二第二觸控電極嵌入於該基板中。該至少一電極通道嵌入於該基板中，用以令該些第二觸控電極彼此電性連接。至少一架橋跨越該至少一電極通道，用以令該些第一觸控電極彼此電性連接。該些第一觸控電極與該些第二觸控電極彼此電性絕緣。
此外，本案的另一態樣提供一種觸控模組的製造方法。根據本案一實施例，該製造方法包括：提供一基板；嵌入至少二第一觸控電極、至少二第二觸控電極、以及至少一電極通道於該基板中，其中該電極通道用以令該些第二觸控電極彼此電性連接；以及提供至少一架橋，以令該些第一觸控電極彼此電性連接；其中該些第一觸控電極與該些第二觸控電極彼此電性絕緣。
綜上所述，透過應用上述一實施例，可實現一種觸控模組。藉由將觸控電極嵌入於基板中的方式圖案化觸控電極，可使觸控電極間彼此絕緣。如此一來，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極，並避免造成觸控模組的光折射率不均勻，而影響觸控模組外觀的光學一致性。
100‧‧‧觸控模組
110‧‧‧基板
110a‧‧‧活化層
110b‧‧‧底層
120‧‧‧第一導電材料層
120a‧‧‧第一保留部份
120b‧‧‧第一嵌入部份
130‧‧‧第二導電材料層
130a‧‧‧第二保留部份
130b‧‧‧第二嵌入部份
140‧‧‧第三導電材料層
150‧‧‧基礎導電材料層
200‧‧‧觸控模組
400‧‧‧觸控模組
400’‧‧‧觸控模組
400”‧‧‧觸控模組
410‧‧‧基板
450‧‧‧基礎導電材料層
450a‧‧‧基礎保留部份
450b‧‧‧基礎嵌入部份
SF1‧‧‧第一表面
SF2‧‧‧第二表面
E1‧‧‧第一觸控電極
E2‧‧‧第二觸控電極
RM‧‧‧導電殘料
EC‧‧‧電極通道
210‧‧‧基板
220‧‧‧第一導電材料層
220a‧‧‧第一保留部份
220b‧‧‧第一嵌入部份
230‧‧‧第二導電材料層
230a‧‧‧第二保留部份
230b‧‧‧第二嵌入部份
240‧‧‧第三導電材料層
300‧‧‧觸控模組
300’‧‧‧觸控模組
300”‧‧‧觸控模組
310‧‧‧基板
320‧‧‧第一導電材料層
320a‧‧‧第一保留部份
320b‧‧‧第一嵌入部份
330‧‧‧第二導電材料層
350‧‧‧基礎導電材料層
350a‧‧‧基礎保留部份
350b‧‧‧基礎嵌入部份
BG‧‧‧架橋
MSK‧‧‧遮罩
INS‧‧‧絕緣層
INS’‧‧‧絕緣層
INS”‧‧‧絕緣層
H0-H3‧‧‧高度
A-A‧‧‧線段
CTH‧‧‧接觸孔
HLE‧‧‧預開孔部份
500‧‧‧製造方法
S1-S3‧‧‧步驟
圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A與圖6A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的示意圖；圖1B、圖2B、圖3B、圖4B、圖5B與圖6B分別為圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A與圖6A中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；圖7A為根據本案另一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法中的一個步驟的示意圖；圖7B為圖7A中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；圖8A為根據本案另一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法中的一個步驟的示意圖；圖8B為圖8A中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；圖9A、圖10A、圖11A、圖12A、圖13A與圖14A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的示意圖；圖9B、圖10B、圖11B、圖12B、圖13B與圖14B分別為圖9A、圖10A、圖11A、圖12A、圖13A與圖14A中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；圖15A、圖16A、圖17A、圖18A、圖19A、圖20A與圖21A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的示意圖；圖15B、圖16B、圖17B、圖18B、圖19B、圖20B與圖21B分別為圖15A、圖16A、圖17A、圖18A、圖19A、圖20A與圖21A 中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；圖22A與圖23A分別為根據本案一變化的實施例繪示的一種觸控模組的製造方法中的兩個步驟的示意圖；圖22B與圖23B分別為圖22A與圖23A中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；圖24A、圖25A與圖26A分別為根據本案一變化的實施例繪示的一種觸控模組的製造方法中的三個步驟的示意圖；圖24B、圖25B與圖26B分別為圖24A、圖25A與圖26A中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；圖27A、圖28A、圖29A、圖30A、圖31A與圖32A為根據本案一變化的實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的示意圖；圖27B、圖28B、圖29B、圖30B、圖31B與圖32B分別為圖27A、圖28A、圖29A、圖30A、圖31A與圖32A中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；圖33A與圖34A分別為根據本案一變化的實施例繪示的一種觸控模組的製造方法中的兩個步驟的示意圖；圖33B與圖34B分別為圖33A與圖34A中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；圖35A、圖36A與圖37A分別為根據本案一變化的實施例繪示的一種觸控模組的製造方法中的三個步驟的示意圖；圖35B、圖36B與圖37B分別為圖35A、圖36A與圖37A中的觸控模組沿線段A-A方向所繪示的剖面圖；以及 圖38為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法的流程圖。
以下將以圖式及詳細敘述清楚說明本揭示內容之精神，任何所屬技術領域中具有通常知識者在瞭解本揭示內容之較佳實施例後，當可由本揭示內容所教示之技術，加以改變及修飾，其並不脫離本揭示內容之精神與範圍。
關於本文中所使用之『第一』、『第二』、...等，並非特別指稱次序或順位的意思，亦非用以限定本案，其僅為了區別以相同技術用語描述的元件或操作。
關於本文中所使用之方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本創作。
關於本文中所使用之『包含』、『包括』、『具有』、『含有』等等，均為開放性的用語，即意指包含但不限於。
關於本文中所使用之『及/或』，係包括所述事物的任一或全部組合。
關於本文中所使用之用詞(terms)，除有特別註明外，通常具有每個用詞使用在此領域中、在此揭露之內容中與特殊內容中的平常意義。某些用以描述本揭露之用詞將於下或在此說明書的別處討論，以提供本領域技術人員在有 關本揭露之描述上額外的引導。
本案的一實施態樣為一種觸控模組的製造方法。在以下段落中，本案將用以下第一實施例至第六實施例為例說明本案細節，然而本案不以下述實施例中的細節為限，其它的實施方式亦在本案範圍之中。
第一實施例
圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A與圖6A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組100的製造方法的示意圖。圖1B、圖2B、圖3B、圖4B、圖5B與圖6B分別為圖1A、圖2A、圖3A、圖4A、圖5A與圖6A中的觸控模組100沿線段A-A方向所繪示的剖面圖。
首先，特別參照圖1A及圖1B，在一第一步驟中，嵌入第一導電材料層120於基板110中相對於基板110的第一表面SF1的高度H1。第一導電材料層120包括第一保留部份120a與第一嵌入部份120b。
在本實施例中，例如是藉由提供含導電添加物(conducting additive)的嵌入液(embedded ink)於基板110上，以令導電添加物嵌入基板110中，形成第一導電材料層120。在一實施例中，基板110例如是由聚酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，PET)、環狀烯烴單體共聚合物(cyclo olefin polymer，COP)等適當高分 子材料實現。在一實施例中，基板110的厚度(即H0)大致介於50微米至550微米。在一實施例中，含導電添加物的嵌入液例如是藉由將導電添加物溶解於特定溶劑中實現，其中所述的特定溶劑的溶解參數(solubility parameter)接近於基板110之材料的溶解參數，以使溶解於所述的特定溶劑中的導電添加物滲透進入基板110之中，以達成嵌入的效果。在一實施例中，上述導電添加物例如是奈米碳管、奈米金屬線、導電膠、導電高分子、石墨稀、奈米金屬等適當導電材料。
即是，藉由提供含導電添加物的嵌入液於以高分子材料形成的基板110的第二表面SF2上，可使基板110中鄰近第二表面SF2的部份膨脹，以使導電添加物滲透到基板110之中，以達到內嵌的效果。
接著，特別參照圖2A及圖2B，在一第二步驟中，進一步嵌入第一導電材料層120中的第一嵌入部份120b(參圖1B)於基板110中相對於基板110的第一表面SF1的高度H2，以形成第二導電材料層130，並使第一導電材料層120中的第一保留部份120a保留於高度H1。第二導電材料層130包括第二保留部份130a與第二嵌入部份130b。高度H2與高度H1彼此不同。在一實施例中，高度H2與高度H1的高度差大致大於50奈米，以使具有高度H1的第一保留部份120a與具有高度H2的第二導電材料層130彼此絕緣。
在本實施例中，例如是藉由對應於第一導電材 料層120中的第一嵌入部份120b，提供不含導電添加物的嵌入液於基板110的第二表面SF2上，以嵌入第一導電材料層120中的第一嵌入部份120b於基板110中相對於基板110的第一表面SF1的高度H2。此處所謂不含導電添加物的嵌入液例如是由前述的具有特定溶解參數的特定溶劑所實現。
另外，當注意到，在本案中提供含導電添加物或不含導電添加物的嵌入液於基板110中的操作，係可透過塗佈(spray)或印刷(print)的方式所實現，但不以此為限。
接著，特別參照圖3A及圖3B，在一第三步驟中，進一步嵌入第二導電材料層130中的第二嵌入部份130b於基板110中相對於基板110的第一表面SF1的高度H3，以形成第三導電材料層140，並使第二導電材料層130中的第二保留部份130a保留於第二高度H2。高度H3與高度H1及高度H2彼此不同。在一實施例中，高度H3與高度H2的高度差大致大於50奈米，以使具有高度H2的第二保留部份130a與具有高度H3的第三導電材料層140彼此絕緣。
在本實施例中，進一步嵌入第二導電材料層130中的第二嵌入部份130b於基板110中相對於基板110的第一表面SF1的高度H3之具體做法可參照前述第二步驟中的說明，在此不贅述。
在本案一些實施例中，第一保留部份120a包括觸控模組100中的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極 通道EC之組合、以及導電殘料RM中的一者。第二保留部份130a包括觸控模組100中的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極通道EC之組合、以及導電殘料RM中的另一者。第三導電材料層140包括觸控模組100中的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極通道EC之組合、以及導電殘料RM中的最後一者。舉例而言，在本實施例中，第一保留部份120a包括觸控模組100中的第一觸控電極E1，第二保留部份130a包括觸控模組100中的第二觸控電極E2與電極通道EC之組合，且第三導電材料層140包括觸控模組100中的導電殘料RM。
此處所謂導電殘料RM，係指在製程中，並未用以製作第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極通道EC的導電材料。導電殘料RM在基板110的第一表面SF1所產生的正投影是位於第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC在基板110的第一表面SF1所產生的正投影之間。在本實施例中，由於導電殘料RM相對於基板110的第一表面SF1的高度(如高度H3)與第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC相對於基板110的第一表面SF1的高度(如高度H1、H2)不同，故導電殘料RM絕緣於第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC。而藉由令導電殘料RM絕緣於第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，即可使第一觸控電極E1與第二觸控電極E2彼此絕緣。
接著，特別參照圖4A及圖4B，在一第四步驟中，提供一遮罩MSK於基板110的第一表面SF1或第二表面SF2上(在本實施例中以第二表面SF2為例)，並暴露基板110的至少二預開孔部份HLE。
接著，特別參照圖5A及圖5B，在一第五步驟中，移除(例如是透過蝕刻方式)基板110的預開孔部份HLE，以形成至少二接觸孔CTH。此些接觸孔CTH分別位於第一觸控電極E1上，用以暴露出部份嵌入於基板110中的第一觸控電極E1。此外，在移除基板110的預開孔部份HLE的步驟中，亦可一併移除(例如是透過蝕刻方式)基板110上的遮罩MSK。
接著，特別參照圖6A及圖6B，在一第六步驟中，提供至少一架橋BG，其中架橋BG是跨越電極通道EC設置，用以令相鄰的第一觸控電極E1彼此電性連接。在一實施例中，架橋BG係透過接觸孔CTH電性連接相鄰的第一觸控電極E1。
透過上述的製造方法，即可實現觸控模組100。藉由嵌入的方式圖案化觸控模組100中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過蝕刻方式，即可避免造成觸控模組100的光折射率不均勻，而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
換言之，藉由嵌入的方式圖案化觸控模組100中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，使得 第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導電殘料RM在基板110的第一表面SF1上的正投影之間大致不具間隙或大致不重疊。如此一來，即可避免因折射率不均，而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
當注意到，在本案中的用語「大致」，係用以修飾可些微變化的數量以及因製造過程所造成的些微誤差，但這種些微變化及些微誤差並不會改變其本質。舉例而言，藉由嵌入的方式圖案化觸控模組100中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，可能因擠壓而造成誤差，使得第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導電殘料RM在基板110的第一表面SF1上的正投影之間存在些微間隙或些微重疊。然而，此些因製造過程所造成的些微誤差，亦在本案範圍之中。
在本實施例，第二觸控電極E2例如是沿圖6A中y軸方向設置。相鄰的兩個第二觸控電極E2之間係透過電極通道EC彼此連接，故第二觸控電極E2與電極通道EC具有相對於基板110的第一表面SF1的相同高度。
此外，第一觸控電極E1例如是沿圖6A中x軸方向(垂直於y軸方向)設置。相鄰的兩個第一觸控電極E1之間係透過架橋BG彼此連接。由於第一觸控電極E1與第二觸控電極E2皆不同於導電殘料RM相對於基板110的第一表面SF1的高度，故第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與導電殘料RM 之間彼此絕緣。
再者，於本實施例中，第一觸控電極E1與第二觸控電極E2皆為菱形。
再一方面，於本實施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC以及導電殘料RM皆完全嵌入基板110之中。即是，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC以及導電殘料RM皆未暴露於基板110的第一表面SF1或第二表面SF2。如此一來，則觸控模組100不需額外的保護層(passive layer)以保護或阻隔暴露於基板110上的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC及/或導電殘料RM，而可減少觸控模組100的製造時間與成本。並且，由於第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC以及導電殘料RM皆完全嵌入基板110之中，使得觸控模組100更具整體性，更便於後續加工或與其他設備組裝，如顯示模組。
在一實施例中，為避免第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導電殘料RM中任一者暴露於暴露於基板110的第二表面SF2，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC以及導電殘料RM中最接近基板110的第二表面SF2者(例如第一觸控電極E1)相對於基板110的第二表面SF2的嵌入深度(例如是H0-H1)大致介於10奈米至500奈米之間。
參照圖7A以及圖7B，在本案的一變化的實施例 中，前述對應於圖1A、圖1B的第一步驟，另可由以下步驟達成。首先，提供基礎導電材料層150於基板110的第二表面SF2上，而後提供不含導電添加物的嵌入液於基板110的第二表面SF2上，以令基礎導電材料層150嵌入於基板110中，形成第一導電材料層120。
基礎導電材料層150例如可以是以與上述導電添加物相同的材料形成。另外，不含導電添加物的嵌入液的具體細節可參照前述段落，在此不贅述。
另一方面，參照圖8A以及圖8B，在本案的一變化的實施例中，基板110可包括一活化層110a以及一底層110b。活化層110a設置於底層110b之上，且前述的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC以及導電殘料RM皆嵌入於基板110的活化層110a中。
在一實施例中，底層110b可以是剛性或軟性材質，例如可用玻璃、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)及/或聚碳酸酯(polycarbonate，PC)所製作。在一實施例中，底層110b的厚度大致介於50微米至500微米之間。活化層110a例如可用聚酸甲酯、聚氯乙烯(polyvinyl chloride，PVC)及/或聚苯乙烯(polystyrene)等適當高分子材料實現。在一實施例中，活化層110a的厚度大致介於0.1微米至50微米之間。
第二實施例
以下將透過第二實施例，提供一種觸控模組200的製造方法。觸控模組200的製造方法與前述觸控模組100的製造方法大致相同，差異之處僅在於第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極通道EC之組合、以及導電殘料RM的形成順序。故在以下說明中，重覆的部份將不贅述。
圖9A、圖10A、圖11A、圖12A、圖13A與圖14A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組200的製造方法的示意圖。圖9B、圖10B、圖11B、圖12B、圖13B與圖14B分別為圖9A、圖10A、圖11A、圖12A、圖13A與圖14A中的觸控模組200沿線段A-A方向所繪示的剖面圖。
首先，特別參照圖9A及圖9B，在一第一步驟中，嵌入第一導電材料層220於基板210中相對於基板210的第一表面SF1的高度H1。第一導電材料層220包括第一保留部份220a與第一嵌入部份220b。
接著，特別參照圖10A及圖10B，在一第二步驟中，進一步嵌入第一導電材料層220中的第一嵌入部份220b於基板210中相對於基板210的第一表面SF1的高度H2，以形成第二導電材料層230，並使第一導電材料層220中的第一保留部份220a保留於高度H1。第二導電材料層230包括第二保留部份230a與第二嵌入部份230b。
接著，特別參照圖11A及圖11B，在一第三步驟中，進一步嵌入第二導電材料層230中的第二嵌入部份230b 於基板210中相對於基板210的第一表面SF1的高度H3，以形成第三導電材料層240，並使第二導電材料層230中的第二保留部份230a保留於第二高度H2。在本實施例中，第一保留部份220a包括觸控模組200中的導電殘料RM，第二保留部份230a包括觸控模組200中的第二觸控電極E2與電極通道EC，且第三導電材料層240包括觸控模組200中的第一觸控電極E1。
接著，特別參照圖12A及圖12B，在一第四步驟中，提供一遮罩MSK於基板210的第一表面SF1或第二表面SF2上(在本實施例中以第二表面SF2為例)，並暴露基板210的至少二預開孔部份HLE。
接著，特別參照圖13A及圖13B，在一第五步驟中，移除基板210的預開孔部份HLE，以形成至少二接觸孔CTH。此些接觸孔CTH分別位於第一觸控電極E1上，用以暴露出部份嵌入於基板210中的第一觸控電極E1。此外，在移除基板210的預開孔部份HLE的步驟中，亦可一併移除基板210上的遮罩MSK。
在本實施例中，相較於第一實施例中的觸控模組100，由於第一觸控電極E1在基板210中的嵌入深度較深，故本實施例中的接觸孔CTH較第一實施例中的接觸孔CTH深。
接著，特別參照圖14A及圖14B，在一第六步驟 中，提供至少一架橋BG，其中架橋BG是跨越電極通道EC設置，用以令相鄰的第一觸控電極E1彼此電性連接。在一實施例中，架橋BG係透過接觸孔CTH電性連接相鄰的第一觸控電極E1。
透過上述的製造方法，即可實現觸控模組200。藉由嵌入的方式圖案化觸控模組200中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過蝕刻方式，即可避免影響觸控模組200外觀的光學一致性。
當注意到，在此一實施例的第一步驟中，亦可採用如圖7A及圖7B中所示的方式嵌入第一導電材料層220於基板210中。另外，在此一實施例，基板210亦可為如圖8A及圖8B中所示，包括底層及活化層。
另一方面，當注意到，形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與電極通道EC之組合、以及導電殘料RM的順序可依實際需求進行變換，而不以上述實施例中所述為限。
第三實施例
以下將透過第三實施例，提供一種觸控模組300的製造方法。觸控模組300的製造方法與前述觸控模組100的製造方法大致相似，故在以下說明中，重覆的部份將不贅述。
圖15A、圖16A、圖17A、圖18A、圖19A、圖20A與圖21A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組300的製 造方法的示意圖。圖15B、圖16B、圖17B、圖18B、圖19B、圖20B與圖21B分別為圖15A、圖16A、圖17A、圖18A、圖19A、圖20A與圖21A中的觸控模組300沿線段A-A方向所繪示的剖面圖。
首先，特別參照圖15A及圖15B，在第一步驟中，提供基礎導電材料層350於基板310的第二表面SF2上。基礎導電材料層350包括基礎保留部份350a與基礎嵌入部份350b。
在一實施例中，基礎導電材料層350例如可以是以與前述導電添加物相同的材料形成，在此不贅述。
接著，特別參照圖16A及圖16B，於第二步驟中，嵌入基礎導電材料層350中的基礎嵌入部份350b於基板310中相對於基板310的第一表面SF1的高度H1，以形成第一導電材料層320，並令位於基板310的第二表面SF2上的基礎導電材料層350中的基礎保留部份350a形成導電殘料RM。第一導電材料層320包括第一保留部份320a以及第一嵌入部份320b。在一實施例中，高度H1與基板310的高度H0之間的高度差例如是大致大於50奈米，以使位於基板310的第二表面SF2上的基礎保留部份350a與具有高度H1的第一導電材料層320彼此絕緣。
在本實施例中，例如是藉由對應於基礎導電材料層350中的基礎嵌入部份350b，提供不含導電添加物的嵌 入液於基板310的第二表面SF2上，以嵌入基礎導電材料層350中的基礎嵌入部份350b於基板310中相對於基板310的第一表面SF1的高度H1。
當注意到，上述導電殘料RM以及不含導電添加物的嵌入液之相關細節可參照前述實施例，在此不贅述。
接著，特別參照圖17A及圖17B，於第三步驟中，進一步嵌入第一導電材料層320中的第一嵌入部份320b於基板310中相對於基板310的第一表面SF1的高度H2，以形成第二導電材料層330，並使第一導電材料層320中的第一保留部份320a保留於高度H1。高度H2與高度H1彼此不同。在一實施例中，高度H2與高度H1的高度差大致大於50奈米，以使具有高度H1的第一保留部份320a與具有高度H2的第二導電材料層330彼此絕緣。
在本實施例中，例如是藉由對應於第一導電材料層320中的第一嵌入部份320b，提供不含導電添加物的嵌入液於基板310的第二表面SF2上，以嵌入第一導電材料層320中的第一嵌入部份320b於基板310中相對於基板310的第一表面SF1的高度H2。
在本案一些實施例中，第一保留部份320a包括第一觸控電極E1，且第二導電材料層330第二觸控電極E2以及電極通道EC，或第一保留部份320a包括第二觸控電極E2以及電極通道EC，且第二導電材料層330包括第一觸控電極 E1。在本實施例中，第一保留部份320a是包括第二觸控電極E2以及電極通道EC，且第二導電材料層330是包括第一觸控電極E1。
接著，特別參照圖18A及圖18B，在一第四步驟中，提供一遮罩MSK於基板310的第一表面SF1或第二表面SF2上(在本實施例中以第二表面SF2為例)，並暴露基板310的至少二預開孔部份HLE。
接著，特別參照圖19A及圖19B，在一第五步驟中，移除基板310的預開孔部份HLE，以形成至少二接觸孔CTH。此些接觸孔CTH分別位於第一觸控電極E1上，用以暴露出部份嵌入於基板310中的第一觸控電極E1。此外，在移除基板310的預開孔部份HLE的步驟中，亦可一併移除基板310上的遮罩MSK。
接著，特別參照圖20A及圖20B，在一第六步驟中，提供絕緣層INS覆蓋於導電殘料RM上。絕緣層INS係用以阻隔架橋BG與導電殘料RM。
接著，特別參照圖21A及圖21B，在一第七步驟中，提供至少一架橋BG，其中架橋BG是跨越電極通道EC設置，用以令相鄰的第一觸控電極E1彼此電性連接。在一實施例中，架橋BG係透過接觸孔CTH電性連接相鄰的第一觸控電極E1。
透過上述的製造方法，即可實現觸控模組300。 藉由嵌入的方式圖案化觸控模組300中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過蝕刻方式，即可避免影響觸控模組300外觀的光學一致性。
類似地，在本實施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導電殘料RM在基板310的第一表面SF1上的正投影之間大致不具間隙且不重疊，以避免影響觸控模組300外觀的光學一致性。
此外，在本實施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與導電殘料RM相對於基板310的第一表面SF1的高度皆不相同，故第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與導電殘料RM之間彼此絕緣。
另一方面，在本實施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC皆完全嵌入基板310之中。即是，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC皆未暴露於基板310的第一表面SF1或第二表面SF2。如此一來，則觸控模組300不需額外的保護層以保護或阻隔暴露於基板310上的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2及/或電極通道EC，而可減少觸控模組300的製造時間與成本。
再者，當注意到，在本實施例中，基板310亦可為如圖8A及圖8B中所示，包括底層及活化層，但不以此為限。
另一方面，當注意到，形成第一觸控電極E1、 第二觸控電極E2與電極通道EC之組合的順序可依實際需求進行變換，而不以上述實施例中所述為限。
參照圖22A與圖23A以及22B與圖23B，在本案的一變化的實施例中，可藉由提供絕緣層INS’以阻隔多個架橋BG與導電殘料RM，以簡化觸控模組300’製程。
特別參照圖22A及圖22B，在前述的第六步驟中，可提供沿y軸方向延伸的絕緣層INS’覆蓋於同一行的導電殘料RM上。
接著，特別參照圖23A及圖23B，在前述的第七步驟中，提供至少二架橋BG橫跨絕緣層INS’，其中至少二架橋BG是跨越不同的電極通道EC設置。每一架橋BG是透過接觸孔CTH電性連接相鄰的兩個第一觸控電極E1，以令相鄰的兩個第一觸控電極E1彼此電性連接。
在此變化的一實施例中，由於絕緣層INS’可用以阻隔導電殘料RM與至少二個架橋BG，而非僅用以阻隔導電殘料RM與單個架橋BG，故透過上述變化的製造方法，可簡化觸控模組300’製程。
參照圖24A、圖25A與圖26A以及圖24B、圖25B與圖26B，在本案的另一變化的實施例中，可藉由提供絕緣層INS”取代前述第四步驟中的遮罩MSK，以簡化觸控模組300”製程。
特別參照圖24A及圖24B，在前述的第四步驟 中，可提供一相對較厚的絕緣層INS”(例如是較絕緣層INS厚)於基板310上，覆蓋基板310，並暴露基板310的至少二預開孔部份HLE。
接著，特別參照圖25A及圖25B，在一第五步驟中，蝕刻部份的絕緣層INS”並移除基板310的預開孔部份HLE，以形成至少二接觸孔CTH。此些接觸孔CTH分別位於第一觸控電極E1上，用以暴露出部份嵌入於基板310中的第一觸控電極E1。當注意到，在此步驟中，基板310上的絕緣層INS”因蝕刻而變薄，然仍覆蓋於導電殘料RM上，以阻隔導電殘料RM與架橋BG。
接著，特別參照圖26A及圖26B，在一第六步驟中，提供至少一架橋BG，其中架橋BG是跨越電極通道EC設置，用以令相鄰的第一觸控電極E1彼此電性連接。
在此變化的一實施例中，由於不需使用遮罩MSK進行蝕刻，故更可減少觸控模組300”的製造時間與成本。
第四實施例
以下將透過第四實施例，提供一種觸控模組400的製造方法。觸控模組400的製造方法與前述觸控模組400的製造方法大致相似，故在以下說明中，重覆的部份將不贅述。
圖27A、圖28A、圖29A、圖30A、圖31A與圖32A為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組400的製造方法的 示意圖。圖27B、圖28B、圖29B、圖30B、圖31B與圖32B分別為圖27A、圖28A、圖29A、圖30A、圖31A與圖32A中的觸控模組400沿線段A-A方向所繪示的剖面圖。
首先，特別參照圖27A及圖27B，在第一步驟中，提供基礎導電材料層450於基板410的第二表面SF2上。基礎導電材料層450包括基礎保留部份450a與基礎嵌入部份450b。
接著，特別參照圖28A及圖28B，於第二步驟中，嵌入基礎導電材料層450中的基礎嵌入部份450b於基板410中相對於基板410的第一表面SF1的高度H1，以分別形成第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，並令位於基板410的第二表面SF2上的基礎導電材料層450中的基礎保留部份450a形成導電殘料RM。在一實施例中，高度H1與基板410的高度H0之間的高度差例如是大致大於50奈米，以使位於基板410的第二表面SF2上的基礎保留部份450a與具有高度H1的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC彼此絕緣。
在一實施例中，例如是藉由對應於基礎導電材料層450中的基礎嵌入部份450b，提供不含導電添加物的嵌入液於基板410的第二表面SF2上，以嵌入基礎導電材料層450中的基礎嵌入部份450b於基板410中相對於基板410的第一表面SF1的高度H1。
接著，特別參照圖29A及圖29B，於第三步驟中，提供一遮罩MSK於基板410的第一表面SF1或第二表面SF2上(在本實施例中以第二表面SF2為例)，並暴露基板410的至少二預開孔部份HLE。
接著，特別參照圖30A及圖30B，在一第四步驟中，移除基板410的預開孔部份HLE，以形成至少二接觸孔CTH。此些接觸孔CTH分別位於第一觸控電極E1上，用以暴露出部份嵌入於基板410中的第一觸控電極E1。此外，在移除基板410的預開孔部份HLE的步驟中，亦可一併移除基板410上的遮罩MSK。
接著，特別參照圖31A及圖31B，在一第五步驟中，提供絕緣層INS覆蓋於導電殘料RM上。絕緣層INS係用以阻隔架橋BG與導電殘料RM。
接著，特別參照圖32A及圖32B，在一第六步驟中，提供至少一架橋BG，其中架橋BG是跨越電極通道EC設置，用以令相鄰的第一觸控電極E1彼此電性連接。在一實施例中，架橋BG係透過接觸孔CTH電性連接相鄰的第一觸控電極E1。
透過上述的製造方法，即可實現觸控模組400。藉由嵌入的方式圖案化觸控模組400中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過蝕刻方式，即可避免影響觸控模組400外觀的光學一致性。
類似地，在本實施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2、電極通道EC、以及導電殘料RM在基板410的第一表面SF1上的正投影之間大致不具間隙且不重疊，以避免影響觸控模組400外觀的光學一致性。
此外，在本實施例中，第一觸控電極E1與第二觸控電極E2相對於基板410的第一表面SF1的高度(例如是高度H1)彼此相同，但不同於導電殘料RM相對於基板410的第一表面SF1的高度，且第一觸控電極E1、第二觸控電極E2與導電殘料RM之間彼此絕緣。
藉由減少進一步嵌入第一觸控電極E1或第二觸控電極E2於基板410中的步驟，觸控模組400的製程可較觸控模組300的製程簡化。
另一方面，在本實施例中，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC皆完全嵌入基板410之中。即是，第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC皆未暴露於基板410的第一表面SF1或第二表面SF2。如此一來，則觸控模組400不需額外的保護層以保護或阻隔暴露於基板410上的第一觸控電極E1、第二觸控電極E2及/或電極通道EC，而可減少觸控模組400的製造時間與成本。
再者，當注意到，在本實施例中，基板410亦可為如圖8A及圖8B中所示，包括底層及活化層，但不以此為限。
參照圖33A與圖34A以及圖33B與圖34B，在本案的一變化的實施例中，可藉由提供絕緣層INS’以阻隔多個架橋BG與導電殘料RM，以簡化觸控模組400’製程。
特別參照圖33A及圖33B，在前述的第五步驟中，可提供沿y軸方向延伸的絕緣層INS’覆蓋於同一行的導電殘料RM上。
接著，特別參照圖34A及圖34B，在前述的第六步驟中，提供至少二架橋BG橫跨絕緣層INS’，其中至少二架橋BG是跨越不同的電極通道EC設置。每一架橋BG是透過接觸孔CTH電性連接相鄰的兩個第一觸控電極E1，以令相鄰的兩個第一觸控電極E1彼此電性連接。
在此變化的一實施例中，由於絕緣層INS’可用以阻隔導電殘料RM與至少二個架橋BG，而非僅用以阻隔導電殘料RM與單個架橋BG，故透過上述變化的製造方法，可簡化觸控模組400’製程。
參照圖35A、圖36A與圖37A以及圖35B、圖36B與圖37B，在本案的另一變化的實施例中，可藉由提供絕緣層INS”取代前述第三步驟中的遮罩MSK，以簡化觸控模組400”製程。
特別參照圖35A及圖35B，在前述的第三步驟中，可提供一相對較厚的絕緣層INS”(例如是較絕緣層INS厚)於基板410上，覆蓋基板410，並暴露基板410的至少二預 開孔部份HLE。當注意到，在此步驟中，基板410上的絕緣層INS”因蝕刻而變薄，然仍覆蓋於導電殘料RM上，以阻隔導電殘料RM與架橋BG。
接著，特別參照圖36A及圖36B，在一第四步驟中，蝕刻部份的絕緣層INS”並移除基板410的預開孔部份HLE，以形成至少二接觸孔CTH。此些接觸孔CTH分別位於第一觸控電極E1上，用以暴露出部份嵌入於基板410中的第一觸控電極E1。
接著，特別參照圖37A及圖37B，在一第五步驟中，提供至少一架橋BG，其中架橋BG是跨越電極通道EC設置，用以令相鄰的第一觸控電極E1彼此電性連接。
在此變化的一實施例中，由於不需使用遮罩MSK進行蝕刻，故更可減少觸控模組400”的製造時間與成本。
圖38為根據本案一實施例繪示的一種觸控模組的製造方法500的流程圖。製造方法500可用以製作上述第一實施例至第六實施例中的觸控模組100、200、300、400、400’、400”，然不以此為限。在以下段落，將用第一實施例中的觸控模組100為例進行製造方法500的說明，然本案不以此為限。製造方法500包括以下步驟。
在步驟S1中，提供基板110。
在步驟S2中，嵌入至少兩個第一觸控電極E1、 至少兩個第二觸控電極E2、以及至少一個電極通道EC於基板110中。電極通道EC用以令第二觸控電極E2彼此電性連接。
在步驟S3中，提供至少一個架橋BG。架橋BG用以令第一觸控電極E1彼此電性連接。其中，第一觸控電極E1與第二觸控電極E2彼此電性絕緣。
透過上述的製造方法，即可實現觸控模組100。藉由嵌入的方式圖案化觸控模組100中第一觸控電極E1、第二觸控電極E2以及電極通道EC，而非透過蝕刻方式，即可避免造成觸控模組100的光折射率不均勻，而影響觸控模組100外觀的光學一致性。
綜上所述，本案的一實施例揭露一種觸控模組。觸控模組包括一基板、至少二個第一觸控電極、至少二個第二觸控電極、至少一電極通道以及至少一架橋。第一觸控電極、第二觸控電極以及電極通道皆嵌入於基板中。電極通道用以令第二觸控電極彼此電性連接。架橋跨越電極通道，用以令第一觸控電極彼此電性連接。第一觸控電極與第二觸控電極彼此電性絕緣。
本案的另一實施例揭露一種觸控模組的製造方法。製造方法包括：提供基板；嵌入至少二個第一觸控電極、至少二個第二觸控電極、以及至少一電極通道於基板中，其中電極通道用以令第二觸控電極彼此電性連接；以及，提供 至少一架橋，以令第一觸控電極彼此電性連接；其中第一觸控電極與第二觸控電極彼此電性絕緣。
透過應用上述的實施例，即可避免透過蝕刻方式圖案化觸控電極，並避免造成觸控模組的光折射率不均勻，而影響觸控模組外觀的光學一致性。
雖然本案已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本案，任何熟習此技藝者，在不脫離本案之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本案之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧觸控模組
110‧‧‧基板
SF1‧‧‧第一表面
SF2‧‧‧第二表面
E1‧‧‧第一觸控電極
RM‧‧‧導電殘料
EC‧‧‧電極通道
BG‧‧‧架橋
H0-H3‧‧‧高度

Claims (29)

  1. 一種觸控模組，包括：一基板；至少二第一觸控電極，嵌入於該基板中相對於該基板的一第一表面的一高度；至少二第二觸控電極，嵌入於該基板中相對於該基板的該第一表面的另一高度；至少一電極通道，嵌入於該基板中相對於該基板的該第一表面的該另一高度，用以令該些第二觸控電極彼此電性連接；以及至少一架橋，跨越該至少一電極通道，用以令該些第一觸控電極彼此電性連接；其中該些第一觸控電極與該些第二觸控電極彼此電性絕緣。
  2. 如請求項1所述之觸控模組，其中該基板更包括一底層以及一活化層，該活化層設置於該底層上，且該些第一觸控電極、該些第二觸控電極以及該電極通道是嵌入於該活化層中。
  3. 如請求項1所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極相對於該基板的該第一表面的該高度與該些第二觸控電極相對於該基板的該第一表面的該另一高度彼此不同。
  4. 如請求項3所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極相對於該基板的該第一表面的該高度與該些第二觸控電 極相對於該基板的該第一表面的該另一高度的高度差大於50奈米。
  5. 如請求項1所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極相對於該基板的一第一表面的該高度與該些第二觸控電極相對於該基板的該第一表面的該另一高度彼此相同。
  6. 如請求項1所述之觸控模組，更包括：一導電殘料，其中該導電殘料在該基板的該第一表面所產生的正投影是位於該些第一觸控電極、該些第二觸控電極以及該些電極通道在該第一表面所產生的正投影之間；其中該導電殘料相對於該第一表面的高度與該些第一觸控電極、該些第二觸控電極以及該電極通道相對於該第一表面的高度不同，以令該導電殘料絕緣於該些第一觸控電極、該些第二觸控電極以及該電極通道。
  7. 如請求項6所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極、該些第二觸控電極、該電極通道以及該導電殘料在該基板的該第一表面上的正投影之間不重疊。
  8. 如請求項6所述之觸控模組，更包括：一絕緣層，設置於該導電殘料與該架橋之間，用以阻隔該導電殘料與該架橋。
  9. 如請求項6所述之觸控模組，其中該導電殘料相對於該第一表面的再一高度與該些第一觸控電極相對於該第 一表面的該高度的高度差大於50奈米，或該導電殘料相對於該第一表面的該再一高度與該些第二觸控電極相對於該第一表面的該另一高度的高度差大於50奈米。
  10. 如請求項1所述之觸控模組，其中該電極通道相對於該基板的一第一表面的該另一高度與該些第二觸控電極相對於該基板的該第一表面的該另一高度相同。
  11. 如請求項1所述之觸控模組，其中該基板包括：至少二接觸孔分別位於該些第一觸控電極上，該架橋透過該些接觸孔電性連接該些第一觸控電極。
  12. 如請求項1所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極或該些第二觸控電極相對於該基板的一第二表面的嵌入深度介於10奈米至500奈米之間，其中該第二表面相對於該第一表面。
  13. 如請求項1所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極是沿一第一方向設置，該些第二觸控電極是沿一第二方向設置，且該第一方向不同於該第二方向。
  14. 如請求項1所述之觸控模組，其中該些第一觸控電極與該些第二觸控電極皆為菱形。
  15. 一種觸控模組的製造方法，包括：提供一基板； 嵌入至少二第一觸控電極、至少二第二觸控電極、以及至少一電極通道於該基板中，其中該電極通道用以令該些第二觸控電極彼此電性連接，其中該些第一觸控電極嵌入於該基板中相對於該基板的一第一表面的一高度，該些第二觸控電極及該電極通道嵌入於該基板中相對於該基板的該第一表面的另一高度；以及提供至少一架橋，以令該些第一觸控電極彼此電性連接；其中該些第一觸控電極與該些第二觸控電極彼此電性絕緣。
  16. 如請求項15所述之製造方法，其中提供該基板的步驟包括：提供一底層；以及提供一活化層於該底層上；其中嵌入該至少二第一觸控電極、該至少二第二觸控電極、以及該至少一電極通道於該基板中的步驟包括：嵌入該至少二第一觸控電極、該至少二第二觸控電極、以及該至少一電極通道於該基板的該活化層中。
  17. 如請求項15所述之製造方法，其中嵌入該至少二第一觸控電極、該至少二第二觸控電極、以及該至少一電極通道於該基板中的步驟包括：提供一基礎導電材料層於該基板上；以及嵌入該基礎導電材料層中的一基礎嵌入部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的一第一高度，以分別形成該 些第一觸控電極、該些第二觸控電極以及該電極通道，並令位於該基板的該第二表面上的該基礎導電材料層中的一基礎保留部份形成一導電殘料。
  18. 如請求項17所述之製造方法，其中在提供該架橋之前，該製造方法更包括：提供一絕緣層於該導電殘料上，以阻隔該架橋與該導電殘料。
  19. 如請求項17所述之製造方法，其中嵌入該基礎導電材料層中的該基礎嵌入部份於該基板中的步驟包括：對應於該基礎導電材料層中的該基礎嵌入部份，提供不含導電添加物的嵌入液於該基板上，以令該基礎導電材料層中的該基礎嵌入部份進一步嵌入於該基板中。
  20. 如請求項15所述之製造方法，其中嵌入該至少二第一觸控電極、該至少二第二觸控電極、以及該至少一電極通道於該基板中的步驟包括：提供一基礎導電材料層於該基板上；嵌入該基礎導電材料層中的一基礎嵌入部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的一第一高度，以形成一第一導電材料層，並令位於該基板的該第二表面上的該基礎導電材料層中的一基礎保留部份形成一導電殘料；以及進一步嵌入該第一導電材料層中的一第一嵌入部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的一第二高度，以形成一第二導電材料層，並使該第一導電材料層中的一第一保留 部份保留於該第一高度；其中該第一保留部份包括該些第一觸控電極且該第二導電材料層包括該些第二觸控電極以及該電極通道之組合，或該第一保留部份包括該些第二觸控電極以及該電極通道之組合且該第二導電材料層包括該些第一觸控電極。
  21. 如請求項20所述之製造方法，其中在提供該架橋之前，該製造方法更包括：提供一絕緣層於該導電殘料上，以阻隔該架橋與該導電殘料。
  22. 如請求項20所述之製造方法，其中嵌入該基礎導電材料層中的該基礎嵌入部份於該基板中的步驟包括：對應於該基礎導電材料層中的該基礎嵌入部份，提供不含導電添加物的嵌入液於該基板上，以令該基礎導電材料層中的該基礎嵌入部份進一步嵌入於該基板中。
  23. 如請求項15所述之製造方法，其中嵌入該至少二第一觸控電極、該至少二第二觸控電極、以及該至少一電極通道於該基板中的步驟包括：嵌入一第一導電材料層於該基板中相對於該基板的該第一表面的一第一高度；進一步嵌入該第一導電材料層中的一第一嵌入部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的一第二高度，以形成一第二導電材料層，並使該第一導電材料層中的一第一保留部份保留於該第一高度；以及 進一步嵌入該第二導電材料層中的一第二嵌入部份於該基板中相對於該基板的該第一表面的一第三高度，以形成一第三導電材料層，並使該第二導電材料層中的一第二保留部份保留於該第二高度；其中該第一保留部份包括該些第一觸控電極、該些第二觸控電極與該電極通道、以及導電殘料中的一者，該第二保留部份包括該些第一觸控電極、該些第二觸控電極與該電極通道、以及導電殘料中的另一者，且該第三導電材料層包括該些第一觸控電極、該些第二觸控電極與該電極通道、以及導電殘料中的最後一者。
  24. 如請求項23所述之製造方法，其中嵌入該第一導電材料層於該基板中的步驟包括：提供含一導電添加物的嵌入液於該基板上，以令該導電添加物嵌入該基板中，形成該第一導電材料層。
  25. 如請求項23所述之製造方法，其中嵌入該第一導電材料層於該基板中的步驟包括：提供一基礎導電材料層於該基板上；以及提供不含導電添加物的嵌入液於該基板上，以令該基礎導電材料層嵌入於該基板中，形成該第一導電材料層。
  26. 如請求項23所述之製造方法，其中進一步嵌入該第一導電材料層中的該第一嵌入部份的步驟包括：對應於該第一導電材料層中的該第一嵌入部份，提供不含導電添加物的嵌入液於該基板上，以令該第一導電材料層 中的該第一嵌入部份進一步嵌入於該基板中。
  27. 如請求項15所述之製造方法，其中在提供該架橋之前，該製造方法更包括：形成至少二接觸孔於該基板上，以令該架橋得以透過該些接觸孔電性連接該些第一觸控電極。
  28. 如請求項27所述之製造方法，其中形成該些接觸孔於該基板上的步驟包括：提供一遮罩於該基板上，並暴露該基板的至少二預開孔部份；以及移除該基板的該至少二預開孔部份，以形成該些接觸孔。
  29. 如請求項27所述之製造方法，其中於形成該些接觸孔前，該製造方法更包括：提供一絕緣層覆蓋於該基板與一導電殘料上，並暴露該基板的至少二預開孔部份，其中該絕緣層用以阻隔該架橋與該導電殘料；且其中形成該些接觸孔於該基板上的步驟包括：蝕刻該絕緣層與該基板的該至少二預開孔部份，以形成該些接觸孔。
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