TWM503397U - 晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良 - Google Patents
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Description
本創作係有關一種晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良,尤指一種在晶圓傳送盒內部設置直立式氣體整流板,使充填之氮氣經由該直立式氣體整流板整流後,得以均勻擴散至各層晶圓表面形成保護,大幅降低汙染物濃度及減少汙染物附著於晶圓之機率之結構者。
晶圓(wafer)在各個製程設備上需儲存於晶圓傳送盒(FOUP)內,使晶圓傳送盒(FOUP)內之晶圓(wafer)不被微粒及化學汙染物的汙染。晶圓傳送盒(FOUP)主要作為晶圓(wafer)儲存及傳輸之用,但晶圓傳送盒(FOUP)內的空氣仍存有對晶圓之危害性,故在一密閉的容器中,有著高純度的氮氣將能保存已清洗過之晶圓(wafer)表面的完整性,使晶圓(wafer)表面不會因與空氣中的氣態分子汙染物(AMC)接觸而產生柵欄狀的氧化物,由上述可知氮氣對於晶圓傳送盒(FOUP)內之晶圓有很大的保護作用,故如何有效的將氮氣均勻散佈於晶圓傳送盒(FOUP)防止氣態分子汙染物(AMC)在晶圓(wafer)表面生成氧化物降低製程良率,乃現今晶圓傳送盒(FOUP)之設計重點。
一般業界習用的晶圓傳送盒(A)內部氮氣充填方式如第一圖所示,其氮氣充氣方式由晶圓傳送盒(A)底座後方兩個氣體充填孔(B)將氮氣充填
至晶圓傳送盒內部,因擴散原理氮氣會充滿整個晶圓傳送盒進而保護晶圓(C)表面不受到汙染,再由氣體排除孔(D)將充填氮氣排除,以降低氣態分子汙染物之氧化物在晶圓表面生成而影響製程良率者。
上述傳統習用之晶圓傳送盒內部氣體充填方式的缺點如下:
(1)晶圓傳送盒底座後方之氣體充填孔,所充填之氮氣無整流效果,故無法均勻擴散至晶圓表面進而形成保護。
(2)晶圓傳送盒底座後方兩個氣體充填孔同時充填氮氣時,容易於晶圓傳送盒後方形成擾流,使充填之氮氣無法均勻擴散。
本創作「晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良」之主要設計目的係在提供一種在晶圓傳送盒前部設置一直立式氣體整流板,使由晶圓傳送盒氣體充填孔充填之氮氣,經過該直立式氣體整流板整流後,由直立式氣體整流板上依晶圓位置分佈之整流孔均勻擴散至各層晶圓表面進而形成完整保護,再由晶圓傳送盒之氣體排除孔將氮氣排出之結構者。
本創作「晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良」之另一設目的係在提供一種結構簡單,成本低廉,在不改變晶圓傳送盒之結構下,藉由設置一直立式氣體整流板,使充填之氮氣不致產生擾流而可均勻擴散至晶圓表面形成良好保護效果之結構者。
緣此,本創作人深感傳統使用之晶圓傳送盒,其內部充填氮氣淨化用以保存晶圓表面完整性之方式,仍存有缺失有待改進,乃積多年來從事於該項產品設計製造上之經驗,不斷研思改進,創作出一種能均勻將氮氣擴散至整個晶圓傳送盒而可有效保護各晶圓表面之「晶圓傳送盒內部汙
染物淨化結構改良」者。
(1)‧‧‧晶圓傳送盒
(2)‧‧‧氣體充填孔
(3)‧‧‧氣體排除孔
(4)‧‧‧晶圓
(5)‧‧‧直立式氣體整流板
(6)‧‧‧整流孔
下列根據圖示和實施方式針對本新型作進一步詳細說明。
第一圖係傳統晶圓傳送盒之俯視示意圖。
第二圖係本創作晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良之俯視示意圖。
第三圖係本創作晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良之正視剖面示意圖。
第四圖係本創作晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良之側視剖面示意圖。
請參閱第二圖至第四圖,本創作係有關一種晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良,其主要係由晶圓傳送盒(1)及直立式氣體整流板(5)所組成。其中該晶圓傳送盒(1)係用以儲存及傳輸晶圓(4),其底座後方及前方中心分別設有一氣體充填孔(2)及一氣體排除孔(3);直立式氣體整流板(5)係裝設於晶圓傳送盒(1)內,並與該氣體充填孔(2)相導通,該直立式氣體整流板(5)上係依據晶圓(4)存放於晶圓傳送盒(1)內之位置設有數排橫向之整流孔(6)者。
氮氣由晶圓傳送盒(1)之氣體充填孔(2)充入,導引流經直立式氣體整流板(5),使整流過後之氮氣由該直立式氣體整流板(5)上之數排整流孔(6)均勻擴散至相對之各層晶圓(4)表面而形成良好的保護效果,大幅降低晶圓傳送盒(1)內之汙染物濃度及減少汙染物附著於晶圓的機率,氮氣最終再由氣體排除孔(3)排出盒體外,完成整個程序。至於氮氣之充填係可依晶圓傳送盒(1)尺寸不同而調整其充填流量者。
綜上所述,本創作所述之晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良,
其以一個氣體充填孔取代傳統兩個氣體充填孔,可避免晶圓傳送盒(1)充填氣體時,在其內部產生相互干擾之氣流,並增設一道直立式氣體整流板(5),使充填之氮氣能均勻送出擴散至整個晶圓傳送盒(1)存放之晶圓(4)表面上形成保護。
(1)‧‧‧晶圓傳送盒
(2)‧‧‧氣體充填孔
(3)‧‧‧氣體排除孔
(4)‧‧‧晶圓
(5)‧‧‧直立式氣體整流板
Claims (2)
- 一種晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良,其包括:一晶圓傳送盒,。其係用以儲存及傳輸晶圓,該晶圓傳送盒底座後方及前方中心分別設有一氣體充填孔及一氣體排除孔;一直立式氣體整流板,其係裝設於晶圓傳送盒內,並與該氣體充填孔相導通,該直立式氣體整流板上係依據晶圓存放於晶圓傳送盒內之位置設有數排橫向之整流孔者;由上述元件組成之晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良,其特徵在於氮氣由晶圓傳送盒之氣體充填孔充入,導引流經直立式氣體整流板,使整流過後之氮氣由該直立式氣體整流板上之數排整流孔均勻擴散至相對之各層晶圓表面,降低晶圓傳送盒內之汙染物濃度及減少汙染物附著於晶圓的機率而形成良好的保護效果,氮氣最終再由氣體排除孔排出盒體外。
- 如申請專利範圍第1項所述之晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良,其中於氮氣之充填係可依晶圓傳送盒尺寸不同而調整其充填流量者。
Priority Applications (1)
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TW103208417U TWM503397U (zh) | 2014-05-14 | 2014-05-14 | 晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良 |
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TW103208417U TWM503397U (zh) | 2014-05-14 | 2014-05-14 | 晶圓傳送盒內部汙染物淨化結構改良 |
Publications (1)
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TWM503397U true TWM503397U (zh) | 2015-06-21 |
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ID=53937494
Family Applications (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111063635A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-04-24 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 检测前开式晶圆传送盒内微环境的方法 |
CN117415479A (zh) * | 2023-12-19 | 2024-01-19 | 苏州镭明激光科技有限公司 | 切割设备、切割方法以及切单系统 |
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2014
- 2014-05-14 TW TW103208417U patent/TWM503397U/zh unknown
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