TWM480628U - 發光二極體的支架結構改良 - Google Patents

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TWM480628U
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TW102221309U
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Chen-Feng Chu
Yuan-Fu Chen
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Fusheng Electronics Corp
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發光二極體的支架結構改良
本創作係有關一種發光二極體,尤指一種發光二極體的支架結構改良。
發光二極體屬半導體元件之一,由於發光二極體具有體積小、壽命長、耗電量小等特性,已普遍應用於3C產品指示器、顯示裝置及燈具上。
近年來在發光二極體的廣泛運用下,許多發光二極體的製作上大多數都是在提升發光二極體的亮度,或者具有多色功能。但是發光二極體的支架結構的設計也將影響到發光二極體的亮度,因此要設計一個良好的發光二極體的支架結構也是一個極為重要的技術之一。
傳統的發光二極體在製作時,先將金屬片利用沖壓技術沖出既定形狀的金屬支架1a(圖第一圖所示),該金屬支架1a具有二電極層11a,該二電極層11a上各具有一正面111a及一背面112a。在金屬支架1a製作完成後,再利用射出或熱壓技術將塑料成型在該二電極層11a上形成一杯體2a,該杯體2a在成型後其上具有一圍牆21a,該圍牆21a中具有一中空功能區22a,該中空功能區22a上具有一底面23a,該底面23a上具有二穿孔24a,該二穿孔24a使該二電極層11a的二正面111a外露,以供發光二極體的支架結構10a後 續加工固晶及打線之用。
由於該二電極層11a的正面111a與該中空功能區22a的底面23a之間的塑料具有一厚度(或高度)231a,在任一正面111a上固接發光晶片(圖中未示)後,該發光晶片所產生的光源會受到該厚度231a的影響或吸收,使光源無法反射,形成遮蔽狀態而影響到發光二極體的亮度。
因此,本創作之主要目的,在於解決傳統發光二極體的支架結構設計缺失,避免缺失存在,本創作將發光二極體的支架結構重新設計,使發光二極體的發光晶片被點亮後,光源不會被遮蔽而影響到發光二極體的亮度。
為達上述之目的,本創作提供一種發光二極體的支架結構,包括:一金屬支架,具有二電極層,該二電極層上各具有一正面及一背面,該二正面的表面上凸伸有一平台,該二平台上各具有一固接面;一杯體,係成型於該金屬支架上,該杯體上具有一圍牆,該圍牆中具有一中空功能區,該中空功能區使該二平台的固接面外露;其中,該中空功能區具有一底面,該中空功能區的底面的高度與該二平台的固接面高度等高。
其中,該二固接面與該二正面之間各形成一高度落差的空間。
其中,該金屬支架的二電極層的背面外露於該杯體外部。
其中,更包括有一發光晶片固接在該任一平台的固接面上。
其中,更包括有一導線,該導線一端與該發光晶片電性連結,該導線的另一端與另一個未固接該發光晶片的該平台的固接面。
其中,更包括有一透鏡設於該中空功能區中。
為達上述之目的,本創作提供另一種發光二極體的支架結構,包括:一金屬支架,具有二電極層,該二電極層上各具有一正面及一背面,該二正面的表面上凸伸有一平台,該二平台上各具有一固接面;一杯體,係成型於該金屬支架上,該杯體上具有一圍牆,該圍牆中具有一中空功能區,該中空功能區使該二平台的固接面外露;其中,該中空功能區具有一底面,該二平台上的固接部的高度高於該中空功能區的底面高度。
其中,該二固接面與該二正面之間各形成一高度落差的空間。
其中,該金屬支架的二電極層的背面外露於該杯體外部。
其中,更包括有一發光晶片固接在該任一平台的固接面上。
其中,更包括有一導線,該導線一端與該發光晶片電性連結,該導線的另一端與另一個未固接該發光晶片的該平台的固接面。
其中,更包括有一透鏡設於該中空功能區中。
習知:
1a‧‧‧金屬支架
11a‧‧‧電極層
111a‧‧‧正面
112a‧‧‧背面
2a‧‧‧杯體
21a‧‧‧圍牆
22a‧‧‧中空功能區
23a‧‧‧底面
24a‧‧‧穿孔
10a‧‧‧支架結構
231a‧‧‧厚度
本創作:
10‧‧‧支架結構
1‧‧‧金屬支架
11‧‧‧電極層
111‧‧‧正面
112‧‧‧背面
12‧‧‧平台
121‧‧‧固接面
13‧‧‧空間
2‧‧‧杯體
21‧‧‧圍牆
22‧‧‧中空功能區
23‧‧‧底面
3‧‧‧發光晶片
4‧‧‧導線
5‧‧‧透鏡
第一圖,係傳統的發光二極體的支架結構外觀示意圖。
第二圖,係本創作之發光二極的支架結構的金屬支架外觀示意圖。
第三圖,係本創作之發光二極體的支架結構的金屬支架與杯體結合上視示意圖。
第四圖,係本創作之發光二極體的支架結構的金屬支架與杯體結合外觀示意圖。
第五圖,係本創作之發光二極體的支架結構固晶、打線及封膠示意圖。
第六圖,係本創作之發光二極體的使用狀態示意圖。
茲有關本創作之技術內容及詳細說明,現在配合圖式說明如下:請參閱第二圖,係本創作之發光二極體的支架結構的金屬支架外觀示意圖。如圖所示;本創作之發光二極體的支架結構10,具有一金屬支架1,該金屬支架1具有二相對稱的電極層11,該二電極層11上各具有一正面111及一背面112,在該正面111的表面上凸伸有一平台12,該平台12上具有一固接面121,該固接面121與該正面111之間具有一高度落差的空間13,該固接面121上可供固接發光晶片(圖中未示)及導線(圖中未示)。
請參閱第三、四圖,係本創作之發光二極體的支架結構的金屬支架與杯體結合上視及側剖視示意圖。如圖所示:在本創作的金屬支架1製作完成後,利用射出或熱壓將塑料成型於該金屬支架1形成一杯體2,該杯體2成型後其上具有一圍牆21,該圍牆21中具有 一中空功能區22,該中空功能區22使該二平台12的固接面121外露,同時該杯體12在射出或熱壓後,該塑料會填補該固接面121與該正面111之間的高度落差的空間13,使該中空功能區22具有一底面23,該底面23的高度與該平台12的固接面121的高度等高,或是該二平台12的固接面121的高度高於該中空功能區的底面23高度。另,在該杯體12在射出或熱壓成型後,使該金屬支架1的二電極層11的背面112外露,可以該二電極層11所產生的熱源散去外,還可以提供二電極層11可以電性連結於該電路板(圖中未示)上。
請參閱第五圖,係本創作之發光二極體的支架結構固晶、打線及封膠示意圖。如圖所示:在本創作的支架結構製作完成後,將發光晶片3固接在該任一平台12的固接面121上,將導線(金線)4一端與該發光晶片3電性連結,該導線4的另一端與另一個未固接該發光晶片3的該平台12的固接面121電性連結。
在發光二極體的支架結構10在固晶及打線後,將膠體注入於該中空功能區22中,以形成發光二極體的透鏡5,或者該膠體中可以填加與發光晶片3光源混合產生不同光色的螢光粉。
請參閱第六圖,係本創作之發光二極體的使用狀態示意圖。如圖所示:當本創作之發光二極體製作完成後,施加電壓於該二電極層11上,在電壓流經二電極層11後使該發光晶片3被點亮,由於該中空功能區22的底面23與該平台12的固接面121處在同一平面上,因此發光晶片3點亮後的光線不會受到杯體2的阻擋而遮蔽,使發光晶片3的光線可以直接投射在該圍牆的壁面上反射或直接穿過透鏡5,使發光二極體的亮度得以提昇。
上述僅為本創作之較佳實施例而已,並非用來限定本創作實施之範圍。即凡依本創作申請專利範圍所做的均等變化與修飾,皆為本創作專利範圍所涵蓋。
10‧‧‧支架結構
1‧‧‧金屬支架
11‧‧‧電極層
111‧‧‧正面
112‧‧‧背面
12‧‧‧平台
121‧‧‧固接面
2‧‧‧杯體
21‧‧‧圍牆
22‧‧‧中空功能區
23‧‧‧底面

Claims (10)

  1. 一種發光二極體的支架結構,包括:一金屬支架,具有二電極層,該二電極層上各具有一正面及一背面,該二正面的表面上凸伸有一平台,該二平台上各具有一固接面;一杯體,係成型於該金屬支架上,該杯體上具有一圍牆,該圍牆中具有一中空功能區,該中空功能區使該二平台的固接面外露;其中,該中空功能區具有一底面,該中空功能區的底面的高度與該二平台的固接面高度等高。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之支架結構,其中,該二固接面與該二正面之間各形成一高度落差的空間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之支架結構,其中,該金屬支架的二電極層的背面外露於該杯體外部。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之支架結構,其中,更包括有一發光晶片固接在該任一平台的固接面上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之支架結構,其中,更包括有一導線,該導線一端與該發光晶片電性連結,該導線的另一端與另一個未固接該發光晶片的該平台的固接面電性連結。
  6. 一種發光二極體的支架結構,包括:一金屬支架,具有二電極層,該二電極層上各具有一正面及一背面,該二正面的表面上凸伸有一平台,該二平台上各具有一固接面; 一杯體,係成型於該金屬支架上,該杯體上具有一圍牆,該圍牆中具有一中空功能區,該中空功能區使該二平台的固接面外露;其中,該中空功能區具有一底面,該二平台上的固接面的高度高於該中空功能區的底面高度。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之支架結構,其中,該二固接面與該二正面之間各形成一高度落差的空間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之支架結構,其中,該金屬支架的二電極層的背面外露於該杯體外部。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之支架結構,其中,更包括有一發光晶片固接在該任一平台的固接面上。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之支架結構,其中,更包括有一導線,該導線一端與該發光晶片電性連結,該導線的另一端與另一個未固接該發光晶片的該平台的固接面電性連結。
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