TWM478873U - 觸控面板及觸控顯示裝置 - Google Patents
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Description
本新型創作是有關於一種面板及顯示裝置,且特別是有關於一種觸控面板及觸控顯示裝置。
近年來,隨著資訊技術、無線行動通訊和資訊家電等各項應用的快速發展,為了達到攜帶便利、體積輕巧化以及操作人性化的目的,許多資訊產品以觸控面板取代傳統的鍵盤或滑鼠作為輸入裝置。
觸控面板通常包括基板以及多個觸控元件。考量到觸控面板的應用範疇(例如是與顯示面板搭配使用),觸控元件的材質通常選用光穿透率佳的透明導電材質,如銦錫氧化物。然而,銦錫氧化物的折射係數與基板的折射係數差異甚大,因此在光束照射至觸控面板時,光束在觸控元件之間的間隙的反射率與光束在觸控元件所在位置的反射率會有極大的差異(光束在間隙的反射率一般會小於光束在觸控元件所在位置的反射率),使得使用者在使用時容易看到觸控元件的圖案,而影響了觸控面板整體的視覺效果。現有技術有提出對圖案明顯度的改良,然而,此些改良並無
法有效地降低觸控元件的圖案對於人眼的可視性。
本新型創作提供一種觸控面板,其可有效地降低觸控元件的圖案對於人眼的可視性。
本新型創作另提供一種觸控顯示裝置,其具有良好的視覺效果。
本新型創作的一種觸控面板包括基板、多個觸控元件以及光學匹配層。觸控元件位於基板上。光學匹配層重疊於基板以及觸控元件,其中光學匹配層的折射係數落在1.5至2的範圍內。
基於上述,本新型創作的觸控面板藉由設置高折射係數的光學匹配層,以補償光束在觸控元件之間的間隙的反射率與光束在觸控元件所在位置的反射率的差異。因此,本新型創作的觸控面板可有效地降低觸控元件的圖案對於人眼的可視性,且應用所述觸控面板的觸控顯示裝置可具有良好的視覺效果。
為讓本新型創作的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、100A、101、101A、102、102A、102B、102C、102D、103、103A、104、104A、105、105A、105B、105C、106、106A、107、107A、108、108A、109、109A‧‧‧觸控面板
110‧‧‧基板
120、120A、120B、120C‧‧‧觸控元件
122‧‧‧第一電極
122a‧‧‧第一電極墊
122b‧‧‧第一連接線
124‧‧‧第二電極
124a‧‧‧第二電極墊
124b‧‧‧第二連接線
130‧‧‧走線
140‧‧‧接墊
150‧‧‧訊號傳遞線路
160、160a、160b、106c、160d‧‧‧介電圖案
A1‧‧‧元件區
A2‧‧‧週邊區
A-A’、B-B’‧‧‧剖線及剖線
BF、BFA‧‧‧緩衝層
BM‧‧‧裝飾層
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
G‧‧‧間隙
IM、IMA、IMB‧‧‧光學匹配層
IN1‧‧‧第一絕緣層
IN2‧‧‧第二絕緣層
PT1‧‧‧第一保護層
PT2、PT2A‧‧‧第二保護層
SH‧‧‧屏蔽層
W160b、W160c、W160d‧‧‧開口
X‧‧‧交錯處
圖1A是依照本新型創作的一實施例的一種觸控面板的上視示意圖。
圖1B是圖1中剖線A-A’、B-B’的剖面示意圖。
圖2至圖20是本新型創作的其他實施例的觸控面板的剖面示意圖。
圖21及圖22是觸控元件的其他實施型態。
圖23至圖28是採用圖21或圖22類型的觸控元件的觸控面板的剖面示意圖。
圖1A是依照本新型創作的一實施例的一種觸控面板的上視示意圖。圖1B是圖1中剖線A-A’、B-B’的剖面示意圖。請參照圖1A及圖1B,本實施例的觸控面板100包括基板110、多個觸控元件120以及光學匹配層IM(繪示於圖1B),其中觸控元件120位於基板110上,且光學匹配層IM重疊於基板110以及觸控元件120。
在本實施例中,觸控面板100進一步包括多條走線130、多個接墊140以及訊號傳遞線路150(參見圖1B),且觸控元件120、光學匹配層IM、走線130以及接墊140例如位於基板110的同一側。
基板110具有元件區A1以及位於元件區A1至少一側的週邊區A2,且基板110的厚度可以介於0.035毫米至0.7毫米之間。本實施例以週邊區A2位於元件區A1的四周舉例說明,但本新型創作不限於此。觸控元件120位於元件區A1內。在本實施例
中,觸控元件120例如由元件區A1延伸至週邊區A2並與走線130接觸。進一步而言,本實施例的觸控元件120例如包括多個第一電極122以及電性絕緣於第一電極122的多個第二電極124,其中第二電極124與第一電極122彼此交錯,但本新型創作不限於此。
第一電極122例如包括多個第一電極墊122a以及多個第一連接線122b,且各第一連接線122b將相鄰兩第一電極墊122a沿第一方向D1串接。各第二電極124包括多個第二電極墊124a以及多個第二連接線124b,且各第二連接線124b將相鄰兩第二電極墊124a沿第二方向D2串接。在本實施例中,第二方向D2垂直於第一方向D1,但本新型創作不限於此。
由於本實施例的第一電極122與第二電極124位在基板110的同一側且兩者彼此交錯,因此觸控面板100可進一步包括至少一介電圖案,至少位於第二電極124與第一電極122之間,以使兩者電性絕緣。在本實施例中,觸控面板100例如包括多個島狀的介電圖案160,且介電圖案160位於第二電極124與第一電極122的交錯處X。具體而言,本實施例的介電圖案160位於第二連接線124b上,且第一連接線122b跨越介電圖案160以將相鄰兩第一電極墊122a沿第一方向D1串接,但本新型創作並不用以限定第一連接線122b、介電圖案160以及第二連接線124b的堆疊順序。
此外,本新型創作亦不用以限定介電圖案160的實施型態。在另一實施例中,介電圖案160也可以至少整面地覆蓋元件
區A1,且第一電極122與第二電極124分別位於介電圖案160的兩對側。或者,在介電圖案160整面地覆蓋元件區A1的架構下,第一連接線122b(或第二連接線124b)可與第一電極墊122a、第二電極墊124a以及第二連接線124b(或第一連接線122b)分別位於介電圖案160的兩對側,且介電圖案160包括多個曝露出第一電極墊122a(或第二電極墊124a)的開口,而第一連接線122b(或第二連接線124b)透過開口與第一電極墊122a(或第二電極墊124a)接觸。
在本實施例中,第一電極墊122a、第一連接線122b、第二電極墊124a以及第二連接線124b的材質例如選自於透明的導電材質,如金屬氧化物。所述金屬氧化物例如為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層。在另一實施例中,第一電極墊122a、第一連接線122b、第二電極墊124a以及第二連接線124b的材質也可以是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構,例如是銦錫氧化物/銀/銦錫氧化物,但不以此為限。另外其型態可以為網格狀,但並不以此為限。此外,各第一電極墊122a、各第一連接線122b、各第二電極墊124a以及各第二連接線124b的厚度分別大於0且在550Å以下或是落在950Å至1500Å的範圍內,且較佳是大於0且在450Å以下或是落在1100Å至1500Å的範圍內,以具有相對高的光穿透率,但本新型創作不限於此。在另一實施例中,若以低阻值為優先考量,則第一連接線122b與第二連接線124b的其中一者的材質也可選用阻值相對低的金屬、合金或
其組合的堆疊結構,或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構,例如是銦錫氧化物/銀/銦錫氧化物,但不以此為限。
接墊140位於週邊區A2內且透過走線130與觸控元件120電性連接。在低阻值的考量下,本實施例的走線130的材質例如採用金屬、合金或其組合的堆疊結構,或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構。另一方面,接墊140、第一電極墊122a、第一連接線122b以及第二電極墊124a例如可藉由圖案化一導電層所形成。換言之,接墊140的材質例如可採用前述的金屬氧化物或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構。需說明的是,圖1A及圖1B雖繪示接墊140的側壁切齊於基板110的側壁,但本新型創作不限於此。在其他實施例中,接墊140也可與基板110的邊緣保持一距離。
訊號傳遞線路150與接墊140接觸,以進行信號的傳遞與接收。舉例而言,訊號傳遞線路150例如為軟性電路板(Flexible Printed Circuit,FPC),但本新型創作不限於此。
在本實施例中,光學匹配層IM更重疊於走線130以及140接墊。具體而言,觸控元件120、走線130以及接墊140例如位於光學匹配層IM與基板110之間。亦即是,本實施例的光學匹配層IM例如是覆蓋元件區A1以及週邊區A2,且曝露出訊號傳遞線路150與接墊140搭接的位置。
光學匹配層IM的材質可選用折射係數落在1.5至2的範圍內的材質,且較佳是落在1.8至1.9的範圍內的材質。舉例而言,
光學匹配層IM的材質可以是鈦的氧化物(TiOx)、鈮的氧化物(NbOx)、矽的氧化物(SiOx)、矽的氮化物(SiNx)或其組合。或者,光學匹配層IM也可以是上述至少兩者材質的堆疊層,例如是由具有較高折射率的材料例如是TiOx、NbOx或SiNx與具有較低折射率的材料例如是SiOx所堆疊而成。
由於採用金屬氧化物或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構的觸控元件120在特定厚度下,如厚度落在200Å至1400Å的範圍內,其反射率會超過10%,而容易產生前述圖案明顯度的問題,因此本實施例透過高折射係數的光學匹配層IM的設置,可藉由光學補償的方式改善反射率過高的現象。即透過高折射係數的光學匹配層IM的設置,以補償光束在觸控元件120之間的間隙G的反射率與光束在觸控元件120所在位置的反射率的差異。因此,本實施例的觸控面板100可有效地降低觸控元件120的圖案對於人眼的可視性。在本實施例中,光學匹配層IM的厚度例如落在100Å至10000Å的範圍內。
另外,本實施例的觸控面板100還可選擇性地包括第一絕緣層IN1、第一保護層PT1以及多個第二保護層PT2其中至少一者。
第一絕緣層IN1例如與觸控元件120、光學匹配層IM、走線130以及接墊140位於基板110的同一側,其例如可用於提升形成於基板110上的膜層與基板110之間的附著力,且可用於降低基板110內的雜質影響成長於基板110上的元件特性。在本
實施例中,第一絕緣層IN1例如是位於基板110上,而觸控元件120、走線130以及接墊140位於第一絕緣層IN1上,且第一絕緣層IN1與光學匹配層IM例如是分別位於觸控元件120、走線130以及接墊140的兩對側。透過適當的材質選定,第一絕緣層IN1可進一步提升前述光學補償的效果,從而改善圖案明顯度的問題。舉例而言,第一絕緣層IN1的材質可以是矽的氧化物,但本新型創作不限於此。
第一保護層PT1以及第二保護層PT2例如可用於保護觸控元件120、走線130以及接墊140。詳言之,觸控元件120、走線130以及接墊140例如位於第一保護層PT1與基板110之間。在本實施例中,第一保護層PT1位於光學匹配層IM與基板110之間,且觸控元件120、走線130以及接墊140位於第一保護層PT1與基板110之間。並且,第一保護層PT1亦曝露出訊號傳遞線路150與接墊140搭接的位置。透過適當的材質選定,第一保護層PT1也可進一步提升前述光學補償的效果,從而改善圖案明顯度的問題。舉例而言,第一絕緣層IN1的材質可以是矽的氧化物,但本新型創作不限於此。再者,第一保護層PT1亦可與光學匹配層IM整合在一起,並且透過適當的厚度、折射率等的調變去提升前述光學補償的效果。
本實施例的第二保護層PT2與第一保護層PT1分別位於光學匹配層IM的兩對側。並且,第二保護層PT2至少覆蓋走線130。在本實施例中,第二保護層PT2除了覆蓋走線130之外,還
覆蓋第一電極122與第二電極124的交錯處X。
在觸控面板100搭配顯示面板使用下,觸控面板100可選擇性地包括屏蔽層SH以及第二絕緣層IN2。屏蔽層SH例如與觸控元件120、光學匹配層IM、走線130以及接墊140分別位於基板110的兩對側,且與訊號傳遞線路150接觸。屏蔽層SH的材質可採用透光的導電材質,如金屬氧化物或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構,以避免遮蔽來自顯示面板的顯示光束。此外,本實施例可使屏蔽層SH浮置或是接地,以屏蔽顯示面板對於觸控面板100的訊號干擾。
第二絕緣層IN2覆蓋屏蔽層SH,以作為屏蔽層SH的防護層,並可使屏蔽層SH電性絕緣於位於其下的其他膜層。具體而言,屏蔽層SH位於基板110與第二絕緣層IN2之間。在這樣的架構下,基板110可作為顯示面板的對向基板例如是顯示面板的封裝蓋板,另外,可更進一步將顯示面板的對向電極層、彩色濾光層等膜層形成於第二絕緣層IN2下。亦即是,觸控元件120可與顯示面板的對向電極層、彩色濾光層等共用基板110。另外可搭配觸控面板100形成一觸控顯示裝置,其中可再配置一覆蓋板與一顯示模組,且覆蓋板位於觸控面板100一側,而顯示模組位於觸控面板100的另一側。
圖2至圖20是本新型創作的其他實施例的觸控面板的剖面示意圖。請參照圖2,本實施例的觸控面板100A大致相同於圖1B的觸控面板100,且相同的膜層以相同的標號表示,以下便不
再贅述相同膜層的相對配置關係、材質、厚度、功效及用途等。
觸控面板100A與觸控面板100的主要差異在於,觸控面板100A的光學匹配層IMA是位在觸控元件120、走線130以及接墊140下(以下簡稱位在觸控元件120、走線130以及接墊140下的光學匹配層為底光學匹配層),而觸控面板100的光學匹配層IM位於觸控元件120、走線130以及接墊140上(以下簡稱位在觸控元件120、走線130以及接墊140上的光學匹配層為頂光學匹配層)。
詳言之,本實施例的光學匹配層IMA位於觸控元件120與基板110之間、走線130與基板110之間以及接墊140與基板110之間。此外,觸控面板100A例如包括前述的第一絕緣層IN1、第一保護層PT1、第二保護層PT2、屏蔽層SH以及第二絕緣層IN2,但本新型創作不限於此。在其他實施例中,觸控面板100A也可省略設置第一絕緣層IN1、第一保護層PT1、第二保護層PT2、屏蔽層SH以及第二絕緣層IN2至少其中一者。
在本實施例中,光學匹配層IMA例如位於第一絕緣層IN1與基板110之間,但本新型創作不限於此。在另一實施例中,光學匹配層IMA與第一絕緣層IN1的位置也可互換,從而使得第一絕緣層IN1位於光學匹配層IMA與基板110之間。或者,第一絕緣層IN1可與光學匹配層IMA整合在一起,並且透過適當的厚度、折射率等的調變去提升前述光學補償的效果。
再者,如圖3所示,藉由延伸圖2中的第二保護層PT2
的覆蓋範圍,而形成第二保護層PT2A,其中第二保護層PT2A整面地覆蓋在基板110上且曝露出接墊140與訊號傳遞線路150接觸的位置。如此,觸控面板100B則可省略圖2中第一保護層PT1的設置。由於第二保護層PT2A整面地覆蓋在基板110上,因此透過適當的材質選定,第二保護層PT2A可連同第一絕緣層IN1及光學匹配層IMA共同提供前述光學補償的效果,從而改善圖案明顯度的問題。
另外,採用上述頂光學匹配層與底光學匹配層的觸控面板也可進一步包括裝飾層,以裝飾觸控面板的週邊區A2,並遮蔽位於週邊區A2內的不透光元件(如訊號傳遞線路150及/或走線130)。以下以圖4及圖5說明裝飾層在圖1B及圖2的架構下的相對配置關係。
圖4的觸控面板101大致相同於圖1B的觸控面板100,而圖5的觸控面板101A大致相同於圖2的觸控面板100A。觸控面板101、101A與觸控面板100、100A的主要差異在於,觸控面板101、101A進一步包括裝飾層(decoration layer)BM。
詳言之,裝飾層BM、觸控元件120、光學匹配層IM、走線130、接墊140以及訊號傳遞線路150例如位於基板110的同一側,且裝飾層BM位於週邊區A2內並曝露出元件區A1。並且,走線130與基板110分別位於裝飾層BM的兩對側。在圖4及圖5的實施例中,基板110例如可為蓋板,也就是說,基板110相對於設置裝飾層BM的表面為觸控面,因此,圖4及圖5省略圖1B
及圖2中屏蔽層SH以及第二絕緣層IN2的設置。
在頂光學匹配層的架構下,如圖4所示,走線130例如位於裝飾層BM與光學匹配層IM之間。另一方面,在底光學匹配層的架構下,如圖5所示,裝飾層BM例如位於光學匹配層IMA與走線130之間。
在圖4及圖5的實施例中,觸控元件120的材質採用金屬氧化物或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構。由於金屬氧化物與裝飾圖案BM之間的附著力相對強,因此在圖案化製程(以形成第一電極墊122a、第二電極墊124a、第一連接線122b以及接墊140)後有可能會有不必要的金屬氧化物殘留在裝飾圖案BM上。為改善這樣的情況,在設置有裝飾圖案BM的實施例中,可選擇性地設置至少一介電圖案160a由裝飾層BM鄰近元件區A1的側壁延伸至裝飾層BM的頂面上。圖4及圖5雖是在圖1B及圖2的架構下加入裝飾層BM以及介電圖案160a,然而,圖3的觸控面板100B亦可同加入裝飾層BM以及介電圖案160a,於此便不再贅述。
另外,採用上述頂光學匹配層與底光學匹配層的觸控面板也可進一步包括緩衝層。請參照圖6及圖7,圖6的觸控面板102大致相同於圖4的觸控面板101,而圖7的觸控面板102A大致相同於圖5的觸控面板101A。惟觸控面板102、102A進一步包括緩衝層BF,且緩衝層BF至少位於接墊140與裝飾層BM之間。因為要曝露出訊號傳遞線路150與接墊140搭接的位置,而使得
此區域的裝飾層BM沒有保護層的覆蓋,降低裝飾層的信賴性,緩衝層BF的設置可以補強此區域裝飾層的信賴性。此外,緩衝層BF亦更可以進一步設置於走線130與裝飾層BM之間。
在圖6及圖7的架構下,緩衝層BF也可以進一步覆蓋元件區A1以及週邊區A2。如圖8所示,觸控面板102B例如是在觸控面板102A的架構下改變圖7中緩衝層BF的圖案,然而,所屬技術領域中具有通常知識者參酌以下的描述亦能夠了解如何在圖6中觸控面板102的架構下改變緩衝層BF的圖案,而形成圖8的緩衝層BFA。詳言之,緩衝層BFA例如重疊於觸控元件120、光學匹配層IMA、走線130以及接墊140,且觸控元件120與基板110分別位於緩衝層BFA的兩對側,而裝飾層BM位於緩衝層BFA與基板110之間。
在本實施例中,光學匹配層IMB位於緩衝層BFA與第一絕緣層IN1之間,且裝飾層BM以及走線130位於光學匹配層IMB的兩對側,但本新型創作不限於此。如圖9所示,觸控面板102C例如是在圖8的觸控面板102B的架構下進一步省略第一絕緣層IN1的設置。另外,如圖10所示,觸控面板102D例如是在觸控面板102C的架構下改變圖9中光學匹配層IMB的相對配置位置。詳言之,本實施例的光學匹配層IMA例如是位於基板110上,且裝飾層BM與基板110分別位於光學匹配層IMA的兩對側。需說明的是,圖8至圖10的實施例採用圖3的第二保護層PT2A,以省略圖2中第一保護層PT1的設置,然而,圖8至圖10的實施例
亦可以圖2中第一保護層PT1以及第二保護層PT2的疊層設計替代第二保護層PT2A。並且,由於圖8至圖10中的緩衝層BFA進一步覆蓋元件區A1以及週邊區A2,因此透過適當的材質選定,緩衝層BFA可連同圖8及圖9中的光學匹配層IMB或圖10中的光學匹配層IMA(在圖8中還可進一步連同第一絕緣層IN1)共同提供前述光學補償的效果,從而改善圖案明顯度的問題。
採用上述頂光學匹配層與底光學匹配層的觸控面板也可進一步改變觸控元件120以及接墊140相對於走線130的配置關係。請參照圖11,本實施例的觸控面板103大致相同於圖4的觸控面板101。主要差異在於,本實施例在頂光學匹配層的架構下進一步包括位於走線130上的介電圖案160b,且位於走線130上的介電圖案160b包括多個開口W160b。開口W160b分別曝露出各走線130的局部區域,而觸控元件120由元件區A1延伸至位於走線130上的介電圖案160b上,且觸控元件120透過其中至少一開口W106b與對應的走線130接觸並且在介電圖案160b上由觸控元件120延伸出對應走線130圖案的一層導電圖案,且接墊140透過其中至少一開口W160b而與對應的走線130接觸。藉由觸控元件120延伸至介電圖案160b上的層導電圖案,並且設置在對應於走線130上,可提供走線130進一步的保護,其中觸控元件120對應於走線130上延伸的導電圖案與接墊140或觸控元件120於空間上均分別間隔一距離且電性絕緣。在另一實施例中,觸控面板103也可進一步設置前述的緩衝層BF或緩衝層BFA。
另外,如圖12所示,在底光學匹配層的架構下,也可同圖11的方式進行改變,以提供走線130進一步的保護。需說明的是,本實施例的觸控面板103A是在圖8的架構下進行改良,然而,圖5、圖7、圖9以及圖10亦可同此改變。
上述實施例是以觸控元件120(包括第一電極122以及第二電極124)的材質為金屬氧化物或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構,而走線130的材質為金屬、合金或其組合的堆疊結構,或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構進行說明,但本新型創作不限於此。請參照圖13,本實施例的觸控面板104的走線130、第一電極墊(未繪示)、第一連接線122b、第二電極墊124a以及接墊140的材質例如皆採用金屬氧化物或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構,而第二連接線124b的材質例如採用金屬、合金或其組合的堆疊結構,或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構。藉由使走線130的材質相同於第一電極墊(未繪示)、第一連接線122b、第二電極墊124a以及接墊140的材質,可縮減製作觸控面板104所需的光罩數。在本實施例中,走線130與接墊140例如為一體成型。
請參照圖14,本實施例的觸控面板104A大致相同於圖13的觸控面板104。主要差異在於本實施例的介電圖案160c是整面覆蓋元件區A1以及周邊區A2,且介電圖案160c具有多個開口W160c,而第二電極墊122a透過開口W160c與對應的第二連接線122b接觸。圖13及圖14雖僅以頂光學匹配層的架構說明走線130
為金屬氧化物或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構時的實施型態,然而,上述採用底光學匹配層(如圖2、圖3、圖5、圖7至圖10及圖12)的觸控面板100A、100B、101A、102A亦可同此改變,於此便不再贅述。
此外,上述實施例雖以第二連接線124b製作在前,而第一電極墊(未繪示)、第一連接線122b、第二電極墊124a製作在後進行說明,但本新型創作不限於此。請參照圖15,本實施例的觸控面板105大致相同於圖4的觸控面板101。差異主要在於,本實施例的第二連接線124b製作於第一電極墊(未繪示)、第一連接線122b、第二電極墊124a之後,且第二連接線124b例如採用與走線130相同的材質。詳言之,第一電極墊(未繪示)、第一連接線122b、第二電極墊124a位於第一絕緣層IN1上,介電圖案160位於第一連接線122b上,而第二連接線124b跨越對應的介電圖案160以將相鄰兩第二電極墊124a串接。
此外,如圖16所示,在底光學匹配層的架構下,觸控面板105A也可採用上述第一電極墊(未繪示)、第一連接線122b、第二電極墊124a以及第二連接線124b的架構。另外,在本實施例中,觸控面板105A的介電圖案160可進一步位於第二電極墊124a上,且透過形成曝露出第二電極墊124a的局部區域的開口,使第二連接線124b通過開口連接相鄰兩第二電極墊124a。
再者,如圖17所示,觸控面板105B在圖16的觸控面板105A的架構下可延伸第二保護層PT2的覆蓋範圍,而形成第二保
護層PT2A,其中第二保護層PT2A覆蓋元件區A1以及週邊區A2且曝露出接墊140與訊號傳遞線路150接觸的位置。如此,則可省略圖16中第一保護層PT1的設置。
另外,如圖18所示,觸控面板105C在圖17的架構下也可採用圖15中介電圖案160的設置。需說明的是,在圖15至圖18的架構下,亦可省略裝飾層BM的設置,並可選擇性地包括圖1B及圖3中的屏蔽層SH以及第二絕緣層IN2。
採用上述頂光學匹配層與底光學匹配層的觸控面板也可進一步在裝飾層BM上增加熱鍵(hot key,或稱作快捷鍵)的設置。如圖19所示,在頂光學匹配層的架構下,觸控面板106例如更包括位在周邊區A2內的觸控元件120A,其中觸控元件120A位於裝飾層BM上,且位於光學匹配層IM與裝飾層BM之間。此外,觸控面板106例如更包括位在觸控元件120A的第二連接線124b上的介電圖案160d,並且介電圖案160d具有多個開口W160d,而觸控元件120A的第二電極墊124a例如透過開口W160d與第二連接線124b接觸。另外,位在裝飾層BM上的第二連接線124b的材質例如可採用與走線130相同的材質,如金屬、合金或其組合的堆疊結構,或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構。或者,第二連接線124b的材質也可採用金屬氧化物或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構。再者,在圖19的架構下,觸控面板106的緩衝層BF也可採用圖8中緩衝層BFA的型態。
另一方面,如圖20所示,在底光學匹配層的架構下,觸
控面板106A也可更包括位在周邊區A2的裝飾層BM上的觸控元件120A,且觸控元件120A與裝飾層BM例如分別位在光學匹配層IMB的兩對側。此外,觸控面板106A亦可更包括位在觸控元件120A的第二連接線124b上的介電圖案160d,並且介電圖案160d具有多個開口W160d,而觸控元件120A的第二電極墊124a例如透過開口W160d與第二連接線124b接觸。另外,位在裝飾層BM上的第二連接線124b的材質例如可採用與走線相同的材質,如金屬、合金或其組合的堆疊結構,或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構。或者,第二連接線124b的材質也可採用金屬氧化物或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構。
在圖20的架構下,緩衝層BFA、光學匹配層IMB以及第一絕緣層IN1也可採用圖7中的緩衝層BF、光學匹配層IMA以及第一絕緣層IN1的相對配置關係。或者,也可如圖9及圖10省略第一絕緣層IN1的設置。
再者,在圖19及圖20的架構下,亦可進一步在走線130上方設置介電圖案並使接墊140以及觸控元件120A進一步延伸至走線130的上方,以提供走線130進一步的保護。並且,圖19及圖20的觸控元件120、120A亦可採用圖15及圖16中第一電極墊(未繪示)、第一連接線122b、第二電極墊124a以及第二連接線124b的相對設置關係,於此便不再贅述。
雖然上述實施例皆以觸控元件彼此交錯設置進行說明,但本新型創作並不用以限定觸控元件120、120A的圖案設計或觸
控元件120、120A的相對配置關係。以下以圖21及圖22舉例說明觸控元件120、120A的其他可實施型態,然本新型創作的觸控元件120、120A的實施型態亦不限於圖21及圖22的架構,所屬技術領域中具有通常知識者當可依據其設計需求去改變觸控元件120、120A的圖案設計及其相對配置關係。
圖21及圖22是觸控元件的其他實施型態。在圖21及圖22中,觸控元件120B、120C皆為彼此分離且不重疊。並且,觸控元件120B、120C的形狀可以是圓形、多邊形或其組合,但並不以此為限,其型態也可以為網格狀。此外,走線130的材質可採用與觸控元件120B、120C相同的材質,如金屬氧化物或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構。或者,走線130也可採用與觸控元件120a、120b不同的材質,如金屬、合金或其組合的堆疊結構,或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構。
圖23至圖28是採用圖21或圖22類型(指觸控元件彼此分離且不重疊)的觸控元件的觸控面板的剖面示意圖。請參照圖23,在頂光學匹配層的架構下,本實施例的觸控面板107的走線130的材質例如採用與觸控元件120B、120C相同的材質,如金屬氧化物或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構。此時,走線130與接墊140例如為一體成型。此外,本實施例的觸控面板107例如進一步包括第一絕緣層IN1、緩衝層BFA以及第一保護層PT1,但本新型創作不限於此。在其他實施例中,觸控面板107可選擇性地包括第一絕緣層IN1、第一保護層PT1、圖19中的第二保護
層PT2(或圖20中的第二保護層PT2A)以及圖19中的緩衝層BF(或緩衝層BFA)其中至少一者。
在底光學匹配層的架構下,如圖24所示,觸控面板107A的走線130的材質也可採用與觸控元件120B、120C相同的材質,如金屬氧化物或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構。此時,走線130與接墊140例如為一體成型。再者,本實施例的觸控面板107A例如進一步包括緩衝層BFA以及第二保護層PT2A。然而,在其他實施例中,觸控面板107A也可選擇性地包括圖12中的第一絕緣層IN1。或者,以圖16中的第一保護層PT1以及第二保護層PT2替代本實施例的第二保護層PT2A。或以圖7中的緩衝層BF替代本實施例的緩衝層BFA。
另外,在頂光學匹配層以及底光學匹配層的架構下,如圖25及圖26所示,觸控面板108、108A的走線130的材質也可採用與觸控元件120B、120C不同的材質,如金屬、合金或其組合的堆疊結構,或者是金屬氧化物與金屬組合的堆疊結構。又如圖27及圖28所示,觸控面板109、109A可在走線130上進一步設置介電圖案160b,並使接墊140以及觸控元件120B(或觸控元件120C)進一步延伸至介電圖案160b上,以提供走線130進一步的保護。在圖23至圖28的架構下,亦可省略裝飾層BM的設置,並可選擇性地進一步設置圖1B及圖3中的屏蔽層SH以及第二絕緣層IN2。
另外,在上述的實施例中當基板110上配置有裝飾層BM
時,基板110可同時是一覆蓋板,此設計可減少一片基板的設置,可降低整體的厚度及重量。
綜上所述,在本新型創作的觸控面板中,高折射係數的光學匹配層至少設置在元件區內,以補償光束在觸控元件之間的間隙的反射率與光束在觸控元件所在位置的反射率的差異。因此,本新型創作的觸控面板可有效地降低觸控元件的圖案對於人眼的可視性,且應用所述觸控面板的觸控顯示裝置可具有良好的視覺效果。
雖然本新型創作已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本新型創作,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本新型創作的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧觸控面板
110‧‧‧基板
120‧‧‧觸控元件
122‧‧‧第一電極
122b‧‧‧第一連接線
124‧‧‧第二電極
124a‧‧‧第二電極墊
124b‧‧‧第二連接線
130‧‧‧走線
140‧‧‧接墊
150‧‧‧訊號傳遞線路
160‧‧‧介電圖案
A1‧‧‧元件區
A2‧‧‧週邊區
A-A’、B-B’‧‧‧剖線及剖線
IM‧‧‧光學匹配層
IN1‧‧‧第一絕緣層
IN2‧‧‧第二絕緣層
PT1‧‧‧第一保護層
PT2‧‧‧第二保護層
SH‧‧‧屏蔽層
X‧‧‧交錯處
Claims (40)
- 一種觸控面板,包括:一基板;多個觸控元件,位於該基板上;以及一光學匹配層,重疊於該基板以及該些觸控元件至少其中之一,其中該光學匹配層的折射係數落在1.5至2的範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板,其中該光學匹配層的厚度落在100Å至10000Å的範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板,其中該基板具有一元件區以及位於該元件區至少一側的週邊區,該些觸控元件至少位於該元件區內,該觸控面板更包括多條走線、多個接墊以及一訊號傳遞線路,該些接墊位於該週邊區內且透過該些走線與該些觸控元件電性連接,該訊號傳遞線路與該些接墊接觸,該光學匹配層重疊於該些走線及該些接墊至少其中之一。
- 如申請專利範圍第3項所述的觸控面板,其中該些觸控元件與該些走線位於該光學匹配層與該基板之間。
- 如申請專利範圍第3項所述的觸控面板,其中該光學匹配層位於該些觸控元件與該基板之間、該些走線與該基板之間以及該些接墊與該基板之間。
- 如申請專利範圍第3項所述的觸控面板,其中該些觸控元件彼此分離且不重疊。
- 如申請專利範圍第6項所述的觸控面板,其中至少部分的 該些走線的材質與該些觸控元件的材質相同。
- 如申請專利範圍第6項所述的觸控面板,其中該些走線的材質不同於該些觸控元件。
- 如申請專利範圍第8項所述的觸控面板,更包括至少一介電圖案,位於該些接墊與該些走線之間,且該介電圖案具有多個開口,各該接墊透過其中一開口與對應的走線接觸。
- 如申請專利範圍第3項所述的觸控面板,其中該些觸控元件彼此交錯且彼此電性絕緣。
- 如申請專利範圍第3項所述的觸控面板,更包括一第一絕緣層,與該些觸控元件、該光學匹配層、該些走線以及該些接墊位於該基板的同一側,且該第一絕緣層位於該基板上,而該些觸控元件、該些走線以及該些接墊位於該第一絕緣層上。
- 如申請專利範圍第11項所述的觸控面板,其中該第一絕緣層位於該光學匹配層與該基板之間。
- 如申請專利範圍第11項所述的觸控面板,其中該光學匹配層位於該第一絕緣層與該基板之間。
- 如申請專利範圍第3項所述的觸控面板,更包括一屏蔽層,與該些觸控元件位於該基板的兩對側,且與該訊號傳遞線路接觸。
- 如申請專利範圍第14項所述的觸控面板,更包括一第二絕緣層,該屏蔽層位於該基板與該第二絕緣層之間。
- 如申請專利範圍第3項所述的觸控面板,更包括一第一 保護層,且該些觸控元件、該些走線以及該些接墊位於該第一保護層與該基板之間。
- 如申請專利範圍第16項所述的觸控面板,其中該第一保護層位於該光學匹配層與該基板之間,且該些觸控元件、該些走線以及該些接墊位於該第一保護層與該基板之間。
- 如申請專利範圍第16項所述的觸控面板,其中該光學匹配層位於該第一保護層與該基板之間,且該光學匹配層位於該些觸控元件、該些走線以及該些接墊與該基板之間。
- 如申請專利範圍第16項所述的觸控面板,更包括多個第二保護層,該些第二保護層與該基板分別位於該些觸控元件、該些走線、該些接墊、該第一保護層以及該光學匹配層的兩對側,且該些第二保護層至少覆蓋該些走線。
- 如申請專利範圍第19項所述的觸控面板,其中該些第二保護層與該第一保護層分別位於該光學匹配層的兩對側,且該些觸控元件、該些走線以及該些接墊位於該第一保護層與該基板之間。
- 如申請專利範圍第19項所述的觸控面板,其中該些第二保護層與該光學匹配層分別位於該第一保護層的兩對側,且該些觸控元件、該些走線以及該些接墊位於該第一保護層與該光學匹配層之間。
- 如申請專利範圍第3項所述的觸控面板,更包括一第二保護層,該些第二保護層與該基板分別位於該些觸控元件、該些 走線、該些接墊以及該光學匹配層的兩對側,且該些第二保護層至少覆蓋該些走線。
- 如申請專利範圍第22項所述的觸控面板,其中該第二保護層覆蓋該些觸控元件、該光學匹配層、該些走線以及至少部分之該些接墊。
- 如申請專利範圍第3項所述的觸控面板,更包括一裝飾層,與該些觸控元件、該光學匹配層、該些走線、該些接墊以及該訊號傳遞線路位於該基板的同一側,且該裝飾層位於該週邊區內並曝露出該元件區,並且該些走線與該基板分別位於該裝飾層的兩對側。
- 如申請專利範圍第24項所述的觸控面板,其中該些觸控元件位於該光學匹配層與該基板之間,且該些走線位於該裝飾層與該光學匹配層之間。
- 如申請專利範圍第24項所述的觸控面板,其中該光學匹配層位於該些觸控元件與該基板之間,且該光學匹配層位於該些走線與該裝飾層之間。
- 如申請專利範圍第24項所述的觸控面板,其中該光學匹配層位於該些觸控元件與該基板之間,且該裝飾層位於該些走線與該光學匹配層之間。
- 如申請專利範圍第24項所述的觸控面板,更包括一緩衝層,至少位於該些接墊與該裝飾層之間。
- 如申請專利範圍第28項所述的觸控面板,其中該緩衝層 重疊於該些觸控元件、該光學匹配層、該些走線以及該些接墊,且該些觸控元件與該基板分別位於該緩衝層的兩對側,而該裝飾層位於該緩衝層與該基板之間。
- 如申請專利範圍第24項所述的觸控面板,其中至少一觸控元件位於該週邊區內且位於該裝飾層上。
- 如申請專利範圍第24項所述的觸控面板,其中該些觸控元件包括多個第一電極以及電性絕緣於該些第一電極的多個第二電極,該些第二電極與該些第一電極彼此交錯,該觸控面板更包括至少一介電圖案,至少位於該些第二電極與該些第一電極之間。
- 如申請專利範圍第31項所述的觸控面板,其中該介電圖案的數量為多個,且至少一介電圖案由該裝飾層鄰近該元件區的側壁延伸至該裝飾層的頂面上。
- 如申請專利範圍第31項所述的觸控面板,其中該介電圖案的數量為多個,且至少一介電圖案位於該些走線上,位於該些走線上的該介電圖案包括多個開口,該些開口分別曝露出各該走線的局部區域,而該些觸控元件透過其中至少一開口與對應的該些走線接觸並且在該介電圖案上由該些觸控元件延伸出對應該些走線圖案的一層導電圖案,且該些接墊透過其中至少一開口而與對應的該些走線接觸。
- 如申請專利範圍第33項所述的觸控面板,其中該層導電圖案與該些觸控元件及該些接墊於空間上均分別間隔一距離且電性絕緣。
- 如申請專利範圍第31項所述的觸控面板,其中各該第一電極包括多個第一電極墊以及多個第一連接線,且各該第一連接線將相鄰兩第一電極墊沿一第一方向串接,各該第二電極包括多個第二電極墊以及多個第二連接線,且各該第二連接線將相鄰兩第二電極墊沿一第二方向串接,該介電圖案至少位於該些第二電極與該些第一電極的交錯處。
- 如申請專利範圍第35項所述的觸控面板,其中該些第一連接線與該些第二連接線的其中一者位於該基板上,該介電圖案覆蓋該元件區、該週邊區以及位於該基板上的該些第一連接線與該些第二連接線的其中一者,該些第一電極墊、該些第二電極墊以及該些第一連接線與該些第二連接線的其中另一者位於該介電圖案上,該介電圖案包括多個開口,該些第一連接線與該些第二連接線的其中一者透過該些開口與對應的該些第一電極墊以及該些第二電極墊的其中一者接觸。
- 如申請專利範圍第35項所述的觸控面板,其中各該第一電極墊、各該第一連接線、各該第二電極墊以及各該第二連接線的厚度分別大於0且在550Å以下或是落在950Å至1500Å的範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板,其中該光學匹配層的折射係數落在1.8至1.9的範圍內。
- 如申請專利範圍第1項所述的觸控面板,其中該基板的厚度介於0.035毫米至0.7毫米之間。
- 一種觸控顯示裝置,包括:一如申請專利範圍第1項至第23項其中任一項所述的觸控面板;一覆蓋板,位於該觸控面板的一側;以及一顯示模組,位於該觸控面板的另一側。
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