TWM472206U - 觸控面板及觸控顯示面板 - Google Patents

Description

觸控面板及觸控顯示面板

本創作係關於觸控面板及觸控顯示面板，尤指一種可避免玻璃基板產生翹曲之觸控面板及觸控顯示面板。

觸控面板由於具有人機互動的特性，已逐漸取代鍵盤而被廣泛應用於電子裝置的輸入介面上。觸控面板主要是係用玻璃基板為基材，並於玻璃基板上形成觸控元件所形成。為了提升玻璃基板的表面平整度，玻璃基板會使用例如浮法玻璃製程加以製作。浮法玻璃製程係將呈熔融狀態之玻璃溶液置於錫溶液上，其中玻璃溶液之一面與錫溶液接觸，而玻璃溶液之另一面暴露在空氣中，呈熔融狀態於冷卻凝固後會形成固態的玻璃基板。藉由浮法玻璃製程所形成的玻璃基板會具有錫面與相對面。另外，為了提高強度，於玻璃基板製作完成後會進行強化製程。一般而言，強化製程係將玻璃基板浸於硝酸鉀溶液中，而玻璃基板內的鈉離子與硝酸鉀溶液中鉀離子進行擴散反應，尺寸較大的鉀離子進入玻璃內取代尺寸較小的鈉離子的位置，使玻璃基板的晶格組織改變而達到強化效果。

然而，由於玻璃基板的錫面所含的錫離子會阻礙鉀離子進入玻璃基板內，因此在強化製程後進入相對面的鉀離子的數量會多於進入錫面的鉀離子的數量，導致玻璃基板的錫面與相對面的應力不平衡，而使得玻璃基板產生翹曲。在觸控面板的薄型化趨勢下，由於玻璃基板的厚度愈來愈薄，因此玻璃基板的翹曲問題更加嚴重，而有待進一步改善。

本創作之目的之一在於提供一種觸控面板及觸控顯示面板，以避免觸控面板之玻璃基板的翹曲問題。

本創作之一實施例提供一種觸控面板，包括一玻璃基板、一阻隔層、複數個離子以及一觸控元件。玻璃基板具有相對應之一錫面與一相對面。阻隔層設置於玻璃基板之相對面。離子位於玻璃基板內的兩側鄰近錫面與相對面以及阻隔層內，且阻隔層內之離子係由遠離玻璃基板之一側向玻璃基板的方向遞減分佈。觸控元件設置於玻璃基板之錫面。

本創作之另一實施例提供一種觸控顯示面板，包括一顯示面板以及一觸控面板。顯示面板具有一顯示面。觸控面板設置於顯示面板之顯示面。觸控面板包括一玻璃基板、一阻隔層、複數個離子以及一觸控元件。玻璃基板具有相對應之一錫面與一相對面。阻隔層設置於玻璃基板之相對面。離子位於玻璃基板內的兩側鄰近錫面與相對面以及阻隔層內，且阻隔層內之離子係由遠離玻璃基板之一側向玻璃基板的方向遞減分佈。觸控元件設置於玻璃基板之錫面。

本創作所提供之觸控面板及觸控顯示面板，具有設置於玻璃基板之相對面的阻隔層，由於阻隔層可以在強化製程中抑制進入相對面的離子的數量，因此可使平衡玻璃基板之錫面與相對面的應力，而避免玻璃基板產生翹曲問題。

2、4、6、8‧‧‧步驟

10‧‧‧玻璃基板

101‧‧‧錫面

102‧‧‧相對面

12‧‧‧阻隔層

14‧‧‧強化溶液

16‧‧‧離子

20‧‧‧觸控元件

22‧‧‧導線

24‧‧‧圖案化裝飾層

26‧‧‧保護層

30‧‧‧觸控面板

32‧‧‧緩衝層

40‧‧‧觸控面板

50‧‧‧觸控面板

52‧‧‧觸控感應區

54‧‧‧周邊區

55、56、57、58、59‧‧‧開口

X‧‧‧水平方向

Y‧‧‧垂直方向

20X‧‧‧第一軸向電極

20Y‧‧‧第二軸向電極

20H‧‧‧第一觸控感應電極

20V‧‧‧第二觸控感應電極

20R‧‧‧觸控訊號接收電極

20T‧‧‧觸控訊號傳遞電極

60、60’、70、70’‧‧‧觸控顯示面板

62‧‧‧顯示面板

62A‧‧‧顯示面

64‧‧‧黏著層

H‧‧‧高度差

第1圖繪示了本創作之製作觸控面板之方法的流程圖。

第2圖至第5圖繪示了本創作之第一實施例之製作觸控面板之方法示意圖。

第6圖至第7圖繪示了本創作之第二實施例之製作觸控面板之方法示意圖。

第8圖繪示了本創作之觸控面板之一較佳實施例之上視示意圖。

第9圖繪示了本創作之觸控面板之觸控元件之一變化實施例之上視示意圖。

第10圖繪示了本創作之觸控顯示面板之第一實施例之示意圖。

第11圖繪示了本創作之觸控顯示面板之一第一實施例之一變化實施例之示意圖。

第12圖繪示了本創作之觸控顯示面板之第二實施例之示意圖。

第13圖繪示了本創作之觸控顯示面板之一第二實施例之一變化實施例之示意圖。

為使熟悉本創作所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本創作，下文特列舉本創作之較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本創作的構成內容及所欲達成之功效。

請參考第1圖。第1圖繪示了本創作之製作觸控面板之方法的流程圖。如第1圖所示，本創作之製作觸控面板之方法包括下列步驟：步驟2：提供玻璃基板，其中玻璃基板具有相對應之一錫面(tin side)與一相對面(opposite side)；步驟4：於玻璃基板之相對面形成阻隔層；步驟6：進行強化製程，將形成有阻隔層之玻璃基板浸入一強化溶液，其中強化溶液包括複數個離子，且阻隔層可抑制進入玻璃基板之相對面之離子的數量，使得阻隔層內之等離子係由遠離相對面之一側向相對面的方向遞減分佈；以及步驟8：於強化製程之後，於玻璃基板之錫面上形成一觸控元件。

請再參考第2圖至第5圖。第2圖至第5圖繪示了本創作之第一實施例之製作觸控面板之方法示意圖。下文將配合第2圖至第5圖所繪示之剖面示意圖詳述本實施例之製作觸控面板之方法。如第2圖所示，首先提供玻璃基板10，其中玻璃基板10具有相對應之一錫面101與一相對面102。在本實施例中，具有錫面101與相對面102之玻璃基板10可利用浮法玻璃製程 (float glass process)所形成，但不以此為限而亦可利用其它適合之製程形成。浮法玻璃製程包括下列步驟。將呈熔融狀態之玻璃溶液置於錫溶液上，使玻璃溶液之一面與錫溶液接觸，並使玻璃溶液之另一面暴露在空氣中。接著，待呈熔融狀態冷卻凝固後會形成固態的玻璃基板10。也就是說，在浮法玻璃製程中，玻璃基板10的其中一個表面會與錫溶液接觸，因此錫離子會進入玻璃基板10的此表面，故稱之為錫面101；而玻璃基板10的另一個表面未與錫溶液接觸而係暴露在空氣中，因此實質上無錫離子存在，故稱之為相對面102。

如第3圖所示，接著於玻璃基板10之相對面102形成阻隔層12。阻隔層12具有阻障功能，可以阻隔離子經由相對面102進入玻璃基板10。在本實施例中，阻隔層12與玻璃基板10之相對面102接觸，但不以此為限。阻隔層12可為單層結構或多層堆疊結構。阻隔層12可利用物理方式、化學方式或其它適合方式形成於玻璃基板10之相對面102，例如貼附、塗布、電鍍、物理氣相沉積或化學氣相沉積等，但不以此為限。阻隔層12之材料可包括無機材料、有機材料或有機/無機材料，例如氧化矽(SiO_x )、氮化矽(SiN_y )、氮氧化矽(SiN_x O_y )，但不以此為限。阻隔層12之材料亦可為金屬或金屬氧化物例如二氧化鈦(TiO₂ )、五氧化二鉭(Ta₂ O₅ )或五氧化二鈮(Nb₂ O₅ )。依據應用不同，阻隔層12可為透光層或不透光層。例如當觸控面板應用在顯示裝置的顯示面時，阻隔層12為透光層，而當觸控面板應用在其它非顯示裝置時，阻隔層12可為不透光層。另外，阻隔層12的厚度可隨材料之不同加以調整，例如阻隔層12的厚度實質上可介於1奈米(nm)至100奈米之間，且較佳可介於1奈米至30奈米之間，但不以此為限。另外，阻隔層12的折射率可依據不同的光學考量而大於、小於或等於玻璃基板10的折射率。

如第4圖所示，進行一強化製程例如化學強化製程，將形成有阻隔層12之玻璃基板10浸入強化溶液14。強化溶液14包括複數個離子16，而玻璃基板10內會有另一種離子，其中強化溶液14的離子16的尺寸會大於 玻璃基板10本身所包含的離子。舉例而言，強化溶液14可為硝酸鉀溶液，因此離子為鉀離子，而玻璃基板10本身所包含的離子為例如納離子。在強化製程中，玻璃基板10與強化溶液14之間會藉由擴散而產生離子置換反應。也就是說，強化溶液14內之尺寸較大的鉀離子會進入玻璃基板10內取代玻璃基板10內之尺寸較小的納離子的位置而達到強化玻璃基板10的效果。此處的尺寸可指離子半徑或原子半徑。值得說明的是，強化溶液14的離子16並不限定於鉀離子，且玻璃基板10的離子並不限定於納離子。舉例而言，當玻璃基板10的離子為鋰離子時，則強化溶液14的離子16可為任何尺寸大於鋰離子的離子，例如納離子及/或鉀離子。

由於玻璃基板10的相對面102覆蓋有具有阻障功能的阻隔層12，可抑制進入玻璃基板10之相對面102之離子16的數量，且阻隔層12內之離子16係由遠離玻璃基板10之一側向玻璃基板10的方向遞減分佈。另一方面，玻璃基板10的錫面101所含的錫離子亦會抑制離子16經由錫面101進入玻璃基板10內，因此強化製程後，進入相對面102的離子16的數量與進入錫面101的離子16的數量會接近而不會差異過大。進一步地說，設置於玻璃基板10的相對面102的阻隔層12可以調整相對面102的離子交換速率，使相對面102與錫面101具有近似的離子交換速率，因此在強化製程後，聚集在玻璃基板10之錫面101與相對面102的離子16的數量會接近。也就是說玻璃基板10相對於錫面101與相對面102位置的離子16的數量或濃度實質上會接近，例如靠近錫面101的離子16的數量或濃度分佈與靠近相對面102的離子16的數量或濃度分佈會以玻璃基板10的中心線為基準而呈現類似鏡像對稱。因此，玻璃基板10之錫面101與相對面102的應力會相近，而有效避免玻璃基板10產生翹曲問題。在本實施例中，阻隔層12可完全覆蓋玻璃基板10的相對面102，但不以此為限。在其它變化實施例中，阻隔層12亦可視其它考量而僅覆蓋玻璃基板10之一部分的相對面102。在玻璃基板10的內部，離子16的數量或濃度分佈由錫面101朝向該玻璃基板10之內部的 方向遞減，同樣地，離子16的數量或濃度分佈也是由相對面102朝向玻璃基板10之內部的方向遞減。此外，錫面101表面的離子16濃度會高於相對面102表面的離子16濃度。

由於應力不平衡所產生的翹曲問題在玻璃基板的厚度愈小的情況會愈嚴重，因此本實施例利用阻隔層調整應力的方法可大幅改善薄型玻璃基板的翹曲問題。薄型玻璃基板的厚度例如介於0.1公厘(mm)至0.55公厘之間，但本實施例之方法並不受限於玻璃基板的厚度。

如第5圖所示，於強化製程之後，接著於玻璃基板10之錫面101形成一觸控元件20，且由於觸控元件20通常會提供一壓應力，因此在形成觸控元件20之後，會使玻璃基板10的彎曲程度減少。觸控元件20之種類不限，其可為電容式觸控元件、電阻式觸控元件、光學式觸控元件或其它類型之觸控元件。另外，本實施例之製作觸控面板之方法可進一步包括於玻璃基板10之錫面101上形成導線22、圖案化裝飾層24以及保護層26，以形成本實施例之觸控面板30。導線22係設置於玻璃基板10的周邊並與觸控元件20電性連接，用以傳遞觸控元件20的訊號。導線22例如可為金屬導線，或其它導電材料所構成的導線。圖案化裝飾層24之主要功能在於遮蔽玻璃基板10之周邊的導線22。觸控元件20的至少部分可延伸至圖案化裝飾層24上。圖案化裝飾層24之材料可為例如油墨、類鑽碳、金屬、陶瓷、光阻、樹脂、有機材料、無機材料或其它各種具有遮光特性的材料。此外，圖案化裝飾層24的結構可為單層結構或多層結構。保護層26係用以保護觸控元件20，其可為例如無機保護層或有機保護層。

可同時參考第11圖，一般觸控面板藉由阻隔層12及觸控元件20的設計，最佳的狀態是將觸控面板形成平坦而不翹曲，但實際可能仍會有些微的翹曲，而此翹曲方式以玻璃基板10的中央部分會高於邊緣部分為佳，即玻璃基板10朝觸控元件20方向彎曲，以避免朝相反方向彎曲，但中央部分與邊緣部分的高度差實質上小於或等於0.7公厘的情況下是可接受的範圍。 或者，在設計阻隔層12時，可預先將觸控元件20的壓應力考慮在內，而先調整阻隔層12的材料或厚度，使得在觸控元件20形成之後玻璃基板10之錫面101與相對面102的應力平衡。舉例而言，可以縮減阻隔層12的厚度，使得在形成觸控元件20之前，玻璃基板10是處於翹曲狀態，但在形成觸控元件20之後，玻璃基板10是處於平整不翹曲狀態或介於朝觸控元件20方向可允許0.7公厘翹曲狀態。一般而言，當分佈於錫面101的離子16的數量或濃度低於分佈於相對面102的離子16的數量或濃度時，玻璃基板10會朝觸控元件20的方向彎曲。反之，當分佈於錫面101的離子16的數量或濃度高於或等於分佈於相對面102的離子16的數量或濃度時，玻璃基板10會相對面102的方向彎曲(未圖示)。

本創作之觸控面板並不以上述實施例為限。下文將依序介紹本創作之其它較佳實施例之觸控面板及觸控顯示面板，且為了便於比較各實施例之相異處並簡化說明，在下文之各實施例中使用相同的符號標注相同的元件，且主要針對各實施例之相異處進行說明，而不再對重覆部分進行贅述。

請參考第6圖與第7圖。第6圖至第7圖繪示了本創作之第二實施例之製作觸控面板之方法示意圖。本實施例之製作觸控面板之方法示意圖係接續第4圖所揭示之步驟之後進行。如第6圖所示，不同於前述實施例，於強化製程之後以及形成觸控元件之前，本實施例之方法另包括於玻璃基板10之錫面101形成緩衝層32。緩衝層32之材料可包括無機材料、有機材料或有機/無機材料，例如氧化矽(SiO_x )、氮化矽(SiN_y )、氮氧化矽(SiN_x O_y )，但不以此為限。緩衝層32較佳為透光層，但不以此為限而亦可為不透光層。

如第7圖所示，於緩衝層32上形成觸控元件20、導線22、圖案化裝飾層24以及保護層26，以形成本實施例之觸控面板40。在本實施例中，觸控元件20係形成於緩衝層32上，而未直接與玻璃基板10的錫面101接觸。也就是說，緩衝層32設置於玻璃基板10之錫面101與觸控元件20之間，且由於緩衝層32與觸控元件20之間具有較佳的接合力，可以提升觸控元件20 的良率與可靠度。另外，緩衝層32係於強化製程之後形成，然而在形成觸控元件20、導線22、圖案化裝飾層24與保護層26等元件的製程中，玻璃基板10之錫面101所聚集的部分離子16可能因為上述製程的高溫(一般例如可達約250℃)而擴散至緩衝層32，但緩衝層32內之離子16的數量會遠少於阻隔層12內之離子16的數量。

請參考第8圖。第8圖繪示了本創作之觸控面板之一較佳實施例之上視示意圖。如第8圖所示，本實施例之觸控面板50具有觸控感應區52以及周邊區54。觸控元件20實質上係設置於觸控感應區52並部分延伸至周邊區54，而圖案化裝飾層24至少設置於周邊區54之一側。在本實施例中，觸控元件20包括沿著第8圖水平方向X延伸排列的第一軸向電極20X與沿著第8圖垂直方向Y延伸排列的第二軸向電極20Y，其中第一軸向電極20X與第二軸向電極20Y係彼此交叉設置，且兩者交叉位置設置有島狀絕緣結構20A，用以使第一軸向電極20X與第二軸向電極20Y電性絕緣。各第一軸向電極20X包括複數個電性連接的第一觸控感應電極20H，且各第二軸向電極20Y包括複數個電性連接的第二觸控感應電極20V。第一軸向電極20X與第二軸向電極20Y中的感應電極的形狀可依需要而設計，例如為菱形電極或多角形電極，但不以此為限。觸控元件20可包括透明導電材料，例如氧化銦錫、氧化鋅銦、奈米銀絲、奈米碳管、石墨烯、導電高分子等。另外，圖案化裝飾層24具有開口。開口可作為功能圖案、商標圖案、按鍵圖案等。舉例而言，開口55可作為紅外線感測孔、開口56可作為發光二極體(light emitting diode,LED)透光孔、開口57可作為商標圖案、開口58可作為主畫面按鍵圖案，且開口59可作為返回按鍵圖案。

請參考第9圖。第9圖繪示了本創作之觸控面板之觸控元件之一變化實施例之上視示意圖。如第9圖所示，在本實施例中，觸控元件20可包括複數個觸控訊號接收電極20R以及複數個觸控訊號傳遞電極20T彼此交錯排列，藉以進行一互電容(mutual capacitive)觸控感測，但並不以此為限。

在其他實施例中，觸控元件20所包含的觸控感應電極也可以是多個並排且顛倒設置的三角形觸控感應電極、複數個互相分離設置的矩形觸控感應電極或其他規則或不規則形狀之觸控感應電極。另外，觸控元件20可為單層(SITO)結構、雙層(DITO)結構、單片玻璃型(OGS)或其它結構。再者，觸控元件20的觸控感測機制可為自電容(self capacitive)觸控感測或互電容觸控感測。

請參考第10圖。第10圖繪示了本創作之觸控顯示面板之第一實施例之示意圖。如第10圖所示，本實施例之觸控顯示面板60包括顯示面板62以及觸控面板30。顯示面板62具有顯示面62A，且觸控面板30設置於顯示面板62之顯示面62A。另外，觸控元件20係面對顯示面板62的顯示面62A，因此玻璃基板10係作為蓋板(cover glass)，但不以此為限。本實施例之顯示面板62可為液晶顯示面板、電激發光顯示面板、電潤溼顯示面板、電泳顯示面板或其它各種類型之自發光型顯示面板、非自發光型顯示面板、硬式顯示面板或可撓式顯示面板。在本實施例中，觸控面板30係以第5圖之實施例所揭示之觸控面板30為例說明，其元件及配置可參考第5圖之相關描述，在此不再贅述。另外，顯示面板62與觸控面板30可利用一黏著層64加以黏合。舉例而言，在本實施例中，黏著層64係使用一口字膠，其僅設置在顯示面板62與觸控面板30之間的周邊區域。在其它變化實施例中，黏著層64亦可為一完整的膠層。

請參考第11圖。第11圖繪示了本創作之觸控顯示面板之一第一實施例之一變化實施例之示意圖。如第11圖所示，在本變化實施例之觸控顯示面板60’中，觸控面板30之玻璃基板10可容許些微翹曲，例如玻璃基板10的中央部分會高於邊緣部分而具有一高度差H，但此高度差H基本上在不超過0.7公厘的情況下是可接受的範圍。

請參考第12圖。第12圖繪示了本創作之觸控顯示面板之第二實施例之示意圖。如第12圖所示，本實施例之觸控顯示面板70包括顯示面板 62以及觸控面板40。顯示面板62具有顯示面62A，且觸控面板40設置於顯示面板62之顯示面62A。另外，觸控元件20係面對顯示面板62的顯示面62A，因此玻璃基板10係作為蓋板，但不以此為限。本實施例之顯示面板62可為液晶顯示(liquid crystal display,LCD)面板、電激發光(electroluminescent,EL)顯示面板例如有機發光二極體(OLED)顯示面板、電潤溼(electrowetting)顯示面板、電泳(electrophoretic)顯示面板或其它各種類型之自發光型顯示面板、非自發光型顯示面板、硬式顯示面板或可撓式顯示面板。在本實施例中，觸控面板40係以第7圖之實施例所揭示之觸控面板40為例說明，其元件及配置可參考第7圖之相關描述，在此不再贅述。在本實施例中，黏著層64係使用一整面完整的膠層。在其它變化實施例中，黏著層64亦可為口字膠，其僅設置在顯示面板62與觸控面板40之間的周邊區域。

請參考第13圖。第13圖繪示了本創作之觸控顯示面板之一第二實施例之一變化實施例之示意圖。如第13圖所示，在本變化實施例之觸控顯示面板70’中，觸控面板40之玻璃基板10可容許些微翹曲，例如玻璃基板10的中央部分會高於邊緣部分而具有一高度差H，但此高度差H基本上在不超過0.7公厘的情況下是可接受的範圍。

本創作之觸控顯示面板所使用之觸控面板可為本創作所揭示之任何實施例所揭示的觸控面板。

綜上所述，本創作所提供之觸控面板及觸控顯示面板，具有設置於玻璃基板之相對面的阻隔層，由於阻隔層可以在強化製程中抑制進入相對面的離子的數量，因此可使平衡玻璃基板之錫面與相對面的應力，而避免玻璃基板產生翹曲問題。

10‧‧‧玻璃基板

101‧‧‧錫面

102‧‧‧相對面

12‧‧‧阻隔層

16‧‧‧離子

20‧‧‧觸控元件

22‧‧‧導線

24‧‧‧圖案化裝飾層

26‧‧‧保護層

30‧‧‧觸控面板

Claims (17)

1. 一種觸控面板，包括：一玻璃基板，具有相對應之一錫面(tin side)與一相對面(opposite side)；一阻隔層，設置於該玻璃基板之該相對面；複數個離子，分佈於該玻璃基板以及該阻隔層內，且該阻隔層內之該等離子係由遠離該玻璃基板之一側向該玻璃基板的方向遞減分佈，而該玻璃基板於該相對面朝該玻璃基板內部具有該等離子，且該玻璃基板於該錫面朝該玻璃基板內部具有該等離子；以及一觸控元件，設置於該玻璃基板之該錫面上。
2. 如請求項1所述之觸控面板，其中該等離子至少包括鉀離子或鈉離子其中之一。
3. 如請求項1所述之觸控面板，其中該阻隔層與該玻璃基板之該相對面接觸，且該等離子的數量或濃度分佈由該錫面與該相對面分別朝向該玻璃基板之內部的方向遞減。
4. 如請求項3所述之觸控面板，其中分佈於該錫面的該等離子的數量或濃度低於分佈於該相對面的該等離子的數量或濃度，且該玻璃基板朝該觸控元件的方向彎曲。
5. 如請求項3所述之觸控面板，其中分佈於該錫面的該等離子的數量或濃度高於或等於分佈於該相對面的該等離子的數量或濃度，且該玻璃基板朝該相對面的方向彎曲。
6. 如請求項1所述之觸控面板，另包括一緩衝層，設置於該觸控元件與該玻璃基板之該錫面之間。
7. 如請求項6所述之觸控面板，其中該緩衝層內具有該等離子，且該緩衝層內之該等離子的數量或濃度少於該阻隔層內之該等離子的數量或濃度。
8. 如請求項1所述之觸控面板，另包括一圖案化裝飾層，設置於該玻璃基板 之該錫面。
9. 如請求項8所述之觸控面板，其中該圖案化裝飾層具有一開口，且該觸控元件的至少部分延伸至該圖案化裝飾層上。
10. 如請求項1所述之觸控面板，另包括一保護層，設置於該觸控元件上。
11. 如請求項1所述之觸控面板，其中該阻隔層的厚度實質上介於1奈米(nm)至100奈米之間。
12. 如請求項1所述之觸控面板，其中該阻隔層的厚度實質上介於1奈米至30奈米之間。
13. 如請求項1所述之觸控面板，其中該玻璃基板朝該觸控元件方向彎曲，且該玻璃基板之中央部分與邊緣部分的高度差實質上小於或等於0.7公厘。
14. 如請求項1所述之觸控面板，其中該玻璃基板相對於該錫面與該相對面位置的離子的數量或濃度實質上接近。
15. 一種觸控顯示面板，包括：一顯示面板，具有一顯示面；以及一觸控面板，設置於該顯示面板之該顯示面上，該觸控面板包括：一玻璃基板，具有相對應之一錫面(tin side)與一相對面(opposite side)；一阻隔層，設置於該玻璃基板之該相對面；複數個離子，位於該玻璃基板以及該阻隔層內，且該阻隔層內之該等離子係由遠離該玻璃基板之一側向該玻璃基板的方向遞減分佈，而該玻璃基板於該相對面朝該玻璃基板內部具有該等離子，且該玻璃基板於該錫面朝該玻璃基板內部具有該等離子；以及一觸控元件，設置於該玻璃基板之該錫面上。
16. 如請求項15所述之觸控顯示面板，其中該觸控元件係面對該顯示面板之該顯示面。
17. 如請求項16所述之觸控顯示面板，其中該玻璃基板朝該觸控元件方向彎 曲，且該玻璃基板之中央部分與邊緣部分的高度差實質上小於或等於0.7公厘。