TWM455552U - 氣體處理之加熱裝置 - Google Patents

Description

氣體處理之加熱裝置

本創作係有關一種氣體處理之加熱裝置，特別是指一種用來對工業程序等排出之對人體有害的氣體及破壞臭氧層氣體等進行熱分解處理之加熱裝置。

由半導體製造裝置排出的半導體排氣(gas)係對人體或環境有害，而且具有可燃性、爆炸性，對於概金屬具有高腐蝕性。以該半導體排氣的代表例而言，係列舉週期表III、IV、V族元素的氫化物，例如SiH₄ 、PH₃ 、B₂ H₆ 等，而且在製造步驟中加以使用但未反應的SiH₂ Cl₂ 、SiHCl₃ 、Si₂ H₆ 、TEOS(四乙氧基矽炕，tetraethoxysilane)等Si化合物亦包含在該排氣中。

以往，半導體排氣係在利用大量氮氣予以稀釋後，使該排氣濃度在爆炸下限以下，另外進行在與大量過剩的空氣相混合以後，直接釋出至大氣的處理。

但是，目前對於環境保護的認識提升，並且環境管理變得較為嚴謹，如前所述之大氣釋出方法係趨向嚴格限制的方向。因此，變得必須積極地將半導體排氣予以除害。因此，當將半導體排氣釋出至大氣中時，使用半導體排氣處理裝置，俾以至少將有毒氣體的濃度降低至容許值以下。

在此，以半導體排氣的處理方法而言，可大致分為濕式法、吸附法、加熱分解法及燃燒法等4種方法；其中，加熱 分解法尤其係在反應爐內配設棒狀的電熱加熱器，藉由該加熱器所發出的高熱，將半導體排氣導入形成在反應爐內的加熱區域，且將該氣體進行熱分解的電熱加熱分解法係極為符合作業現場的需求，而在多數現場予以採用。

然而，在使用該加熱分解法的半導體排氣處理裝置中，由於使用將電轉換成熱的電熱加熱器作為單一熱源，因此耗費很多電費。

有鑑於此，本創作即在提供一種用來對工業程序等排出之對人體有害的氣體及破壞臭氧層氣體等進行熱分解處理之加熱裝置，為其主要目的者。

為達上揭目的，本創作之加熱裝置可用於對導入一反應爐內之氣體進行加熱而使其熱分解，反應爐的內部設置將氣體予以熱分解的排氣處理室，以及設有與排氣處理室相通之氣體導入口與氣體排出口；其中，加熱裝置設有第一加熱模組以及第二加熱模組，第一加熱模組係設於反應爐處，可對進入該排氣處理室內之氣體進行加熱，而第二加熱模組則設於反應爐前端，用以對預定進入該反應爐之氣體進行預先加熱。

利用上述結構特徵，利用第一、第二加熱模組之階段式加熱作用，由第二加熱模組對預定進入該反應爐之氣體進行預先加熱分解，以縮短第一加熱模組於反應爐內進行熱分解之處理時間，可增加氣體處理速度。

依據上述主要技術特徵，所述氣體導入口係配置開設於 該反應爐之頂部位置，而該氣體排出口則配置開設於該反應爐之底部位置，並有一氣體導入管配設於該反應爐的頂部，該第一加熱模組包含有氫氧加熱組件，並位於該氣體導入口處，該第二加熱模組係包含有電熱件，並環繞設置於該氣體導入管外圍處。

依據上述主要技術特徵，進一步設有入口洗氣器以及水槽，該入口洗氣器係設於該氣體導入管前端，用以接收氣體，並將該氣體送入水槽，以去除氣體所含有之粉塵或水溶性氣體，而該氣體導入管並連接於該水槽，用以接收去除粉塵或水溶性氣體後之氣體。

上述之第二加熱模組係包含有電熱件，並環繞設置於該入口洗氣器外圍處。

依據上述主要技術特徵，所述第二加熱模組之電熱件可設有一本體，該本體內並間隔設置複數電熱絲。

上述之本體兩端側並分別設有固定件，用以將該本體相互環繞成環狀；其中，固定件可以為魔鬼氈或扣合件。

依據上述主要技術特徵，所述氣體導入口以及氣體排出口分別設置於該反應爐底部彼此接近的位置處，並有一氣體導入管將其上端配設在前述排氣處理室的上部，並且以使其下端朝前述反應爐本體的外部突出的方式插入前述氣體導入口，而將前述氣體導入前述排氣處理室之上部，該第一加熱模組包含有電熱件，並位於該排氣處理室處。

依據上述主要技術特徵，進一步設有入口洗氣器以及水槽，該入口洗氣器係設於該氣體導入管前端，用以接收氣體，並將該氣體送入水槽，以去除氣體所含有之粉塵或水溶性氣 體，而該氣體導入管並連接於該水槽，用以接收去除粉塵或水溶性氣體後之氣體，該第二加熱模組係包含有電熱件，並環繞設置於該入口洗氣器外圍處。

本創作之特點，可參閱本案圖式及實施例之詳細說明而獲得清楚地瞭解。

如第一圖本創作一較佳實施例氣體處理之部分結構示意圖所示，本創作之加熱裝置可用於對導入一反應爐20內之氣體進行加熱而使其熱分解，反應爐20的內部設置將氣體予以熱分解的排氣處理室21，以及設有與排氣處理室21相通之氣體導入口22與氣體排出口23，並有一氣體導入管30與氣體導入口22連接。

本案之重點在於：加熱裝置設有第一加熱模組11以及第二加熱模組12，第一加熱模組11係設於反應爐20處，可對進入排氣處理室21內之氣體進行加熱，而第二加熱模組12則設於反應爐20前端，用以對預定進入反應爐20之氣體進行預先加熱，藉由第一、第二加熱模組11、12之階段式加熱作用，以縮短第一加熱模組11於反應爐20內進行熱分解之處理時間，可增加氣體處理速度。

請同時參閱第二圖所示，氣體導入口22係配置開設於反應爐20之頂部位置，而氣體排出口23則配置開設於反應爐20之底部位置，而氣體導入管30則配設於反應爐20的頂部，第一加熱模組11包含有氫氧加熱組件111，並位於氣體導入口22處，其係利用氫氧混合氣體經過導燃而形成氫氧燄燃 燒，第二加熱模組12係包含有電熱件121，並環繞設置於氣體導入管30外圍處，請同時參閱第三圖所示，第二加熱模組之電熱件可設有一本體122，本體122內並間隔設置複數電熱絲123，並將各電熱絲123以串聯或並聯方式外接電源(圖未示)，使電熱絲123通電後可產生熱源，用以對通過氣體導入管30之氣體進行預熱分解，以及可利用氫氧加熱組件111對進入於反應爐20之氣體進行第二階段之加熱分解。

其中，上述第二加熱模組電熱件之本體兩端側並分別設有固定件(圖未示)，固定件可以為魔鬼氈或扣合件，用以將本體相互環繞成環狀，便於組裝固定於氣體導入管外。

再者，進一步設有入口洗氣器40以及水槽50，如第四圖所示為本創作氣體處理之第二實施例，入口洗氣器40係設於氣體導入管30前端，用以接收氣體，並將氣體送入水槽50，以去除氣體所含有之粉塵或水溶性氣體，而氣體導入管30並連接於水槽50，用以接收去除粉塵或水溶性氣體後之氣體，而第二加熱模組之電熱件121亦可進一步環繞設置於入口洗氣器40外圍處，並相對靠近於水槽50處。

另外，如第五圖所示為本創作氣體處理之第三實施例，氣體導入口22以及氣體排出口23分別設置於反應爐20底部彼此接近的位置處，而氣體導入管30將其上端配設在前述排氣處理室21的上部，並且以使其下端朝前述反應爐20本體的外部突出的方式插入前述氣體導入口20，而將前述氣體導入前述排氣處理室21之上部，第一加熱模組包含有電熱件112，並位於排氣處理室21處，第二加熱模組係包含有電熱件121，並環繞設置於入口洗氣器40外圍處，同樣可藉由第一、 第二加熱模組之階段式加熱作用，以縮短熱分解之處理時間，達到增加氣體處理速度之效果。

綜上所述，本創作提供氣體處理一較佳可行之加熱 裝置，爰依法提呈新型專利之申請；本創作之技術內容及技術特點已揭示如上，然而熟悉本項技術之人士仍可能基於本創作之揭示而作各種不背離本案創作精神之替換及修飾。因此，本創作之保護範圍應不限於實施例所揭示者，而應包括各種不背離本創作之替換及修飾，並為以下之申請專利範圍所涵蓋。

11‧‧‧第一加熱模組

111‧‧‧氫氧加熱組件

112‧‧‧電熱件

12‧‧‧第二加熱模組

121‧‧‧電熱件

122‧‧‧本體

123‧‧‧電熱絲

20‧‧‧反應爐

21‧‧‧排氣處理室

22‧‧‧氣體導入口

23‧‧‧氣體排出口

30‧‧‧氣體導入管

40‧‧‧入口洗氣器

50‧‧‧水槽

第一圖係為本創作中氣體處理之部分結構示意圖。

第二圖係為本創作中氣體處理第一實施例之結構示意圖。

第三圖係為本創作中氣體導入管與第二加熱模組之結構立體圖。

第四圖係為本創作中氣體處理第二實施例之結構示意圖。

第五圖係為本創作中氣體處理第三實施例之結構示意圖。

11‧‧‧第一加熱模組

111‧‧‧氫氧加熱組件

12‧‧‧第二加熱模組

20‧‧‧反應爐

21‧‧‧排氣處理室

22‧‧‧氣體導入口

23‧‧‧氣體排出口

30‧‧‧氣體導入管

Claims (12)

1. 一種氣體處理之加熱裝置，該加熱裝置可用於對導入一反應爐內之氣體進行加熱而使其熱分解，該反應爐的內部設置將氣體予以熱分解的排氣處理室，以及設有與該排氣處理室相通之氣體導入口與氣體排出口；其特徵在於：該加熱裝置設有第一加熱模組以及第二加熱模組，該第一加熱模組係設於該反應爐處，可對進入該排氣處理室內之氣體進行加熱，而該第二加熱模組則設於該反應爐前端，用以對預定進入該反應爐之氣體進行預先加熱。
2. 如申請專利範圍第1項所述氣體處理之加熱裝置，其中，該氣體導入口係配置開設於該反應爐之頂部位置，而該氣體排出口則配置開設於該反應爐之底部位置，並有一氣體導入管配設於該反應爐的頂部，該第一加熱模組包含有氫氧加熱組件，並位於該氣體導入口處，該第二加熱模組係包含有電熱件，並環繞設置於該氣體導入管外圍處。
3. 如申請專利範圍第2項所述氣體處理之加熱裝置，其中，進一步設有入口洗氣器以及水槽，該入口洗氣器係設於該氣體導入管前端，用以接收氣體，並將該氣體送入水槽，以去除氣體所含有之粉塵或水溶性氣體，而該氣體導入管並連接於該水槽，用以接收去除粉塵或水溶性氣體後之氣體。
4. 如申請專利範圍第3項所述氣體處理之加熱裝置，其中，該第二加熱模組係包含有電熱件，並環繞設置於該入口洗氣器外圍處。
5. 如申請專利範圍第2項至第4項其中任一項所述氣體處 理之加熱裝置，其中，該第二加熱模組之電熱件可設有一本體，該本體內並間隔設置複數電熱絲。
6. 如申請專利範圍第5項所述氣體處理之加熱裝置，其中，該本體兩端側並分別設有固定件，用以將該本體相互環繞成環狀。
7. 如申請專利範圍第6項所述氣體處理之加熱裝置，其中，該固定件可以為魔鬼氈或扣合件。
8. 如申請專利範圍第1項所述氣體處理之加熱裝置，其中，該氣體導入口以及氣體排出口分別設置於該反應爐底部彼此接近的位置處，並有一氣體導入管將其上端配設在前述排氣處理室的上部，並且以使其下端朝前述反應爐本體的外部突出的方式插入前述氣體導入口，而將前述氣體導入前述排氣處理室之上部，該第一加熱模組包含有電熱件，並位於該排氣處理室處。
9. 如申請專利範圍第8項所述氣體處理之加熱裝置，其中，進一步設有入口洗氣器以及水槽，該入口洗氣器係設於該氣體導入管前端，用以接收氣體，並將該氣體送入水槽，以去除氣體所含有之粉塵或水溶性氣體，而該氣體導入管並連接於該水槽，用以接收去除粉塵或水溶性氣體後之氣體，該第二加熱模組係包含有電熱件，並環繞設置於該入口洗氣器外圍處。
10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述氣體處理之加熱裝置，其中，該電熱件可設有一本體，該本體內並間隔設置複數電熱絲。
11. 如申請專利範圍第10項所述氣體處理之加熱裝置，其 中，該本體兩端側並分別設有固定件，用以將該本體相互環繞成環狀。
12. 如申請專利範圍第11項所述氣體處理之加熱裝置，其中，該固定件可以為魔鬼氈或扣合件。