TWM419231U - Light emitting diode package structure - Google Patents

Description

M419231 五、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作係關於一種封敦結構 種發光二極體封裝結構。 :具體而言，本創作係關於一 【先前技術】 電子、消費性 換效率t、0藉儿、G處、電私不。發光二極體具有能量轉 為其兼^劣電及低产产广速度快、成品不易破損等優點，因 2= 境污染等特性，已逐漸成為曰常生活的 封裝結構包含-發光元件U傳統發光二極體 f 16 ^ ： tΐί^ U與電性保護裝置17之墙- 傳統發先二極體封裝結構需預留金屬連接線16 一固定區 域，使得發光元件U與反射壁14之間保持—距離，因而增加 了光線在封賴12 _行進職，降低出光效率。此外，如 圖1所示，在傳統發光二極體封裝結構中，發光元件U所發 出的側光被紐保舰置π做，造顧光財祕費。因 此需要-發光二極體封裝結構，以解決上述問題。 4 【新型内容】 本創作之_目的在於提供具錢數層職本體的發光二 極體封I轉，可提高發光元件的出光效率。 發光一極體封裝結構包含發光元件、金屬導線、外層本 终技内層本體及透明封錢。金屬導線連接發光元件，分別 第—金屬支架及第二金屬支架。外層本體包含底部及 貝1壁’共同圍成容置空間。發光元件設置於第—金屬支架 表面；第二金屬支架與第一金屬支架相隔一間隙設置， 、連接複數個金料線。㈣本體圍繞該發光元件分佈，且 具有複數個缺口供金屬導線穿設其巾。透簡裝體填充於容 置空間並覆蓋發光元件及金屬導線。 關於本創作之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及 所附圖式得到進一步的瞭解。 【實施方式】 本創作係提供一種發光二極體封裝結構。圖2A為本創作 封裝結構之實施例示意圖。如圖2A所示，發光二極體封裝結 構包含發光元件110、金屬導線160、外層本體14〇、内層 本體130及透光封裝體120。金屬導線16〇連接發光元件 110 ’分別跨接至第一金屬支架150a及第二金屬支架i50b。 外層本體140包含底部142及外側壁144，共同圍成容置空 間126。其中，第一金屬支架i5〇a的上表面152露出於容 置空間内，而發光元件110設置於第一金屬支架i5〇a的上 表面152 ;第二金屬支架150b與第一金屬支架i5〇a相隔一 M419231 間隙I54設置，供複數個金屬導線16〇自發光元件⑽分別 連接至第-金屬支架l5Ga及第二金屬支架15%以形成電性 連接。内層本體130，自外層本體⑽底部M2突出，而與 外側壁144間夾有空隙122，且圍繞該發光元件11〇分佈了 内層本體130之-侧自第一金屬支架驗及第二金屬支架 15〇b間突出而位於發光元件11〇之侧邊，内層本體13〇 ^ 另-側則形成於第-金屬支架15〇a上而共同圍燒發光元件 11〇。再者，内層本體130與外層本體14〇可為相同材質組 成，其材f可選用高分子娜類或其他類似物；然而，在其 他實施例中，内層本體130與外層本體140也可採用不同材 質構成。此外，内層本體130的頂端具有複數個缺口 132(如 圖虛線所示)供金屬導線16〇穿設其中，相較於金屬導線16〇 自發光元件110直接從内層本體13〇上方跨過而連接至第一 金屬支架150a與第二金屬支架i5〇b的方式，採用金屬導線 160跨過内層本體130頂端的缺口丨32而連接第一金屬支架 150a及第二金屬支架i5〇b的方式，可以壓低線弧，進而使 介於透明封裝體120頂部與第一金屬支架15〇a及第二金屬 支架150b的上表面間的南度降低，因而達到容置空間eg 的高度變小，使發光二極體封裝結構的整體體積更小。透明 封裝體120填充於容置空間並覆蓋發光元件110及金屬導線 160。此外’位於内層本體130頂端的缺口 132可因不同的 使用需求而變更其設計。藉由内層本體13〇的設置，使原來 預計放置在第一金屬支架l50a及第二金屬支架15〇b上的其 他元件(圖未繪示)可放置於兩側的空隙122内，避免光線在 接觸内層本體130前被其他元件吸收。

圖2B為本創作封裝結構之另一實施例示意圖。如圖2B 6 M419231

所不，發光二極體封裝結構更具有電性保護裝置17〇，設置 於外層本體140及内層本體13〇間之空隙122内。在内層本 體130之頂端除設有上述之複數個缺口 132,另外設有一辅 助凹槽134(如圖虛線所示），供並聯導線162與電性保護震 置170連接且穿設於輔助凹槽134中，使電性保護裝置17〇 與發光兀件110形成電性連接，提供發光元件11〇靜電保 濩。藉由電性保護裝置17〇設置於外層本體14〇及内層本體 130間之空隙122内，因内層本體13〇形成屏蔽，可以避免 發光元件110發出的光線被電性保護裝置口〇設置吸收，因 而提南出光效率。此外’在發光二極體縣結構中，内層本 體130朝向發光元件110之内面形成第一斜面136，而外層 本體⑽之外側壁144朝向容置空間之内面形成第二斜面 146。第-斜面136所形成之斜率小於第二斜面146之斜率， 使得内層本體m的第-斜面136較外層本體⑽的第二斜 2 146具有更大的開口角度。藉由第一斜面136之斜率小於 ^二斜面146之斜率的設計，可以調整光線的出光角度，提

1 W為發光二極體雖結構具有輔助封裝體之實施例示 j，光二極體封裝結構中包含輔助封裝體124，設置於 ===外層本體⑽間之空隙，被透日_體⑼ =包覆。其中翻封裝體12Q具有第_折射率，而辅助封裝 體具有第二折射率，第二折射率小於第 透晴體12_^時 封裝體124的第一折射率小於透明封裝體12〇的第一折射 率’使光齡S產纽射，減少級錢 吸收的次數，以㈣_。此外，在_施例中内= 7 M419231 助封裝體124可填充具備高光反射率之光反射材料以提高 光線的反射率，減少光線在透明封襄體12〇内被吸收的次 數。其中光反射材料可選自硫酸鋇、氧化欽、聚對苯二曱二 乙酯(PET, P〇lyethyleneterephthalate)、二氧化矽、白色油墨、 白色樹脂或金屬。而透明封裝體12〇的材質可為環氧 其他類似物。 圖4A至圖4C為發光二極體封裝結構具有不同内層封裝 體實施例上視圖。如圖4A所示，在此實施例中，内層本體 分布於第-金屬支架i5Ga及第—金屬支_3二U3支0 架碰間的間隙154上。如圖4A所示，内層本體13〇係形孀 成為一橢圓形之結構。内層本體13〇之一側自第一金屬支架 150a及第二金屬支架1501)間突出而位於發光元件n〇之側 邊，内層本體130之另一側則形成於第一金屬支架15〇&上 而共同圍繞發光树110。⑽本體13Q的頂端具有複數個 缺口 132供金屬導線160穿設其中，跨接至第一金屬支架 150a及第二金屬支架15%。此外，内層本體13〇具有辅助 凹槽134以供連接電性保護裴置17〇的並聯導線162(圖未繪 示)穿设其中’跨接至第-金屬支架l5〇a。採用金屬導線⑽鳒 跨過内層本體130頂端的辅助凹槽134而連接第一金屬支架 150a的方式，可以壓低線弧，進而使介於透明封裝體 頂部與第一金屬支架150a及第二金屬支架15〇b的上表面間 的高度降低，使發光二極體封裝結構的整體體積更小。如圖 4B所示，内層本體130係形成為一矩形之結構，分布於第一 金屬支架150a及第一金屬支架150a與第二金屬支架15%間 的間隙154上。如圖4C所示，内層本體130係形成為一圓形 之結構，分布於第一金屬支架150a及第一金屬支架15〇&與第 8

Claims (1)

10(. ΙΟ. 2 0 年月 六、申請專利範圍：.· 、 種發光一極體封裝結構，包含·· 一發光元件； 一金屬導線，連接該發光元件； 卜層本體’包含-底部及—外側壁，共同圍成一容置空 間； 一内層本體，自該相本觀部突ώ，*聽外側壁間夹 有卫隙’且ϋ繞該發光元件分佈，軸層本體有至少一 缺口供該金屬導線穿設其中；以及 一透光封I體，填充⑽容置並覆蓋該發光元件及該 金屬導線。 、如專利範圍第i項所述之發光二極體封袭結構，更包含： 一第-金屬支架’露出上表面於該容置空_，其中該發 光元件係設置於該第一金屬支架上表面；以及 X 一第二金屬支架，與該第-金屬支架相隔一間隙設置，並 連接至少一該金屬導線。 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝結構，其 層本體之-側自該第-金敎架及該第二金屬妓間= 位於該發光元件之側邊，該内層本體之另—側形成於該 金屬支架上而共同圍繞該發光元件。 、^第 如申請專概ffi第1項魏之發光二極體封裝結構，其中該至 少一缺口形成於該内層本體之頂端。 、

範圍第1項所述之發光二極體封裝結構，其中該内 向該發光元件之内面形成—第—斜面，該外層本體 面壁麵容置空間之内面形成—第二斜面，該第一斜 面所形成之斜率小於該第二斜面之斜率。 斜 f、 該外層封裝體與該内層本體間之該 二隙内，其巾該紐倾裝㈣無發光元件電性連接。 如申請專概圍第6斯狀發光二極體縣結構，更包含： 一輔助凹槽，形成於該⑽本體之頂端；以及 一導線與該電性健裝置連接且穿設賊獅凹槽中。 如申請專利範圍第1項所狀發光二極體封裝結構，更包人. :辅f封裝體’設置於該内層本體與該外層本體間之該\ 隙’被該透光封裝體所包覆；其中，該透光封裝體呈有 2射率，域輔助封裝體具有〜第二折鱗，該第二折射 率係小於該第一折射率。 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝結構，盆 助封裝體係包含有具備高光反射率之一光反射材料。s 如申請專利範圍第9項所述之發光二極體封裝結構，其中該 反射材料係選自硫酸鋇、氧化鈦、聚對苯二甲二乙酯 P〇lyethyleneterephthalate)、二氧化石夕、白色油墨’ 月曰及金屬所組成的群組之一。