JP2005005433A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005005433A JP2005005433A JP2003166323A JP2003166323A JP2005005433A JP 2005005433 A JP2005005433 A JP 2005005433A JP 2003166323 A JP2003166323 A JP 2003166323A JP 2003166323 A JP2003166323 A JP 2003166323A JP 2005005433 A JP2005005433 A JP 2005005433A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- axis
- light
- light reflecting
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】リフレクタ5の第1の光反射面50aは、光半導体チップ3から進行してきた光をz軸方向に反射可能にz軸に対して傾斜し、第2の光反射面50bは、第1の光反射面50aよりもz軸に対する傾斜角が小さくされている、光半導体装置A1であって、第2の光反射面50bと光半導体チップ3の複数の側面31とは、z軸方向視において非平行に対向している。好ましくは、光半導体チップ3は、複数の側面31がx軸およびy軸に対して傾いた向きとされている。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本願発明は、LEDチップなどの光半導体チップを用いて構成され、照明用やディスプレイ用などの光源として用いられる光半導体装置、さらに詳しくは、照明効率を高めるためのリフレクタを有する光半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のリフレクタを有する光半導体装置の一例としては、図7〜図9に示す構造のものがある(たとえば、特許文献1参照)。この従来の光半導体装置Bは、基板101上に搭載されたLEDチップ103と、このLEDチップ103の周囲を囲むリフレクタ105とを有している。このリフレクタ105は、平面視(z軸方向視)において矩形の枠状であり、その内部には、LEDチップ103やこれに接続されたワイヤ104を覆って保護する透明樹脂106が充填されている(ただし、図7および図8においては、透明樹脂106を省略している)。リフレクタ105の内壁面は、互いに直交するx軸およびy軸方向において対向する一対ずつの第1および第2の光反射面150a,150bとなっており、これらはいずれもz軸に対して傾斜している。LEDチップ103は、平面視矩形の略直方体であり、その4つの側面103aは第1および第2の光反射面150a,150bに対して個々に対面している。
【0003】
このような構成によれば、LEDチップ103の複数の側面103aからその周囲に進行する光を、第1および第2の光反射面150a,150bによって反射させることにより、上向きに進行させることができる。したがって、LEDチップ103の上面からその上方に進行していた光のみを照明領域に進行させる場合と比べて、光の無駄を少なくすることができる。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−183407号公報(図9)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
光半導体装置Bの設計・製作に際しては、取り付けスペースの制約やその他の条件に応じて、リフレクタ105や基板101の幅を細くしなければならない場合がある。光半導体装置Bは、たとえば液晶ディスプレイのバックライト用光源として用いられる場合があり、この場合、たとえば図10に示すように、液晶パネル160の背後(下方)に配置された導光板161の側面に対向配置される。光半導体装置Bをこのような用途に用いる場合、その全体の幅を導光板161の厚みと同程度の細幅にすることが要請される場合がある。
【0006】
上記要請に応えるには、光半導体装置を、たとえば図11に示すような細長状に構成することとなる。ところが、従来においては、そのような構成にすると、次に述べるような不具合を生じていた。
【0007】
すなわち、リフレクタ105はx軸方向に長いために、第1の光反射面150aについては、z軸に対する傾斜角を45°にするなど、受けた光を上方に適切に反射できるように大きく傾斜させることが可能である。ところが、第2の光反射面150bについては、y軸方向のスペースが不足するために、大きく傾斜させることは困難であり、図12に示すように、z軸に対する傾斜角が小さくなってしまう。
【0008】
このような構成においては、LEDチップ103から発せられた光が第2の光反射面150bに到達しても、この光は直ちにはリフレクタ105の上方には進行しない。この反射光は、一対の第2の光反射面150b間において反射を繰り返しながら徐々に上方に向けて進むこととなる。その一方、第2の光反射面150bの光反射率を100%にすることは技術的に困難であり、上記光は、その反射の繰り返しによって減衰する。したがって、その減衰分だけ、光半導体装置の発光輝度が低下することとなる。
【0009】
本願発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、リフレクタを細幅に形成するような場合であっても、光の減衰が少なく、発光輝度を高めることが可能な光半導体装置を提供することをその課題としている。
【0010】
【発明の開示】
上記課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【0011】
本願発明によって提供される光半導体装置は、厚み方向としてのz軸方向視において略矩形であり、かつ光を出射可能な複数の側面を有する光半導体チップと、z軸方向に直交し、かつ互いに直交するx軸およびy軸方向において、上記光半導体チップを挟んで互いに対向する一対ずつの第1および第2の光反射面を有するリフレクタとを備えており、上記各第1の光反射面は、上記光半導体チップから進行してきた光をz軸方向に反射可能にz軸に対して傾斜しており、かつ上記各第2の光反射面は、上記各第1の光反射面よりもz軸に対する傾斜角が小さくされている光半導体装置であって、上記各第2の光反射面と上記光半導体チップの複数の側面とは、z軸方向視において非平行に対向していることを特徴としている。
【0012】
本願発明によれば、光半導体チップの複数の側面から発せられた光が、リフレクタの各第2の光反射面に到達すると、この光は各第2の光反射面によってx軸方向に進行するように反射される。このことにより、上記光をリフレクタの各第1の光反射面に導くことができる。各第1の光反射面は、各第2の光反射面よりもz軸に対する傾斜角が大きいために、上記光がこの第1の光反射面に導かれると、z軸方向に反射され、リフレクタの外部に進行することとなる。
【0013】
このように、本願発明においては、光半導体チップから第2の光反射面に進行した光を第1の光反射面に導いてから外部に出射させることが可能である。したがって、従来技術とは異なり、一対の第2の光反射面によって光の反射が多数回にわたって繰り返されることを無くし、光の減衰を抑制することができる。その結果、従来技術よりも発光輝度を高めることができる。また、本願発明においては、第2の光反射面については、z軸に対する傾斜角を大きくする必要が無いため、リフレクタのy軸方向のサイズを小さくすることができる。したがって、本願発明は、光半導体装置の全体を細幅に形成しなければならない場合に最適である。
【0014】
本願発明の好ましい実施の形態においては、上記光半導体チップは、上記複数の側面がx軸およびy軸に対して傾いた向きに設定されている。このような構成によれば、光半導体装置の製造に際しては、従来技術と比較して、光半導体チップの向きを相違させるだけでよいこととなる。したがって、製造が容易であり、またリフレクタやその他の構成部品としては既存品を利用することもできるために、製造コストを抑制するのに好適である。
【0015】
本願発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の側面のx軸およびy軸に対する傾き角は、略45°である。このような構成によれば、上記光半導体チップの複数の側面のそれぞれから発せられるいずれの光についても、第2の光反射面による反射回数を少ないものとし、第1の光反射面に向けて効率良く導くのに好適となる。
【0016】
本願発明の好ましい実施の形態においては、上記各第2の光反射面のうち、少なくとも上記光半導体チップと対向する部分は、x軸およびy軸に対して傾いた傾斜面とされている。このような構成によれば、光半導体チップの複数の側面をx軸およびy軸方向に対して傾ける必要がなくなる。
【0017】
本願発明の好ましい実施の形態においては、上記リフレクタは、上記一対ずつの第1および第2の光反射面を内壁面とし、かつ上記各第2の光反射面の方が上記各第1の光反射面よりも長くされた長矩形の枠状である。
【0018】
本願発明の好ましい実施の形態においては、上記光半導体チップを複数備えており、かつこれら複数の光半導体チップは、x軸方向に並んでいる。このような構成によれば、リフレクタのy軸方向への大型化を招くことなく、発光量の増大を図ることができる。また、R,G,Bの各色の光を発する光半導体チップを用いるといったことも可能である。
【0019】
本願発明の好ましい実施の形態においては、上記光半導体チップおよび上記リフレクタを搭載している基板を備えており、かつこの基板には、上記光半導体チップの複数の電極に電気的に接続された複数の端子が設けられている。このような構成によれば、光半導体装置全体を実装が容易であり、かつ簡易な構造のものにすることができる。
【0020】
本願発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【0022】
図1〜図4は、本願発明に係る光半導体装置の一例を示している。なお、図1以降の図において、x軸、y軸、およびz軸は、いずれも直交し合っている。また、以降の実施形態においては、鉛直方向をz軸方向として説明する。
【0023】
本実施形態の光半導体装置A1は、基板1、LEDチップ3、リフレクタ5、および透光部材6を具備している。ただし、図1および図2においては、透光部材6を省略している。
【0024】
基板1は、矩形の平板状であり、その材質がたとえばガラスエポキシ系樹脂とされた絶縁基板である。この基板1の上面には、LEDチップ3、リフレクタ5および透光部材6が搭載されている。
【0025】
LEDチップ3は、光半導体チップの一例に相当し、平面視(z軸方向視)略正方形の直方体状であり、上面30および下面と、複数(4つ)の側面31とを有している。LEDチップ3は、上面30に加え、各側面31からも光を出射可能である。LEDチップ3の上面30および下面には電極が形成されており、このLEDチップ3は、基板1に設けられた第1の導体部2a上にボンディングされていることにより、上記下面の電極と第1の導体部2aとの電気的接続が図られている。第2の導体部2bと上記上面の電極とは、ワイヤWを介して電気的に接続されている。第1および第2の導体部2a,2bは、基板1の上面から下面に廻り込んでおり、この基板1の下面に位置する部分が面実装用の端子部2a’,2b’となっている。
【0026】
図2によく表われているように、LEDチップ3は、x軸およびy軸に対して各側面31が斜めに傾いた向きに設けられている。各側面31のx軸およびy軸に対する傾斜角は、略45°である。
【0027】
リフレクタ5は、LEDチップ3と透光部材6とを内部に収容する空間部51を形成しており、x軸方向に延びた細長な矩形の枠状である。このリフレクタ5の複数の内壁面のうち、x軸方向においてLEDチップ3を挟んで互いに対向する一対の内壁面が第1の光反射面50aである。y軸方向において、LEDチップ3を挟んで互いに対向する一対の内壁面が、第2の光反射面50bである。リフレクタ5は、たとえばポリカーボネイトに酸化チタンを含ませた白色系の樹脂製であり、このことにより第1および第2の光反射面50a,50bは、光反射率の高い白色面となっている。なお、リフレクタ5の材料は上記に限定されず、たとえば液晶ポリマやポリアミド系樹脂を用いてもよい。
【0028】
第1および第2の光反射面50a,50bは、いずれも上方を向くようにz軸に対して傾斜した平面状に形成されている。ただし、それらの傾斜角は相違している。第1の光反射面50aのz軸に対する傾斜角は、たとえば略45°であるのに対し、第2の光反射面50bのz軸に対する傾斜角はそれよりも小さくなっている。リフレクタ4は、x軸方向のサイズに比べてy軸方向のサイズが小さいため、第2の光反射面50bを大きく傾斜させることができないからである。一対の第2の光反射面50bのそれぞれは、x軸方向に延びた細長い面となっている。したがって、LEDチップ3の各側面31は、第2の光反射面50bに対し、z軸方向視において略45°傾いた状態で非平行に対向している。
【0029】
透光部材6は、たとえば透明なエポキシ樹脂製であり、LEDチップ3やワイヤWを覆うようにしてリフレクタ5の空間部51内に収容されている。この透光部材6は、たとえば流動性をもつエポキシ樹脂を空間部51内に充填してからこれを硬化させることにより形成されている。
【0030】
次に、光半導体装置A1の作用について説明する。
【0031】
まず、LEDチップ3を発光させると、図2に示すように、4つの側面31から発せられた光は、一対の第2の光反射面50bに向けて進行し、かつ反射される。各側面31はx軸およびy軸に対して傾斜しているために、各側面31から発せられた光の多くは、z軸方向視において、第2の光反射面50bに対して適当な入射角をもって斜め方向から入射し、かつそれと同一の出射角で反射される。したがって、第2の光反射面50bによって反射された光は、y軸方向のみならず、x軸方向にも進行し、第1の光反射面50aに到達することとなる。すると、上記光は、この第1の光反射面50aによって上向きに反射され、この光半導体装置A1の上方の照明領域に照射される。
【0032】
このように、LEDチップ3の各側面31から第2の光反射面50bに向けて進行した光を、第1の光反射面50aに導くように反射させれば、各側面31から発せられた光が、一対の第2の光反射面50b間において多数回にわたって繰り返し反射されることが無くなる。したがって、この光半導体チップA1においては、LEDチップ3から発せられた光が照明領域に到達するまでにリフレクタ5内において反射される回数を少なくすることができる。その結果、光の反射の繰り返しによる光の減衰を抑制し、照明領域に到達する光の量を多くすることが可能である。
【0033】
LEDチップ3の4つの側面31は、いずれも第2の光反射面50bに対して略45°の角度で傾斜しているために、いずれの側面31から出射した光についても、第2の光反射面50bにより略同様な条件で効率良く第1の光反射面50aに導くことができる。また、一対の第1の光反射面50aのそれぞれに到達する光の量は略同一となるため、それらの部分の発光輝度に大きな差が生じるといったことも回避される。なお、LEDチップ3の各側面31から発せられる光としては、第1の光反射面50aに向けて直接進行する光もあり、この光は、第1の光反射面50aによってその上方の照明領域に向けて効率良く反射される。また、LEDチップ3の上面30から上方に向けて発せられた光は、そのまま照明領域に向けて進行する。
【0034】
本実施形態の光半導体装置A1は、z軸方向視におけるLEDチップ3の向きが従来技術とは略45°相違するが、このような向きにLEDチップ3をボンディングすることは簡単に行なうことが可能である。また、光半導体装置A1の構成要素そのものとしては、全て従来技術と同様なものを用いることが可能である。したがって、この光半導体装置A1は、発光輝度を高くしつつ、その製造コストを従来技術と同等程度に抑えることができる。また、この光半導体装置A1は、y軸方向の幅寸法が小さい細長状であるために、取り付けスペースに制約を受けたり、あるいは細長い領域に対して光を照射する必要があるといった用途に最適となる。
【0035】
図5および図6は、本願発明に係る光半導体装置の他の例を示している。これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【0036】
図5に示す光半導体装置A2は、リフレクタ5の内部に複数(たとえば3つ)のLEDチップ3が配された構成を有している。これら複数のLEDチップ3は、x軸方向に間隔を隔てて直列に並んでおり、それらのいずれもがx軸およびy軸に対して各側面31が略45°傾斜した向きとされている。
【0037】
このような構成においても、上記した実施形態と同様に、LEDチップ3の各側面31から第2の光反射面50bに向けて進行した光を第1の光反射面50aに導き、この第1の光反射面50aによってこの光半導体装置A2の上方に進行させることができる。また、LEDチップ3の総数が上記実施形態の場合よりも多い分だけ、照明領域の照度をより高めることができる。複数のLEDチップ3を、たとえばR,G,Bの3色の光を発するものとして、白色光源として用いたり、あるいはそれらを切り替え発光させるといった構成にすることもできる。
【0038】
図6(a)に示す光半導体装置A3においては、LEDチップ3の各側面31がx軸およびy軸に対して傾斜していない構成となっている。ただし、リフレクタ5の第2の光反射面50bのうち、LEDチップ3と対向する部分には、LEDチップ3に向けて突出する断面山形状の凸部53が設けられ、かつこの凸部53の一対の壁面が、x軸およびy軸に対して傾斜した傾斜面53aとなっている。したがって、LEDチップ3の複数の側面31のうち、y軸方向を向く側面31aと傾斜面53aとは、z軸方向視において非平行である。
【0039】
このような構成によれば、LEDチップ3の側面31aからy軸方向に出射した光は、傾斜面53aによってx軸方向に反射され、第1の光反射面50aに導かれる。したがって、上述した実施形態と同様に、本実施形態においても、第2の光反射面50b間において光が多数回にわたって繰り返し反射されることを無くし、光の減衰を抑制する効果が得られる。
【0040】
図6(b)に示す構成においては、第2の光反射面50bに凸状部を設けるのではなく、段差部を設けるなどして、x軸およびy軸に対して傾斜した一対の傾斜面53bを形成している。この構成においても、LEDチップ3の側面31aから出射した光を各傾斜面53bによって第1の光反射面50aに向けて反射させることができ、上述の実施形態と同様な作用が得られる。一対の傾斜面53bのそれぞれの光の反射方向を相違させておけば、一対の第1の光反射面50aのそれぞれに到達する光の量に差を生じさせないようにし、それらの部分の発光輝度に大きな差が生じないようにすることが可能である。
【0041】
図6(a),(b)に示した実施形態から理解されるように、本願発明においては、光半導体チップの向きを斜めにする手段に代えて、リフレクタの第2の光反射面に傾斜面を設けた構成としてもかまわない。もちろん、第2の光反射面の一部分のみを傾斜面として形成するのではなく、第2の光反射面の全体を傾斜面としてもかまわない。
【0042】
本願発明の内容は、上述した実施形態に限定されない。本願発明に係る光半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【0043】
リフレクタは、第1および第2の光反射面を白色面とする白色の合成樹脂製でなくてもかまわない。たとえば、適当な材質のリフレクタの内壁面に光反射率の高い金属などの膜をスパッタリングや蒸着によって形成し、これを光反射面とした構成としてもかまわない。第1および第2の光反射面を曲面状に形成してもかまわない。
【0044】
本願発明においては、第1の光反射面は、第2の光反射面によって反射されたきた光をz軸方向に反射する必要があるため、z軸に対してある程度の傾きをもっている必要がある。これに対し、第2の光反射面は、光半導体チップから進行してきた光を第1の光反射面に進行するように反射すればよい。したがって、第2の光反射面については、z軸に対して傾斜していない面(傾斜角がゼロ)とされていてもかまわない。
【0045】
光半導体チップは、LEDチップに限定されず、これ以外のものを用いることもできる。本願発明に係る光半導体装置は、可視光に代えて、たとえば赤外光などを発するものとして構成することもできる。また、本願発明においては、光半導体チップとしては、厚み方向視において矩形のものが用いられるが、その形状は正方形でなくてもよく、長矩形状であってもかまわない。光半導体チップの各側面をx軸およびy軸に対して傾斜させる場合、その傾斜角を略45°にすることが好ましいものの、やはりこれに限定されない。
【0046】
本願発明に係る光半導体装置は、液晶ディスプレイのバックライト用光源として用いるのに好適であるが、これは一例にすぎず、その具体的な用途も限定されない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明に係る光半導体装置の一例を示す斜視図である。
【図2】図1の平面図である。
【図3】図2のIII−III断面図である。
【図4】図2のIV−IV断面図である。
【図5】本願発明に係る光半導体装置の他の例を示す平面図である。
【図6】(a)および(b)は本願発明に係る光半導体装置の他の例を示す平面図である。
【図7】従来の光半導体装置の一例を示す斜視図である。
【図8】図7の平面図である。
【図9】図8のIX−IX断面図である。
【図10】光半導体装置の使用例を示す斜視図である。
【図11】従来の光半導体装置の他の例を示す平面図である。
【図12】図11のXII−XII断面図である。
【符号の説明】
A1〜A3 光半導体装置
1 基板
3 LEDチップ(光半導体チップ)
5 リフレクタ
31 側面(LEDチップの)
50a 第1の光反射面
50b 第2の光反射面
53a,53b 傾斜面
Claims (7)
- 厚み方向としてのz軸方向視において略矩形であり、かつ光を出射可能な複数の側面を有する光半導体チップと、
z軸方向に直交し、かつ互いに直交するx軸およびy軸方向において、上記光半導体チップを挟んで互いに対向する一対ずつの第1および第2の光反射面を有するリフレクタと、を備えており、
上記各第1の光反射面は、上記光半導体チップから進行してきた光をz軸方向へ反射可能にz軸に対して傾斜しており、かつ上記各第2の光反射面は、上記各第1の光反射面よりもz軸に対する傾斜角が小さくされている、光半導体装置であって、
上記各第2の光反射面と上記光半導体チップの複数の側面とは、z軸方向視において非平行に対向していることを特徴とする、光半導体装置。 - 上記光半導体チップは、上記複数の側面がx軸およびy軸に対して傾いた向きに設定されている、請求項1に記載の光半導体装置。
- 上記複数の側面のx軸およびy軸に対する傾き角は、略45°である、請求項1に記載の光半導体装置。
- 上記各第2の光反射面のうち、少なくとも上記光半導体チップと対向する部分は、x軸およびy軸に対して傾いた傾斜面とされている、請求項1に記載の光半導体チップ。
- 上記リフレクタは、上記一対ずつの第1および第2の光反射面を内壁面とし、かつ上記各第2の光反射面の方が上記各第1の光反射面よりも長くされた長矩形の枠状である、請求項1ないし4のいずれかに記載の光半導体装置。
- 上記光半導体チップを複数備えており、かつこれら複数の光半導体チップは、x軸方向に並んでいる、請求項1ないし5のいずれかに記載の光半導体装置。
- 上記光半導体チップおよび上記リフレクタを搭載している基板を備えており、かつこの基板には、上記光半導体チップの複数の電極に電気的に接続された複数の端子が設けられている、請求項1ないし6のいずれかに記載の光半導体装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003166323A JP3878579B2 (ja) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | 光半導体装置 |
CNB2004800162373A CN100401540C (zh) | 2003-06-11 | 2004-06-07 | 光半导体装置 |
PCT/JP2004/007930 WO2004112155A1 (ja) | 2003-06-11 | 2004-06-07 | 光半導体装置 |
US10/559,447 US7429759B2 (en) | 2003-06-11 | 2004-06-07 | Optical semiconductor device with improved illumination efficiency |
KR1020057022132A KR100705485B1 (ko) | 2003-06-11 | 2004-06-07 | 광 반도체 장치 |
EP04745640A EP1641049A1 (en) | 2003-06-11 | 2004-06-07 | Optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003166323A JP3878579B2 (ja) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | 光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005005433A true JP2005005433A (ja) | 2005-01-06 |
JP3878579B2 JP3878579B2 (ja) | 2007-02-07 |
Family
ID=33549255
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003166323A Expired - Lifetime JP3878579B2 (ja) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | 光半導体装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7429759B2 (ja) |
EP (1) | EP1641049A1 (ja) |
JP (1) | JP3878579B2 (ja) |
KR (1) | KR100705485B1 (ja) |
CN (1) | CN100401540C (ja) |
WO (1) | WO2004112155A1 (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007034575A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光装置 |
JP2008016565A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光素子収容体及びその製造方法、及び発光装置 |
JP2008130628A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2010517272A (ja) * | 2007-01-19 | 2010-05-20 | クリー, インコーポレイティッド | 高性能ledパッケージ |
US8487337B2 (en) | 2006-04-24 | 2013-07-16 | Cree, Inc. | Side view surface mount LED |
US8858004B2 (en) | 2005-12-22 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Lighting device |
US9196802B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-11-24 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
JPWO2014024371A1 (ja) * | 2012-08-10 | 2016-07-25 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
US9472735B2 (en) | 2015-02-05 | 2016-10-18 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
US9666772B2 (en) | 2003-04-30 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
US9761764B2 (en) | 2015-02-05 | 2017-09-12 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10121948B2 (en) | 2015-12-22 | 2018-11-06 | Nichia Corporation | Light emitting device including different shapes of light emitting element having higher light extraction efficiency |
JP2019033263A (ja) * | 2018-08-30 | 2019-02-28 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
US10720412B2 (en) | 2015-02-13 | 2020-07-21 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10763410B2 (en) | 2016-06-15 | 2020-09-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2020167266A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11168865B2 (en) | 2016-06-30 | 2021-11-09 | Nichia Corporation | Light-emitting device and backlight |
JP7460911B2 (ja) | 2020-12-21 | 2024-04-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いたディスプレイ |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2517009A1 (en) | 2003-02-26 | 2004-09-10 | Cree, Inc. | White light source using emitting diode and phosphor and method of fabrication |
KR100638876B1 (ko) * | 2005-07-22 | 2006-10-27 | 삼성전기주식회사 | 보호 소자의 배치 구성을 개선한 측면형 발광 다이오드 |
JP4715422B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2011-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US7943946B2 (en) * | 2005-11-21 | 2011-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
TW200735327A (en) * | 2005-12-14 | 2007-09-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Collimation arrangement and illumination system and display device using the same |
US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
US20070246722A1 (en) * | 2006-04-25 | 2007-10-25 | Ng Keat C | Sealed LED having improved optical transmissibility |
JP2008021670A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-31 | Nec Lighting Ltd | 発光装置 |
US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
KR20090007763U (ko) * | 2008-01-28 | 2009-07-31 | 알티전자 주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
CN101499506B (zh) * | 2008-01-30 | 2012-06-13 | 旭丽电子(广州)有限公司 | 发光二极管元件 |
KR101491485B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2015-02-11 | 삼성전자주식회사 | 측면 방출형 발광장치 및 선광원형 발광장치 |
EP2237328B1 (en) * | 2009-03-31 | 2017-08-02 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components and optoelectronic semiconductor component |
EP2622043B2 (en) | 2010-09-28 | 2018-08-29 | Koninklijke Philips N.V. | Light-emitting arrangement with organic phosphor |
JP2013222499A (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-28 | Sharp Corp | 光源基板ユニット |
JP5398939B1 (ja) * | 2012-08-10 | 2014-01-29 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
US8941130B2 (en) * | 2012-08-10 | 2015-01-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
TWD161897S (zh) * | 2013-02-08 | 2014-07-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體之部分 |
USD847102S1 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-30 | Epistar Corporation | Light emitting diode |
US20140367816A1 (en) * | 2013-06-12 | 2014-12-18 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte.Ltd. | Photodetector device having light-collecting optical microstructure |
CN104241262B (zh) | 2013-06-14 | 2020-11-06 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光装置以及显示装置 |
JP6186999B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2017-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | ライン光源装置 |
CN110429080B (zh) * | 2019-08-12 | 2021-01-12 | 厦门多彩光电子科技有限公司 | 一种Mini LED的封装方法和Mini LED |
TWI807336B (zh) * | 2021-06-09 | 2023-07-01 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE8500013U1 (de) * | 1985-01-04 | 1985-04-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Optisches Sender- oder Detektorbauelement mit variabler Abstrahl- bzw. Empfangscharakteristik |
JPH088463A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Sharp Corp | 薄型ledドットマトリックスユニット |
JP3656316B2 (ja) * | 1996-04-09 | 2005-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | チップタイプled及びその製造方法 |
US6274890B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
JP3707024B2 (ja) * | 1997-04-17 | 2005-10-19 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品 |
JP2000183407A (ja) | 1998-12-16 | 2000-06-30 | Rohm Co Ltd | 光半導体装置 |
JP4625997B2 (ja) * | 1999-07-22 | 2011-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
JP2001298216A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面実装型の半導体発光装置 |
JP2002368277A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体発光装置 |
JP2003046137A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
TW200414572A (en) * | 2002-11-07 | 2004-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | LED lamp |
-
2003
- 2003-06-11 JP JP2003166323A patent/JP3878579B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-06-07 KR KR1020057022132A patent/KR100705485B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-06-07 EP EP04745640A patent/EP1641049A1/en not_active Withdrawn
- 2004-06-07 US US10/559,447 patent/US7429759B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-07 CN CNB2004800162373A patent/CN100401540C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-07 WO PCT/JP2004/007930 patent/WO2004112155A1/ja active IP Right Grant
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9666772B2 (en) | 2003-04-30 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
US7956372B2 (en) | 2005-09-20 | 2011-06-07 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Light emitting device |
WO2007034575A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光装置 |
US8858004B2 (en) | 2005-12-22 | 2014-10-14 | Cree, Inc. | Lighting device |
US8487337B2 (en) | 2006-04-24 | 2013-07-16 | Cree, Inc. | Side view surface mount LED |
JP2008016565A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光素子収容体及びその製造方法、及び発光装置 |
JP2008130628A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2010517272A (ja) * | 2007-01-19 | 2010-05-20 | クリー, インコーポレイティッド | 高性能ledパッケージ |
US9196802B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-11-24 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
JPWO2014024371A1 (ja) * | 2012-08-10 | 2016-07-25 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
US9761764B2 (en) | 2015-02-05 | 2017-09-12 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US9472735B2 (en) | 2015-02-05 | 2016-10-18 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
US10720412B2 (en) | 2015-02-13 | 2020-07-21 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US11508701B2 (en) | 2015-02-13 | 2022-11-22 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10121948B2 (en) | 2015-12-22 | 2018-11-06 | Nichia Corporation | Light emitting device including different shapes of light emitting element having higher light extraction efficiency |
US10431725B2 (en) | 2015-12-22 | 2019-10-01 | Nichia Corporation | Light emitting device including different shapes of light emitting element having higher light extraction efficiency |
US10763410B2 (en) | 2016-06-15 | 2020-09-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US11168865B2 (en) | 2016-06-30 | 2021-11-09 | Nichia Corporation | Light-emitting device and backlight |
JP2019033263A (ja) * | 2018-08-30 | 2019-02-28 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP2020167266A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7227482B2 (ja) | 2019-03-29 | 2023-02-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7460911B2 (ja) | 2020-12-21 | 2024-04-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いたディスプレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7429759B2 (en) | 2008-09-30 |
CN100401540C (zh) | 2008-07-09 |
US20060163602A1 (en) | 2006-07-27 |
WO2004112155A1 (ja) | 2004-12-23 |
EP1641049A1 (en) | 2006-03-29 |
JP3878579B2 (ja) | 2007-02-07 |
CN1806345A (zh) | 2006-07-19 |
KR20060020633A (ko) | 2006-03-06 |
KR100705485B1 (ko) | 2007-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3878579B2 (ja) | 光半導体装置 | |
US20090296389A1 (en) | Light source module, related light bar and related liquid crystal display | |
JP2004363210A (ja) | 光半導体装置 | |
JP2004235139A (ja) | 線状光源装置及びその製造方法、並びに、面発光装置 | |
TW202125069A (zh) | 發光裝置以及液晶顯示裝置 | |
JPH10125959A (ja) | サイド発光型チップled | |
KR20150025219A (ko) | 발광 소자 모듈, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 | |
KR101301516B1 (ko) | 백색 엘이디 패키지 및 이를 이용한 액정표시장치 | |
KR102392698B1 (ko) | 광원모듈 및 그를 포함하는 표시장치와, 광원모듈 제조 방법 | |
JP2008305714A (ja) | 光源装置および平面照明装置 | |
JP2007172872A (ja) | 照明装置及びこれを用いた画像表示装置 | |
KR20120045539A (ko) | 발광소자 패키지 | |
WO2020116457A1 (ja) | 面状発光装置 | |
US7202507B2 (en) | Optical semiconductor device | |
JP6087098B2 (ja) | 光源装置、ledランプ、および液晶表示装置 | |
JP2009245664A (ja) | 発光装置、バックライトおよび液晶表示装置 | |
JP2004288866A (ja) | Ledランプ | |
JP4327526B2 (ja) | 光半導体装置 | |
JP2022539405A (ja) | 照明モジュール、照明装置及びランプ | |
KR101904263B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR20140098523A (ko) | 발광소자 패키지 | |
JP2002343123A (ja) | 導光板用led | |
JP6048935B2 (ja) | 照明装置 | |
KR101827972B1 (ko) | 발광 패키지 및 그를 이용한 백라이트 모듈 | |
KR101877410B1 (ko) | 발광소자 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061031 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3878579 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091110 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131110 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |