TWI807336B

TWI807336B - 畫素結構

Info

Publication number: TWI807336B
Application number: TW110120971A
Authority: TW
Inventors: 陳建圻; 江宇涵; 薛芷苓; 林上強
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2021-06-09
Filing date: 2021-06-09
Publication date: 2023-07-01
Also published as: TW202249267A

Abstract

一種畫素結構，包括透光基板、第一接墊組、第一發光元件、第一絕緣圖案及第一反射罩。第一絕緣圖案覆蓋第一發光元件。第一絕緣圖案具有背向透光基板的表面和連接於表面的側壁。第一反射罩覆蓋第一絕緣圖案的表面及側壁。第一參考平面實質上垂直於透光基板的承載面。第二參考平面實質上垂直於透光基板的承載面和第一參考平面。第一反射罩被第一參考平面截出第一截面，第一反射罩被第二參考平面截出第二截面，且第一截面的形狀與第二截面的形狀不同。

Description

畫素結構

本發明是有關於一種畫素結構。

發光二極體顯示面板包括驅動背板及被轉置於驅動背板上的多個發光二極體元件。繼承發光二極體的特性，發光二極體顯示面板具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。此外，相較於有機發光二極體顯示面板，發光二極體顯示面板還具有色彩易調校、發光壽命長、無影像烙印等優勢。因此，發光二極體顯示面板被視為下一世代的顯示技術。

一般而言，發光二極體顯示面板包括驅動背板、與驅動背板電性連接的發光二極體元件以及覆蓋發光二極體元件的保護膠。為減少發光二極體顯示面板的反光問題，在保護膠上設有抗反射膜或抗眩膜。然而，抗反射膜及/或抗眩膜不易與保護膠良好地貼合，造成發光二極體顯示面板的良率下降。

本發明提供一種畫素結構，性能佳、能提升良率。

本發明的畫素結構，包括透光基板、驅動電路層、第一接墊組、第一發光元件、第一絕緣圖案、第一反射罩及保護膠。透光基板具有承載面。驅動電路層設置於透光基板的承載面上。第一接墊組電性連接至驅動電路層。第一發光元件電性連接至第一接墊組。第一絕緣圖案至少覆蓋第一發光元件，其中第一絕緣圖案具有背向透光基板的表面和連接於表面的側壁。第一反射罩覆蓋第一絕緣圖案的表面及側壁。保護膠設置於第一反射罩上。第一參考平面實質上垂直於透光基板的承載面。第二參考平面實質上垂直於透光基板的承載面和第一參考平面。第一反射罩被第一參考平面截出第一截面，第一反射罩被第二參考平面截出第二截面，且第一截面的形狀與第二截面的形狀不同。

現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。

本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1為本發明一實施例之畫素結構10的立體及透視示意圖。圖1示出第一接墊組131、第二接墊組132、第三接墊組133、第一發光元件LED1、第二發光元件LED2、第三發光元件LED3、第一反射罩161、第二反射罩162及第三反射罩163，而省略畫素結構10的其它構件。

圖2為本發明一實施例之畫素結構10的剖面示意圖。圖2對應圖1的線段I-I’。

圖3為本發明一實施例之畫素結構10的剖面示意圖。圖3對應圖1的線段II-II’。

圖4為本發明一實施例之畫素結構10的剖面示意圖。圖4對應圖1的線段III-III’。

圖5為本發明一實施例之畫素結構10的剖面示意圖。圖5對應圖1的線段IV-IV’。

請參照圖1至及圖5，畫素結構10包括透光基板110。透光基板110具有承載面110a和相對於承載面110a的出光面110b。舉例而言，在本實施例中，透光基板110的材質可以是玻璃。然而，本發明不限於此，在其它實施例中，透光基板110的材質也可以是石英、有機聚合物或其它透光材料。

畫素結構10更包括驅動電路層120，設置於透光基板110的承載面110a上。舉例而言，在本實施例中，畫素結構10的驅動電路層120可包括第一子畫素驅動電路（未繪示）、第二子畫素驅動電路（未繪示）及第三子畫素驅動電路（未繪示），其中第一子畫素驅動電路、第二子畫素驅動電路及第三子畫素驅動電路的每一者包括第一電晶體（未繪示）、第二電晶體（未繪示）及電容（未繪示），第一電晶體的第一端電性連接至一資料線（未繪示），第一電晶體的控制端電性連接至一掃描線（未繪示），第一電晶體的第二端電性連接至第二電晶體的控制端，第二電晶體的第一端電性連接至一電源線（未繪示），而電容電性連接於第一電晶體的第二端及第二電晶體的第一端。

畫素結構10更包括第一接墊組131，電性連接至驅動電路層120。第一接墊組131包括多個第一接墊131a、131b。舉例而言，在本實施例中，第一接墊組131的第一接墊131a是電性連接至前述之第一子畫素驅動電路的第二電晶體的第二端，而第一接墊組131的第一接墊131b是電性連接至驅動電路層120的一共用線（未繪示）。

在本實施例中，畫素結構10更包括第二接墊組132，電性連接至驅動電路層120。第二接墊組132包括多個第二接墊132a、132b。舉例而言，在本實施例中，第二接墊組132的第二接墊132a是電性連接至前述之第二子畫素驅動電路的第二電晶體的第二端，而第二接墊組132的第二接墊132b是電性連接至前述的共用線。

在本實施例中，畫素結構10更包括第三接墊組133，電性連接至驅動電路層120。第三接墊組133包括多個第三接墊133a、133b。舉例而言，在本實施例中，第三接墊組133的第三接墊133a是電性連接至前述之第三子畫素驅動電路的第二電晶體的第二端，而第三接墊組133的第三接墊133b是電性連接至前述的共用線。

在本實施例中，第一接墊組131的多個第一接墊131a、131b、第二接墊組132的多個第二接墊132a、132b及第三接墊組133的多個第三接墊133a、133b可選擇性地形成於同一導電層，但本發明不以此為限。

請參照圖1、圖2及圖3，畫素結構10更包括第一發光元件LED1，電性連接至第一接墊組131。具體而言，第一發光元件LED1包括第一型半導體層141、第二型半導體層142、設置於第一型半導體層141與第二型半導體層142之間的發光層143、電性連接至第一型半導體層141的第一電極144a及電性連接至第二型半導體層142的第二電極144b，其中第一發光元件LED1的第一電極144a電性連接至第一接墊組131的第一接墊131a，且第一發光元件LED1的第二電極144b電性連接至第一接墊組131的第一接墊131b。

請參照圖1、圖2及圖4，在本實施例中，畫素結構10更包括第二發光元件LED2，電性連接至第二接墊組132。具體而言，第二發光元件LED2包括第一型半導體層141、第二型半導體層142、設置於第一型半導體層141與第二型半導體層142之間的發光層143、電性連接至第一型半導體層141的第一電極144a及電性連接至第二型半導體層142的第二電極144b，第二發光元件LED2的第一電極144a電性連接至第二接墊組132的第二接墊132a，且第二發光元件LED2的第二電極144b電性連接至第二接墊組132的第二接墊132b。

請參照圖1、圖2及圖5，在本實施例中，畫素結構10更包括第三發光元件LED3，電性連接至第三接墊組133。具體而言，第三發光元件LED3包括第一型半導體層141、第二型半導體層142、設置於第一型半導體層141與第二型半導體層142之間的發光層143、電性連接至第一型半導體層141的第一電極144a及電性連接至第二型半導體層142的第二電極144b，第三發光元件LED3的第一電極144a電性連接至第三接墊組133的第三接墊133a，且第三發光元件LED3的第二電極144b電性連接至第三接墊組133的第三接墊133b。

請參照圖2、圖3及圖4，在本實施例中，畫素結構10的第一發光元件LED1、第二發光元件LED2及第三發光元件LED3分別用以發出互不相同的第一色光l1、第二色光l2及第三色光l3。舉例而言，在本實施例中，第一色光l1、第二色光l2及第三色光l3可分別為紅光、綠光及藍光，但本發明不以此為限。

請參照圖2、圖3、圖4及圖5，在本實施例中，驅動背板BP包括透光基板110、驅動電路層120、第一接墊組131、第二接墊組132及第三接墊組133，而第一發光元件LED1、第二發光元件LED2及第三發光元件LED3可以是被轉置到驅動背板BP上的多個微型發光二極體。

請參照圖1、圖2及圖3，畫素結構10更包括第一絕緣圖案151，至少覆蓋第一發光元件LED1，其中第一絕緣圖案151具有背向透光基板110的一表面151c和連接於表面151c的側壁151a、151b。詳細而言，在本實施例中，第一發光元件LED1、第二發光元件LED2及第三發光元件LED3沿第一方向y排列，第二方向x垂直於第一方向y及透光基板110之承載面110a的法線方向z，第一絕緣圖案151的側壁151a、151b包括沿第一方向y排列的多個第一側壁151a（標示於圖2）及沿第二方向x排列的多個第二側壁151b（標示於圖3）。在本實施例中，第一絕緣圖案151的第一側壁151a與透光基板110的承載面110a夾有第一角度α1（標示於圖2），第一絕緣圖案151的第二側壁151b與透光基板110的承載面110a夾有第二角度β1（標示於圖3），且第二角度β1小於第一角度α1。舉例而言，在本實施例中，第二角度β1可落在15 ^o到35 ^o的範圍，第一角度α1實質上等於90 ^o，但本發明不以此為限。

請參照圖1、圖2及圖4，在本實施例中，畫素結構10可選擇性地包括第二絕緣圖案152，覆蓋第二發光元件LED2且與第一絕緣圖案151於結構上分離，其中第二絕緣圖案152具有背向透光基板110的一表面152c和連接於表面152c的側壁152a、152b。詳細而言，在本實施例中，第一發光元件LED1、第二發光元件LED2及第三發光元件LED3沿第一方向y排列，第二方向x垂直於第一方向y及透光基板110之承載面110a的法線方向z，第二絕緣圖案152的側壁152a、152b包括沿第一方向y排列的多個第一側壁152a（標示於圖2）以及沿第二方向x排列的多個第二側壁152b（標示於圖4）。在本實施例中，第二絕緣圖案152的第一側壁152a與透光基板110的承載面110a夾有第一角度α2（標示於圖2），第二絕緣圖案152的第二側壁152b與透光基板110的承載面110a夾有第二角度β2（標示於圖4），且第二角度β2小於第一角度α2。舉例而言，在本實施例中，第二角度β2落在15 ^o到35 ^o的範圍，第一角度α2實質上等於90 ^o，但本發明不以此為限。

請參照圖1、圖2及圖5，在本實施例中，畫素結構10可選擇性地包括第三絕緣圖案153，覆蓋第三發光元件LED3且與第一絕緣圖案151及第二絕緣圖案152於結構上分離，其中第三絕緣圖案153具有背向透光基板110的一表面153c和連接於表面153c的側壁153a、153b。詳細而言，在本實施例中，第一發光元件LED1、第二發光元件LED2及第三發光元件LED3沿第一方向y排列，第二方向x垂直於第一方向y及透光基板110之承載面110a的法線方向z，第三絕緣圖案153的側壁153a、153b包括沿第一方向y排列的多個第一側壁153a（標示於圖2）以及沿第二方向x排列的多個第二側壁153b（標示於圖5）。在本實施例中，第三絕緣圖案153的第一側壁153a與透光基板110的承載面110a夾有第一角度α3（標示於圖2），第三絕緣圖案153的第二側壁153b與透光基板110的承載面110a夾有第二角度β3，且第二角度β3小於第一角度α3（標示於圖5）。舉例而言，在本實施例中，第二角度β3可落在15 ^o到35 ^o的範圍，第一角度α3實質上等於90 ^o，但本發明不以此為限。

在本實施例中，第一絕緣圖案151、第二絕緣圖案152及第三絕緣圖案153可選擇性地屬於同一絕緣層，但本發明不以此為限。

請參照圖1、圖2及圖3，畫素結構10更包括第一反射罩161，覆蓋第一絕緣圖案151的表面151c及側壁151a、151b。第一反射罩161重疊於第一發光元件LED1，且用以將第一發光元件LED1發出的第一色光l1反射向透光基板110，進而使第一色光l1自透光基板110的出光面110b出射。在本實施例中，第一反射罩161包括多個第一反射部161a、多個第二反射部161b及一第三反射部161c，第一反射罩161的多個第一反射部161a分別設置於第一絕緣圖案151的多個第一側壁151a上，第一反射罩161的多個第二反射部161b分別設置於第一絕緣圖案151的多個第二側壁151b上，而第三反射部161c設置於第一絕緣圖案151之背向透光基板110的表面151c上。

請參照圖1、圖2及圖4，在本實施例中，畫素結構10更包括第二反射罩162，覆蓋第二絕緣圖案152的表面152c及側壁152a、152b，且與第一反射罩161於結構上分離。第二反射罩162重疊於第二發光元件LED2，且用以將第二發光元件LED2發出的第二色光l2反射向透光基板110，進而使第二色光l2自透光基板110的出光面110b出射。在本實施例中，第二反射罩162包括多個第一反射部162a、多個第二反射部162b及一第三反射部162c，第二反射罩162的多個第一反射部162a分別設置於第二絕緣圖案152的多個第一側壁152a上，第二反射罩162的多個第二反射部162b分別設置於第二絕緣圖案152的多個第二側壁152b上，而第三反射部162c設置於第二絕緣圖案152之背向透光基板110的表面152c上。

請參照圖1、圖2及圖5，在本實施例中，畫素結構10更包括第三反射罩163，覆蓋第三絕緣圖案153的表面153c及側壁153a、153b，且與第一反射罩161及第二反射罩162於結構上分離。第三反射罩163重疊於第三發光元件LED3，且用以將第三發光元件LED3發出的第三色光l3反射向透光基板110，進而使第三色光l3自透光基板110的出光面110b出射。在本實施例中，第三反射罩163包括多個第一反射部163a、多個第二反射部163b及一第三反射部163c，第三反射罩163的多個第一反射部163a分別設置於第三絕緣圖案153的多個第一側壁153a上，第三反射罩163的多個第二反射部163b分別設置於第三絕緣圖案153的多個第二側壁153b上，而第三反射部163c設置於第三絕緣圖案153之背向透光基板110的表面153c上。

在本實施例中，第一反射罩161、第二反射罩162及第三反射罩163可選擇性地屬於同一反射層，但本發明不以此為限。

請參照圖1至圖5，畫素結構10更包括保護膠170。在本實施例中，保護膠170設置於第一反射罩161、第二反射罩162及第三反射罩163上，以保護第一反射罩161、第二反射罩162、第三反射罩163、分別位於第一反射罩161、第二反射罩162及第三反射罩163下方的第一發光元件LED1、第二發光元件LED2及第三發光元件LED3和驅動背板BP。

第一參考平面實質上垂直於透光基板110的承載面110a。在本實施例中，第一發光元件LED1及第二發光元件LED2排列的第一方向y及透光基板110之承載面110a的法線方向z位於第一參考平面。第一參考平面可以是圖2的紙面。

第二參考平面實質上垂直於透光基板110的承載面110a和第一參考平面。在本實施例中，第二方向x垂直於第一方向y及透光基板110之承載面110a的法線方向z，且第二方向x及透光基板110的承載面110a的法線方向z位於第二參考平面。第二參考平面可以是圖3、圖4或圖5的紙面。

請參照圖2及圖3，值得注意的是，第一反射罩161被第一參考平面截出一第一截面161s1（標示於圖2），第一反射罩161被第二參考平面截出第二截面161s2（標示於圖3），且第一截面161s1的形狀與第二截面161s2的形狀不同。舉例而言，如圖2所示，在本實施例中，第一反射罩161被第一參考平面截出的第一截面161s1可包括矩形的相對兩短邊及一長邊；如圖3所示，第一反射罩161被第二參考平面截出第二截面161s2可包括梯形的兩腰及上底。

請參照圖2及圖3，在本實施例中，第一絕緣圖案151及第一反射罩161在第一參考平面上之垂直投影的形狀與在第二參考平面上之垂直投影的形狀不同。舉例而言，如圖2所示，在本實施例中，第一絕緣圖案151及第一反射罩161於第一參考平面上之垂直投影的形狀實質上為矩形；如圖3所示，第一絕緣圖案151及第一反射罩161於第二參考平面上之垂直投影的形狀實質上為梯形。

請參照圖1、圖2及圖4，在本實施例中，第二反射罩162被第一參考平面截出一第一截面162s1（標示於圖2），第二反射罩162被第二參考平面截出第二截面162s2（標示於圖4），且第一截面162s1的形狀與第二截面162s2的形狀不同。舉例而言，如圖2所示，在本實施例中，第二反射罩162被第一參考平面截出的第一截面162s1可包括矩形的相對兩短邊及一長邊；如圖4所示，第二反射罩162被第二參考平面截出第二截面162s2可包括梯形的兩腰及上底。

請參照圖2及圖4，在本實施例中，第二絕緣圖案152及第二反射罩162在第一參考平面上之垂直投影的形狀與在第二參考平面上之垂直投影的形狀不同。舉例而言，如圖2所示，在本實施例中，第二絕緣圖案152及第二反射罩162於第一參考平面上之垂直投影的形狀實質上為矩形；如圖4所示，第二絕緣圖案152及第二反射罩162於第二參考平面上之垂直投影的形狀實質上為梯形。

請參照圖1、圖2及圖5，在本實施例中，第三反射罩163被第一參考平面截出一第一截面163s1（標示於圖2），第三反射罩163被第二參考平面截出第二截面163s2（標示於圖5），且第一截面163s1的形狀與第二截面163s2的形狀不同。舉例而言，如圖2所示，在本實施例中，第三反射罩163被第一參考平面截出的第一截面163s1可包括矩形的相對兩短邊及一長邊；如圖5所示，第三反射罩163被第二參考平面截出第二截面163s2可包括梯形的兩腰及上底。

請參照圖2及圖5，在本實施例中，第三絕緣圖案153及第三反射罩163在第一參考平面上之垂直投影的形狀與在第二參考平面上之垂直投影的形狀不同。舉例而言，如圖2所示，在本實施例中，第三絕緣圖案153與第三反射罩163於第一參考平面上之垂直投影的形狀實質上為矩形；如圖5所示，第三絕緣圖案153與第三反射罩163於第二參考平面上之垂直投影的形狀實質上為梯形。

請參照圖1，在本實施例中，第一接墊組131包括多個第一接墊131a、131b，多個第一接墊131a、131b電性連接至第一發光元件LED1，且多個第一接墊131a、131b的至少一者的一部分超出第一反射罩161。舉例而言，在本實施例中，第一接墊131a之遠離第一發光元件LED1的一部分超出第一反射罩161，且第一接墊131b之遠離第一發光元件LED1的一部分也超出第一反射罩161。

請參照圖1，在本實施例中，第二接墊組132包括多個第二接墊132a、132b，多個第二接墊132a、132b電性連接至第二發光元件LED2，且多個第二接墊132a、132b的至少一者的一部分超出第二反射罩162。舉例而言，在本實施例中，第二接墊132a之遠離第二發光元件LED2的一部分超出第二反射罩162，且第二接墊132b之遠離第二發光元件LED2的一部分也超出第二反射罩162。

請參照圖1，在本實施例中，第三接墊組133包括多個第三接墊133a、133b，多個第三接墊133a、133b電性連接至第三發光元件LED3，且多個第三接墊133a、133b的至少一者的一部分超出第三反射罩163。舉例而言，在本實施例中，第三接墊133a之遠離第三發光元件LED3的一部分超出第三反射罩163，且第三接墊133b之遠離第三發光元件LED3的一部分也超出第三反射罩163。

請參照圖2、圖3、圖4及圖5，在本實施例中，畫素結構10更包括抗反射膜180，設置於透光基板110的出光面110b上。換言之，抗反射膜180是形成在透光基板110的表面（即出光面110b）上，而非形成在保護膠170的表面170a上。抗反射膜180與透光基板110的貼合製程較抗反射膜180與保護膠170的貼合製程成熟，因此，畫素結構10的良率高。

此外，在本實施例中，透過適當的設計，抗反射膜180貼在透光基板110上的畫素結構10能具有與抗反射膜180貼附在保護膠170上的畫素結構10同級的光學表現，以下透過圖6及表一說明之。

圖6為一比較例的畫素結構10’的剖面示意圖。比較例的畫素結構10’與本發明一實施例的畫素結構10類似，因此相同或相似的元件以相同或相似的標號表示，兩者的差異在於：比較例的畫素結構10’不包括畫素結構10的第一反射罩161、第二反射罩162及第三反射罩163，且比較例的畫素結構10’的第一發光元件LED1發出的第一色光l1、第二發光元件LED2發出的第二色光l2及第三發光元件LED3發出的第三色光l3是穿過保護膠170的表面170a，進而出射。此外，比較例之畫素結構10’的抗反射膜180的位置與本發明一實施例之畫素結構10的抗反射膜180的位置不同。請參照圖6，具體而言，在比較例中，膜材基板200及設置於膜材基板200上的抗反射膜180是設置在保護膠170的表面170a上。

表一示出本發明一實施例的畫素結構10的總光量輸出率T%與第二角度β1、β2、β3及第一絕緣圖案151、第二絕緣圖案152及第三絕緣圖案153的折射率n之間的關係。下表一更示出比較例的畫素結構10的總光量輸出率T%，做為比較基準。

	比較例的畫素結構10’	本發明一實施例的畫素結構10
n＝1.58	n＝1.8
β1/β2/β3	-	15 ^o	25 ^o	35 ^o	15 ^o	25 ^o	35 ^o
T%	15.5%	12.6%	12.8%	10.3%	13.4%	14.1%	10.0%

[表一]

由表一的數據可知，將第一絕緣圖案151、第二絕緣圖案152及第三絕緣圖案153的折射率n調整為1.8，並使第二角度β1、β2、β3落在15 ^o～35 ^o的範圍，本發明一實施例的畫素結構10的總光量輸出率T%與比較例的畫素結構10的總光量輸出率T%在同一等級。

請參照圖1至圖5，本發明一實施例的畫素結構10的第一絕緣圖案151、第二絕緣圖案152及第三絕緣圖案153的折射率n落在1.5～1.8的範圍。本發明一實施例的畫素結構10的第二角度β1、β2、β3落在15 ^o到35 ^o的範圍。由表一的數據可知，本發明一實施例的畫素結構10的第一絕緣圖案151、第二絕緣圖案152及第三絕緣圖案153的折射率n=1.8時，畫素結構10的總光量輸出率T%較高；本發明一實施例的畫素結構10的第二角度β1、β2、β3實質上等於25 ^o時，畫素結構10的總光量輸出率T%較高。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重述。

圖7為本發明另一實施例之畫素結構10A的立體及透視示意圖。圖7示出第一接墊組131、第二接墊組132、第三接墊組133、第一發光元件LED1、第二發光元件LED2、第三發光元件LED3及第一反射罩161，而省略畫素結構10A的其它構件。

圖8為本發明另一實施例之畫素結構10A的剖面示意圖。圖8對應圖7的線段V-V’。

圖9為本發明另一實施例之畫素結構10A的剖面示意圖。圖9對應圖7的線段VI-VI’。

圖10為本發明另一實施例之畫素結構10A的剖面示意圖。圖10對應圖7的線段VII-VII’。

圖11為本發明另一實施例之畫素結構10A的剖面示意圖。圖11對應圖7的線段VIII-VIII’。

請參照圖7至圖11，本實施例的畫素結構10A與前述的畫素結構10類似，兩者的差異在於：畫素結構10A的第一絕緣圖案151更覆蓋第二發光元件LED2，且第一反射罩161重疊於第一發光元件LED1及第二發光元件LED2；第一絕緣圖案151更覆蓋第三發光元件LED3，且第一反射罩161更重疊於第三發光元件LED3。簡言之，在本實施例中，第一絕緣圖案151覆蓋畫素結構10的第一發光元件LED1、第二發光元件LED2及第三發光元件LED3；第一反射罩161設置於第一絕緣圖案151上，而重疊於第一發光元件LED1、第二發光元件LED2及第三發光元件LED3。

表二示出本發明多個實施例的畫素結構10、10A的總光量輸出率T%與第二角度β1、β2、β3之間的關係。表二更示出比較例的畫素結構10的總光量輸出率T%。

	比較例的畫素結構10	n＝1.8
實施例的畫素結構10	實施例的畫素結構10A
β1/β2/β3	-	15 ^o	25 ^o	35 ^o	15 ^o	25 ^o	35 ^o
T%	15.5%	13.4%	14.1%	10.0%	13.1%	14.0%	11.2%

[表二]

由表二的數據知，畫素結構10、10A的總光量輸出率T%的差異不大。換言之，使用第一反射罩161、第二反射罩162及第三反射罩163分別反射第一發光元件LED1、第二發光元件LED2及第三發光元件LED3發出的第一色光l1、第二色光l2及第三色光l3所獲得的總光量輸出率T%與使用同一反射罩（即第一反射罩161）來反射的差異不大。基於量產性考量，以採用畫素結構10A為佳。

請參照圖7、圖8及圖9，在本實施例中，第一發光元件LED1的發光層143的面積為A1，第一發光元件LED1的發光層143被第一接墊組131、其第一電極144a及第二電極144b遮蔽的面積為a1，（a1/A1）為遮蔽率C1%。

請參照圖7、圖8及圖10，在本實施例中，第二發光元件LED2的發光層143的面積為A2，第二發光元件LED2的發光層143被第二接墊組132、其第一電極144a及第二電極144b遮蔽的面積為a2，（a2/A2）為遮蔽率C2%。

請參照圖7、圖8及圖11，在本實施例中，第三發光元件LED3的發光層143的面積為A3，第三發光元件LED3的發光層143被第三接墊組133、其第一電極144a及第二電極144b遮蔽的面積為a3，（a3/A3）為遮蔽率C3%。

表三示出本發明一實施例的畫素結構10A的總光量輸出率T%與第二角度β1及遮蔽率C1%、C2%、C3%之間的關係。表三更示出比較例的畫素結構10的總光量輸出率T%，做為比較的基準。

	本發明一實施例的畫素結構10A	比較例的畫素結構10’
折射率n	1.8	-
β1	15 ^o	25 ^o	35 ^o	-
T%	C1%/C2%/C3%=58.6%	13.1%	14.0%	11.2%	15.5%
C1%/C2%/C3%=40.0%	16.5%	17.5%	15.1%
C1%/C2%/C3%=29.3%	17.8%	19.0%	15.5%

[表三]

請參照圖7至圖11，本發明一實施例的畫素結構10A的遮蔽率C1%、C2%、C3%小於或等於40%。由表三的數據可知，本發明一實施例的畫素結構10A的遮蔽率C1%、C2%、C3%小於或等於40%時，畫素結構10A的總光量輸出率T%較佳。此外，由表二的數據更可知，第二角度β1實質上等於25 ^o，且C1%、C2%、C3%實質上等於29.3%時，畫素結構10A的總光量輸出率T%較比較例提高22.5%。

請參照圖9、圖10及圖11，第一反射罩161的第三反射部161c與第一發光元件LED1在承載面110a的法線方向z上具有一距離h；第一反射罩161的第三反射部161c與第二發光元件LED2在承載面110a的法線方向z上具有一距離h；第一反射罩161的第三反射部161c與第三發光元件LED3在承載面110a的法線方向z上具有一距離h。

表四示出本發明一實施例的畫素結構10A的總光量輸出率T%與第二角度β1及距離h之間的關係。表四更示出比較例的畫素結構10A的總光量輸出率T%，做為比較基準。

	本發明一實施例的畫素結構10A （n=1.8；遮蔽率C1%/C2%/C3%＝29.3%）	比較例的畫素結構10’
β1	15 ^o	25 ^o	35 ^o	-
T%	h=10μm	19.6%	18.3%	13.3%	15.5%
h=20μm	17.2%	19.7%	17.8%
h=30μm	18.5%	20.0%	18.2%
h=40μm	17.8%	19.0%	15.1%

[表四]

請參照圖9、圖10及圖11，在本實施例中，距離h落在10μm～40μm的範圍。由表四的數據知，距離h落在10μm～40μm的範圍時，畫素結構10A的總光量輸出率T%佳。特別是，第二角度β1實質上等於25 ^o且距離h實質上等於30μm時，畫素結構10A的總光量輸出率T%較比較例提升29%。

表五示出本發明一實施例的畫素結構10A的正視方向的相對亮度與第二角度β1及距離h之間的關係，其中所述正視方向的相對亮度的計算是以比較例之畫素結構10’的正視方向的亮度做為100%。

	本發明一實施例的畫素結構10A （n=1.8；遮蔽率C1%/C2%/C3%＝29.3%）
β1	15 ^o	25 ^o	35 ^o
正視方向的相對亮度	h=10μm	165.7%	158.4%	101.9%
h =20μm	139.9%	178.0%	157.9%
h =30μm	145.8%	184.9%	157.9%
h =40μm	156.6%	191.1%	153.9%

[表五]

由表五可知，相較於比較例的畫素結構10’，本發明一實施例的畫素結構10A在各種第二角度β1及各種距離h的條件下的正視方向的相對亮度高。特別是，第二角度β1實質上等於25 ^o且距離h實質上等於40μm時，畫素結構10A的正視方向的亮度較比較例提升約90%。

請參照圖9，第一發光元件LED1在第二方向x上具有一寬度W，第一發光元件LED1與第一反射罩161的第二反射部161b在第二方向x上具有一最大距離L，第一發光元件LED1在第二方向x上之寬度W與第一發光元件LED1和第一反射罩161的第二反射部161b在第二方向x之最大距離L的比值為（W/L）。

圖12示出本發明另一實施例之畫素結構10A的正視方向的亮度增益比與第二角度β1及（W/L）之間的關係。請參照圖9及圖12，在本實施例中，（W/L）落在0.18～0.72的範圍時，畫素結構10A具有140%～190%的亮度增益比。

在本實施例中，第一發光元件LED1在第二方向x上之寬度W與第一發光元件LED1和第一反射罩161的第二反射部161b在第二方向x之最大距離L的比值（W/L）不小於0.18，以避免第一發光元件LED1和第一反射罩161的第二反射部161b在第二方向x之最大距離L過大，而使第一反射罩161在第二方向x上的最大寬度L’超過畫素結構10A的預定尺寸。

圖13為本發明又一實施例之畫素結構10B的剖面示意圖。請參照圖13，本實施例的畫素結構10B與前述的畫素結構10類似，兩者的差異在於：本實施例的畫素結構10B更包括圓偏光片190，設置於透光基板110的出光面110b上。換言之，在本實施例中，透光基板110的出光面110b上可設有抗反射膜180及圓偏光片190。

圖14為本發明再一實施例之畫素結構10C的剖面示意圖。請參照圖14，本實施例的畫素結構10C與前述的畫素結構10類似，兩者的差異在於：本實施例的畫素結構10C包括設置於透光基板110之出光面110b上的抗眩膜210，而不包括畫素結構10的抗反射膜180。

圖15為本發明一實施例之畫素結構10D的剖面示意圖。請參照圖15，本實施例的畫素結構10D與前述的畫素結構10C類似，兩者的差異在於：本實施例的畫素結構10D更包括圓偏光片190，設置於透光基板110的出光面110b上。換言之，在本實施例中，透光基板110的出光面110b上可設有抗眩膜210及圓偏光片190。

10、10’、10A、10B、10C、10D:畫素結構 110:透光基板 110a:承載面 110b:出光面 120:驅動電路層 131:第一接墊組 131a、131b:第一接墊 132:第二接墊組 132a、132b:第二接墊 133:第三接墊組 133a、133b:第三接墊 141:第一型半導體層 142:第二型半導體層 143:發光層 144a:第一電極 144b:第二電極 151:第一絕緣圖案 151a、151b、152a、152b、153a、153b:側壁 151c、152c、153c、170a:表面 152:第二絕緣圖案 153:第三絕緣圖案 161:第一反射罩 161a、162a、163a:第一反射部 161b、162b、163b:第二反射部 161c、162c、163c:第三反射部 161s1、162s1、163s1:第一截面 161s2、162s2、163s2:第二截面 162:第二反射罩 163:第三反射罩 170:保護膠 180:抗反射膜 190:圓偏光片 200:膜材基板 210:抗眩膜 BP:驅動背板 h:距離 L:最大距離 L’ :最大寬度 LED1:第一發光元件 LED2:第二發光元件 LED3:第三發光元件 l1:第一色光 l2:第二色光 l3:第三色光 W:寬度 x:第二方向 y:第一方向 z:法線方向 α1、α2、α3:第一角度 β1、β2、β3:第二角度 I-I’、II-II’、III-III’、IV-IV’、V-V’、VI-VI’、VII-VII’、 VIII-VIII’:線段

圖1為本發明一實施例之畫素結構10的立體及透視示意圖。圖2為本發明一實施例之畫素結構10的剖面示意圖。圖3為本發明一實施例之畫素結構10的剖面示意圖。圖4為本發明一實施例之畫素結構10的剖面示意圖。圖5為本發明一實施例之畫素結構10的剖面示意圖。圖6為一比較例的畫素結構10’的剖面示意圖。圖7為本發明另一實施例之畫素結構10A的立體及透視示意圖。圖8為本發明另一實施例之畫素結構10A的剖面示意圖。圖9為本發明另一實施例之畫素結構10A的剖面示意圖。圖10為本發明另一實施例之畫素結構10A的剖面示意圖。圖11為本發明另一實施例之畫素結構10A的剖面示意圖。圖12示出本發明另一實施例之畫素結構10A的正視方向的亮度增益比與第二角度β1及（W/L）之間的關係。圖13為本發明又一實施例之畫素結構10B的剖面示意圖。圖14為本發明再一實施例之畫素結構10C的剖面示意圖。圖15為本發明一實施例之畫素結構10D的剖面示意圖。

10:畫素結構

131:第一接墊組

131a、131b:第一接墊

132:第二接墊組

132a、132b:第二接墊

133:第三接墊組

133a、133b:第三接墊

161:第一反射罩

162:第二反射罩

163:第三反射罩

LED1:第一發光元件

LED2:第二發光元件

LED3:第三發光元件

x:第二方向

y:第一方向

z:法線方向

I-I’、II-II’、III-III’、IV-IV’:線段

Claims

一種畫素結構，包括：一透光基板，具有一承載面；一驅動電路層，設置於該透光基板的該承載面上；一第一接墊組，電性連接至該驅動電路層；一第一發光元件，電性連接至該第一接墊組；一第一絕緣圖案，至少覆蓋該第一發光元件，其中該第一絕緣圖案具有背向該透光基板的一表面和連接於該表面的一側壁；一第一反射罩，覆蓋該第一絕緣圖案的該表面及該側壁；以及一保護膠，設置於該第一反射罩上；其中，一第一參考平面實質上垂直於該透光基板的該承載面，一第二參考平面實質上垂直於該透光基板的該承載面和該第一參考平面，該第一反射罩被該第一參考平面截出一第一截面，該第一反射罩被該第二參考平面截出一第二截面，且該第一截面的形狀與該第二截面的形狀不同；一第二接墊組，電性連接至該驅動電路層；一第二發光元件，電性連接至該第二接墊組，其中該第一發光元件及該第二發光元件分別用以發出不同的一第一色光及一第二色光且沿一第一方向排列，該第一方向及該透光基板之該承載面的一法線方向位於該第一參考平面，一第二方向垂直於該第一方向及該透光基板之該承載面的該法線方向，且該第二方向及該透光基板之該承載面的該法線方向位於該第二參考平面；該第一絕緣圖案的該側壁包括多個第一側壁及多個第二側壁，該些第一側壁沿該第一方向排列，且該些第二側壁沿該第二方向排列；該第一反射罩包括多個第一反射部及多個第二反射部，該些第一反射部分別覆蓋該第一絕緣圖案的該些第一側壁，且該些第二反射部分別覆蓋該第一絕緣圖案的該些第二側壁；該第一發光元件在該第二方向上具有一寬度W，該第一發光元件與該第一反射罩的一第二反射部在該第二方向上具有一最大距離L，且(W/L)落在0.18~0.72的範圍。
如請求項1所述的畫素結構，其中該第一絕緣圖案及該第一反射罩於該第一參考平面上的垂直投影的形狀實質上為矩形，而該第一絕緣圖案及該第一反射罩於該第二參考平面上的垂直投影的形狀實質上為梯形。
如請求項1所述的畫素結構，其中該些第一側壁的一第一側壁與該透光基板的該承載面夾有一第一角度，該些第二側壁的一第二側壁與該透光基板的該承載面夾有一第二角度，且該第二角度小於該第一角度。
如請求項3所述的畫素結構，其中該第二角度落在15°到35°的範圍。
如請求項1所述的畫素結構，更包括：一第二絕緣圖案，覆蓋該第二發光元件，其中該第二絕緣圖案具有背向該透光基板的一表面和連接於該表面的一側壁；以及一第二反射罩，覆蓋該第二絕緣圖案的該表面及該側壁，且與該第一反射罩於結構上分離；該保護膠更設置於該第二反射罩上。
如請求項5所述的畫素結構，更包括：一第三接墊組，電性連接至該驅動電路層；一第三發光元件，電性連接至該第三接墊組，其中該第三發光元件用以發出一第三色光，且該第三色光不同於該第一色光及該第二色光；一第三絕緣圖案，覆蓋該第三發光元件，其中該第三絕緣圖案具有背向該透光基板的一表面和連接於該表面的一側壁；以及一第三反射罩，覆蓋該第三絕緣圖案的該表面及該側壁，且與該第一反射罩及該第二反射罩於結構上分離：該保護膠更設置於該第三反射罩上。
如請求項1所述的畫素結構，其中該第一絕緣圖案更覆蓋該第二發光元件，且該第一反射罩重疊於該第一發光元件及該第二發光元件。
如請求項7所述的畫素結構，更包括：一第三接墊組，電性連接至該驅動電路層；一第三發光元件，電性連接至該第三接墊組，其中該第三發光元件用以發出一第三色光，且該第三色光不同於該第一色光及該第二色光；該第一絕緣圖案更覆蓋該第三發光元件，且該第一反射罩更重疊於該第三發光元件。
如請求項1所述的畫素結構，其中該第一接墊組包括多個第一接墊，該些第一接墊電性連接至該第一發光元件，且至少一第一接墊的一部分超出該第一反射罩。
如請求項1所述的畫素結構，其中該第一絕緣圖案的折射率落在1.5~1.8的範圍。
如請求項1所述的畫素結構，其中該第一發光元件包括：一第一型半導體層；一第二型半導體層；一發光層，設置於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間；一第一電極，電性連接至該第一型半導體層；以及一第二電極，電性連接至該第二型半導體層；其中，該發光層的面積為A1，該發光層被該第一接墊組、該第一電極及該第二電極遮蔽的面積為a1，而(a1/A1)小於或等於40%。
如請求項1所述的畫素結構，其中該第一反射罩包括設置於該第一絕緣圖案之該表面上的一第三反射部，該第三反射部與該第一發光元件在該承載面的一法線方向上具有一距離，且該距離落在10μm~40μm的範圍。