TWI754431B - 光源組件、其製備方法、背光模組及顯示裝置 - Google Patents

光源組件、其製備方法、背光模組及顯示裝置 Download PDF

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TWI754431B TW109137159A TW109137159A TWI754431B TW I754431 B TWI754431 B TW I754431B TW 109137159 A TW109137159 A TW 109137159A TW 109137159 A TW109137159 A TW 109137159A TW I754431 B TWI754431 B TW I754431B
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Abstract

本發明實施例提供一種光源組件、其製備方法、背光模組及顯示裝置。該光源組件包括具有第一表面的驅動基板、複數導電墊與複數微結構、複數發光元件以及一反射層。所述複數導電墊與所述複數微結構由同一導電層圖案化形成且均位於所述第一表面上。每一所述導電墊的周圍對應具有複數所述微結構。每一所述發光元件位於至少一個所述導電墊上並藉由至少一個所述導電墊電性連接所述驅動基板。所述反射層包覆所述微結構未與所述驅動基板接觸的表面並覆蓋所述第一表面上未設置有所述導電墊以及所述微結構的區域。

Description

光源組件、其製備方法、背光模組及顯示裝置
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種光源組件、該光源組件的製備方法、使用該光源組件的背光模組及顯示裝置。
習知,應用於液晶顯示裝置中的直下式背光模組中的光源組件,會藉由在驅動基板上塗覆表面平整的高反射油墨提高輝度。然,由於該高反射油墨的表面為平整的,使得光源的部分出射光被該高反射油墨反射後偏移至光學膜片組之外,而無法被液晶顯示裝置利用。
是故,習知的直下式背光模組中的光源組件存在光源利用率低的問題。
本發明一方面提供一種光源組件,其包括: 一驅動基板,具有第一表面; 複數導電墊與複數微結構,所述複數導電墊與所述複數微結構由同一導電層圖案化形成且均位於所述第一表面上,其中,每一所述導電墊的周圍對應具有複數所述微結構; 複數發光元件,每一所述發光元件位於至少一個所述導電墊上並藉由至少一個所述導電墊電性連接所述驅動基板;以及 一反射層,所述反射層包覆所述微結構未與所述驅動基板接觸的表面並覆蓋所述第一表面上未設置有所述導電墊以及所述微結構的區域; 其中,所述反射層的覆蓋所述微結構的位置相對於所述反射層的覆蓋所述第一表面的位置向所述發光元件的方向凸起。
本發明實施例的光源組件中,反射層的覆蓋微結構的位置相對於反射層的覆蓋驅動基板的第一表面的位置向發光元件的方向凸起,即該反射層具有凹凸不平的粗糙表面。藉此,使得所述發光元件出射的光線照射至所述反射層上後變為漫反射,當該光源組件應用於直下式背光模組時,提高了發光元件的光向上入射至光學膜片組的效率,進而提高了光源利用率。
本發明另一方面提供一種光源組件的製備方法,其包括如下步驟: 於一驅動基板的第一表面上形成一導電層; 圖案化所述導電層,以形成複數導電墊與複數微結構,其中,每一所述導電墊的周圍對應具有複數所述微結構; 形成一反射層,使所述反射層包覆所述微結構未與所述驅動基板接觸的表面並覆蓋所述第一表面上未設置有所述導電墊以及所述微結構的區域,其中,所述反射層的覆蓋所述微結構的位置相對於所述反射層的覆蓋所述第一表面的位置向所述發光元件的方向凸起;以及 使複數發光元件電性連接所述驅動基板,其中,每一所述發光元件位於至少一個所述導電墊上並藉由至少一個所述導電墊電性連接所述驅動基板。
本發明實施例的光源組件的製備方法中,獲得的光源組件其反射層具有凹凸不平的粗糙表面。藉此,使得所述發光元件出射的光線照射至所述反射層上後變為漫反射,當該光源組件應用於直下式背光模組時,提高了發光元件的光向上入射至光學膜片組的效率,進而提高了光源利用率。
本發明再一方面提供一種背光模組,其包括光源組件以及位於所述光源組件一側的光學膜片組,其中,所述光源組件為上述的光源組件。
由於該背光模組包括上述的光源組件,是故,其同樣具有高的光源利用率。
本發明又一方面提供一種顯示裝置,其包括層疊設置的背光模組以及顯示面板,其中,所述背光模組為上述的背光模組。
由於該顯示裝置包括上述的背光模組,是故,其同樣具有高的光源利用率。
圖1為本發明一實施例的顯示裝置100的分解圖。如圖1所示,顯示裝置100包括層疊設置的背光模組102以及顯示面板101。背光模組102包括光源組件20以及位於所述光源組件20一側的光學膜片組10。光學膜片組10位於顯示面板101與光源組件20之間。沿顯示面板101指向光源組件20的方向,光學膜片組10依次包括層疊設置的上擴散片11、上增亮片12、下增亮片13、下擴散片14及導光層15。
於一實施例中,上擴散片11及下擴散片14主要其修正擴散角度的作用,以使光輻射面積變大。上擴散片11及下擴散片14例如為包括透明基材(圖未示)及塗布於所述透明基材兩表面的光學散光顆粒(圖未示)。
於一實施例中,由於經過上擴散片11及下擴散片14後的光降低了單位面積的光強度,為滿足顯示面板101對輝度的要求,需要設置增加輝度的膜片,即上增亮片12與下增亮片13。上增亮片12與下增亮片13例如可以為棱鏡膜,其包括透明薄膜(圖未示)及分佈於薄膜上的均勻而整齊的棱鏡結構(圖未示),以將從下擴散片14射出的光均勻地向各個角度發散光彙聚到軸向角度,以在不增加出射總光通量的情況下提高軸向輝度。
於其他實施例中,光學膜片組10還可以包含其他類型的光學膜片,例如,濾光膜片。並且,光學膜片組10中的光學膜片的數量可以為一個或複數。
於一實施例中,顯示面板101為液晶顯示面板,背光模組102為直下式背光。顯示面板101包括彩色濾光基板(圖未示)、與所述彩色濾光基板相對設置的薄膜電晶體陣列基板(圖未示)以及夾設於所述彩色濾光基板與所述薄膜電晶體陣列基板之間的液晶層(圖未示)。光源組件20發射的光經各個光學膜片後作為背光,以供顯示面板101進行畫面顯示。
於一實施例中,顯示裝置100例如為手機、平板電腦等具有顯示功能的產品。
圖2為圖1中光源組件20的剖面圖。如圖2所示,光源組件20包括驅動基板21、複數導電墊221與複數微結構222、複數發光元件23以及一反射層24。驅動基板21具有第一表面211。複數導電墊221與複數微結構222且均位於所述第一表面211上。每一所述發光元件23位於至少一個所述導電墊221上並藉由至少一個所述導電墊221電性連接所述驅動基板21。每一所述發光元件23的周圍對應具有複數所述微結構222。所述反射層24包覆所述微結構222未與所述驅動基板21接觸的表面。所述反射層24的覆蓋所述微結構222的位置相對於所述反射層24的覆蓋所述第一表面211的位置向所述發光元件23的方向凸起。
由於反射層24具有凹凸不平的粗糙表面,使得所述發光元件23出射的光線照射至所述反射層24上後變為漫反射,當該光源組件20應用於直下式背光源時,提高了發光元件23的光向上入射至光學膜片組10的效率,進而提高了光源利用率。
於一實施例中,複數導電墊221與複數微結構222由同一導電層22圖案化形成。即,複數微結構222可在形成導電墊221時,同時形成。藉此,簡化製程。導電層22例如為金屬層、金屬合金層等。
於一實施例中,導電層22為銅層,複數導電墊221與複數微結構222藉由蝕刻形成。沿所述光源組件20的厚度方向上,每一所述微結構222的截面為梯形。其中,考慮到蝕刻製程的影響,梯形的底角與第一表面211的夾角大致為30度至45度。
於一實施例中,每一所述微結構222的高度大於等於9微米。即,圖2中,梯形的高度大於等於9微米。具體地,微結構222的高度可以根據材料成本及出光率進行調整。
於一實施例中,驅動基板21為軟性電路板或印刷電路板。發光元件23為迷你發光二極體(Mini Light Emitting Diode,Mini LED),也即亞毫米級發光二極體,Mini LED的尺寸大致為一百到幾百微米。於其他實施例中,發光元件23也可以為其他尺寸的發光二極體。發光二極體具有位於其同側的N極與P極,該N極與P極可分別藉由電性連接一個導電墊221,而與驅動基板21電性連接,以在驅動基板21的驅動下進行發光。
於一實施例中,反射層24的材質為白色高反射油墨。一方面,白色高反射油墨本身對發光元件23出射的光具有高的反射率(85%以上),且反射層24部分覆蓋微結構222,部分覆蓋驅動基板21的第一表面211,使得反射層24具有凹凸不平整的表面,發光元件23出射的光入射至反射層24的表面後變為漫射光,大致垂直於光源組件20出射,提升了光源向上照射至光學膜片組10的效率。另一方面,白色高反射油墨還具有阻焊的作用,使得白色高反射油墨可對位於其下方的驅動基板21及微結構222進行保護。
圖3為本發明一實施例的光源組件20中,發光元件23與其周邊的微結構222的分佈示意圖。圖3中僅示意性地畫出了部分微結構222,而未畫出全部的微結構222。如圖3所示,對應於每一所述發光元件23的周圍的複數所述微結構222間隔排佈成複數環形。圖3中,複數微結構222沿大致矩形環的路徑進行排佈。每一微結構222為等大的,且相鄰的矩形環之間、相鄰的微結構222之間均為等間距排佈。即,以發光元件23為中心,由中心向外,隨著矩形環逐漸變大,每一矩形環上的微結構222的數量逐漸增多。亦即,以發光元件23為中心的複數矩形環中,距離發光元件23越遠的矩形環上排佈的微結構222的數量越多。圖3中,微結構222在驅動基板21的第一表面211上的投影為圓形,圓形的直徑(定義為A)大於等於0.1毫米。即微結構222為上小下大的圓柱。相鄰的兩個微結構222之間的距離為L。其中,L≥A+0.075mm。即,圖2中,相鄰的兩個微結構222的邊界之間的距離不小於0.075mm。於其他實施例中,L可以為其他數值,具體視導電層22的蝕刻精度而定。
於其他實施例中,微結構222在驅動基板21的第一表面211上的投影可以為多邊形或不規則的形狀。多邊形例如為三角形、六角形等。微結構222的尺寸也可以根據需求調整,光源組件20中也可以為不同大小、不同形狀的微結構222混合排列。請繼續參閱圖3,圍繞發光元件23還定義有開口區241。圖3中,開口區241大致呈矩形。該開口區241距離其最近的矩形環的距離定義為D。其中,D≥0.5A+0.1mm。於一實施例中,反射層24為白色高反射油墨,該開口區241為白色高反射油墨的邊界。即,發光元件23位於開口區241,開口區241內不會形成白色高反射油墨。亦即,白色高反射油墨大致圍繞發光元件23周邊形成,並與發光元件23有一微小的間隙(大於等於0.1mm),為清楚展示,圖2中未畫出該間隙。
圖4為本發明另一實施例的光源組件20中,發光元件23與其周邊的微結構222的分佈示意圖。如圖4所示,其與圖3中微結構222排佈的不同之處在於,圖4中,複數微結構222沿大致圓環的路徑進行排佈。另,圖4中,相鄰的微結構222之間的距離同樣滿足L≥A+0.075mm,開口區241的四個角落中,每一角落距離其最近的圓環的距離定義為D,D≥0.5A+0.1mm。
圖5為本發明再一實施例的光源組件20中,發光元件23與其周邊的微結構222的分佈示意圖。如圖5所示,其與圖3中微結構222排佈的不同之處在於,圖5中,沿每一矩形環排列的微結構222為等大的,距離所述發光元件23越遠的所述微結構222在所述驅動基板21上的投影面積越大。沿離發光元件23由近及遠的順序,依次定義各個微結構222在驅動基板21上的投影的直徑為A1、A2、A3、A4…An(n為大於等於2的整數),相鄰的微結構222之間的距離依次定義為L1、L2、L3…Ln(n為大於等於1的整數)。其中,A1≥0.1 mm,A1<A2<A3<A4<…<An。L1≥A1+ 0.075 mm,L2≥A2 +0.075 mm,L3≥A4+ 0.075 mm,…,Ln-1≥An +0.075 mm。即,相鄰微結構222的邊界之間的距離大於等於0.075 mm。圖5中,對應於每一發光元件23設置的微結構222中,距離發光元件23較遠的具有較大的投影面積,以使得距離發光元件23較遠處具有較強的聚光能力,以進一步提高光源的利用率。
圖6為本發明又一實施例的光源組件20中,發光元件23與其周邊的微結構222的分佈示意圖。如圖6所示,其與圖5中微結構222排佈的不同之處在於,圖6中,複數微結構222沿大致圓環的路徑進行排佈。圖6中,沿每一圓環排列的微結構222為等大的,距離所述發光元件23越遠的所述微結構222在所述驅動基板21上的投影面積越大。沿離發光元件23由近及遠的順序,依次定義各個微結構222在驅動基板21上的投影的直徑為A1、A2、A3、A4…An(n為大於等於2的整數),相鄰的微結構222之間的距離依次定義為L1、L2、L3…Ln(n為大於等於1的整數)。其中,A1≥0.1 mm,A1<A2<A3<A4<…<An。L1≥A1 + 0.075 mm,L2≥A2 + 0.075 mm,L3 ≥A4 +0.075 mm,…,Ln-1≥An +0.075 mm。即,相鄰微結構222的邊界之間的距離大於等於0.075 mm。開口區241的四個角落中,每一角落距離其最近的圓環的距離定義為D,D≥0.5A +0.1 mm。
於其他實施例中,微結構222的排佈路徑不限於圓環或矩形環。
圖7為本發明一實施例的光源組件20的製備方法的流程圖。如圖7所示,該製備方法,包括如下步驟。
步驟S1:於一驅動基板21上形成導電層22。
如圖8所示,導電層22形成於驅動基板21的第一表面211上。於一實施例中,導電層22可藉由電鍍或其他方式形成。
步驟S2:圖案化所述導電層22。
如圖9所示,導電層22被圖案化後形成間隔設置的複數導電墊221與間隔設置的複數微結構222。其中,導電墊221大致呈矩形,並成對設置。圖9中,每一對導電墊221包括第一導電墊2211與第二導電墊2212,分別用於與發光元件23(當發光元件23為LED時)的N極與P極電性連接。其中,該第一導電墊2211與第二導電墊2212分別與驅動基板21的電路(圖未示)進行連接。每一對導電墊221周圍環繞複數微結構222。
於一實施例中,圖案化的步驟為蝕刻,經圖案化後的導電墊221與微結構222具有大致相同的高度。
步驟S3:形成一反射層24。
如圖10所示,所述反射層24包覆所述微結構222未與所述驅動基板21接觸的表面並覆蓋所述第一表面211上未設置有所述導電墊221以及所述微結構222的區域。其中,所述反射層24的覆蓋所述微結構222的位置相對於所述反射層24的覆蓋所述第一表面211的位置向所述發光元件23的方向凸起。
於一實施例中,反射層24為白色高反射油墨,其藉由網版印刷形成。
步驟S4:使複數發光元件23電性連接所述驅動基板21。
如圖11所示,每一所述發光元件23位於兩個所述導電墊221上並藉由該兩個所述導電墊221電性連接所述驅動基板21。該光源組件20的製備方法中,利用導電墊221的圖案化製程同時形成複數微結構222,然後於微結構222及驅動基板21的第一表面211上形成反射層24,可在不額外增加製程的情況下,提高光利用率,節約成本。
以上實施方式僅用以說明本發明的技術方案而非限制,儘管參照較佳實施方式對本發明進行了詳細說明,本領域的普通技術人員應當理解,可以對本發明的技術方案進行修改或等同替換,而不脫離本發明技術方案的精神及範圍。
100:顯示裝置 101:顯示面板 102:背光模組 10:光學膜片組 11:上擴散片 12:上增亮片 13:下增亮片 14:下擴散片 15:導光層 20:光源組件 21:驅動基板 211:第一表面 22:導電層 221:導電墊 2211:第一導電墊 2212:第二導電墊 222:微結構 23:發光元件 24:反射層 241:開口區
圖1為本發明一實施例的顯示裝置的分解圖。
圖2為圖1中光源組件的剖面圖。
圖3為本發明一實施例的光源組件中,發光元件與其周邊的微結構的分佈示意圖。
圖4為本發明另一實施例的光源組件中,發光元件與其周邊的微結構的分佈示意圖。
圖5為本發明再一實施例的光源組件中,發光元件與其周邊的微結構的分佈示意圖。
圖6為本發明又一實施例的光源組件中,發光元件與其周邊的微結構的分佈示意圖。
圖7為本發明一實施例的光源組件的製備方法的流程圖。
圖8為圖7之步驟S1中,於驅動基板上形成導電層的剖面示意圖。
圖9為圖7之步驟S2中,圖案化導電層形成的導電墊與微結構的平面示意圖。
圖10為圖7之步驟S3中,形成反射層之後的剖面示意圖。
圖11為圖7之步驟S4中,於導電墊上形成發光元件的平面示意圖。
20:光源組件
21:驅動基板
211:第一表面
221:導電墊
222:微結構
23:發光元件
24:反射層

Claims (10)

  1. 一種光源組件,其改良在於,包括: 一驅動基板,具有一第一表面; 複數導電墊與複數微結構,該等導電墊與該等微結構由同一導電層圖案化形成且均位於該第一表面上,其中,每一該導電墊的周圍對應具有複數該微結構; 複數發光元件,每一該發光元件位於至少一個該導電墊上並藉由至少一個該導電墊電性連接該驅動基板;以及 一反射層,該反射層包覆該微結構未與該驅動基板接觸的表面並覆蓋該第一表面上未設置有該導電墊以及該微結構的區域; 其中,該反射層的覆蓋該微結構的位置相對於該反射層的覆蓋該第一表面的位置向該發光元件的方向凸起。
  2. 如請求項1所述的光源組件,其中,對應於每一該發光元件的周圍的複數該微結構間隔排佈成複數環形。
  3. 如請求項2所述的光源組件,其中,對應於每一該發光元件的周圍的複數該微結構中,距離該發光元件越遠的該微結構在該驅動基板上的投影面積越大。
  4. 如請求項2所述的光源組件,其中,該等環形中,距離該發光元件越遠的環形上排佈的該微結構的數量越多。
  5. 如請求項1所述的光源組件,其中,沿該光源組件的厚度方向上,每一該微結構的截面為梯形。
  6. 如請求項1所述的光源組件,其中,每一該微結構的高度大於等於9微米。
  7. 如請求項1所述的光源組件,其中,相鄰的兩個該微結構之間的距離大於等於0.075毫米。
  8. 一種光源組件的製備方法,其中,包括如下步驟: 於一驅動基板的一第一表面上形成一導電層; 圖案化該導電層,以形成複數導電墊與複數微結構,其中,每一該導電墊的周圍對應具有複數該微結構; 形成一反射層,使該反射層包覆該微結構未與該驅動基板接觸的表面並覆蓋該第一表面上未設置有該導電墊以及該微結構的區域,其中,該反射層的覆蓋該微結構的位置相對於該反射層的覆蓋該第一表面的位置向該發光元件的方向凸起;以及 使複數發光元件電性連接該驅動基板,其中,每一該發光元件位於至少一個該導電墊上並藉由至少一個該導電墊電性連接該驅動基板。
  9. 一種背光模組,其包括一光源組件以及位於該光源組件一側的一光學膜片組,其中,該光源組件為如請求項1至7中任意一項中所述的光源組件。
  10. 一種顯示裝置,其包括層疊設置的一背光模組以及一顯示面板,其中,該背光模組為如請求項9所述的背光模組。
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