CN114759135A - 驱动背板及其制作方法、发光基板及其制作方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 73
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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Abstract
本申请实施例提供一种驱动背板及其制作方法、发光基板及其制作方法。驱动背板包括驱动基板、反射层以及数个阻挡件,其中,驱动基板包括基底以及设于基底上的连接组件,连接组件用于连接发光器件,反射层设置于基底的设有连接组件的一侧,并且,反射层设于连接组件的外围;数个阻挡件设置于基底的设有连接组件的一侧,并且,数个所述阻挡件围绕所述连接组件布置,数个阻挡件均嵌设于反射层内。该驱动背板可以避免出现反射层覆盖连接组件的现象,并且反射层在驱动背板上的覆盖面积较大,反射率较高,当在驱动背板的连接组件上设置发光器件以形成发光基板时,可以提高发光器件的光利用率,同时改善发光基板的出光均匀度。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域,特别涉及一种驱动背板及其制作方法、发光基板及其制作方法。
背景技术
Mini LED(迷你发光二极管)又称为亚毫米发光二极管,是一种使LED(发光二极管)的尺寸在100μm~200μm的新型显示技术。在Mini LED中,每个LED可以实现单独定址、单独驱动发光,从而具有高效率、高亮度、高可靠度、反应时间快、可大屏化等优点,同时MiniLED显示产品还具有轻薄化、低功耗等优点,因此越来越受到消费者的青睐。
Mini LED的正负极通常焊接于驱动背板的焊盘上,以通过驱动背板实现Mini LED的点亮,在驱动背板的制作过程中,为了提高Mini LED的光线利用率和出光均匀度,会在驱动背板上位于焊盘的外围区域涂布用于反射Mini LED光线的白油,但是,由于白油具有较好的流动性,导致白油在流动的过程中容易覆盖焊盘,影响Mini LED导通及焊接可靠性,为了规避该问题,通常会增大白油的开口面积,即,在印刷白油时,使白油的印刷位点远离焊盘,但这样会导致驱动背板上白油的覆盖面积降低,反射率降低,进而导致Mini LED的光线利用率较低、出光均匀度较差。
发明内容
本申请实施例提供一种驱动背板及其制作方法、发光基板及其制作方法,可以避免出现反射层覆盖连接组件的现象,并且反射层在驱动背板上的覆盖面积较大,反射率较高,当在驱动背板的连接组件上设置发光器件以形成发光基板时,可以提高发光器件的光利用率,同时改善发光基板的出光均匀度。
第一方面,本申请实施例提供一种驱动背板,包括:
驱动基板,所述驱动基板包括基底以及设于基底上的连接组件,所述连接组件用于连接发光器件;
反射层,设置于所述基底的设有所述连接组件的一侧,并且,所述反射层设于所述连接组件的外围;
数个阻挡件,设置于所述基底的设有所述连接组件的一侧,并且,数个所述阻挡件围绕所述连接组件布置,数个所述阻挡件均嵌设于所述反射层内。
在一些实施例中,所述反射层上设有数个开口,所述基底上设有数组连接组件,每个所述开口内设有一组所述连接组件,数个所述开口的面积总和为a,所述反射层的面积为b,开口率a/(a+b)为0.2%~30%。
在一些实施例中,所述阻挡件的横截面呈圆形,所述阻挡件的横截面的直径为1μm~150μm,所述阻挡件的高度为30μm~150μm。
在一些实施例中,所述阻挡件的高度大于或等于所述反射层的厚度;
所述反射层上位于相邻的阻挡件之间的区域的顶面呈现为朝向所述基底一侧凹陷的弧面。
在一些实施例中,所述连接组件包括数个连接件,每个连接件与相邻的所述阻挡件之间的距离为50μm~200μm;
相邻的所述阻挡件之间的距离为30μm~200μm。
在一些实施例中,所述阻挡件的材料包括光阻材料。
在一些实施例中,每组所述连接组件的外围至少设置有一圈所述阻挡件,同一圈的所述阻挡件位于一个中心对称图形的边上。
第二方面,本申请实施例提供一种驱动背板的制作方法,包括:
提供驱动基板,所述驱动基板包括基底以及设于基底上的连接组件,所述连接组件用于连接发光器件;
在所述基底上对应于所述连接组件的外围设置数个阻挡件,以使数个所述阻挡件围绕所述连接组件;
在所述基底上对应于所述连接组件的外围设置油墨材料,所述油墨材料与数个所述阻挡件连接在一起,所述油墨材料固化后形成反射层,使数个所述阻挡件均嵌设于所述反射层内。
在一些实施例中,所述在所述基底上对应于所述连接组件的外围设置数个阻挡件包括:
在所述基底上设置光阻材料,形成光阻层;
采用曝光、显影的方法对所述光阻层进行图形化处理,形成位于所述连接组件的外围的数个阻挡件。
在一些实施例中,采用丝网印刷或喷墨打印的方式在所述基底上对应于所述连接组件的外围设置油墨材料。
第三方面,本申请实施例提供一种发光基板,包括:
驱动背板,所述驱动背板为如上所述的驱动背板,或者为如上所述的驱动背板的制作方法制得的驱动背板;
发光器件,所述发光器件与所述驱动背板中的所述连接组件电性连接。
第四方面,本申请实施例提供一种发光基板的制作方法,包括:
提供如上所述的驱动背板,或者按照如上所述的驱动背板的制作方法制得驱动背板;
提供发光器件,使所述发光器件与所述驱动背板中的所述连接组件电性连接,得到发光基板。
本申请实施例提供的驱动背板,通过在反射层内嵌设数个阻挡件,使得反射层可以按照如下方式实现:首先在基底上设置数个阻挡件,之后在基底上设置用以形成反射层的油墨材料,在阻挡件的阻挡作用下,油墨材料的流动性能下降,并且,由于阻挡件的外表面与油墨材料之间存在表面张力作用,从而可以使油墨材料被阻挡件的外表面所吸引,进一步降低油墨材料的流动性能,当油墨材料的流动性能下降时,油墨材料不容易流动到连接组件的位置,从而避免了连接组件被油墨材料覆盖的问题,可以提高焊接良率,另外,当油墨材料的流动性能下降时,可以在施加油墨材料时将油墨材料于靠近连接组件的位置设置,从而可以缩小反射层的内侧边缘围出的开口的面积,提高驱动背板上油墨材料(即反射层)的覆盖面积,当在驱动背板的连接组件上设置发光器件以形成发光基板时,该驱动背板对发光器件的出射光线的反射率较高,不仅可以提高发光器件的光利用率,还可以避免相邻的发光器件之间形成光线暗区,改善发光基板的出光均匀度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的驱动背板的第一种俯视示意图。
图2为图1的驱动背板中的区域C的放大示意图。
图3为图2的驱动背板沿A-A方向的剖视示意图。
图4为本申请实施例提供的驱动背板的局部区域的第二种俯视示意图。
图5为图4的驱动背板沿B-B方向的剖视示意图。
图6为本申请实施例提供的驱动背板的制作方法的流程图。
图7为本申请实施例提供的驱动基板的结构示意图。
图8为本申请实施例提供的在基底上形成光阻层后的示意图。
图9对本申请实施例提供的对光阻层进行图形化处理后的示意图。
图10为本申请实施例提供的发光基板的剖视示意图。
图11为本申请实施例提供的发光基板的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
请参阅图1至图3,图1为本申请实施例提供的驱动背板的第一种俯视示意图,图2为图1的驱动背板中的区域C的放大示意图,图3为图2的驱动背板沿A-A方向的剖视示意图。本申请实施例提供一种驱动背板110,包括驱动基板50、反射层40以及数个阻挡件30。本申请实施例中,数个指的是一个或多个,多个为两个或两个以上,例如三个、四个、五个、六个、七个、八个等。
其中,驱动基板50包括基底10以及设于基底10上的连接组件20,连接组件20用于连接发光器件120。
反射层40设置于基底10的设有连接组件20的一侧,并且,反射层40设于连接组件20的外围。
数个阻挡件30设置于基底10的设有连接组件20的一侧,并且,数个阻挡件30围绕连接组件20布置,数个阻挡件30均嵌设于反射层40内。
需要说明的是,本申请实施例提供的驱动背板110,通过在反射层40内嵌设数个阻挡件30,使得反射层40可以按照如下方式实现:首先在基底10上设置数个阻挡件30,之后在基底10上设置用以形成反射层40的油墨材料,在阻挡件30的阻挡作用下,油墨材料的流动性能下降,并且,由于阻挡件30的外表面与油墨材料之间存在表面张力作用,从而可以使油墨材料被阻挡件30的外表面所吸引,进一步降低油墨材料的流动性能,当油墨材料的流动性能下降时,油墨材料不容易流动到连接组件20的位置,从而避免了连接组件20被油墨材料覆盖的问题,可以提高焊接良率,另外,当油墨材料的流动性能下降时,可以在施加油墨材料时将油墨材料于靠近连接组件20的位置设置,从而可以缩小反射层40的内侧边缘围出的开口41的面积,提高驱动背板110上油墨材料(即反射层40)的覆盖面积,当在驱动背板110的连接组件20上设置发光器件120以形成发光基板100时,该驱动背板110对发光器件120的出射光线的反射率较高,不仅可以提高发光器件120的光利用率,还可以避免相邻的发光器件120之间形成光线暗区,改善发光基板100的出光均匀度。
请结合图1,反射层40上设有数个开口41,基底10上设有数组连接组件20,每个开口41内设有一组连接组件20,数个开口41的面积总和为a,反射层40的面积为b,开口率a/(a+b)为0.2%~30%,例如0.2%、0.4%、0.6%、0.8%、1%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、13%、15%、17%、20%、22%、25%、28%、30%等。可以看出,反射层40具有较小的开口率,当反射层40的开口率较小时,驱动背板110上反射层40的覆盖面积较大,从而可以提高反射层40对发光器件120的出射光线的反射率。
示例性地,阻挡件30的横截面呈圆形,阻挡件30的横截面的直径为1μm~150μm,例如1μm、3μm、5μm、7μm、10μm、12μm、15μm、18μm、20μm、23μm、25μm、27μm、30μm、50μm、70μm、100μm、130μm、150μm等。需要说明的是,本申请实施例中,阻挡件30的横截面指的是,在平行于基底10的方向上对阻挡件30进行剖切所得到的截面。可以理解的,阻挡件30的横截面也可以为其它形状,例如三角形、矩形(长方形或正方形)、正五边形、正六边形、星形、不规则形状等。
请结合图1,阻挡件30可以呈圆台状,即,从远离基底10的一侧至靠近基底10的一侧,阻挡件30的横截面的面积逐渐增大。当然,阻挡件30的形状也可以设置为:从远离基底10的一侧至靠近基底10的一侧,阻挡件30的横截面的面积逐渐减小或保持均匀一致。
示例性地,阻挡件30的高度可以为30μm~150μm,例如30μm、40μm、50μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、130μm、140μm、150μm等。可以理解的是,阻挡件30的高度指的是阻挡件30上远离基底10一侧的表面和阻挡件30上与基底10连接的一侧的表面之间的距离。
示例性地,反射层40的厚度可以为30μm~150μm,例如30μm、40μm、50μm、70μm、80μm、90μm、100μm、110μm、120μm、130μm、140μm、150μm等。可以理解的是,反射层40的厚度指的是反射层40上远离基底10一侧的表面和反射层40上与基底10连接的一侧的表面之间的距离。
请结合图1,阻挡件30的高度可以大于或等于反射层40的厚度。
需要说明的,当阻挡件30的高度大于或等于反射层40的厚度时,由于表面张力的作用,反射层40上位于相邻的阻挡件30之间的区域的顶面(即反射层40上远离基底10一侧的表面)呈现为朝向基底10一侧凹陷的弧面,使得反射层40的上表面呈现出凹凸不平的形貌,从而可以实现漫反射的效果,使得反射层40上不同区域的反射光呈现出较为均匀的出射强度,当在驱动背板110的连接组件20上设置发光器件120以形成发光基板100时,发光基板100上不同区域的出光均匀度较好。需要说明的是,当反射层40的顶面为凹凸不平的形貌时,反射层40的厚度为所有区域的厚度的平均值。
当然,在另外一些实施例中,阻挡件30的高度也可以低于反射层40的厚度,此时,反射层40覆盖阻挡件30的顶面(即阻挡件30上远离基底10一侧的表面),反射层40的顶面呈平面状,此时反射层40顶面的漫反射效果较差,但是反射率较高。
示例性地,每组连接组件20可以包括间隔设置的数个连接件21,每个连接件21与相邻的阻挡件30之间的距离S为50μm~200μm,也即是说,环绕连接组件20设置的数个阻挡件30中,最靠近连接件21设置的阻挡件30与连接件21之间的距离S设置为50μm~200μm,从而在设置油墨材料以形成反射层40时,可以为油墨材料的流动提供一段缓冲距离,避免油墨材料流动至连接件21上导致连接件21被覆盖。示例性地,每个连接件21与相邻的阻挡件30之间的距离S可以为50μm、70μm、100μm、120μm、150μm、180μm、200μm等。
示例性地,连接件21可以为焊盘,即连接件21通过焊接的方式与发光器件120连接。示例性地,连接件21的材料可以为金属,例如钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)中的一种或多种。
请结合图1,连接组件20可以包括间隔设置的两个连接件21,其中一个连接件21用于和发光器件120的正极进行连接,另一个连接件21用于和发光器件120的负极进行连接。
示例性地,相邻的阻挡件30之间的距离L可以为30μm~200μm,例如30μm、50μm、80μm、100μm、130μm、150μm、170μm、200μm等。通过将相邻的阻挡件30之间的距离控制在合适范围内(30μm~200μm),从而在设置油墨材料以形成反射层40时,数个阻挡件30可以对油墨材料起到较好的阻挡作用,从而降低油墨材料的流动性能。
示例性地,阻挡件30的材料可以为光阻材料,例如正性光阻材料或负性光阻材料。当阻挡件30的材料为光阻材料时,可以采用涂布光阻以及曝光、显影的方式来制备阻挡件30。
示例性地,反射层40的颜色可以为白色,以起到较好的反射效果。反射层40的材料可以为绝缘材料(例如树脂材料等),从而在对连接件21与发光器件120进行焊接时可以对驱动基板50上的线路起到保护作用。
示例性地,基底10可以为TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)基板,即基底10中包含TFT器件,从而可以利用TFT器件来控制发光器件120点亮或关闭。
请参阅图1至图5,每组连接组件20的外围至少设置有一圈阻挡件30,同一圈的阻挡件30位于一个中心对称图形的边上。示例性地,中心对称图形可以为长方形、正方形、圆形、三角形、菱形等。当每组连接组件20包括两个连接件21时,中心对称图形的中心对称点可以与两个连接件21的几何中心的连线的中点重合。
请参阅图4和图5,图4为本申请实施例提供的驱动背板的局部区域的第二种俯视示意图,图5为图4的驱动背板沿B-B方向的剖视示意图。通过将图1至图3所示的实施例与图4至图5所示的实施例进行对比,可以看出,图1至图3所示的实施例中,每组连接组件20的外围设置有多圈阻挡件30,同一圈的阻挡件30位于一个矩形的边上,使得反射层40的所有区域均设置有阻挡件30,图4至图5所示的实施例中,每组连接组件20的外围设置有一圈阻挡件30,同一圈的阻挡件30位于一个矩形的边上,也即是说,反射层40上仅靠近连接组件20的区域设置有阻挡件30。如图1至图3所示,数个阻挡件30在连接组件20的外围排列为多圈,多圈可以为两圈或两圈以上,例如三圈、四圈、五圈、六圈等。如图4至图5所示,数个阻挡件30在连接组件20的外围排列为一圈。
请参阅图6,图6为本申请实施例提供的驱动背板的制作方法的流程图。本申请实施例提供一种驱动背板的制作方法,包括:
S100,请参阅图7,提供驱动基板50,驱动基板50包括基底10以及设于基底10上的连接组件20。
S200,请参阅图8和图9,在基底10上对应于连接组件20的外围设置数个阻挡件30,以使数个阻挡件30围绕连接组件20。
请结合图8和图9,“在基底10上对应于连接组件20的外围设置数个阻挡件30”具体可以包括:
请结合图8,在基底10上设置光阻材料,形成光阻层60;
请结合图9,采用曝光、显影的方法对光阻层60进行图形化处理,形成位于连接组件20的外围的数个阻挡件30。
S300,请结合图9和图3,在基底10上对应于连接组件20的外围设置油墨材料,油墨材料与数个阻挡件30连接在一起,油墨材料固化后形成反射层40,使数个阻挡件30均嵌设于反射层40内。
可以理解的是,当在基底10上对应于连接组件20的外围设置油墨材料时,可以在相邻的阻挡件30之间施加油墨材料,也可以在数个阻挡件30的外围(即远离连接组件20的一侧)施加油墨材料。
示例性地,可以采用丝网印刷或喷墨打印的方式在基底10上对应于连接组件20的外围设置油墨材料。
本申请实施例提供的驱动背板的制作方法,通过首先在基底10上设置数个阻挡件30,之后在基底10上设置用以形成反射层40的油墨材料,在阻挡件30的阻挡作用下,油墨材料的流动性能下降,并且,由于阻挡件30的外表面与油墨材料之间存在表面张力作用,从而可以使油墨材料被阻挡件30的外表面所吸引,进一步降低油墨材料的流动性能,当油墨材料的流动性能下降时,油墨材料不容易流动到连接组件20的位置,从而避免了连接组件20被油墨材料覆盖的问题,可以提高焊接良率,另外,当油墨材料的流动性能下降时,可以在施加油墨材料时将油墨材料于靠近连接组件20的位置设置,从而可以缩小反射层40的内侧边缘围出的开口41的面积,提高驱动背板110上油墨材料(即反射层40)的覆盖面积,当在驱动背板110的连接组件20上设置发光器件120以形成发光基板100时,该驱动背板110对发光器件120的出射光线的反射率较高,不仅可以提高发光器件120的光利用率,还可以避免相邻的发光器件120之间形成光线暗区,改善发光基板100的出光均匀度。
相关技术中,为了降低油墨材料的流动性能,通常采用每次印刷少量油墨材料,通过多次印刷的方式来达到制备反射层40所需的油墨材料的总量,但是该方法由于印刷次数较多,印刷时间较长,从而降低了印刷速度,提高了印刷成本。本申请实施例的驱动背板的制作方法通过采用阻挡件30来降低油墨材料的流动性能,使得用以制备反射层40的油墨材料可以在一次印刷工序内完成印刷,从而提高了印刷效率,降低了印刷成本。
示例性地,反射层40上设有数个开口41,基底10上设有数组连接组件20,每个开口41内设有一组连接组件20,数个开口41的面积总和为a,反射层40的面积为b,开口率a/(a+b)为0.2%~30%。
示例性地,阻挡件30的横截面呈圆形,阻挡件30的横截面的直径为1μm~150μm,阻挡件30的高度为30μm~150μm。
示例性地,反射层40的厚度为30μm~150μm。
示例性地,反射层40上位于相邻的阻挡件30之间的区域的顶面呈现为朝向基底10一侧凹陷的弧面。
示例性地,每组连接组件20包括间隔设置的数个连接件21,每个连接件21与相邻的阻挡件30之间的距离S为50μm~200μm。
示例性地,相邻的阻挡件30之间的距离L为30μm~200μm。
请参阅图10,图10为本申请实施例提供的发光基板的剖视示意图,本申请实施例提供一种发光基板100,包括驱动背板110与发光器件120,其中,驱动背板110可以为上述任一实施例中的驱动背板110,或者为上述任一实施例中的驱动背板的制作方法制得的驱动背板110;发光器件120与驱动背板110中的连接组件20电性连接。
请结合图10,当每组连接组件20包括间隔设置的两个连接件21时,发光器件120的正极与其中一个连接件21连接,发光器件120的负极与另一个连接件21连接。
示例性地,发光器件120为LED器件,例如Mini LED、Micro LED等。
需要说明的是,发光基板100可以为显示面板,即用于显示画面,或者,发光基板100可以作为液晶显示装置中的光源,为液晶显示面板提供背光。
示例性地,发光基板100可以应用于电视机、平板电脑、笔记本电脑、手机、电脑显示器、广告屏等显示装置中。
请参阅图11,同时结合图3和图10,图11为本申请实施例提供的发光基板的制作方法的流程图,本申请实施例提供一种发光基板的制作方法,包括:
S10,请结合图3,提供上述任一实施例中的驱动背板110,或者按照上述任一实施例中的驱动背板的制作方法制得驱动背板110。
S20,请结合图10,提供发光器件120,使发光器件120与驱动背板110中的连接组件20电性连接,得到发光基板100。
示例性地,可以采用焊接的方法使发光器件120与驱动背板110中的连接组件20电性连接。
以上对本申请实施例提供的驱动背板及其制作方法、发光基板及其制作方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (12)
1.一种驱动背板,其特征在于,包括:
驱动基板,所述驱动基板包括基底以及设于基底上的连接组件,所述连接组件用于连接发光器件;
反射层,设置于所述基底的设有所述连接组件的一侧,并且,所述反射层设于所述连接组件的外围;
数个阻挡件,设置于所述基底的设有所述连接组件的一侧,并且,数个所述阻挡件围绕所述连接组件布置,数个所述阻挡件均嵌设于所述反射层内。
2.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述反射层上设有数个开口,所述基底上设有数组连接组件,每个所述开口内设有一组所述连接组件,数个所述开口的面积总和为a,所述反射层的面积为b,开口率a/(a+b)为0.2%~30%。
3.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述阻挡件的横截面呈圆形,所述阻挡件的横截面的直径为1μm~150μm,所述阻挡件的高度为30μm~150μm。
4.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述阻挡件的高度大于或等于所述反射层的厚度;
所述反射层上位于相邻的阻挡件之间的区域的顶面呈现为朝向所述基底一侧凹陷的弧面。
5.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述连接组件包括数个连接件,每个连接件与相邻的所述阻挡件之间的距离为50μm~200μm;
相邻的所述阻挡件之间的距离为30μm~200μm。
6.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述阻挡件的材料包括光阻材料。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的驱动背板,其特征在于,每组所述连接组件的外围至少设置有一圈所述阻挡件,同一圈的所述阻挡件位于一个中心对称图形的边上。
8.一种驱动背板的制作方法,其特征在于,包括:
提供驱动基板,所述驱动基板包括基底以及设于基底上的连接组件,所述连接组件用于连接发光器件;
在所述基底上对应于所述连接组件的外围设置数个阻挡件,以使数个所述阻挡件围绕所述连接组件;
在所述基底上对应于所述连接组件的外围设置油墨材料,所述油墨材料与数个所述阻挡件连接在一起,所述油墨材料固化后形成反射层,使数个所述阻挡件均嵌设于所述反射层内。
9.根据权利要求8所述的驱动背板的制作方法,其特征在于,所述在所述基底上对应于所述连接组件的外围设置数个阻挡件包括:
在所述基底上设置光阻材料,形成光阻层;
采用曝光、显影的方法对所述光阻层进行图形化处理,形成位于所述连接组件的外围的数个阻挡件。
10.根据权利要求8所述的驱动背板的制作方法,其特征在于,采用丝网印刷或喷墨打印的方式在所述基底上对应于所述连接组件的外围设置油墨材料。
11.一种发光基板,其特征在于,包括:
驱动背板,所述驱动背板为如权利要求1-7中任一项所述的驱动背板,或者为如权利要求8-10中任一项所述的驱动背板的制作方法制得的驱动背板;
发光器件,所述发光器件与所述驱动背板中的所述连接组件电性连接。
12.一种发光基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供如权利要求1-7中任一项所述的驱动背板,或者按照权利要求8-10中任一项所述的驱动背板的制作方法制得驱动背板;
提供发光器件,使所述发光器件与所述驱动背板中的所述连接组件电性连接,得到发光基板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210454359.0A CN114759135A (zh) | 2022-04-27 | 2022-04-27 | 驱动背板及其制作方法、发光基板及其制作方法 |
US17/756,660 US20240162399A1 (en) | 2022-04-27 | 2022-05-13 | Drive backplane and method for preparing same, light-emitting substrate and method for preparing same |
PCT/CN2022/092621 WO2023206611A1 (zh) | 2022-04-27 | 2022-05-13 | 驱动背板及其制作方法、发光基板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210454359.0A CN114759135A (zh) | 2022-04-27 | 2022-04-27 | 驱动背板及其制作方法、发光基板及其制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114759135A true CN114759135A (zh) | 2022-07-15 |
Family
ID=82332228
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210454359.0A Pending CN114759135A (zh) | 2022-04-27 | 2022-04-27 | 驱动背板及其制作方法、发光基板及其制作方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240162399A1 (zh) |
CN (1) | CN114759135A (zh) |
WO (1) | WO2023206611A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116466513A (zh) * | 2023-03-28 | 2023-07-21 | 惠科股份有限公司 | 灯板、显示装置及灯板制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108535916B (zh) * | 2018-04-20 | 2020-04-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | 直下式背光模组及其制作方法 |
US10512159B2 (en) * | 2018-04-24 | 2019-12-17 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Driving substrate, manufacturing process, and micro-LED array light-emitting backlight module |
CN112198713A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-08 | 业成科技(成都)有限公司 | 光源组件、其制备方法、背光模组及显示装置 |
CN112396979B (zh) * | 2020-11-13 | 2022-07-12 | Tcl华星光电技术有限公司 | 背板及led面板 |
CN113745394B (zh) * | 2021-09-08 | 2023-10-13 | Tcl华星光电技术有限公司 | 发光基板及其制备方法 |
-
2022
- 2022-04-27 CN CN202210454359.0A patent/CN114759135A/zh active Pending
- 2022-05-13 US US17/756,660 patent/US20240162399A1/en active Pending
- 2022-05-13 WO PCT/CN2022/092621 patent/WO2023206611A1/zh active Application Filing
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116466513A (zh) * | 2023-03-28 | 2023-07-21 | 惠科股份有限公司 | 灯板、显示装置及灯板制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20240162399A1 (en) | 2024-05-16 |
WO2023206611A1 (zh) | 2023-11-02 |
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PB01 | Publication | ||
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