TWI782711B - 發光面板 - Google Patents

Abstract

本發明提出一種發光面板，其包含：基底層、設置於基底層上之複數個光源、以及設置於基底層上之複數個凸塊。在發光面板中，每一凸塊具有第一反射曲面設置背向基底層，且第一反射曲面在垂直於基底層之表面之至少一虛擬面上具有弧形剖面。該複數個凸塊係沿著六邊形輪廓或圓形輪廓分佈環繞該複數個光源之個別光源。

Description

發光面板

本發明係關於一種發光面板。具體而言，本發明係關於一種具有凸塊環繞光源設置之發光面板。

在現代社會中，可應用作為照明源或背光源等之發光面板之需求日益增加。一般而言，發光面板中可設置各種光源，例如mini LED、LED、OLED、或電致發光元件等。承上，為了導引光源所發的光線依據預期方式出光，發光面板可具有各種導光結構設計。例如，期望可藉由導光結構設計提高光源的光萃取效率、增加特定角度及方向之出光、改善出光的均勻度、減少出光的損耗率等。

解決問題之技術手段

為解決上述問題，根據本發明之一實施例提出一種發光面板，其包含：基底層；複數個光源，設置於基底層上；以及複數個凸塊，設置於基底層上。其中，每一凸塊具有第一反射曲面設置背向基底層，且第一反射曲面在垂直於基底層之表面之至少一虛擬面上具有弧形剖面。複數個凸塊可沿著六邊形輪廓或圓形輪廓分佈環繞複數個光源之個別光源。

對照先前技術之功效

依據本發明之各實施例所提供之發光面板，可藉由預定圖樣或預定排列形式設置凸塊環繞光源，藉以更大範圍地反射和導引光源所發出之光線。藉此，可使發光面板之光萃取效率及出光均勻性皆可進一步提升。

下文中將描述各種實施例，且所屬技術領域中具有通常知識者在參照說明搭配圖式下，應可輕易理解本發明之精神與原則。然而，雖然在文中會具體說明一些特定實施例，這些實施例僅作為例示性，且於各方面而言皆非視為限制性或窮盡性意義。因此，對於所屬技術領域中具有通常知識者而言，在不脫離本發明之精神與原則下，對於本發明之各種變化及修改應為顯而易見且可輕易達成的。

參照圖1，根據本發明之一實施例之發光面板10可配置用於發光M。具體而言，發光面板10可實質上大約沿著正向方向Dt發光M。進一步參照俯視發光面板10之圖2，為了發光M，根據本實施例之發光面板10可實際上具有複數個光源200，例如mini LED、micro LED、OLED、LED、電致發光元件等光源，且發光面板10可藉由分佈配置此些光源200而進行發光M。承上，為了增加發光之效率，發光面板10可具有各種結構設計或材質設計，以使得來自此些光源200之光線可被更順利地依照預期方式導出。

具體而言，參照圖2以及沿著圖2之剖面線A-A’進行截面之圖3A，根據本實施例之發光面板10可包含：基底層100；設置於基底層100上之複數個光源200，例如第一光源210；以及設置於基底層100上之複數個凸塊300。具體而言，可以玻璃基板或平坦化層作為基底層100，且在基底層100上每相隔例如4000 µm設置光源200。此外，在一些實施例中，光源200可具有大約85µm之高度。然而，上文所述具體尺寸皆僅為示例，且本發明不限於此。

承上述，根據一些實施例，上述結構之設置過程可為；先設置形成基底層100，再於基底層100上設置形成複數個凸塊300，並預留需設置光源200的區塊不設置凸塊300。接著，在完成複數個凸塊300之設置後，再進一步於上述預留區塊中設置複數個光源200。然而，此處所述之製程僅為說明示例，且用於形成本發明之各實施例之發光面板結構之製程不限於此。

另外，在一些實施例中，亦可選擇性覆蓋導光介質層於基底層100上，以包覆光源200並加強整體發光面板10之結構強度。例如，可設置厚度為200µm之可透光之覆晶膠或固晶膠於基底層100上以覆蓋光源200，其中所述覆晶膠或固晶膠可具有例如介於1.5至1.6的折射率。然而，此些具體態樣皆僅為示例，且本發明不限於此。

再者，根據本發明之又一實施例，基底層100上亦可能選擇性地設置其他材料膜層以實現預期的發光面板10之厚度。例如，基底層100上亦可能選擇性地設置例如UHA等材料膜層，以增加發光面板10之厚度，或作為其他功用之結構層等。承上，所屬技術領域中具有通常知識者應可以相對其他需求進行此些調整，且在此將不再贅述此些內容。

進一步，若設置於發光面板10之光源200須連接相對應電路，則根據本發明之一些實施例亦可另外設置接腳等電子裝置以連接光源200(如第一光源210)至電路基板或印刷電路等。承上，所屬技術領域中具有通常知識者應可明瞭此些相對應的設置變化，且本文在此將不再贅述。

下文中，將主要針對光源200以及相對用於反射導引光源200之出光之凸塊300之結構及相對分佈配置來進行說明。

承上所述，如圖3A對應複數個光源200之第一光源210所截取之局部剖面圖所示，設置於發光面板10中之每一凸塊300可具有第一反射曲面R1設置背向基底層100，且第一反射曲面R1可用以反射來自複數個光源200(例如第一光源210)之光線。承上，所述凸塊300之第一反射曲面R1在垂直於基底層100之表面U之至少一虛擬面SV1上可具有弧形剖面K1。舉例而言，凸塊300可具有相對基底層100大致沿著正向方向Dt突出之曲面，且上述曲面可用以反射光線。 在此，正向方向Dt可為實質上垂直於發光面板10之發光面或基底層100之表面U，且自基底層100朝複數個光源200(例如第一光源210)的方向。或者是，正向方向Dt可為發光面板10之預期整體出光方向。承上，凸塊300之第一反射曲面R1自基底層100之表面U向外突出，且沿著正向方向Dt剖面時，可在至少一方向上具有弧度。然而，根據一些實施例，凸塊300之第一反射曲面R1在垂直於基底層100之表面U之其他虛擬面上亦可能不具有弧形剖面。例如，凸塊300可為孤島式的圓頂凸塊，或者可為連續延伸的半圓柱體或拋物柱體等。承上，在第一反射曲面R1在垂直於基底層100之表面U之至少一虛擬面SV1上可具有至少一弧形剖面K1下，本發明之各實施例不限於此所具體說明之態樣。

具體而言，根據一些實施例，如圖3A之發光面板10所示，複數個凸塊300之本體可以反射性材質所製成，且因此凸塊300表面可直接形成第一反射曲面R1。另外，根據一些實施例，請參照圖3B之發光面板10’，複數個凸塊300之本體亦可用非反射性材質所製成，且在凸塊300本體之表面上進一步塗佈或設置以反射性材質所製成之反射層700，從而藉由反射層700來形成凸塊300表面之第一反射曲面R1。例如，可以使用相同或類似於基底層100或其他平坦化層的材料來製成具有凸起特徵的凸塊300之本體，再於其上鋪設由鋁或其他反射材質所形成之反射層700等。藉此，可減少反射材料用料或者是可沿用製作其他膜層如基底層100或平坦化層的程序來完成凸塊300之本體的設置。承上，根據不同實施例，可以各種方式實現可反射光線之第一反射曲面R1，且本發明不限於此所述之具體態樣。

此外，根據本發明之其他實施例，亦可能為了其他目的鋪設其他層來形成整體凸塊300，例如，以鋁形成之反射層700下亦可另外鋪設有以氧化鋁所形成的絕緣層等膜層，從而減少或避免導電金屬鋁所形成之反射層700產生非預期的導電。承上，在整體凸塊300具有弧形剖面K1之第一反射曲面R1下，本發明之其他實施例可有各種變化。

另外，參照圖3A及圖3B，複數個凸塊300可具有在垂直於基底層100之表面U之方向如正向方向Dt上的高度H、以及在平行於基底層100之表面U之一方向上的剖面寬度L。承上，根據一些實施例，複數個凸塊300在垂直於該基底層100之表面U之方向上的高度H可小於複數個凸塊300平行於基底層100之表面U的剖面寬度L。例如，凸塊300自與基底層100之表面U交界處起算至凸塊300沿著正向方向Dt的最高處的高度H，可小於凸塊300與基底層100之表面U交界處的剖面寬度L。舉例而言，在一些實施例中，凸塊300可具有2.0~5.0 um之高度，且凸塊300之剖面寬度L可為10~12um，但本發明不限於此。

另外，複數個凸塊300之相鄰凸塊300之間可具有間隙寬度S。承上，複數個凸塊300之間距(pitch)可為剖面寬度L+間隙寬度S。例如，發光面板10或發光面板10’之凸塊300之剖面寬度L可為10~12um，凸塊300之間隙寬度S可為3~5um，且整體間距(pitch)可為15 um。然而，此僅為示例，且本發明之其他實施例不限於此。

承上所述，複數個凸塊300可沿著六邊形輪廓或圓形輪廓分佈環繞複數個光源200之個別光源(例如第一光源210)而設置。舉例而言，參照其中示出圖2之區塊B之放大示意圖之圖4A(由粗虛線框標示區塊B之範圍)，根據一些實施例，複數個凸塊300可實質上為顆粒狀形式，且以六角最密堆積形式排列圍繞複數個光源200之個別光源(例如第一光源210)而設置。詳細而言，圖4A之細虛線六角框並非凸塊300本身，而是界定可設置單個凸塊300於其中之排列空間。承上，凸塊300可為各種具有第一反射曲面R1之凸塊300例如圓頂凸塊300，且圓頂凸塊300可實質上對應設置於細虛線六角框所界定之空間中。如上所述，凸塊300彼此可以六角最密堆積形式排列。承上，在此排列方式下，對應之細虛線六角框可相互契合地排列，而使凸塊300實現佔據較大面積較密集的分布。上述六角最密堆積形式配置之複數個凸塊300，若以局部側向剖面觀察，可如圖4B所示具有相互交疊錯位的排列配置。承上，可在基底層100上複數個光源200以外的至少部分區域以六角最密堆積形式排列複數個凸塊300，使得複數個凸塊300可沿著六邊形輪廓分佈環繞複數個光源200之個別光源，且藉由六角最密堆積形式填充光源200以外的至少部分區域。在藉由複數個凸塊300沿著六邊形輪廓分佈環繞複數個光源200之個別光源之配置下，可大幅地提升凸塊300之分佈範圍，且可提升相對應凸塊300反射光源200例如對應第一光源210之光線的效率。藉此，可改善整體發光面板10的光萃取效率或出光效率。

進一步，除了上述六角最密堆積形式以外，根據本發明之其他實施例可以各種形式沿著六邊形輪廓或圓形輪廓分佈該複數個凸塊300環繞複數個光源200之個別光源。舉例而言，圖5A示出圖2之區塊C之放大示意圖，其中，複數個凸塊300可分別對應複數個光源200為中心組成複數個凸塊組。例如，可對應第一光源210形成第一凸塊組G1；對應第二光源220形成第二凸塊組G2；對應第三光源230形成第三凸塊組G3；對應第四光源240形成第四凸塊組G4；對應第五光源250形成第五凸塊組G5；且對應第六光源260形成第六凸塊組G6。每一凸塊組例如凸塊組G1、G2、G3、G4、G5、G6可各別包含至少一凸塊，且下文中將例示性說明其中一凸塊組如第一凸塊組G1中之凸塊之分佈配置。如上所述，所屬技術領域中具有通常知識者應可相對應明瞭對於複數個光源200之其他光源亦可作相對應的類似配置，且在本文中將不再另外詳述及繪示。

承上所述，連同圖5A參照圖5B，根據一些實施例，複數個凸塊中對應第一光源210為中心所設置之至少一第一凸塊310可組成第一凸塊組G1。其中，該至少一第一凸塊310可圍繞第一光源210形成為環形。例如，第一凸塊310可形成為圖5B所示之封閉六邊環形。然而，上述僅為示例，且該至少一第一凸塊310亦可對應第一光源210為中心圍繞形成為不封閉之六邊環形。

參照沿著圖5B之剖面線D-D’所截取之局部示意圖之圖5C，上述形成為六邊環形之第一凸塊310之第一反射曲面R1可在至少一方向上具有弧形剖面K1。例如，第一凸塊310可實質上形成為連續延伸以圍繞第一光源210之類似半圓柱體或局部圓柱體或曲柱體之結構，且在徑向上具有至少一弧形剖面K1。承上圖5A至圖5C所示，相對於上述弧形剖面K1，第一凸塊310可具有一剖面寬度L，且第一凸塊310之間隙寬度S可為自該剖面寬度L之延伸方向延伸之介於不同圈之第一凸塊310之間的間隙寬度S。

除了上述參照圖5A至圖5C所示之態樣以外，連同圖6A參照圖6B，根據一些實施例，各凸塊組例如第一凸塊組G1中，至少一第一凸塊310’亦可能以其他形式圍繞第一光源210形成為環形。例如，第一凸塊310’可形成為圖6B所示之封閉圓形環形，使得凸塊310’可朝著更廣的角度例如360度反射出光，使得出光更加均勻。然而，上述僅為示例，且該至少一第一凸塊310’亦可對應第一光源210為中心圍繞形成為不封閉之圓形環形。

承上，參照沿著圖6B之剖面線E-E’所截取之局部示意圖之圖6C，類似地，上述形成為圓形環形之第一凸塊310’之第一反射曲面R1可在至少一方向上具有弧形剖面K1。例如，第一凸塊310’可實質上形成為連續延伸以圍繞第一光源210之類似半圓柱體或局部圓柱體或曲柱體之結構，且在徑向上具有至少一弧形剖面K1。承上圖6A至圖6C所示，相對於上述弧形剖面K1，第一凸塊310’可具有一剖面寬度L，且第一凸塊310’之間隙寬度S可約為自該剖面寬度L之延伸方向延伸之介於不同圈之第一凸塊310’之間的間隙寬度S。

承上所述，根據圖5A至圖6C所示之不同實施例，藉由沿著六邊形輪廓或圓形輪廓分佈環繞複數個光源200之個別光源(例如第一光源210)而設置凸塊(例如第一凸塊310或310’)，可使得凸塊之分佈面積及分佈範圍提升，且改善對應光源200出光之導引反射。因此，可提升發光面板之光萃取效率或出光效率，減少發光面板的非預期出光損耗，而改善整體發光面板之發光效率及效果。

另外，在上述圖5A至圖6C所示之態樣中，各凸塊組例如第一凸塊組G1可實際上包含複數個第一凸塊310或310’，且複數個第一凸塊310或310’可以第一光源210為中心呈同心環形式設置。詳言之，複數個第一凸塊310或310’可以第一光源210為中心相隔第一光源210不同距離，而環狀地圍繞第一光源210而設置成多圈。承上，在此所具體示出的第一凸塊310或310’之數量及圈數僅為示例，且根據本發明之其他實施例之態樣之第一凸塊310或310’設置之數量及圈數不限於此。

進一步，如上述圖5A及圖6A所示，發光面板10或10’於相鄰之凸塊組間可具有畸零區域r。例如圖5A之第一凸塊組G1、第二凸塊組G2、第四凸塊組G4、第五凸塊組G5之間可夾有不屬於第一凸塊組G1、第二凸塊組G2、第四凸塊組G4、第五凸塊組G5之畸零區域r。承上，發光面板10或10’於針對該複數個光源200之個別光源所設置之凸塊組以外可具有非對應個別光源的畸零區域r。參照其中示出畸零區域r之局部剖視圖之圖7，上述於基底層100上相鄰之該凸塊組之間的畸零區域r可進一步設置有至少一輔助凸塊600。該至少一輔助凸塊600可具有第二反射曲面R2設置背向基底層100。承上，類似於凸塊300，第二反射曲面R2可在垂直於基底層100之表面U之至少一虛擬面SV2上具有弧形剖面K2。

承上，根據一些實施例，該至少一輔助凸塊600可為顆粒狀形式，且以六角最密堆積形式設置於畸零區域r中。此配置方式類似於上文中針對凸塊300於圖4A所述之態樣，且在此將不再另外贅述。

另外，根據一些實施例，參照圖8A及圖8B，該至少一輔助凸塊600亦可為顆粒狀形式，且實質上平行於畸零區域r之邊界輪廓Cr而呈環狀排列分佈。具體而言，對應於圖5A，圖8A示出為平行四邊形的畸零區域r，且顆粒狀之複數個輔助凸塊600可實質上對應沿著平行四邊形之邊界輪廓Cr一圈一圈環狀排列設置。或者是，對應於圖6A，圖8B示出為四角星形的畸零區域r，且顆粒狀之複數個輔助凸塊600可實質上對應沿著四角星形之邊界輪廓Cr一圈一圈環狀排列設置。

進一步，若畸零區域r極小，亦可能僅設置單顆輔助凸塊600或不規律地設置數顆輔助凸塊600，以針對不完整的畸零區域r彈性地填充畸零區域r，且本發明不限制具體的填充方式。

承上所述之各種填充方式，可使得無法完整對應個別光源之畸零區域r亦可分佈設置有輔助的輔助凸塊600，從而提升整體發光面板10或10’之反射導光效果。

接下來，參照圖9至圖11，根據本發明之一些實施例，除了凸塊300及輔助凸塊600可選擇性地以六角最密堆積形式排列以外，複數個光源200亦可以六角最密堆積形式排列。具體而言，參照圖9，其中例示性示出部分光源200係以六角最密堆積形式排列的態樣，且在光源200之外的至少部分區域可排列設置凸塊300。例如，如圖9之區塊F放大所示，光源200以外之至少部分區域可設置有複數個凸塊300，且此些凸塊300可例如同樣地依據六角最密堆積形式來進行排列設置，使得此些凸塊300可沿著六邊形輪廓分佈環繞該複數個光源200之個別光源。

另外，根據一些實施例，光源200可以六角最密堆積形式排列，且在光源200之外的至少部分區域可以六角最密堆積形式以外的方式排列設置凸塊300。例如，如圖10所示，針對六角最密堆積形式排列之複數個光源200之個別光源可設置凸塊組G，且凸塊組G中的凸塊300之設置可相同或類似於上文中參照圖5B所述之態樣。承上，圖10之各凸塊組G之凸塊可以六邊環形環繞個別光源200設置，且在此將不再贅述。

再者，根據再一實施例，如圖11所示，針對以六角最密堆積形式排列之複數個光源200之個別光源可設置凸塊組G，且凸塊組G中的凸塊300之設置可相同或類似於上文中參照圖6B所述之態樣。承上，圖11之各凸塊組G之凸塊可以圓形環形環繞個別光源200設置，且在此將不再贅述。另外，根據本實施例，對應於六角最密堆積形式排列的光源200所設置之凸塊組G之間可具有畸零區域r，且如上文所述這些畸零區域r可另外以各種形式分佈設置輔助凸塊600等。

承上所述，針對以六角最密堆積形式排列的複數個光源200，複數個凸塊300可分別對應複數個光源200為中心組成複數個凸塊組G，且每一凸塊組G可包含至少一凸塊300。依據光源200之排列態樣，對應光源200設置之此些複數個凸塊組G可以排列成蜂窩狀形式，例如可以六角最密堆積形式排列。然而，本發明不限於此，且可以各種規律或形式排列凸塊組G。另外，凸塊組G內之至少一凸塊300可以各種上文所述的形式所設置，包含但不限於六角最密堆積形式、封閉六邊環形或封閉圓形環形等。藉此，可使得整體光源200及凸塊300之布置更為密集均勻，且可從而提升整體的光萃取效率及出光效率。

接下來，將參照圖12說明根據本發明之一些實施例之凸塊300之相對應角度設置。

承上，如圖12所示，類似於前文參照圖3A所述之態樣，發光面板20可至少具有第一光源210以及環繞第一光源210以各種形式所設置之凸塊300。其中，凸塊300之第一反射曲面R1與基底層100之表面U相接處之切線O與基底層100之表面U可夾有一內角θ。承上，根據不同實施例可相對應地調整內角θ之角度來取得所預期的出光效果。例如，根據一些實施例，為了提升於正向方向Dt上的出光效率，減少出光損耗，該內角θ可介於40度至60度之間。舉例而言，該內角θ可為50度。藉此，可提升整體發光面板20之正向方向Dt上的光萃取效率。然而，上述所述角度皆僅為示例，且本發明之其他實施例之凸塊300之內角θ可依據凸塊300的材質、反射層700的設置有無、相對於光源200如第一光源210的尺寸及製作凸塊300之製程、以及可能另外設置的其他結構或膜層等因素來決定。

根據本發明之一些實施例，實際上相對應於個別光源所設置之凸塊可具有變化。例如，如圖13所示，複數個凸塊中對應複數個光源200之第一光源210為中心所設置之至少多個第一凸塊311、312、313、314可組成第一凸塊組G1’。承上，圖14示出沿著圖13之剖面線I-I’所截取之局部截面圖，其中每一第一凸塊311、312、313、314之該第一反射曲面R11、R12、R13、R14與基底層100之表面U相接處之切線O1、O2、O3、O4與基底層100之表面U可夾有一內角θ1、θ2、θ3及θ4。承上，參照圖13及圖14，在該第一凸塊組G1’中，距離該第一光源210較近的一內側第一凸塊311之內角θ1可小於距離第一光源210較遠的一外側第一凸塊314之內角θ4。例如，第一凸塊311、312、313、314各別之內角θ1、θ2、θ3及θ4可自離第一光源210近至遠設置的順序依序地變大。然而，本發明不限於此，且根據其他實施例亦可能並非依序地增加內角，而是相隔一段距離的至少二第一凸塊彼此之間可具有內角之差異，且其他部分具有不同距離的第一凸塊之內角可不具有依序地變化。例如，根據一些實施例，雖然第一凸塊311之內角θ1可小於第一凸塊314之內角θ4，但第一凸塊312之內角θ2及第一凸塊313之內角θ3可與第一凸塊311之內角θ1相同，或者是第一凸塊312之內角θ2及第一凸塊313之內角θ3可與第一凸塊314之內角θ4相同，亦或是第一凸塊312之內角θ2可與第一凸塊311之內角θ1相同而第一凸塊313之內角θ3可與第一凸塊314之內角θ4相同等配置。承上，本發明之實施例可具有不同變化，且不限於此示出之具體示例。

另外，繼續參照圖13及圖14，根據一些實施例，除了內角的差異以外，在該第一凸塊組G1’中，距離該第一光源210較近的該內側第一凸塊311平行於該基底層100之表面U的最大剖面寬度L1可大於距離該第一光源210較遠的該外側第一凸塊314平行於該基底層100之表面U的最大剖面寬度L4。例如，第一凸塊311、312、313、314各別之剖面寬度L1、L2、L3、L4可自離第一光源210近至遠設置的順序依序地縮小。然而，本發明不限於此，且根據其他實施例亦可能並非依序地縮小寬度，而是相隔一段距離的至少二第一凸塊彼此之間可具有剖面寬度之差異，且其他部分具有不同距離的第一凸塊之剖面寬度可不具有依序地變化。例如，根據一些實施例，雖然第一凸塊311之剖面寬度L1可大於第一凸塊314之剖面寬度L4，但第一凸塊312之剖面寬度L2及第一凸塊313之剖面寬度L3可與第一凸塊311之剖面寬度L1相同，或者是第一凸塊312之剖面寬度L2及第一凸塊313之剖面寬度L3可與第一凸塊314之剖面寬度L4相同，亦或是第一凸塊312之剖面寬度L2可與第一凸塊311之剖面寬度L1相同而第一凸塊313之剖面寬度L3可與第一凸塊314之剖面寬度L4相同等配置。承上，本發明之實施例可具有不同變化，且不限於此示出之具體示例。

根據一些實施例，為了調整第一凸塊311、312、313、及314之內角θ1、θ2、θ3、θ4，可在第一凸塊311、312、313、及314之高度H相同下相對應調整第一凸塊311、312、313、及314之剖面寬度L1、L2、L3、L4。詳言之，若高度H相同，剖面寬度越大的情況下，第一凸塊可具有越小或越緩的內角：反之，若高度H相同，剖面寬度越小的情況下，第一凸塊可具有越大或越陡的內角。

進一步，根據一些實施例，在第一凸塊組G1’中，至少部分相鄰之該些第一凸塊之間的間隙寬度可不相同。例如，第一凸塊311與第一凸塊312之間的間隙寬度S1可大於第一凸塊313與第一凸塊314之間的間隙寬度S3。舉例而言，第一凸塊之間的間隙寬度可根據離第一光源210近至遠設置的順序依序地縮小。亦即，第一凸塊311與第一凸塊312之間的間隙寬度S1可大於第一凸塊312與第一凸塊313之間的間隙寬度S2，且第一凸塊312與第一凸塊313之間的間隙寬度S2可大於第一凸塊313與第一凸塊314之間的間隙寬度S3等，但本發明不限於此。例如，根據其他實施例亦可能並非依序地縮小間隙寬度，而是相隔一段距離的至少二間隙寬度彼此可具有差異，且其他間隙寬度可不具有依序地變化。舉例而言，在距離第一光源210較近的兩相鄰第一凸塊311與312之間的間隙寬度S1大於距離第一光源210較遠的兩相鄰第一凸塊313與314之間的間隙寬度S3下，間隙寬度S2可實質上等於間隙寬度S1，或間隙寬度S2可實質上等於間隙寬度S3等。承上，根據本發明之不同實施例可具有各種間隙寬度大小分佈的態樣。

根據上述調整間隙寬度或剖面寬度，可隨之調整第一凸塊之間的間距。承上，根據本實施例，可使得相對第一光源210具有不同距離的第一凸塊之間的間距不固定，以相對於可接受光線的強度和角度來實現較容易反射出光的間距(剖面寬度加上間隙寬度)。例如，可調整第一凸塊之剖面寬度(例如剖面寬度L、L1~L4)為2.5 um至15 um，或使第一凸塊之間的間隙寬度(例如間隙寬度S、S1~S3)為3~5 um，來相對應地調整第一凸塊之間的間距，使得第一凸塊之間的間距具有變化。

承上所述，藉由使得距離第一光源210越遠的第一凸塊具有越密集的排列，或越小的剖面寬度、或越小的間隙寬度或越陡越大的內角，且使得距離第一光源210越近的第一凸塊具有越疏散的排列，或越大的剖面寬度、或越大的間隙寬度或越緩越小的內角，可使得距離第一光源210越遠的區域也可具有相對應足夠的反射導引出光效果。因此，可改善整體的光萃取效率及出光均勻度。

綜上所述，根據本發明之各實施例所提出的發光面板，可藉由使複數個凸塊沿著六邊形輪廓或圓形輪廓分佈環繞該複數個光源之個別光源，從而提升凸塊之分佈面積及範圍，增加整體光線於出光方向上的反射率，而改善整體發光面板導引光線出光的效果，減少或避免自光源所發射之光線未被反射導引出光之損耗。因此，可提升發光面板的光萃取效率及出光效率，從而改善發光面板的發光效率和發光效果。

上文中所說明之所有實施態樣，在未互相衝突下皆可相互組合應用，且所屬技術領域中具有通常知識者應能自上述說明理解此些應用的變化。此外，應注意的是，為了清楚顯示各結構及組件，本申請圖式中各結構及組件相對於其他結構及組件之比例亦可能誇大或失真。承上，所屬技術領域中具有通常知識者應可明瞭在本文說明書及圖式中所示出之各組件及結構的數量及相對比例皆僅為了方便說明而呈現，且實際組件及結構的數量及相對比例不限於本文說明書及圖式中所具體呈現者。

另外，上文中所述僅為本發明之一些較佳實施例。應注意的是，在不脫離本發明之精神與原則下，本發明可進行各種變化及修改。所屬技術領域中具有通常知識者應明瞭的是，本發明由所附申請專利範圍所界定，且在符合本發明之意旨下，各種可能置換、組合、修飾及轉用等變化皆不超出本發明由所附申請專利範圍所界定之範疇。

10、10’、20:發光面板 100:基底層 200:光源 210:第一光源 220:第二光源 230:第三光源 240:第四光源 250:第五光源 260:第六光源 300:凸塊 310、310’、 311、312、313、314:第一凸塊 600:輔助凸塊 700:反射層 G:凸塊組 G1、G1’:第一凸塊組 G2:第二凸塊組 G3:第三凸塊組 G4:第四凸塊組 G5:第五凸塊組 G6:第六凸塊組 R1、R11、R12、R13、R14:第一反射曲面 R2:第二反射曲面 SV1、SV2:虛擬面 K1、K2:弧形剖面 L、L1、L2、L3、L4:剖面寬度 S、S1、S2、S3:間隙寬度 O、O1、O2、O3、O4:切線 θ、θ1、θ2、θ3、θ4:內角 Dt:正向方向 H:高度 U:表面 B、C:區塊 Cr:邊界輪廓 M:發光 r:畸零區域

圖1係為根據本發明之第一實施例之發光面板之立體示意圖。

圖2係為根據本發明之第二實施例之發光面板之俯視示意圖。

圖3A係為根據本發明之第三實施例之發光面板之剖視示意圖。

圖3B係為根據本發明之第四實施例之發光面板之剖視示意圖。

圖4A係為根據本發明之第五實施例之發光面板之凸塊依照六角最密堆積形式分佈配置之俯視示意圖。

圖4B係為根據本發明之第六實施例之發光面板之凸塊依照六角最密堆積形式分佈配置之剖視示意圖。

圖5A係為根據本發明之第七實施例之相對應於個別光源設置之複數個凸塊組之分佈配置之示意圖。

圖5B係為根據本發明之第八實施例之例示性第一凸塊組中第一凸塊以封閉六邊環形分佈配置之示意圖。

圖5C係為根據本發明之第九實施例之第一凸塊之局部立體示意圖。

圖6A係為根據本發明之第十實施例之相對應於個別光源設置之複數個凸塊組之分佈配置之示意圖。

圖6B係為根據本發明之第十一實施例之例示性第一凸塊組中第一凸塊以封閉圓形環形分佈配置之示意圖。

圖6C係為根據本發明之第十二實施例之第一凸塊之局部立體示意圖。

圖7係為根據本發明之第十三實施例之畸零區域中配置輔助凸塊之剖視示意圖。

圖8A係為根據本發明之第十四實施例之畸零區域中輔助凸塊之分佈配置之示意圖。

圖8B係為根據本發明之第十五實施例之畸零區域中輔助凸塊之分佈配置之示意圖。

圖9係為根據本發明之第十六實施例之複數個光源依照六角最密堆積形式分佈配置之示意圖。

圖10係為根據本發明之第十七實施例之複數個光源依照六角最密堆積形式分佈配置之示意圖。

圖11係為根據本發明之第十八實施例之複數個光源依照六角最密堆積形式分佈配置之示意圖。

圖12係為根據本發明之第十九實施例之發光面板之剖視示意圖。

圖13係為根據本發明之第二十實施例之例示性第一凸塊組中第一凸塊之分佈配置之示意圖。

圖14係為根據本發明之第二十一實施例之例示性第一凸塊組中不同第一凸塊之相對尺寸關係之示意圖。

無

10:發光面板

100:基底層

210:光源

300:凸塊

Dt:高度方向

U:表面

SV1:虛擬面

R1:第一反射曲面

K1:弧形剖面

H:高度

L:剖面寬度

S:間隙寬度

Claims (15)

1. 一種發光面板，其包含：一基底層；複數個光源，設置於該基底層上；以及複數個凸塊，設置於該基底層上，其中，每一該凸塊具有一第一反射曲面設置背向該基底層，且該第一反射曲面在垂直於該基底層之表面之至少一虛擬面上具有弧形剖面，其中，該複數個凸塊係沿著六邊形輪廓或圓形輪廓分佈環繞該複數個光源之個別光源，且其中，該複數個凸塊垂直於該基底層之表面之方向上的高度小於該複數個凸塊平行於該基底層之表面的剖面寬度。
2. 如請求項1所述之發光面板，其中，該複數個凸塊係為顆粒狀形式，且以六角最密堆積形式排列圍繞該複數個光源之個別光源。
3. 如請求項1所述之發光面板，其中，該複數個凸塊中對應該複數個光源之一第一光源為中心所設置之至少一第一凸塊係組成一第一凸塊組，且其中，該第一凸塊圍繞該第一光源形成為環形。
4. 如請求項3所述之發光面板，其中，該第一凸塊係形成為封閉六邊環形或封閉圓形環形。
5. 如請求項3所述之發光面板，其中，該第一凸塊組包含複數個第一凸塊，且該複數個第一凸塊以該第一光源為中心呈同心環形式設置。
6. 如請求項1所述之發光面板，其中，該複數個凸塊分別對應該複數個光源為中心組成複數個凸塊組，且每一該複數個凸塊組包含至少一凸塊；其中，該基底層上於相鄰之該凸塊組間具有一畸零區域，該畸零區域進一步設置有至少一輔助凸塊；且 該至少一輔助凸塊具有一第二反射曲面設置背向該基底層，且該第二反射曲面在垂直於該基底層之表面之至少一虛擬面上具有弧形剖面。
7. 如請求項6所述之發光面板，其中，該至少一輔助凸塊係為顆粒狀形式，且以六角最密堆積形式設置於該畸零區域中。
8. 如請求項6所述之發光面板，其中，該至少一輔助凸塊係為顆粒狀形式，且實質上平行於該畸零區域之邊界輪廓而呈環狀排列分佈。
9. 如請求項1所述之發光面板，其中，該複數個光源係以六角最密堆積形式排列。
10. 如請求項9所述之發光面板，其中，該複數個凸塊分別對應該複數個光源為中心組成複數個凸塊組，且每一該複數個凸塊組包含至少一凸塊，且其中，該複數個凸塊組係以六角最密堆積形式排列。
11. 如請求項1所述之發光面板，其中，該第一反射曲面與該基底層之表面相接處之切線與該基底層之表面夾有一內角，且該內角介於40度至60度之間。
12. 如請求項1所述之發光面板，其中，該複數個凸塊中對應該複數個光源之一第一光源為中心所設置之多個第一凸塊係組成一第一凸塊組，且其中，每一該第一凸塊之該第一反射曲面與該基底層之表面相接處之切線與該基底層之表面夾有一內角，且在該第一凸塊組中，距離該第一光源較近的一內側第一凸塊之該內角小於距離該第一光源較遠的一外側第一凸塊之該內角。
13. 如請求項12所述之發光面板，其中，在該第一凸塊組中，距離該第一光源較近的該內側第一凸塊平行於該基底層之表面的剖面寬度大於距離該第一光源較遠的該外側第一凸塊平行於該基底層之表面的剖面寬度。
14. 如請求項12所述之發光面板，其中，在該第一凸塊組中，至少部分相鄰之該些第一凸塊之間的間隙寬度不相同。
15. 如請求項14所述之發光面板，其中，在該第一凸塊組中，距離該第一光源較近的兩相鄰第一凸塊之間的間隙寬度大於距離該第一光源較遠的兩相鄰第一凸塊之間的間隙寬度。

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