TWM347755U - Laminated chip type LC filter containing hollow gas-gap over-voltage protecting mechanism - Google Patents

Description

M347755 八、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作係有關一種疊層晶片型LC濾波器，特別是 指整合LC濾波與中空氣隙過電壓保護，構成具有中空 氣隙過電壓保護機構之疊層晶片型LC渡波器者。 【先前技術】 現令電子產品溝求的疋南速傳輸訊號，對於靜電放 鲁電（ESD)所需要的過電壓保護裝置特性更是要求嚴格， 低容值的過電壓保護裝置可以避免在速度快的高頻訊號 有衰減作用，另外，大氣中的電磁波雜訊會經由耦合作 用將雜訊耦合到線路上，造成1C誤判訊號，所以整合滅 •波與過電壓保護的功用對訊號在高速傳輸線上極 【新型内容】 有鑑於此，本創作提出一種具有中空氣隙過電壓保 '護機構之疊I晶片# LC$波器，其具有氣隙之過電壓 保護裝置輿瀘油雨鍤功用66骷φ . π &、L ______

雙重問題。

此電極層為一交又型電極；在其中一方向 M347755 電極上形成兩個第—溝槽’該溝槽將該電極層切開且延 :至下基板内；第一中基板’具有第二溝槽’該第二溝 才曰與下基板的第-溝槽於相對之位置具有與該第_溝样 相同之寬度與長度；第二中基板，在中基板上有—全屬曰 ，極線，其電極線方向與下基板具有溝槽的電極線方向 一致’此金屬電極線形狀為往復式f曲狀，能增加 電極線的感值；第二中基板的金屬電極線得和下基板的 f極層形成電容，如此可以構成電感電容（Lc)形式據波 :m基板覆蓋於中基板上’再覆蓋於下基板，使 得上基板、中基板與下基板接合。 依本創作之具有中空氣隙過電壓保護機構之疊層晶 型LC濾波器，其第二中基板上之往復式管曲電極線 可以改為立體旋繞式金屬線，以增加更多的感值。 依本創作之具有中空氣隙過電壓保護機構之疊層晶 ^型LC濾、波器’藉由有溝槽之電極層與中基板上的傳 •線連接f 一起，可以形成整合LC濾波與中空氣隙之 -過電壓保護雙重功用的裝置。 •依本創作之具有中空氣隙過電壓保護機構之疊層晶 片5L LC濾波,’其中空氣隙係用以提供過電壓保護， 且可依P、?、需求及規;I；夂而十田壶女p t 况心而调法尺寸，例如氣隙之深度與寬 度，故不會因為製程而受到限制。 ;本創作之進一步特徵及功能可藉由以下之實施 例及圖式說明而有更詳盡之瞭解。 M347755 【實施方式】 本創作之具有中空氣隙過電壓保護機構之疊層晶片 型lc濾波器，主要於下基板之上端表面設計一交又電 極層’在此電極層中任—方向電極線的兩端各形成中空 氣隙作為過電壓保護機構；另外，提供-中基板，在中 基板上$ &往;f复式蛇紋狀（meander)或立體旋繞式電 感所、νυ的孟屬層可與下基板的電極層形成電容。 厂tf參照第W圖所示，本創作之具有中空氣隙過電 ►壓保護機構之疊層晶片型，包括： 一下基板^在下基板1的上端表面形成-十字形 電極層2 ;該十字形電極層2包含傳輸線和接地線作用 線上形成兩個第一溝槽21、22,該兩個 第-溝t 21、22將該電極層2切開，並 1的内部； T主下基板 *、一、t基板3,該巾基板3的板體上形成有二個向下 貝通之n槽31、32,該二個第二溝槽3 置，與下基板…第―料m的位置相對，並= 有與該第1槽21、22相同之寬度與長度； 且- -第二中基板4，設於中基板3的上方， 面形成-往復式形狀的金屬層41，其將傳輸線二= 份’在傳輸線的兩端為電極層，金屬層41的方二下： 板1上之具有中空氣隙的電極線方向一致；° 土 一上基板5,覆蓋於第二中基板4之上。 將該上基板5覆蓋於第二中基板4及中美 M347755 上，再覆盍至下基板1組合後，然後被覆外電極，即形 成具有整合濾波作用與中空氣隙之過電壓保護裝置。 本創作之具有中空氣隙過電壓保護機構之疊層晶片 型LC濾波器，如第3圖所示，由於第二中基板4之金 屬層41具有感值，此金屬層41能和第二中基板3及下 基板1之電極層2形成電容，因而製得電感·電容形式的 濾波器。而藉由在該十字形電極層2的電極線上形成兩 '個第一溝槽21、22,該兩個第一溝槽21、22將該電極 -參層2切開，並且延伸至下基板i内部，則形成中空氣隙 而具有過電壓保護之作用。 本創作之具有中空氣隙過電壓保護機構之疊層晶片 1 LC濾波器，其除了可如第1>2圖所示組合之外，又 .可如第4圖所示，將作為電感作用呈往復式形狀之金屬 層51，形成於上基板5的下端面，組合時，直接將上基 板5覆蓋到中基板3的上方，亦可達到如前所述整合電 感-電容形式的濾波器。 >· 請參照第5、6、7圖所示，本創作之具有中空氣隙 、過電壓保護機構之疊層晶片型LC濾波器，其第二實施 例包括： 在下基板100的表面形成一十字形電極層110 ;再 於《亥十子形电極層100的任一方向電極線上形成兩個第 一溝槽111、112，該兩個第一溝槽J J Ji 12將該電極 層110切開，並且延伸至下基板1〇〇内部；在中基板2〇〇 形成二個位置、寬度與長度均和第一溝槽ιη、ιΐ2相同 M347755 並相對之第二溝槽201、202 ; 一第二中基板300,其表面之具有電感特性 孟屬係製作成繞式結構，即在第二基板3〇〇上形成— 作為電感部的-段之繞式金屬層彻，此金屬I侧: 有一輸入端401 ; " 一第三中基板500,設在第二中基板3〇〇的上方， 到第二中基板300之金屬層4〇〇之不作為 的位置，設有一向下貫通之金屬孔層501 ; 一第四中基板600,在此基板上形成一作為電感邹 另一段之繞式金屬層610,該繞式金屬層61〇的一端且 有向下貫通之金屬層620’得和第三中基板5〇〇之全屬 孔層501，以及第二中基板3〇〇之金屬層4〇〇之不作為 輸入端相連接，並以繞式金屬層61〇的一端作為輸出端 630，藉此構成立體旋繞式電感結構，能提供更高的感 值’並可隨著感值需求將環繞的圈數增加； 一上基板700，覆蓋於第四中基板6〇〇之上方。 • 凊參照第8圖所示，可對本創作之具有中空氣隙過 、電壓保護機構之疊層晶片型LC濾波器的第二實施例作 局部的變更，例如，如圖所示，不使用第三中基板， 直接利用第四中基板600之該繞式金屬層61〇 一段向下 貫通之金屬孔層620,和第二中基板3〇〇之金屬層4〇〇 之不作為輸入端相連接，構成立體旋繞式電感結構。 或者，亦可如第9圖所示，不使用第四中基板6〇〇 , 而直接在上基板700的下端面形成作為電感部另一段之 M347755 …式孟屬mo ’並使繞式金屬層7 立體旋繞式電感結 基板_之金屬孔層501，以及m 層400之不作為輸人端相連接，構成 之至屬 構。 而本創作所述之電極層可 銅等金屬之一，其任意組合之 混合材料所形成。亦可藉由該 分別形成尖端狀，具有尖端放 本創作所述之基板分別由 積層式薄帶（Multi-layer thin 鋁元素，例如氧化鋁（Al2〇3)， 為金、銀、鈀、鉑、鎢 S至及包含其任意組合之 溝槽切開所形成電極層可 電之功能。 絕緣材料所形成，其可為 film)，該絕緣材料可包含 鈦元素或矽元素。 綜合以上所述’本創作之具有中空氣隙過電壓保 機構之疊層晶片型LC滤波器’為前所未有，其既未見 於任何刊物，且市面上亦未見有任何類似的產品、，是以， 其具有新穎性應無疑慮。另外，本創作所具有之獨特特 徵以及功能遠非習用所可比擬，所以其確實比習用更具 '有進步性，而符合我國專利法之規定，乃依法提 ^ '•申請。 以上所述，僅為本創作最佳具體實施例，惟本創作 之構造特徵並不侷限於此，任何熟悉該項技藝者在本創 作領域内，可輕易思及之變化或修飾，皆可涵蓋在以下 本案之專利範圍。 M347755 【圖式簡單說明】 第第第第 第第第第 第 ο ο ο 圖 圖 圖 1圖係本創作夕给 2圖係本創作之^—!施例的分解平面示圖。 3圖係本創作之Γ:施例的立體分解示圖。 y <弟一貫施例的組合剖面圖。 回系本虐J作之第一實施例的另一變化組合开 ό二H則作第二實施例之分解平面示圖。 7 創作第二實施例之立體分解示圖。 Θ糸本創作帛二實施例之組合剖面圖。 回系本創作之第二實施例的另一變化組合元 9圖係本創作之第二實施例的又一變化組合元 M347755 【主要元件符號說明】 1 :下基板 2 :十字形電極層 21、22 :第一溝槽 3 :中基板 31、32 :第二溝槽 4 :第二中基板 41 :往復式金屬層 5 :上基板 100 :下基板 110 :十字形電極層 111、112 :第一溝槽 200 :中基板 201、202 :第二溝槽 300 :第二中基板 400 ··繞式金屬層 401 :輸入端 500 :第三中基板 501 :金屬孔層 600 :第四中基板 610 :繞式金屬層 620 :金屬層 630 :輸出端 7 0 0 :上基板 710 :繞式金屬層 12

Claims (1)

1. M347755 九、申請專利範圍： 1.7種具有中空氣隙過電壓保護機構之疊層晶片型 濾波器，係由多數基板垂直堆疊所組成，其中： -下基板’其上端表面形成一具有溝槽之電極 層，该溝槽將電極層切開並且延伸至該下基板之内； 一中基板，設有和下基板之溝槽的位置相對，寬 - 度與長度均相同之溝槽；以此在下基板和中基板之間 鲁 構成具中空氣隙之電極結構； B 一第二中基板，設於中基板的上方； 一上基板’覆蓋第二中基板的上方； 其中，在第二中基板和上基板之間係設有一具電 - 感特性之金屬層，該金屬層方向與下基板上具有溝槽 的電極層方向一致，形成電感作用，並且，該金屬層 和下基板之電極層形成電容作用。 2·如申請專利範圍第1項之具有中空氣隙過電壓保護 '·· 機構之疊層晶片型LC濾波器，其中所述設於下基板 、 與中基板内之中空氣隙，係藉由該上下溝槽所形 成’且為下基板、電極層及上基板所包圍。 3·如申請專利範圍第1項之具有中空氣隙過電壓保護 機構之疊層晶片型LC濾波器，其中所述設於下基板 之電極層為十字形狀，包含有傳輸線和接地線，其 溝槽設於傳輪線上。 4·如申請專利範圍第1項之具有中空氣隙過電壓保護 13 M347755 機構之疊層晶片型LC濾波器，其中所述形成於第二 中基板和上基板之間具電感電性之金屬層，為往復 式形狀之繞式金屬層。 5. 如申請專利範圍第1項之具有中空氣隙過電壓保護 機構之疊層晶片型LC濾波器，其中電感值可以經= 增加中基板的層數或厚度來調整。 6. 如申請專利範圍第}項之具有中空氣隙過電壓保護 機構之疊層晶片型LC濾波器，其中所述具電感電性 • 之金屬層，係形成於第二中基板之上端表面Γ 7. 如申請專利範圍第丨項之具有中空氣隙過電壓保護 機構之疊層晶片型LC濾波器，其中所述具電感電性 之金屬層’係形成於上基板之下端表面。 8. 如申請專利範圍帛丄項之具有中空氣隙過電壓保講 機構之疊詹晶片型LC渡波器，其中所述具電感特^ 之金屬層，亦得分成多段式而形成立體旋繞式電感 結構。 屬9.如申請專利範圍帛8項之具有中空氣隙過電壓保護 --機構之疊層晶片型LC濾、波H，其中所述立體旋繞^ 電感結構，係在第：中基板的上方形成僅作為電感 之一段的繞式金屬層；於第二中基板的上方設第三 中基板’於第二巾基板的板面上形成可作為電感之 另一段的繞式金屬層，將此兩段繞式金屬層相連接 所構成。 10.如申請專利範圍第9項之具有中空氣隙過電壓保護 14 M347755 機構之豐層晶片型LC渡波器，其中又可在第二中其 板和第三中基板之間設置一具有貫通金屬孔層之基 板’以增加兩段電感金屬層的距離，調整電咸值.。 11.如申請專利範圍第i項之具有中空氣隙過電壓保護 機構之疊層晶片型LC濾波器，其中所述之電極層^ 為金、銀、鈀、鉑、鎢、銅等金屬之一，其任意二合 之合金及包含其任意組合之混合材料。 ' 12.如中請專利範圍第！項之具有中空氣隙過電壓保護 鲁機構之疊層晶片型LC濾波器，其中所述之基板為絕 緣材料或鐵電材料。 包含銘元素，鈦元素或矽元素 13. > U利範圍第12項之具有中空氣隙適電壓保護 機構之疊層晶片型LC濾、波器，其中該絕緣材料至少 < S ) 15