TWM338994U - Structure of separation-type testing jig - Google Patents

Description

M338994 八、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作係有關於一種測試治具 絕緣本體之傳導基座，係可自由分離地^日種设衣 體，且傳導基座和絕緣本 、^於該絕緣本 度移動者。 〜μ㈣定式而能適 【先前技術】 (:PIC)封裝完成之後，通常需要 5式，〇具一 一檢測其各接腳是否能正常運作。 一如第！圖所示，習知之積體電路測試治且卜 -絶緣本體11，絕緣本體u的下方設 測試電路（圖未示）之電路板12，該絕緣 、6又有 成-凹陷區13 ’凹陷區13的下方：：上方形 傳導基座U的表面設置多數二傳導基座14，該 金屬傳導元件16個別置入4 =，以提供多數個 容槽15之後，其一端係凸出、；導^傳導元件16置入 ’即〇 得導基座14 # 此，當積體電路2置入凹陷區13 :方精 接腳壓抵金屬傳導元件16的上端，使金^路2下方之 文力後’其一端連接電路板12的測試電路 ：16 通，；:用::Γ積體電路2之接腳以 ’、、、、而知之積體電路測試治具i，其傳導 广：一體加工成型所得，即在完成絕… 11的衣作後’再以銑削機械對絕緣本體U形成凹t M338994 5:位加工所製成。惟如此不僅加 金屬傳導元件發生磨損日牟 田不便，虽有一 金屬傳導元件必需同時更換：：：緣本體、傳導基座和 本也相對增加，降低市場競爭力。造成資源的浪費，成 【新型内容】 -心^人有鑑於前述先前技術之缺點，乃依兑從事夂 ·=產品之製造經驗和技術累積，針對::缺：!各 研究各種解決的方法，力^、s T奵上迷缺失悉心 後，終於開發設計出本創^不斷的研究、實驗與改良 έ士構，俜之目的’在提供-種分離式測試治具 絕緣本體為組合式件置設組裝之傳導基座，和 緣本測ί治具結構，其傳導基座和絕 固定式，使傳導基座結合於絕緣 本組之後仍能適度移動，為本創作之次一目的。 依本創作之分離放 緣本體之组合，r 結構，其傳導基座和絕 于為、緊式、螺鎖式或嵌入式結合，而 科基座料為平㈣或凸肩型，為賴作之再一目的 ，本創作之分離式測試治具結構，尤其適用於 本之而頻測試傳導元株桔田 ^ 磨損時得單獨更換=夕提供高頻測試傳導元件 一目的。 ' <吏成本相對降低，此為本創作之又 6 M338994 係提供積體電路;t合:：：導基座仍能適 移動，以減緩金屬；導元 又-目的Z—5讀軸條的使用壽命，此為本創作之 2 £胃審查委員能對本創作之 t置特徵及其功效’做更進-步之認識舆睁:兹2 施例配合圖式，詳細說明如下： 〆、轉效舉貫 【實施方式】

本創作之分離式測試治具結構，如第H =二：分離式測試治具3,包括一絕緣本體4及一 路二丄，。亥絕緣本體4的頂面設有-可提供積體電 置入之凹口 41，絕緣本體4的頂面的下方 I:::1貫通，二階式組合口 42;該傳導基座5,其1 租ς彳數個谷槽5卜每一容槽51内可設置金 -件；該傳導基座5的一端具有凸肩冑52，以迫緊#專： 於絕緣本體4之二階式組合口 42。 人 試二 =第，、2E、2F圖所示，本創作之分離式剛 ，ς、°4 &於傳導基座5表面之容槽51為長形排 [μ長形排孔主要提供如帛2E圖所示之高頻金屬傳 V疋件53使用，該高頻金屬傳導元件53組裝入容样W 後’並藉一彈性轴條54靠抵’以避免高頻金屬傳導^件 M338994 53過度磨耗電路板之測試電路。而如 低頻金屬傳導元件55，當容 图所不，係 該低頻金屬傳導元件55使用:”、、孔形時即可套裝 由上述所述可知，由於傳導基座5和 組合式，故傳導基座5可以方便加工製造，而：；4為 裝或取下’而傳導基座5可以利 = 體4,也可以利用現有精密機械加工，於製夂=本 接迫緊嵌入絕緣本體4固定。 凡成後直 請參照第3A、3B、3C圖所示，本創作之 :式治具結構，其分離式測試治具6包括一絕緣本、 和-平板型傳導基座62,絕緣本體61的頂面設置一 61 提供積體電路置人之凹口 63,和該凹口 63貫通^ 則設有一單層式組合口 64，平板型傳導基座Μ的 得設置鎖A 65,以便利透過螺絲鎖固結合於絕緣^ 61。 随 請參第4A、4B、4C圖所示’本創作之分離式 治具結構，其分離式測試治具7包括一絕緣本體”和^ 傳導基座72,絕緣本體71的頂面設有_可提供積體命 路置入之凹口 73,和該凹口 73貫通的下方設一組合: 74;並且，設有一封蓋元件75 ’該封蓋元件75為二傳 導基座72大的環形框，得蓋覆於傳導基座72的下方， 再以螺絲穿過封蓋元件75的孔76後，將封蓋元件乃 和傳導基座7 2 —起固定至絕緣本體71。 而且，傳導基座72的下端又可形成一下沉部卜 M338994 當封蓋元件75和傳導基座72 一起 後，下沉部721會從封蓋元件75的 至絕緣本體Η 沉部721的下方平面和封蓋元件75的下方^凸出’使下 不影響金屬#導元件和電路板的電性接下方平面相同’以 睛參第5A、5B、5C、5D圖所示，太 測試治具結構，其分離式測試治具8包括：：：離式 和一傳導美亦δ0 b 匕括一絶緣本體81 ^傳¥基座82,絕緣本體81的頂 體電路置入之凹口 83,和該凹口 ：=供積 合口 84,組合口 84的角落設有鎖孔85， 美又^且 =角則設有對應到該鎖孔85的缺角86，以便^導2 1 :藉鎖栓87穿過傳導基座82 “ 孔85後固定。 i牙八鎖 圖所示’由於傳導基座82 {靠著其四周之缺角 栓87夾持固定，而且是藉由鎖栓87之栓頭871 從一端抵*’因此，傳導基座82可以完全被1= ^固定住’但也可以在傳導基座82和栓頭871之間形 如第5D圖所示)。…適度移動之移動空間 此將傳導基座82組合至絕緣本體81後仍能適 動之結構’使用於如第2E圖之高頻金屬傳導元件時， ，導基座82可以因應積體電路的下壓而適當下移，當傳 導基座82 T移時，設於高頻金屬傳導it件-側之彈性軸 體會跟著下移’即可減少對彈性軸體的施壓，使彈性轴 體的使用壽命得以延長。 9 M338994 市面上亦：新構造，其既未見於任何刊物，且 應益疑慮。L!任何類似的產品，是以’其具有新賴性 非習用；可？，本創作所具有之獨特特徵以及功能遠 而#人 擬，所以其確實比習用更具有其進步性， 有嶋專利之申請要件之規定，乃 之Μ 2上所述，僅為本創作較佳具體實施例，惟本創作 造特徵並不侷限於此，任何熟悉該項技藝者在本創 領域内，可輕易思及之變化或修飾，皆可涵蓋在以下 本案之專利範圍。 M3 3 8994 【圖式簡單說明】 f 1圖係習知積體電路測試治具之剖面示圖。 第2A圖係本創作之立體分解示圖。 第2B圖係第2A圖之另一角度立體示圖。 第2C圖係第2A圖之平面示圖。 第2D圖係第2B圖之傳導基座的放大示圖。 第2E圖係傳導基座内設置高頻金屬傳導元件的剖 圖0 第2F圖係傳導基座内設置低頻金屬傳導元件的剖 圖。 第3A圖係本創作之第二實施例立體分解示圖。 f 3B圖係第3A圖之另-角度立體示圖。 ，3C圖係第3A圖之平面示圖。 ★ 固係本創作之第三實施例立體分解示圖。 第4B圖係苐4A圖之另一角度立體示圖。 ，4C圖係第4A圖之平面示圖。 ，5A圖係本創作之第四實施例立體分解示圖。 弟5B圖係楚e 、第5A圖之另一角度立體示圖。 ，5C圖係苐5a圖之平面示圖。 第5D圖係第5C圖組裝後之局部放大示圖。 11 M338994 【主要元件符號說明】 1 :積體電路測試治具 11 :絕緣本體 12 :電路板 13 :凹陷區 14 :傳導基座 15 :容槽 16 :金屬傳導元件 2 ： 積體電路 3 :分離式測試治具 4 ： 絕緣本體 5 :傳導基座 41 :凹口 42 :二階式組合口 51 :容槽 52 :凸肩部 53 :高頻金屬傳導元件 54 :彈性軸條 55 :低頻金屬傳導元件 6 :分離式測試治具 61 :絕緣本體 62:平板型傳導基座 63 :凹口 64 :單層式組合口 65 :鎖孔 7 :分離式測試治具 71 :絕緣本體 72 :傳導基座 73 :凹口 74 :組合口 75 :封蓋元件 76 ··孑L 721 :下沉部 751 :環孔 8 ： 分離式測試治具 81 :絕緣本體 82 :傳導基座 83 :凹口 84 :組合口 85 :鎖孔 86 :缺角 87 :鎖栓 871 :栓頭 9 :移動空間 12

Claims (1)

1. M338994 九、申請專利範圍： 1 ·種分離式測試治具結構，包括一絕緣本體和一傳導 基座’其中’所述之絕緣本體，其一端面設有可供積 月豆電路置入之凹口，其另一端面設有一和該凹口貫通 ，組合口；所述之傳導基座，係可分離地結合於所述 、、、巴、、彖本體之組合口，其本體設有數個容槽，容槽内設 置金屬傳導元件。 2. 如申請專利範圍第！項之分離式測試治具結構，其中 所述之傳導基座係迫緊結合於絕緣本體之組合口。 3. 如申請專利範圍第！項之分離式測試治具結構，呈中 4 Γΐίΐ導基座係螺鎖結合於絕緣本體之組合口。 範圍第1項之分離式測試治具結構，其中 5·如申請專利範圍第！項之分離=緣本體之組合口。 所述之傳導基座係藉一封蓋元= 治具結構’其中 組合口。 件…S於絕緣本體之 6 ·如申請專利範圍第5項之分雜 所述之傳導基座以封蓋^j試治具結構，其中 。時’傳導基座之下端面得為、;;:=本趙:組合 水平面而具有下沉部。 、 ^盍凡件有相同 7·如申請專利範圍第1、2、3、 治具結構，其中所述之金二或5項之分離式測試 元件。 元件係高頻金屬傳導 S·如申請專利範圍第1、2、3、 4或5項之分離式測試 13 M338994 治具結構，其中所述之金屬傳導元件係低頻金屬傳導 件。 9.如申請專利範圍第丨、2、3、4或5項之分離式測試 治具結構，其中所述之傳導基座係平版型。 10. 如中請專利範圍第i、2、3、4或5項之分離式測試 〃、、、’σ構，其中所述之傳導基座係具凸肩型。 11. 如申請專利範圍第i項之分離式測試治具結構，其中 所f之傳導基座組合於絕緣本體後，得在絕緣本體的 一端保持能令其適度移動之移動空間。 12. 如申請專利範圍第u項之分離式測試治具結構，其 中所述之傳#基座的角《得形錢角，再藉設有检頭 之j栓，使鎖栓通過傳導基座之缺角後，以栓頭壓抵 傳導基座，達到傳導基座結合於絕緣本體一端後能適 度移動者。 13. —種分離式測試治具結構，包括一絕緣本體和一傳導 基座；其中，所述之絕緣本體，其一端設有一可提供 積體電路置入之凹口，其另一端設有和該凹口貫通之 組σ 口，所述之傳導基座，其本體設有數個容槽，容 槽内没有金屬傳導元件，該傳導基座組合至絕緣本體 後係能適度移動者。 14. 如申請專利範圍第13項之分離式測試治具結構，其 中:述之絕緣本體的下端係設有栓孔，而傳導基座的 角名相對至s亥栓孔處則設有缺角，傳導基座得藉具 有栓頭之鎖栓組合於絕緣本體，當鎖栓穿過傳導基座 M338994 並鎖入絕緣本體之栓孔後，栓頭和傳導基座之間，形 成有可提供傳導基座適度移動之移動空間。 15